JPH03170346A - ガラス組成物およびそれを用いた絶縁体 - Google Patents
ガラス組成物およびそれを用いた絶縁体Info
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- JPH03170346A JPH03170346A JP30645389A JP30645389A JPH03170346A JP H03170346 A JPH03170346 A JP H03170346A JP 30645389 A JP30645389 A JP 30645389A JP 30645389 A JP30645389 A JP 30645389A JP H03170346 A JPH03170346 A JP H03170346A
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- JP
- Japan
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- glass
- glass composition
- refractory filler
- composition
- insulator
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
プラズマディスプレーあるいは蛍光表示管等に好適な高
絶縁性ガラス組成物及びそれを使用した絶縁体に関する
。
絶縁性ガラス組成物及びそれを使用した絶縁体に関する
。
[従来の技術]
FDP (プラズマディスプレー)あるいはVFD(蛍
光表示管)はガラス基板上にAg ,Ni ,Cu等の
電極材料を580〜620℃の温度で焼き付けさらに保
護・絶縁用としてガラスペーストをスクリーン印刷によ
り形成して同様な温度域で焼き付ける。さらに表示方式
によってはガラス層の上に電極を形成する。ここでガラ
ス絶縁層は2回〜3回の繰り返し印刷および焼成により
膜厚として30〜60μm確保して使用されている。一
方、このガラス絶縁層には電気的絶縁性に対する高信頼
性と共にガラス基板の全面に形成されるためガラス基板
との熱膨張係数の整合が反り,変形の面より必須である
が、従前のガラス組成物は電気的絶縁性および熱膨張係
数の整合性に問題があり、これら問題の解決が必要であ
った。具体的には電気的絶縁破壊電圧は絶縁層厚み35
〜40μmの場合500〜600Vであること、また熱
膨張係数がガラス基板の83〜87×10−’/’Cに
対し76〜78X10−’/”Cと小さいため反りが大
きく発生することなどの問題があった。
光表示管)はガラス基板上にAg ,Ni ,Cu等の
電極材料を580〜620℃の温度で焼き付けさらに保
護・絶縁用としてガラスペーストをスクリーン印刷によ
り形成して同様な温度域で焼き付ける。さらに表示方式
によってはガラス層の上に電極を形成する。ここでガラ
ス絶縁層は2回〜3回の繰り返し印刷および焼成により
膜厚として30〜60μm確保して使用されている。一
方、このガラス絶縁層には電気的絶縁性に対する高信頼
性と共にガラス基板の全面に形成されるためガラス基板
との熱膨張係数の整合が反り,変形の面より必須である
が、従前のガラス組成物は電気的絶縁性および熱膨張係
数の整合性に問題があり、これら問題の解決が必要であ
った。具体的には電気的絶縁破壊電圧は絶縁層厚み35
〜40μmの場合500〜600Vであること、また熱
膨張係数がガラス基板の83〜87×10−’/’Cに
対し76〜78X10−’/”Cと小さいため反りが大
きく発生することなどの問題があった。
[発明の解決しようとする問題点]
本発明はこれらの問題点を解決することを目的としたも
のであり、特にガラス組成,フイラー配合比の最適化に
より緻密な焼結構造の実現により電気的絶縁性の向上お
よびガラス組成面より高誘電率化することにより絶縁層
の膜厚の低減化を計かり且つ熱膨張係数もガラス基板の
それに適合させることを可能とした。
のであり、特にガラス組成,フイラー配合比の最適化に
より緻密な焼結構造の実現により電気的絶縁性の向上お
よびガラス組成面より高誘電率化することにより絶縁層
の膜厚の低減化を計かり且つ熱膨張係数もガラス基板の
それに適合させることを可能とした。
[問題点を解決するための手段]
本発明は重量%表示で実質的にガラス粉末70〜95%
表示で実質的にガラス成分70〜30%.耐熱顔料0〜
lO%からなり、該ガラス成分は実質的にPb0
55〜65Zn0
0〜5BJx
O〜lOSL0215〜25 A1.030. 5〜5 SnOt+TiOi o.
5−−15MgO+CaO+SrO+BaO
0.5 〜10CeO。
0.l〜 2La203
0.1〜 5からなるガラス組
成物およびそれを用いた絶縁体を提供するものである。
表示で実質的にガラス成分70〜30%.耐熱顔料0〜
lO%からなり、該ガラス成分は実質的にPb0
55〜65Zn0
0〜5BJx
O〜lOSL0215〜25 A1.030. 5〜5 SnOt+TiOi o.
