JPH03177108A - パルス発生装置 - Google Patents
パルス発生装置Info
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- JPH03177108A JPH03177108A JP31546189A JP31546189A JPH03177108A JP H03177108 A JPH03177108 A JP H03177108A JP 31546189 A JP31546189 A JP 31546189A JP 31546189 A JP31546189 A JP 31546189A JP H03177108 A JPH03177108 A JP H03177108A
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- JP
- Japan
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- pulse
- voltage
- time
- capacitor
- saturable reactor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、例えばエキシマレーザや炭酸ガスレーザな
どのパルスレーザの電源に用いられて好Mセバルス発生
装置に関するものである。
どのパルスレーザの電源に用いられて好Mセバルス発生
装置に関するものである。
[従来の技術]
第3図は例えばオブトロニクス(1983)No、12
の第57ページに示された2段楕成の磁気パルス圧縮回
路を用いた従来のパルス発生装置を示す回路図であり、
図において(1)は充電用抵抗器であって、この充電用
抵抗器(1)はその一端が高圧電源端子+HVに接続さ
れ、その他端がスイッチ素子例えばサイラトロン(2〉
を介して接地される。(3〉は充電用コンデンサであっ
て、この充電用コンデンサ(3〉はその一端が充電用抵
抗器(1)とサイラトロン(2)の接続点に接続され、
その他端がリアクトル(7)及びパルス圧縮用コンデン
サ〈4)から成る直列回路を介して接地される。(8)
は磁気パルス圧縮用可飽和リアクトルであって、この可
飽和リアクトル(8)はその一端がリアクトル(7〉と
パルス圧縮用コンデンサ(4〉の接続点に接続され、そ
の他端がパルス圧縮用コンデンサ(5)を介して接地さ
れる。(9〉は磁気パルス圧縮用可飽和リアクトルであ
って、この可飽和リアクトル(9)はその一端が可飽和
リアクトル(8〉 とパルス圧縮用コンデンサ(5)の
接続点に接続され、その他端がパルス圧縮用コンデンサ
(6〉 を介して接地される。そして、このパルス圧縮
用コンデンサ(6)の両端間にレーザ発振器(10〉と
充電用リアクトル(11)が並列接続される。
の第57ページに示された2段楕成の磁気パルス圧縮回
路を用いた従来のパルス発生装置を示す回路図であり、
図において(1)は充電用抵抗器であって、この充電用
抵抗器(1)はその一端が高圧電源端子+HVに接続さ
れ、その他端がスイッチ素子例えばサイラトロン(2〉
を介して接地される。(3〉は充電用コンデンサであっ
て、この充電用コンデンサ(3〉はその一端が充電用抵
抗器(1)とサイラトロン(2)の接続点に接続され、
その他端がリアクトル(7)及びパルス圧縮用コンデン
サ〈4)から成る直列回路を介して接地される。(8)
は磁気パルス圧縮用可飽和リアクトルであって、この可
飽和リアクトル(8)はその一端がリアクトル(7〉と
パルス圧縮用コンデンサ(4〉の接続点に接続され、そ
の他端がパルス圧縮用コンデンサ(5)を介して接地さ
れる。(9〉は磁気パルス圧縮用可飽和リアクトルであ
って、この可飽和リアクトル(9)はその一端が可飽和
リアクトル(8〉 とパルス圧縮用コンデンサ(5)の
接続点に接続され、その他端がパルス圧縮用コンデンサ
(6〉 を介して接地される。そして、このパルス圧縮
用コンデンサ(6)の両端間にレーザ発振器(10〉と
充電用リアクトル(11)が並列接続される。
従来のパルス発生装置は上述したように構成されており
、以下にその動作を詳しく説明する。第4図は従来のパ
ルス発生装置の動作中における各部の電圧、TL流を示
す波形図である。第3図及び第4図において、まず、高
圧電源端子+l(Vと大地間に電圧V。−■を印加して
