JPH03167863A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
- Publication number
- JPH03167863A JPH03167863A JP1308612A JP30861289A JPH03167863A JP H03167863 A JPH03167863 A JP H03167863A JP 1308612 A JP1308612 A JP 1308612A JP 30861289 A JP30861289 A JP 30861289A JP H03167863 A JPH03167863 A JP H03167863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external lead
- lid
- glass member
- insulating base
- lead terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子を収容する半導体素子収納用パフケ
ージの改良に関するものである。
ージの改良に関するものである。
（従来の技術）
従来、半導体素子を収容するためのパソケージ、特にガ
ラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子収
納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから或り、内部に
半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容器
内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に接
続するための外部リード端子とから構成されており、絶
縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラス
部材を被着形或すると共に、絶縁基体主面に外部リード
端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子と
をワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれぞ
に被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させるこ
とによって内部に半導体素子を気密に封止している。
ラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子収
納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから或り、内部に
半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容器
内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に接
続するための外部リード端子とから構成されており、絶
縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラス
部材を被着形或すると共に、絶縁基体主面に外部リード
端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子と
をワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれぞ
に被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させるこ
とによって内部に半導体素子を気密に封止している。
（発明が解決しようとする課題）
しかし乍ら、この従来のガラス封止型半導体素子収納用
パンケージは通常、外部リード端子がコバール（２９
ＷｔＸ Ｎｉ−１６ ＷｔＸ Ｃｏ−５５ ＷｔχＦｅ
合金〉や４２ＡＩＩｏｙ（４２ ＷｔＸ Ｎｉ−５８
ＷｔＸ Ｆｅ合金）の導電性材料から成っており、該コ
バールやｔ２Ａｌｌｏｙ等は透磁率が高いことから以下
に述べる欠点を有する。
パンケージは通常、外部リード端子がコバール（２９
ＷｔＸ Ｎｉ−１６ ＷｔＸ Ｃｏ−５５ ＷｔχＦｅ
合金〉や４２ＡＩＩｏｙ（４２ ＷｔＸ Ｎｉ−５８
ＷｔＸ Ｆｅ合金）の導電性材料から成っており、該コ
バールやｔ２Ａｌｌｏｙ等は透磁率が高いことから以下
に述べる欠点を有する。
即ち、コバールや４２ＡＩｌｏｙは鉄（Ｐａ）、ニッケ
ル（Ｎｆ）、コバル｝ （Ｃｏ）といった強磁性体金属
のみから戒っており、その透磁率は２５０〜７００ （
ＣＧＳ）と高い。そのためこのコバールや４２Ａ目◇ｙ
等から成る外部リード端子に電流が流れると外部リード
端子中に透磁率に比例した大きな自己インダクタンスが
発生し、これが逆起電力を誘発してノイズとなると共に
、該ノイズが半導体素子に入力されて半導体素子に誤動
作を生じさせるという欠点を有していた。
ル（Ｎｆ）、コバル｝ （Ｃｏ）といった強磁性体金属
のみから戒っており、その透磁率は２５０〜７００ （
ＣＧＳ）と高い。そのためこのコバールや４２Ａ目◇ｙ
等から成る外部リード端子に電流が流れると外部リード
端子中に透磁率に比例した大きな自己インダクタンスが
発生し、これが逆起電力を誘発してノイズとなると共に
、該ノイズが半導体素子に入力されて半導体素子に誤動
作を生じさせるという欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は
外部リード端子で発生するノイズを極小となし、内部に
収容する半導体素子への信号の人出力を確実に行うこと
を可能として半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安
定に作動させることができる半導体素子収納用パフケー
ジを提供することにある。