5−−15MgO+CaO+SrO+BaO
0.5 〜10CeO。
0.l〜 2La203
0.1〜 5からなるガラス組
成物およびそれを用いた絶縁体を提供するものである。
本発明における限定理由は次のとおりであり、%表示は
実質的に重量%表示とする。
実質的に重量%表示とする。
[作用]
PbOは55%より少ないとガラスの軟化点が高くなり
過ぎ緻密な焼結構造が得られない。65%より多いとガ
ラスの軟化点が低くなり過ぎ、他材料特に電極材料との
反応が増加し電気的絶縁性が低下するため好ましくない
。望ましくは56〜64%である。
過ぎ緻密な焼結構造が得られない。65%より多いとガ
ラスの軟化点が低くなり過ぎ、他材料特に電極材料との
反応が増加し電気的絶縁性が低下するため好ましくない
。望ましくは56〜64%である。
ZnOは必須成分ではないが、フラックス成分として用
いることができる。5%を越えるとガラス軟化点が低く
なり過ぎるので好ましくない。望ましくは4%までであ
る。
いることができる。5%を越えるとガラス軟化点が低く
なり過ぎるので好ましくない。望ましくは4%までであ
る。
B203は必須成分ではないが、フラックス成分?して
用いることができる。但しlO%を越えるとガラスの軟
化点が低くなり過ぎる恐れがあり、望ましくは8%まで
である。
用いることができる。但しlO%を越えるとガラスの軟
化点が低くなり過ぎる恐れがあり、望ましくは8%まで
である。
SiO■はガラスのネットワークフォーマーであり15
%より少ないとガラス軟化点が低くなり過ぎ好ましくな
い。25%より多いとガラスの軟化点が高くなり過ぎ緻
密な焼結構造が得られない。望ましくは16〜24%で
ある。
%より少ないとガラス軟化点が低くなり過ぎ好ましくな
い。25%より多いとガラスの軟化点が高くなり過ぎ緻
密な焼結構造が得られない。望ましくは16〜24%で
ある。
AIJiは化学的耐久性の向上を目的として使用する。
0.5%未満ではその効果はない。5%を越えるとガラ
ス軟化点が高くなり過ぎ好ましくない。望ましくは1〜
4%である。
ス軟化点が高くなり過ぎ好ましくない。望ましくは1〜
4%である。
Sn02+TiO■は化学的耐久性の向上および誘電率
の制御用として用いる。0.5%未満では効果がなく、
15%を越えるとガラス溶解過程で失透する恐れがあり
好ましくない。望ましくはl〜14%である。
の制御用として用いる。0.5%未満では効果がなく、
15%を越えるとガラス溶解過程で失透する恐れがあり
好ましくない。望ましくはl〜14%である。
MgO+CaO+SrO+BaOは熱膨張係数の調整用
として用いる。0.5%より少ないとその効果は認めら
れない。lO%より多くなると相対的にSiO■分の減
少により軟化点が低くなり過ぎる。望ましくは1〜9%
である。
として用いる。0.5%より少ないとその効果は認めら
れない。lO%より多くなると相対的にSiO■分の減
少により軟化点が低くなり過ぎる。望ましくは1〜9%
である。
CeO2は酸化性付与の目的で使用する。0.1%より
少ないとその効果はなく、2%を越えてもその効果は飽
和する。望ましくは0.5〜1.5%である。
少ないとその効果はなく、2%を越えてもその効果は飽
和する。望ましくは0.5〜1.5%である。
La20aは化学的耐久性の向上を目的に使用する。0
.1%より少ないとその効果はない。5%を越えるとガ
ラス軟化点が高くなり過ぎ好ましくない。望ましくは0
.5〜4%である。
.1%より少ないとその効果はない。5%を越えるとガ
ラス軟化点が高くなり過ぎ好ましくない。望ましくは0
.5〜4%である。
以上のガラス成分の総量が %以上であればよい。かか
るガラス成分と併用される耐火物フィラーとしては、熱
的に安定で且つ容易に入手でき熱膨張係数の制御並びに
電気的絶縁性に優れるものが好ましい。具体的にはアル
ミナ,フォルステライト,ジルコン,α一石英が使用さ
れる。フィラーの含有量としては前記ガラス成分70〜
95%に対しフィラーは5〜30%である。
るガラス成分と併用される耐火物フィラーとしては、熱
的に安定で且つ容易に入手でき熱膨張係数の制御並びに
電気的絶縁性に優れるものが好ましい。具体的にはアル
ミナ,フォルステライト,ジルコン,α一石英が使用さ
れる。フィラーの含有量としては前記ガラス成分70〜
95%に対しフィラーは5〜30%である。
フィラー量が5%より少ないとガラスと電極との反応が
増大し目標とする電気的特性が得られない。30%を越
えると緻密な焼結構造が得られず好ましくない。望まし
くは7〜28%である。
増大し目標とする電気的特性が得られない。30%を越
えると緻密な焼結構造が得られず好ましくない。望まし
くは7〜28%である。
なお、必要に応じて色調を黒,緑等に着色する場合は耐
熱性無機顔料を10%まで使用が可能である。無機顔料
としてはコバルト酸化物−クロム酸化物系のスビネル,
銅酸化物−クロム酸化物系のスピネルが例示される。
熱性無機顔料を10%まで使用が可能である。無機顔料
としてはコバルト酸化物−クロム酸化物系のスビネル,
銅酸化物−クロム酸化物系のスピネルが例示される。
本発明によるガラス組成物は例えば次のようにして製造
することができる。
することができる。
目標組或となるように各原料を調合し、これを1300
〜1450℃に加熱し数時間保持して溶融ガラスを得る
。次いでこの溶融ガラスを水砕しガラス粉末を得る。次
いでこのガラス粉末と耐火物フィラーとを所定割合にな
るように秤量した後、ボールミルに入れ粉砕し、本発明
のガラス組成物が製造される。
〜1450℃に加熱し数時間保持して溶融ガラスを得る
。次いでこの溶融ガラスを水砕しガラス粉末を得る。次
いでこのガラス粉末と耐火物フィラーとを所定割合にな
るように秤量した後、ボールミルに入れ粉砕し、本発明
のガラス組成物が製造される。
一方、絶縁体は次のようにして製造される。
上記ガラス組成物に通常のビヒクルを添加してペースト
化し、このペーストをアルミナ等のセラミック基板上の