、充電用抵抗器(1)。
、以下にその動作を詳しく説明する。第4図は従来のパ
ルス発生装置の動作中における各部の電圧、TL流を示
す波形図である。第3図及び第4図において、まず、高
圧電源端子+l(Vと大地間に電圧V。−■を印加して
、充電用抵抗器(1)。
光電用コンデンサ(3)、リアクトル(7)、可飽和リ
アクトル(8) 、 (9) 、充電用リアクトル(1
1)を通して電流を流し、充電、用コンデンサ(3)を
所定の電流V、−−V まで充電する。この場合、充電
用コンデンサ(3〉がゆるやかに充電されるので、リア
クトル(7)、可飽和リアクトル<8)、<9)および
充電用リアクトル(11)にはほとんど電圧は加わらな
い。
アクトル(8) 、 (9) 、充電用リアクトル(1
1)を通して電流を流し、充電、用コンデンサ(3)を
所定の電流V、−−V まで充電する。この場合、充電
用コンデンサ(3〉がゆるやかに充電されるので、リア
クトル(7)、可飽和リアクトル<8)、<9)および
充電用リアクトル(11)にはほとんど電圧は加わらな
い。
次に、サイラトロン〈2〉を時tJ1t oで点弧する
と、光電用コンデンサ(3)、サイラトロン(2〉、パ
ルス圧縮用コンデンサ(4〉、リアクトル(7)のルー
プに時刻t0から時刻t1まで通電幅τ。(=t+
to)、波高値■1のパルス電流■、が流れ、パルス圧
縮用コンデンサ(4〉にパルス電圧V2が発生する0時
刻t1でパルスT、FA I +が零となり、パルス電
圧V2が波高値−Vp2に達すると、時刻t0から時刻
t1までのパルス電圧V2の電圧時を 間積 S V2dtによって可飽和リアクトル(8)t
。
と、光電用コンデンサ(3)、サイラトロン(2〉、パ
ルス圧縮用コンデンサ(4〉、リアクトル(7)のルー
プに時刻t0から時刻t1まで通電幅τ。(=t+
to)、波高値■1のパルス電流■、が流れ、パルス圧
縮用コンデンサ(4〉にパルス電圧V2が発生する0時
刻t1でパルスT、FA I +が零となり、パルス電
圧V2が波高値−Vp2に達すると、時刻t0から時刻
t1までのパルス電圧V2の電圧時を 間積 S V2dtによって可飽和リアクトル(8)t
。
が飽和し、低インピーダンスとなる。その結果、パルス
圧縮用コンデンサ(4)、(5)、可飽和リアクトル(
8)のループに時刻t1から時刻L2まで通電幅τ2(
=t2 tI)、波高値Jp2のパルス電流■2が流れ
、パルス圧縮用コンデンサ(5〉にパルス電圧V、が発
生する。パルス圧縮用コンデンサ(4)、(5) 、飽
和した可飽和リアクトル(8〉のルーのインダクタンス
が充電用コンデンサ(3〉、サイラトロン(2)、パル
ス圧縮用コンデンサ(4)、リアクトル〈7〉のループ
のインダクタンスよりも小さく設定されているので、パ
ルス電流■2はパルス電流I、と比べて波高値が太きく
(1,2> I 、I)、通電幅が小さくなる(τ2
くτ1)、即ち、1段目のパルス圧縮が行なわれる。
圧縮用コンデンサ(4)、(5)、可飽和リアクトル(
8)のループに時刻t1から時刻L2まで通電幅τ2(
=t2 tI)、波高値Jp2のパルス電流■2が流れ
、パルス圧縮用コンデンサ(5〉にパルス電圧V、が発
生する。パルス圧縮用コンデンサ(4)、(5) 、飽
和した可飽和リアクトル(8〉のルーのインダクタンス
が充電用コンデンサ(3〉、サイラトロン(2)、パル
ス圧縮用コンデンサ(4)、リアクトル〈7〉のループ
のインダクタンスよりも小さく設定されているので、パ
ルス電流■2はパルス電流I、と比べて波高値が太きく
(1,2> I 、I)、通電幅が小さくなる(τ2
くτ1)、即ち、1段目のパルス圧縮が行なわれる。
次に、時刻t2でパルス電流I2が零となり、パルス圧
縮用コンデンサ(5)に印加されるパルス電圧V、が波
高値−■2.に達すると、時刻t1がら時刻t2までの
パルス電圧■、の電圧時間積2 tS V3 dtによって可飽和リアクトル(9)
は飽和し、低インピーダンスとなる。その結果、パルス
圧縮用コンデンサ(5)、(6) 、可飽和リアクトル
(9)のループに時刻t2からt、まで通電幅τ、(1
、−12)、波高値11のパルス電流I3が流れ、パル
ス圧縮用コンデンサ(6)にパルス電圧■、が発生する
。パルス圧縮用コンデンサ(5) 、 (6) 。
縮用コンデンサ(5)に印加されるパルス電圧V、が波