外部リード端子で発生するノイズを極小となし、内部に
収容する半導体素子への信号の人出力を確実に行うこと
を可能として半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安
定に作動させることができる半導体素子収納用パフケー
ジを提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は内部に半導体素子を収容するための空所を有す
る絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して取着
して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶
縁容器をフォルステライト質焼結体もしくはジルコ三ア
質焼結体で、外部リード端子を透磁率１５０ （ＣＧＳ
）以下、熱膨張係数９５乃至１１０ ｘｌＯ−’／ ”
ｃの金属で、ガラス部材をシリカ６０．０乃至７０．０
Ｗｔ！ ，ナトリウム、カリウムの酸化物の少なくとも
１種１０．０乃至２０．０ＷｔＸ 、酸化バリウム５．
０乃至１５．０ＷｔＸから成るガラスで形成したことを
特徴とするものである。
る絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して取着
して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶
縁容器をフォルステライト質焼結体もしくはジルコ三ア
質焼結体で、外部リード端子を透磁率１５０ （ＣＧＳ
）以下、熱膨張係数９５乃至１１０ ｘｌＯ−’／ ”
ｃの金属で、ガラス部材をシリカ６０．０乃至７０．０
Ｗｔ！ ，ナトリウム、カリウムの酸化物の少なくとも
１種１０．０乃至２０．０ＷｔＸ 、酸化バリウム５．
０乃至１５．０ＷｔＸから成るガラスで形成したことを
特徴とするものである。
（実施例）
次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図及び第２図は本発明の半導体素子収納用パッケー
ジの一実施例を示し、ｌは絶縁基体、２は蓋体である。
ジの一実施例を示し、ｌは絶縁基体、２は蓋体である。
この絶縁基体１と蓋体２とにより絶縁容器３が構威され
る。
る。
前記絶縁基体ｌ及び蓋体２はそれぞれの中央部に半導体
素子を収容する空所を形戒するための凹部が設けてあり
、絶縁基体１の凹部底面には半導？素子４が樹脂、ガラ
ス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される． 前記絶縁基体ｌ及び蓋体２はフォルステライト質焼結体
もしくはジルコニア質焼結体から或り、第１図に示すよ
うな絶縁基体１及び蓋体２に対応した形状を有するプレ
ス型内に、フォルステライト質焼結体の場合はマグネシ
ア（ ＭｇＯ ） 、シリカ（ＳｉＯ■）等の原料粉末
を、ジルコニア質焼結体の場合は酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒＯｚ）、イットリア（ｙｚｏｓ）等の原料粉末を充填
させるとともに一定圧力を印加して或形し、しかる後、
戒形品を約１２００〜ｌ５００℃の温度で焼或すること
によって製作される。
素子を収容する空所を形戒するための凹部が設けてあり
、絶縁基体１の凹部底面には半導？素子４が樹脂、ガラ
ス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される． 前記絶縁基体ｌ及び蓋体２はフォルステライト質焼結体
もしくはジルコニア質焼結体から或り、第１図に示すよ
うな絶縁基体１及び蓋体２に対応した形状を有するプレ
ス型内に、フォルステライト質焼結体の場合はマグネシ
ア（ ＭｇＯ ） 、シリカ（ＳｉＯ■）等の原料粉末
を、ジルコニア質焼結体の場合は酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒＯｚ）、イットリア（ｙｚｏｓ）等の原料粉末を充填
させるとともに一定圧力を印加して或形し、しかる後、
戒形品を約１２００〜ｌ５００℃の温度で焼或すること
によって製作される。
尚、前記絶縁基体ｌ及び蓋体２を形戒するフォルステラ
イト質焼結体もしくはジルコニア質焼結体はその熱膨張
係数が１００乃至１１０ ×１０−’／ ’Ｃであり、
後述する封止用ガラス部材の熱膨張係数との関係におい
て絶縁基体ｌ及び蓋体２と封止用ガラス部材間に大きな
熱膨張の差が生じることはない。
イト質焼結体もしくはジルコニア質焼結体はその熱膨張
係数が１００乃至１１０ ×１０−’／ ’Ｃであり、
後述する封止用ガラス部材の熱膨張係数との関係におい
て絶縁基体ｌ及び蓋体２と封止用ガラス部材間に大きな
熱膨張の差が生じることはない。
また前記絶縁基体ｌ及び蓋体２にはその相対向する主面
に封止用のガラス部材６が予め被着形或されており、該
絶縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止用ガ
ラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶縁
容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
に封止用のガラス部材６が予め被着形或されており、該
絶縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止用ガ
ラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶縁
容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
前記絶縁基体ｌ及び蓋体２の相対向する主面に被着され
る封止用ガラス部材６は、シリヵ６０．０乃至７０．０
Ｗｔχ、ナトリウム、カリウムの酸化物の少なくともｌ
種１０．０乃至２０．０Ｗｔχ、酸化バリウム５．０乃
至１５．０Ｗｔχより形或されるガラスから成り、上記
各成分を所定の値となるように秤量混合すると共に、該
混合粉末を１３００〜１４００℃の温度で加熱溶融させ
ることによって製作される。このガラス部材６の熱膨張
係数は９ｏ乃至１００ ×１０−’／ ”Ｃである。
る封止用ガラス部材６は、シリヵ６０．０乃至７０．０
Ｗｔχ、ナトリウム、カリウムの酸化物の少なくともｌ
種１０．０乃至２０．０Ｗｔχ、酸化バリウム５．０乃
至１５．０Ｗｔχより形或されるガラスから成り、上記
各成分を所定の値となるように秤量混合すると共に、該
混合粉末を１３００〜１４００℃の温度で加熱溶融させ
ることによって製作される。このガラス部材６の熱膨張
係数は９ｏ乃至１００ ×１０−’／ ”Ｃである。
前記封止用ガラス部材６は、その熱膨張係数が９０乃至
１００ ×１０−’／ ℃であり、絶縁基体１及び蓋体
２の各々の熱膨張係数と近似することから絶縁基体１及
び蓋体２の各々に被着されてぃる封止用ガラス部材６を
加熱溶融させ一体化させることに？り絶縁容器３内の半
導体素子４を気密に封止する際、絶縁基体ｌ及び蓋体２
と封止用ガラス部材６との間には両者の熱膨張係数の相
違に起因する熱応力が発生することは殆どなく、絶縁基
体ｌと蓋体２とを封止用ガラス部材６を介し強固に接合
することが可能となる。
１００ ×１０−’／ ℃であり、絶縁基体１及び蓋体
２の各々の熱膨張係数と近似することから絶縁基体１及
び蓋体２の各々に被着されてぃる封止用ガラス部材６を
加熱溶融させ一体化させることに？り絶縁容器３内の半
導体素子４を気密に封止する際、絶縁基体ｌ及び蓋体２
と封止用ガラス部材６との間には両者の熱膨張係数の相
違に起因する熱応力が発生することは殆どなく、絶縁基
体ｌと蓋体２とを封止用ガラス部材６を介し強固に接合
することが可能となる。
尚、前記封止用ガラス部材６はシリカ（ＳｉＯ■）がｓ
ｏ．ｏｗｔｘ未満であるとガラスの結晶化が進んで絶縁
容器３の気密封止が困難となり、また７０．０Ｗｔ％を
越えるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基体ｌと蓋
体２の熱膨張と合わなくなることからシ’Ｊ 力（Ｓｉ
ｆｔ） ハ３０．０乃至６０．０ＷｔＸ ｃＤ範囲に限
定される。
ｏ．ｏｗｔｘ未満であるとガラスの結晶化が進んで絶縁
容器３の気密封止が困難となり、また７０．０Ｗｔ％を
越えるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基体ｌと蓋
体２の熱膨張と合わなくなることからシ’Ｊ 力（Ｓｉ
ｆｔ） ハ３０．０乃至６０．０ＷｔＸ ｃＤ範囲に限
定される。
またナトリウム、カリウムの酸化物が１０．０Ｗｔχ未
満であるとガラスを製作する際のガラスの溶融温度が大
幅に上がって作業性が著しく悪くなり、また２０．０％
１ｔχを越えるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器
３の気密封止の信頼性が大きく低下するためナトリウム
、カリウムの酸化物は１０．０乃至２０．０Ｗｔχの範
囲に限定される。
満であるとガラスを製作する際のガラスの溶融温度が大
幅に上がって作業性が著しく悪くなり、また２０．０％
１ｔχを越えるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器
３の気密封止の信頼性が大きく低下するためナトリウム
、カリウムの酸化物は１０．０乃至２０．０Ｗｔχの範
囲に限定される。
また酸化バリウム（Ｂａｄ） −’ｌ’５．Ｏ ＷｔＸ
未満であるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の
気密封止の信頼性が大きく低下し、また１５．０ＷｔＸ
を越えるとガラスの結晶化が進んで絶縁容器３の気密封
止が困難となることから酸化バリウム（Ｂａｄ）は５．
０乃至１５．０Ｗｔχの範囲に限定される。
未満であるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の
気密封止の信頼性が大きく低下し、また１５．０ＷｔＸ
を越えるとガラスの結晶化が進んで絶縁容器３の気密封
止が困難となることから酸化バリウム（Ｂａｄ）は５．
０乃至１５．０Ｗｔχの範囲に限定される。
前記封止用ガラス部材６は前述した戒分から成るガラス
に適当な有機溶剤、溶媒を添加して得たガラスペースト
を従来周知の厚膜手法を採用することによって絶縁基体
ｌ及び蓋体２の相対向する主面に被着形成される。
に適当な有機溶剤、溶媒を添加して得たガラスペースト
を従来周知の厚膜手法を採用することによって絶縁基体
ｌ及び蓋体２の相対向する主面に被着形成される。
前記絶縁基体１と蓋体２との間には導電性材料から成る
外部リード端子５が配されており、該外部リード端子５
は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接続
され、外部リード端子５を外部電気回路に接続すること
によって半導体素子４が外部電気回路に．接続されるこ
ととなる。
外部リード端子５が配されており、該外部リード端子５
は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接続
され、外部リード端子５を外部電気回路に接続すること
によって半導体素子４が外部電気回路に．接続されるこ
ととなる。
前記外部リード端子５は絶縁基体１と蓋体２の相対向す
る主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化さ
せ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体ｌと
蓋体２との間に取着される．前記外部リード端子５はク
ロムー鉄合金（１７．５乃至１８．５１１ｔＸ Ｃｒ−
８１．５乃至８２．５ＷｔＸ Ｆｅ合金）等から成り、
その透磁率は１５０ （ＣＧＳ）以下、熱膨張係数は９
５乃至１１０×１０−’／ ’Ｃの導電性材料から成る
．前記外部リード端子５はその透磁率が１５０ （ＣＧ
Ｓ）以下であり、透磁率が低いことから外部リード端子
５に電流が流れたとしても外部リード端子５中には大き
な自己インダクタンスが発生することはなく、その結果
、前記自己インダクタンスにより誘発される逆起電力に
起因したノイズを極小となし、内部に収容する半導体素
子４を常に正常に作動させることができる。
る主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化さ
せ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体ｌと
蓋体２との間に取着される．前記外部リード端子５はク
ロムー鉄合金（１７．５乃至１８．５１１ｔＸ Ｃｒ−
８１．５乃至８２．５ＷｔＸ Ｆｅ合金）等から成り、
その透磁率は１５０ （ＣＧＳ）以下、熱膨張係数は９
５乃至１１０×１０−’／ ’Ｃの導電性材料から成る
．前記外部リード端子５はその透磁率が１５０ （ＣＧ
Ｓ）以下であり、透磁率が低いことから外部リード端子
５に電流が流れたとしても外部リード端子５中には大き
な自己インダクタンスが発生することはなく、その結果
、前記自己インダクタンスにより誘発される逆起電力に
起因したノイズを極小となし、内部に収容する半導体素
子４を常に正常に作動させることができる。
また前記外部リード端子５はその熱膨張係数が９５乃至
１１０ ×１０−’／ ℃であり、封止用ガラス部材６
の熱膨張係数と近似することから外部リード端子５を絶
縁基体ｌと蓋体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固
定する際、外部リード端子５と封止用ガラス部材６との
間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生
することはなく、外部リード端子５を封止用ガラス部材
６で強固に固定することも可能となる。
１１０ ×１０−’／ ℃であり、封止用ガラス部材６
の熱膨張係数と近似することから外部リード端子５を絶
縁基体ｌと蓋体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固
定する際、外部リード端子５と封止用ガラス部材６との
間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生
することはなく、外部リード端子５を封止用ガラス部材
６で強固に固定することも可能となる。
かくして、この半導体素子収納用パッケージによれば絶
縁基体ｌの凹部底面に半導体素子４を取着固定するとと
もに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７に
より外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基体
１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主
面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融一
体化させることによって接合させ、これによって最終製
品としての半導体装置が完威す．る。
縁基体ｌの凹部底面に半導体素子４を取着固定するとと
もに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７に
より外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基体
１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主
面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融一
体化させることによって接合させ、これによって最終製
品としての半導体装置が完威す．る。
（発明の効果）
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、半導体
素子を収容するための絶縁容器をフォルステライト質焼
結体もしくはジルコニア質焼結体テ、外部リード端子を
透磁率が１５０（ＣＧＳ）以下、熱膨張係数が９５乃至
１１０ ×１０”’／ ’Ｃの金属で、ガラス部材をシ
リカ６０．０乃至７０．０Ｗｔχ、ナトリウム、カリウ
ムの酸化物の少なくとも１種１０．０乃至２０．０Ｗｔ
Ｘ、酸化バリウム５．０乃至１５．０Ｗｔχから成るガ
ラスで形戒したことから外部リード端子に電流を流した
としても該外部リード端子中に大きな自己インダクタン
スが発生することはなく、その結果、前記自己インダク
タンスにより誘発される逆起電力に起因したノイズを極
小となし、内部に収容する半導体素子を常に正常に作動
させることが可能となる。
素子を収容するための絶縁容器をフォルステライト質焼
結体もしくはジルコニア質焼結体テ、外部リード端子を
透磁率が１５０（ＣＧＳ）以下、熱膨張係数が９５乃至
１１０ ×１０”’／ ’Ｃの金属で、ガラス部材をシ
リカ６０．０乃至７０．０Ｗｔχ、ナトリウム、カリウ
ムの酸化物の少なくとも１種１０．０乃至２０．０Ｗｔ
Ｘ、酸化バリウム５．０乃至１５．０Ｗｔχから成るガ
ラスで形戒したことから外部リード端子に電流を流した
としても該外部リード端子中に大きな自己インダクタン
スが発生することはなく、その結果、前記自己インダク
タンスにより誘発される逆起電力に起因したノイズを極
小となし、内部に収容する半導体素子を常に正常に作動
させることが可能となる。
また外部リード端子はその熱膨張係数が絶縁基体、蓋体
及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近似し、絶
縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、各々を封
止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体及び蓋
体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と封止用
ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違に起因
する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合するこ
とも可能となる。
及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近似し、絶
縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、各々を封
止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体及び蓋
体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と封止用
ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違に起因
する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合するこ
とも可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 絶縁基体 ２ ， 絶縁容器 外部リード端子 封止用ガラス部材 ・蓋体
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 絶縁基体 ２ ， 絶縁容器 外部リード端子 封止用ガラス部材 ・蓋体
Claims (1)
- 内部に半導体素子を収容するための空所を有する絶縁
容器に外部リード端子をガラス部材を介して取着して成
る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶縁容器
をフォルステライト質焼結体もしくはジルコニア質焼結
体で、外部リード端子を透磁率１５０（ＣＧＳ）以下、
熱膨張係数９５乃至１１０×１０＾−＾７／℃の金属で
、ガラス部材をシリカ６０．０乃至７０．０Ｗｔ％、ナ
トリウム、カリウムの酸化物の少なくとも１種１０．０
乃至２０．０Ｗｔ％、酸化バリウム５．０乃至１５．０
Ｗｔ％から成るガラスで形成したことを特徴とする半導
体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308612A JP2742615B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
| US07/574,470 US5140109A (en) | 1989-08-25 | 1990-08-27 | Container package for semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308612A JP2742615B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03167863A true JPH03167863A (ja) | 1991-07-19 |
| JP2742615B2 JP2742615B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=17983143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1308612A Expired - Lifetime JP2742615B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2742615B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50146899A (ja) * | 1974-05-16 | 1975-11-25 | ||
| JPS53123080A (en) * | 1977-04-02 | 1978-10-27 | Ngk Insulators Ltd | Circuit substrate and ceramic package assembly and method of producing same |
| JPS6265954A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-25 | Nippon Electric Glass Co Ltd | アルミナ封着用硼珪酸ガラス |
| JPS63185318U (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 | ||
| JPS645041A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-10 | Shinko Electric Ind Co | Manufacture of ceramic body having superconducting circuit pattern |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP1308612A patent/JP2742615B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2742615B2 (ja) | 1998-04-22 |
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