所定部位に印刷する。次いでこれを500〜650℃で
焼成することにより絶縁体が得られる。
化し、このペーストをアルミナ等のセラミック基板上の
所定部位に印刷する。次いでこれを500〜650℃で
焼成することにより絶縁体が得られる。
[実施例]
表1の組成となる様に各原料を調合・混合し、1300
〜1450℃の温度で2〜4時間溶解しガラス化した。
〜1450℃の温度で2〜4時間溶解しガラス化した。
次いで融けたガラスを水砕またはフレーク化し、一般的
なボールミルによりフィラーおよび顔料と共に粉砕し同
表中段に示した組成のガラス組成物を得た。さらにスク
リーン印刷に適するペーストとするためにビヒクル(有
機溶剤と高分子樹脂)と混練する。ここで用いられる有
機溶剤はα−テルピネオール等の一般的溶剤であり、高
分子樹脂は良く知られているエチルセルロースが使用で
きる。ペースト化したガラスペーストは基板上に形成さ
れた下部電極上にスクリーン印刷し580〜620℃の
温度にて約lO分焼成して絶縁体を得た。次いでこれに
ついて各特性を測定し、それを同表に併記した。電気的
絶縁性の評価はさらにこのガラス層上に上部電極を58
0〜620℃で焼き付けた後測定評価する。同表より明
らかなように本発明によるものは反りがなく、耐電圧が
高く、即ち絶縁性に優れ、誘電率が大きい。
なボールミルによりフィラーおよび顔料と共に粉砕し同
表中段に示した組成のガラス組成物を得た。さらにスク
リーン印刷に適するペーストとするためにビヒクル(有
機溶剤と高分子樹脂)と混練する。ここで用いられる有
機溶剤はα−テルピネオール等の一般的溶剤であり、高
分子樹脂は良く知られているエチルセルロースが使用で
きる。ペースト化したガラスペーストは基板上に形成さ
れた下部電極上にスクリーン印刷し580〜620℃の
温度にて約lO分焼成して絶縁体を得た。次いでこれに
ついて各特性を測定し、それを同表に併記した。電気的
絶縁性の評価はさらにこのガラス層上に上部電極を58
0〜620℃で焼き付けた後測定評価する。同表より明
らかなように本発明によるものは反りがなく、耐電圧が
高く、即ち絶縁性に優れ、誘電率が大きい。
表
l
1
1
[発明の効果]
本発明は表より判るように高耐電圧であり且つガラス基
板との熱膨張係数の整合により、発生する反り量が著し
く減少でき、高誘電率の実現を可能とした組成物である
。
板との熱膨張係数の整合により、発生する反り量が著し
く減少でき、高誘電率の実現を可能とした組成物である
。
l
2
Claims (3)
- (1)重量%表示で実質的にガラス粉末70〜95%、
耐火物フィラー5〜30%、耐熱顔料0〜10%からな
り、該ガラス成分は実質的に PbO 55〜65 ZnO 0〜5 B_2O_3 0〜10 SiO_2 15〜25 Al_2O_3 0.5〜5 SnO_2+TiO_2 0.5〜15 MgO+CaO+SrO+BaO 0.5〜10CeO
_2 0.1〜2 La_2O_3 0.1〜5 からなるガラス組成物。 - (2)前記耐火物フィラーはアルミナ、フォルステライ
ト、ジルコン、α−石英から選ばれた少なくとも1種で
ある請求項1記載のガラス組成物。 - (3)重量%表示で実質的にガラス成分70〜95%、
耐火物フィラー5〜30%、耐熱顔料0〜10%からな
り、該ガラス成分は重量%表示で実質的に PbO 55〜65 ZnO 0〜5 B_2O_3 0〜10 SiO_2 15〜25 Al_2O_3 0.5〜5 SnO_2+TiO_2 0.5〜15 MgO+CaO+SrO+BaO 0.5〜10CeO
_2 0.1〜2 La_2O_3 0.1〜5 からなる絶縁体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1306453A JPH0725568B2 (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | ガラス組成物およびそれを用いた絶縁体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1306453A JPH0725568B2 (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | ガラス組成物およびそれを用いた絶縁体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03170346A true JPH03170346A (ja) | 1991-07-23 |
| JPH0725568B2 JPH0725568B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=17957187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1306453A Expired - Fee Related JPH0725568B2 (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | ガラス組成物およびそれを用いた絶縁体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0725568B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001027049A1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-04-19 | Aos Holding Company | Water-resistant porcelain enamel coatings and method of manufacturing same |
| US6296539B1 (en) | 1997-02-24 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | Method of making plasma display panel with dielectric layer suppressing reduced electrode conductivity |