高値−■2.に達すると、時刻t1がら時刻t2までの
パルス電圧■、の電圧時間積2 tS V3 dtによって可飽和リアクトル(9)
は飽和し、低インピーダンスとなる。その結果、パルス
圧縮用コンデンサ(5)、(6) 、可飽和リアクトル
(9)のループに時刻t2からt、まで通電幅τ、(1
、−12)、波高値11のパルス電流I3が流れ、パル
ス圧縮用コンデンサ(6)にパルス電圧■、が発生する
。パルス圧縮用コンデンサ(5) 、 (6) 。
飽和した可飽和リアクトル(9)のループのインダクタ
ンスがパルス圧縮用コンデンサ(4)、(5) 、飽和
した可飽和リアクトル(8)のループのインダクタンス
よりも小さく設定されているので、パルスTL流I、は
パルス電流I2と比べて波高値が大きく (I −z>
I 、2)、通電幅が小さくなる(τ、くτ2)、即
ち、2段目のパルス圧縮が行なわれる。
ンスがパルス圧縮用コンデンサ(4)、(5) 、飽和
した可飽和リアクトル(8)のループのインダクタンス
よりも小さく設定されているので、パルスTL流I、は
パルス電流I2と比べて波高値が大きく (I −z>
I 、2)、通電幅が小さくなる(τ、くτ2)、即
ち、2段目のパルス圧縮が行なわれる。
最後に、時刻t、でパルス電流■、が零となり、パルス
圧縮用コンデンサ(6〉に印加されるパルス電圧V、が
波高圧縮−■、に達すると、波高圧縮−V、4はレーザ
発振器(10)内に設けられた一対の電極間のブレーク
ダウン電圧に等しく設定されているので、電極間にグロ
ー放電が生じる。その結果、パルス圧縮用コンデンサ(
6)、レーザ発振器<10>のループにパルス電流■、
が流れ、パルス圧縮用コンデンサ(6〉にM積された電
気エネルギはレーザ発振器Bo)内のガス空間に注入さ
れて、レーザ光が出力される。
圧縮用コンデンサ(6〉に印加されるパルス電圧V、が
波高圧縮−■、に達すると、波高圧縮−V、4はレーザ
発振器(10)内に設けられた一対の電極間のブレーク
ダウン電圧に等しく設定されているので、電極間にグロ
ー放電が生じる。その結果、パルス圧縮用コンデンサ(
6)、レーザ発振器<10>のループにパルス電流■、
が流れ、パルス圧縮用コンデンサ(6〉にM積された電
気エネルギはレーザ発振器Bo)内のガス空間に注入さ
れて、レーザ光が出力される。
[発明が解決しようとする課題]
磁気パルス圧縮回路を用いた従来のパルス発生装置では
、1段目のパルス圧縮が行なわれる時刻1+から時刻t
2においてパルス電流11が時刻1、から時刻t、まで
とは逆向きに流れる。その結果、充電用コンデンサ(3
)に蓄積された℃気エネルギーの一部しかレーザ発振器
(1o)に伝達されず、充電用コンデンサ(3)に残っ
た電気エネルギは最終的にはサイラトロン〈2)や可飽
和リアクトル(8)などのパルス発生装置各楕戒要素の
損失として消費されることになるため、パルス発生装置
の効率が低下するという問題点があった。
、1段目のパルス圧縮が行なわれる時刻1+から時刻t
2においてパルス電流11が時刻1、から時刻t、まで
とは逆向きに流れる。その結果、充電用コンデンサ(3
)に蓄積された℃気エネルギーの一部しかレーザ発振器
(1o)に伝達されず、充電用コンデンサ(3)に残っ
た電気エネルギは最終的にはサイラトロン〈2)や可飽
和リアクトル(8)などのパルス発生装置各楕戒要素の
損失として消費されることになるため、パルス発生装置
の効率が低下するという問題点があった。
この発明は、上述したような問題点を解決するためにな
されたもので、1段目のパルス圧縮が行なわれる時刻1
.以後逆向きのパルス電流11が流れるのを阻止し、効
率の良いパルス発生装置を得ることを目的とする。
されたもので、1段目のパルス圧縮が行なわれる時刻1
.以後逆向きのパルス電流11が流れるのを阻止し、効
率の良いパルス発生装置を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明に係るパルス発生装置は、1段目のパルス圧縮
が行なわれている期間に印加される電圧により、飽和し
ないために必要な大きさの電圧時間積を持つ逆電流阻止
用可飽和リアクトルを設けたものである。
が行なわれている期間に印加される電圧により、飽和し
ないために必要な大きさの電圧時間積を持つ逆電流阻止
用可飽和リアクトルを設けたものである。
[作 用]
この発明においては、逆電流阻止用可飽和リアクトルは
、1段目のパルス圧縮が行なわれている期間には非飽和
状態で高インピーダンスとなるので、パルス電流が逆向
きに流れるのを阻止する。
、1段目のパルス圧縮が行なわれている期間には非飽和
状態で高インピーダンスとなるので、パルス電流が逆向
きに流れるのを阻止する。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明に係るパルス発生装置の一実施例を示す回
路図であり、図において(1)から(6)、 (8)か
ら(11)までは上記従来装置と全く同一のものである
。 (12)は逆電流阻止用可飽和リアクトルであって
、その一端が充電用コンデンサ(3)の他端に接続され
、その他端がパルス圧縮用コンデンサ(4)と可飽和リ
アクトル(8)の接続点に接続される。
図はこの発明に係るパルス発生装置の一実施例を示す回
路図であり、図において(1)から(6)、 (8)か
ら(11)までは上記従来装置と全く同一のものである
。 (12)は逆電流阻止用可飽和リアクトルであって
、その一端が充電用コンデンサ(3)の他端に接続され
、その他端がパルス圧縮用コンデンサ(4)と可飽和リ
アクトル(8)の接続点に接続される。
次に動作について説明する。第2図はこの発明によるパ
ルス発生装置の動作中における各部の電圧、電流を示す
波形図である。第1図及び第2図において、まず、高圧
電源端子+)IVと大地間に電圧V、=V を印加し
て、充電用抵抗器(1〉、充電用コンデンサ(3)、逆
電流阻止用可飽和リアクトル(12)、可飽和リアクト
ル(8)、(9)、充電用リアクトル(11)を通して
電流を流し、充電用コンデンサ(3)を所定の電圧V、
=−V まで充電する。この場合、充電用コンデンサ(
3)がゆるやかに充電されるので、逆電流阻止用可飽和
リアクトル(12)。
ルス発生装置の動作中における各部の電圧、電流を示す
波形図である。第1図及び第2図において、まず、高圧
電源端子+)IVと大地間に電圧V、=V を印加し
て、充電用抵抗器(1〉、充電用コンデンサ(3)、逆
電流阻止用可飽和リアクトル(12)、可飽和リアクト
ル(8)、(9)、充電用リアクトル(11)を通して
電流を流し、充電用コンデンサ(3)を所定の電圧V、
=−V まで充電する。この場合、充電用コンデンサ(
3)がゆるやかに充電されるので、逆電流阻止用可飽和
リアクトル(12)。
可飽和リアクトル(8) 、 (9)、充電用リアクト
ル(11)にはほとんど電圧は加わらない。
ル(11)にはほとんど電圧は加わらない。
次に、サイラトロン(2)を時刻t0で点弧すると、サ
イラトロン(2)が低インピーダンスとなるので、非飽
和状態で高インピーダンスとなっている逆電流阻止用可
飽和リアクトル(12)に電圧Vs++が印加される。
イラトロン(2)が低インピーダンスとなるので、非飽
和状態で高インピーダンスとなっている逆電流阻止用可
飽和リアクトル(12)に電圧Vs++が印加される。
逆電流阻止用可飽和リアクトル(12)4: 印加サレ
ルV 、−を正時1mM S”’V、、 dtt。
ルV 、−を正時1mM S”’V、、 dtt。
が設計された一定の値に時刻t’oで達すると、逆電流
阻止用可飽和リアクトル(12)は飽和し、低インピー
ダンスとなる。その結果、充電用コンデンサ(3)、サ
イラトロン(2)、コンデンサ(4)、逆電流阻止用可
飽和リアクトル(12〉のループに時刻t′。から時刻
t’、tで通電幅τ+(=t’+−t′、) 、波高値
1.のパルス電流I、が流れ、パルス圧縮用コンデンサ
(4)にパルス電圧V2が発生する。
阻止用可飽和リアクトル(12)は飽和し、低インピー
ダンスとなる。その結果、充電用コンデンサ(3)、サ
イラトロン(2)、コンデンサ(4)、逆電流阻止用可
飽和リアクトル(12〉のループに時刻t′。から時刻
t’、tで通電幅τ+(=t’+−t′、) 、波高値
1.のパルス電流I、が流れ、パルス圧縮用コンデンサ
(4)にパルス電圧V2が発生する。
次に、時刻t′、でパルス電流■、が零となり、パルス
電圧■2が波高値−■、に達すると、時刻t′oから時
刻t′1までのパルス電圧V2の電圧時t′ 間積、1.。V2dtによって可飽和リアクトル(8〉
は飽和し、低インピーダンスとなる。その結果、パルス
圧縮用コンデンサ(4)、(5) 、可飽和リアクトル
(8)のループに時刻t′、がらt′2まで通tgτz
(=t′z t′+)、波高値■2′2のパルス電流
I2が流れ、パルス圧縮用コンデンサ(5)にパルス電
圧V、が発生する。パルス圧縮用コンデンサ(4)、(
5)、飽和した可飽和リアクトル(8)のループのイン
ダクタンスがパルス充電用コンデンサ(3)、サイラト
ロン(2)、パルス圧縮用コンデンサ(4)、飽和した
逆電流阻止用可飽和リアクトル(12)のループのイン
ダクタンスよりも小さく設定されているので、パルス電
流■2はパルス電流11と比べて波高値が大き((I
、′2> I p+)、通電幅が小さくなる(τ、くτ
、)、即ち、1段目のパルス圧縮が行なわれる。
電圧■2が波高値−■、に達すると、時刻t′oから時
刻t′1までのパルス電圧V2の電圧時t′ 間積、1.。V2dtによって可飽和リアクトル(8〉
は飽和し、低インピーダンスとなる。その結果、パルス
圧縮用コンデンサ(4)、(5) 、可飽和リアクトル
(8)のループに時刻t′、がらt′2まで通tgτz
(=t′z t′+)、波高値■2′2のパルス電流
I2が流れ、パルス圧縮用コンデンサ(5)にパルス電
圧V、が発生する。パルス圧縮用コンデンサ(4)、(
5)、飽和した可飽和リアクトル(8)のループのイン
ダクタンスがパルス充電用コンデンサ(3)、サイラト
ロン(2)、パルス圧縮用コンデンサ(4)、飽和した
逆電流阻止用可飽和リアクトル(12)のループのイン
ダクタンスよりも小さく設定されているので、パルス電
流■2はパルス電流11と比べて波高値が大き((I
、′2> I p+)、通電幅が小さくなる(τ、くτ
、)、即ち、1段目のパルス圧縮が行なわれる。
この場合、時刻t′1でパルス電流■1が零になると、
逆電流阻止用可飽和リアクトル(12)には時刻t0か
ら時刻t′oまでの期間印加される電圧とは逆極性の電
圧が第2図に斜線で示すように時刻t′、から時刻t′
2までの期間印加されるので、逆を流阻止用可飽和リア
クトル(12)は時st”、において直ちに非飽和状態
となる。その結果、逆電流阻止用可飽和リアクトル(1
2)が高インピーダンスとなるので、パルス電流11は
阻止され、逆向きには流れない、また、逆電流阻止用可
飽和リアクトル(12)は14 Vτ2よりも大きな電
圧時間積を有するように設計されている。即ち、 η△BS ≧ 匂Vτ2 (ただし、ηは巻線数、ΔBは磁心の磁束密度変化量、
Sは磁心の有効断面積)と設計されているので、1段目
のパルス圧縮においてパルス圧縮用コンデンサ〈4)に
蓄積された電気エネルギーがパルス圧縮用コンデンサ(
5)に移行する時刻t′+から時刻t′2までの間パル
ス電流1.が逆向きに流れるのを阻止することができる
。
逆電流阻止用可飽和リアクトル(12)には時刻t0か
ら時刻t′oまでの期間印加される電圧とは逆極性の電
圧が第2図に斜線で示すように時刻t′、から時刻t′
2までの期間印加されるので、逆を流阻止用可飽和リア
クトル(12)は時st”、において直ちに非飽和状態
となる。その結果、逆電流阻止用可飽和リアクトル(1
2)が高インピーダンスとなるので、パルス電流11は
阻止され、逆向きには流れない、また、逆電流阻止用可
飽和リアクトル(12)は14 Vτ2よりも大きな電
圧時間積を有するように設計されている。即ち、 η△BS ≧ 匂Vτ2 (ただし、ηは巻線数、ΔBは磁心の磁束密度変化量、
Sは磁心の有効断面積)と設計されているので、1段目
のパルス圧縮においてパルス圧縮用コンデンサ〈4)に
蓄積された電気エネルギーがパルス圧縮用コンデンサ(
5)に移行する時刻t′+から時刻t′2までの間パル
ス電流1.が逆向きに流れるのを阻止することができる
。
次に、2段目のパルス圧縮、レーザ光の出力が行なわれ
るが、これらの動作は従来のパルス発生装置と同様であ
る。
るが、これらの動作は従来のパルス発生装置と同様であ
る。
[発明の効果]
以上、詳述したように、この発明は1段目のパルス圧縮
が行なわれている間飽和しないために必要な大きさの電
圧時間積を持つ逆を流阻止用可飽和リアクトルを設けた
ので、1段目のパルス圧縮が行なわれている間パルス電
流が逆向きに流れるのを阻止でき、これにより効率の良
いパルス発生装置が得られると云う効果を奏する。
が行なわれている間飽和しないために必要な大きさの電
圧時間積を持つ逆を流阻止用可飽和リアクトルを設けた
ので、1段目のパルス圧縮が行なわれている間パルス電
流が逆向きに流れるのを阻止でき、これにより効率の良
いパルス発生装置が得られると云う効果を奏する。
第1図はこの発明に係るパルス発生装置の一実施鋼を示
す回路図、第2図はその動作を説明するための電圧、電
流を示す波形図、第3図は従来のパルス発生装置を示す
回路図、第4図はその動作を説明するための電圧、電流
を示す波形図である。 図において、(2〉はサイラトロン、(4) 、 (5
)はパルス圧縮用コンデンサ、(8)は可飽和リアクト
ル、(12)は逆電流阻止用可飽和リアクトルである。 なす3、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代 理 人 曾 我 道 照揶2図 形4図 手 続 補 正 書 平底 2年10月17日
す回路図、第2図はその動作を説明するための電圧、電
流を示す波形図、第3図は従来のパルス発生装置を示す
回路図、第4図はその動作を説明するための電圧、電流
を示す波形図である。 図において、(2〉はサイラトロン、(4) 、 (5
)はパルス圧縮用コンデンサ、(8)は可飽和リアクト
ル、(12)は逆電流阻止用可飽和リアクトルである。 なす3、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代 理 人 曾 我 道 照揶2図 形4図 手 続 補 正 書 平底 2年10月17日
Claims (1)
- 電源の両端間に接続され、スイッチングによりパルス
を発生するスイッチ素子と、このスイッチ素子に電気的
に接続され、可飽和リアクトルおよび一対のコンデンサ
から成り、上記パルスを圧縮して立上りがより急峻なパ
ルスを発生するパルス圧縮回路と、このパルス圧縮回路
と上記スイッチ素子の間に挿入され、上記可飽和リアク
トルが飽和し、パルス圧縮が行われている期間に印加さ
れる電圧により、飽和しないために必要な大きさの電圧
時間積を持つ他の可飽和リアクトルとを備えたことを特
徴とするパルス発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315461A JPH0683035B2 (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | パルス発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315461A JPH0683035B2 (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | パルス発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03177108A true JPH03177108A (ja) | 1991-08-01 |
| JPH0683035B2 JPH0683035B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=18065638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1315461A Expired - Lifetime JPH0683035B2 (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | パルス発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0683035B2 (ja) |
-
1989
- 1989-12-06 JP JP1315461A patent/JPH0683035B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS=1985 * |
| JOURNAL OF PHYSICS E.SCIENTIFIC INSTRUMENTS=1988 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0683035B2 (ja) | 1994-10-19 |
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