| EP1153896A1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition, method for producing the same and device for communication apparatus using the same |
| KR100438916B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2004-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽재료 및 격벽 제조방법 |
| US7410672B2 (en) | 1999-10-12 | 2008-08-12 | Aos Holding Company | Water-resistant porcelain enamel coatings and method of manufacturing same |
| JP2010275187A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Schott Ag | 放射線遮蔽ガラスを屈曲および熱的にプレストレスするための方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59182246A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-17 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス組成物 |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP1306453A patent/JPH0725568B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59182246A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-17 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス組成物 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6296539B1 (en) | 1997-02-24 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | Method of making plasma display panel with dielectric layer suppressing reduced electrode conductivity |
| US6344713B1 (en) | 1997-02-24 | 2002-02-05 | Fujitsu Limited | Plasma display panel with dielectric layer suppressing reduced electrode conductivity |
| US6873104B2 (en) | 1997-02-24 | 2005-03-29 | Fujitsu Limited | Glass paste composition for forming dielectric layer on electrodes of plasma display panel |
| WO2001027049A1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-04-19 | Aos Holding Company | Water-resistant porcelain enamel coatings and method of manufacturing same |
| US7410672B2 (en) | 1999-10-12 | 2008-08-12 | Aos Holding Company | Water-resistant porcelain enamel coatings and method of manufacturing same |
| EP1153896A1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition, method for producing the same and device for communication apparatus using the same |
| US6579817B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and method for producing the same, and device for communication apparatus using the same |
| KR100438916B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2004-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽재료 및 격벽 제조방법 |
| JP2010275187A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Schott Ag | 放射線遮蔽ガラスを屈曲および熱的にプレストレスするための方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0725568B2 (ja) | 1995-03-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |