JPH03178017A - 集積磁気リード／ライトヘッド／撓曲体／導体構造体 - Google Patents
集積磁気リード／ライトヘッド／撓曲体／導体構造体Info
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- JPH03178017A JPH03178017A JP2281717A JP28171790A JPH03178017A JP H03178017 A JPH03178017 A JP H03178017A JP 2281717 A JP2281717 A JP 2281717A JP 28171790 A JP28171790 A JP 28171790A JP H03178017 A JPH03178017 A JP H03178017A
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- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は相対的に動く磁気記録媒体に磁気像を読み書
きするための電磁リード／ライト構造体に関する。詳細
には、極めて小さい、特異な、−体向集積リード／ライ
トヘッド／撓曲体／導体構造体、及びその製造法に関す
る。提案した構造体の寸法の特徴として、本発明者はこ
れを微小撓曲ヘッドであると考える。
きするための電磁リード／ライト構造体に関する。詳細
には、極めて小さい、特異な、−体向集積リード／ライ
トヘッド／撓曲体／導体構造体、及びその製造法に関す
る。提案した構造体の寸法の特徴として、本発明者はこ
れを微小撓曲ヘッドであると考える。
本発明の構造体は種々の用途があるが、その好適実施例
をディスク又はドラムの如き剛性記録媒体に関して像を
読み書きすることに関連して記述する。この用途では、
この構造体は特に有益であり、特別な利点があることが
判明している。
をディスク又はドラムの如き剛性記録媒体に関して像を
読み書きすることに関連して記述する。この用途では、
この構造体は特に有益であり、特別な利点があることが
判明している。
磁気記録システムの性能はリード／ライトヘッドと関連
記録媒体との分離が減少するにつれて急速に回しする。
記録媒体との分離が減少するにつれて急速に回しする。
剛性媒体システムでは、今日、この分離は「フライング
ハイドｊ （ｆｌｙｉｎｇ ｈｅｉｇｈｔ）と称され、
この名称はしばしばスライダと称される従来のヘッドが
空気支持により相対移動媒体のヒ方に支持されることに
よる。フライングハイドが減少すると、ヘッドの摩耗、
特に破滅的な摩耗又は「圧潰」の恐れが急速に増す。勿
論この問題はスライダ及び媒体材料を硬度、摩擦係数、
熱伝導率などに関して適正に選択することにより、また
ヘッド／媒体界面の質、潤滑剤、界面に現れる汚染の除
去に適正に注目することにより軽減できる。
ハイドｊ （ｆｌｙｉｎｇ ｈｅｉｇｈｔ）と称され、
この名称はしばしばスライダと称される従来のヘッドが
空気支持により相対移動媒体のヒ方に支持されることに
よる。フライングハイドが減少すると、ヘッドの摩耗、
特に破滅的な摩耗又は「圧潰」の恐れが急速に増す。勿
論この問題はスライダ及び媒体材料を硬度、摩擦係数、
熱伝導率などに関して適正に選択することにより、また
ヘッド／媒体界面の質、潤滑剤、界面に現れる汚染の除
去に適正に注目することにより軽減できる。
しかし、この型式の典型的システムでは、ヘッド構造体
はスタート−ストッププロセスで、また時には操作モー
ドで運動媒体と接触し、その結果破滅的摩耗ではないに
しても、ある程度の摩耗が必然的に生じる。一般に、摩
耗速度は表面速度及び付与圧力に依存し、ある速度では
圧力と共に徐々に増す。しかし、ある点において摩耗速
度が急激に上昇し、その結果ある形態の破滅的摩耗が発
生する。
はスタート−ストッププロセスで、また時には操作モー
ドで運動媒体と接触し、その結果破滅的摩耗ではないに
しても、ある程度の摩耗が必然的に生じる。一般に、摩
耗速度は表面速度及び付与圧力に依存し、ある速度では
圧力と共に徐々に増す。しかし、ある点において摩耗速
度が急激に上昇し、その結果ある形態の破滅的摩耗が発
生する。
摩耗過程を理解し、また特に剛性媒体における低フライ
ングヘッドの摩耗を制限することの一困難は接触面積が
スライダの「フットプリント」のそれよりも小さい場合
が多いことである。これは横揺れと縦揺れの力学、ある
いはへラド／媒体界面における異物粒子の存在の如き種
々の因子の一つ以上に起因する。故に、付与負荷及び慣
性力から生じる遷移局部接触圧力は棲めて大きくなる。
ングヘッドの摩耗を制限することの一困難は接触面積が
スライダの「フットプリント」のそれよりも小さい場合
が多いことである。これは横揺れと縦揺れの力学、ある
いはへラド／媒体界面における異物粒子の存在の如き種
々の因子の一つ以上に起因する。故に、付与負荷及び慣
性力から生じる遷移局部接触圧力は棲めて大きくなる。
この状況をもう少し詳しく観察すると、要点はかかる微
小接触領域が主としてスライダの寸法と質量に大いに依
存することが判り、またスライダの寸法と質量の減少に
より付与負荷と慣性力を減少できるから、局部接触圧力
が減少する。
小接触領域が主としてスライダの寸法と質量に大いに依
存することが判り、またスライダの寸法と質量の減少に
より付与負荷と慣性力を減少できるから、局部接触圧力
が減少する。
ヘッド／媒体分離の減少によりスライダのフットプリン
トが減少する他の理由は、媒体又はスライダ面の非偏平
性又はスライダ横揺れによりり−ド／ライトポールの先
端が媒体から異常に分離するということに関する。
トが減少する他の理由は、媒体又はスライダ面の非偏平
性又はスライダ横揺れによりり−ド／ライトポールの先
端が媒体から異常に分離するということに関する。
スライダの寸法、質量及び付与負荷を減少するには、勿
論、所望の７ライングハイトを維持するために、スライ
ダの空気支持の設計、即ち、減少付与負荷に対応するス
ライダ面の減少に適正に注目する必要がある。また、従
来の設計によるスライダの寸法と質量の減少に対する制
限は、スライグ体、空気支持レール及びシンブル（ｇｉ
ｍｂｌｅ） −撓曲体機構を適当に小さい寸法と公差で
作ること、及びスライダを撓曲体上に対応する緊密な公
差で装着することが実際上制限されていることに在る。
論、所望の７ライングハイトを維持するために、スライ
ダの空気支持の設計、即ち、減少付与負荷に対応するス
ライダ面の減少に適正に注目する必要がある。また、従
来の設計によるスライダの寸法と質量の減少に対する制
限は、スライグ体、空気支持レール及びシンブル（ｇｉ
ｍｂｌｅ） −撓曲体機構を適当に小さい寸法と公差で
作ること、及びスライダを撓曲体上に対応する緊密な公
差で装着することが実際上制限されていることに在る。
結局、最小寸法と質量は変換器、電気導体及び支持構造
体の寸法により制限される。本スライダは変換器事態よ
りも寸法が１桁ないし２桁小さく、また質量が３桁大き
い。而して、原理的には、質量、従って局部接触圧力は
約３桁減少でき、これにより摩耗を非常に減少し、また
恐らくヘッドの圧潰の可能性を除去する。
体の寸法により制限される。本スライダは変換器事態よ
りも寸法が１桁ないし２桁小さく、また質量が３桁大き
い。而して、原理的には、質量、従って局部接触圧力は
約３桁減少でき、これにより摩耗を非常に減少し、また
恐らくヘッドの圧潰の可能性を除去する。
要するに、媒体磁気記録システムの性能の大きい進歩は
へラド／媒体の分離を減少し、終局的に連続滑り接触ま
で減少することにより達成できる。
へラド／媒体の分離を減少し、終局的に連続滑り接触ま
で減少することにより達成できる。
しかし、ヘッド／媒体の分離を減少すると、他の条件が
同じであれば、摩耗が増し、破滅的摩耗の危険が大きく
八る。スライダと媒体との間の接触面積は典型的には非
常に小さく、またスライダの微小寸法と無関係であるか
ら、スライダの寸法と質量を非常に減少し、付与力と慣
性力及び局部的接触圧力を対応的に減少することが可能
になり、その結果摩耗が非常に減少し破滅的摩耗の危険
が低くなる。スライダのフットプリント寸法が減少する
ことは、ヘッドと媒体との分離を小さく保つことに役立
つ。
同じであれば、摩耗が増し、破滅的摩耗の危険が大きく
八る。スライダと媒体との間の接触面積は典型的には非
常に小さく、またスライダの微小寸法と無関係であるか
ら、スライダの寸法と質量を非常に減少し、付与力と慣
性力及び局部的接触圧力を対応的に減少することが可能
になり、その結果摩耗が非常に減少し破滅的摩耗の危険
が低くなる。スライダのフットプリント寸法が減少する
ことは、ヘッドと媒体との分離を小さく保つことに役立
つ。
故に本発明の目的は上記問題を新規な極めて効果的な態
様で取り扱う特異なリード／ライト構造体を提供するこ
とである。
様で取り扱う特異なリード／ライト構造体を提供するこ
とである。
特に、本発明の目的は今日のものに比べて寸法と質量が
数桁中さい特異なリード／ライト構造体、即ち相対運動
記録媒体と非破滅的な連続滑り接触相互作用可能な構造
体を提供することである。
数桁中さい特異なリード／ライト構造体、即ち相対運動
記録媒体と非破滅的な連続滑り接触相互作用可能な構造
体を提供することである。
本発明の他の目的は全体が原子ごとに、付着工程、例え
ば材料のスパッタリング及びリソグラフィックパターン
ニングにより形成された一体的な全体的に集積されたヘ
ッド／撓曲体／電気導体組み合わせを特徴とするＰＲ構
造体提供することである。
ば材料のスパッタリング及びリソグラフィックパターン
ニングにより形成された一体的な全体的に集積されたヘ
ッド／撓曲体／電気導体組み合わせを特徴とするＰＲ構
造体提供することである。
他の目的は多ヘツド列配置が容易な構造体を提供するこ
とである。本発明のなお他の重要な目的は前記型式のリ
ード／ライト構造体の新規な製造法を提供することであ
る。
とである。本発明のなお他の重要な目的は前記型式のリ
ード／ライト構造体の新規な製造法を提供することであ
る。
本発明により達成されるこれら及び他の目的と利点は添
付図面に関する以下の記載から明らかになろう。
付図面に関する以下の記載から明らかになろう。
図面、特に第を図に関し、２０は本発明によるリード／
ライトヘッド／撓曲体／導体構造体である。構造体２０
は全長Ａ約０．３インチ、全幅Ｂ約０゜００６インチ、
その長さの大部分に沿う厚さＣ約０．００■インチ、第
１図の左端に隣接した拡大部を形成するやや大きい厚さ
Ｄ約０．００２インチであり、前記左端は構造体のクー
１フ９４１作業瑞であると考えることができる。
ライトヘッド／撓曲体／導体構造体である。構造体２０
は全長Ａ約０．３インチ、全幅Ｂ約０゜００６インチ、
その長さの大部分に沿う厚さＣ約０．００■インチ、第
１図の左端に隣接した拡大部を形成するやや大きい厚さ
Ｄ約０．００２インチであり、前記左端は構造体のクー
１フ９４１作業瑞であると考えることができる。
ここに述べる特定の寸法は特に良好な作業性の故に選択
されたものである。しかし、本発明者は奸ましくは一般
に下に述べる範囲に近い異なる特定寸法を満足に使用で
きることを確認する。
されたものである。しかし、本発明者は奸ましくは一般
に下に述べる範囲に近い異なる特定寸法を満足に使用で
きることを確認する。
Ａ −０，２−０，５インチ
Ｂ−４−２０ミル
Ｃ−１５−６０ミクロン
Ｄ−２０−６５ミクロン
第１図と共に第２図、第３図を考察するに、垂直記録の
ためのプローブ型のヘッドが形成され、このヘッドは宇
ポール２２、ヨーク２４、後方空隙スタッド２６、及び
撓曲復帰ヨーク２８を含む。
ためのプローブ型のヘッドが形成され、このヘッドは宇
ポール２２、ヨーク２４、後方空隙スタッド２６、及び
撓曲復帰ヨーク２８を含む。
これらの構成要素は磁気的に結合されて低磁気抵抗経路
を形成し、この経路は牛ポール２２と復帰ヨーク２８の
端との間の高磁気抵抗空隙に終わる、この復帰ヨーク好
ましくはヨーク２４よりも幅を幾分広くし、非常に大き
い磁束結合面積と、記録媒体の軟質磁気下層への低磁気
抵抗経路とを提供する。第４図をしばらく参照するに、
かかる媒体は３２で示され、これは高飽和保持力の垂直
方向配向した記録層３２ｂで被覆されたト記軟質磁気下
層３２ａを含む。ヘッドに関する媒体の運動方向は矢印
３１で示す。
を形成し、この経路は牛ポール２２と復帰ヨーク２８の
端との間の高磁気抵抗空隙に終わる、この復帰ヨーク好
ましくはヨーク２４よりも幅を幾分広くし、非常に大き
い磁束結合面積と、記録媒体の軟質磁気下層への低磁気
抵抗経路とを提供する。第４図をしばらく参照するに、
かかる媒体は３２で示され、これは高飽和保持力の垂直
方向配向した記録層３２ｂで被覆されたト記軟質磁気下
層３２ａを含む。ヘッドに関する媒体の運動方向は矢印
３１で示す。
上記磁気ポール構造は、ここでは例えば酸化アルミから
作られる細長い誘電性撓曲体３４内に埋設された構造体
として後述の態様で形成される、二酸化シリコンの如き
他の撓曲体材料を使用することもできる。
作られる細長い誘電性撓曲体３４内に埋設された構造体
として後述の態様で形成される、二酸化シリコンの如き
他の撓曲体材料を使用することもできる。
構造体２０のヨーク２４には後述の態様で形成される螺
旋コイル３６が誘導結合され、このコイルの両端はリー
ド導体３８．４０を通じて結合パッド４２へ接続する７ 第５図をしばら＜参唄するに、本発明の他の実施例が示
され、構造体２０は縦方向に配向した媒体（即ち磁化容
易軸線が媒体のこの平面にある）に記録するための薄い
リング型ヘッドを含む。この構造体には比較的に厚い（
ポール先端飽和を避けるために）ポール４４．４６が含
まれ、その下端は実質的に平坦であり下の記録媒体の面
のすぐ近くにある。
旋コイル３６が誘導結合され、このコイルの両端はリー
ド導体３８．４０を通じて結合パッド４２へ接続する７ 第５図をしばら＜参唄するに、本発明の他の実施例が示
され、構造体２０は縦方向に配向した媒体（即ち磁化容
易軸線が媒体のこの平面にある）に記録するための薄い
リング型ヘッドを含む。この構造体には比較的に厚い（
ポール先端飽和を避けるために）ポール４４．４６が含
まれ、その下端は実質的に平坦であり下の記録媒体の面
のすぐ近くにある。
これらのポールの空隙４８は信号の再生に際しノニャビ
ット解像を良好にするために非常に小さい。信号再生に
おけるリニヤビット解像を決めるのはこの寸法である。
ット解像を良好にするために非常に小さい。信号再生に
おけるリニヤビット解像を決めるのはこの寸法である。
螺旋コイルの電流による磁束の殆どは空隙４８と直接に
架橋し、少したけが媒体へ移り、而して記録モードの磁
界強度を制限する。この理由で、空隙４８（ポール４４
．４６が互いに一致し平行である空間）の喉高さを制限
し、より多くの磁束により媒体を包囲する必要がある。
架橋し、少したけが媒体へ移り、而して記録モードの磁
界強度を制限する。この理由で、空隙４８（ポール４４
．４６が互いに一致し平行である空間）の喉高さを制限
し、より多くの磁束により媒体を包囲する必要がある。
ＦＩＩＩＩｇリング型ヘッドについて経験則として、喉
高さは高飽和保持力の媒体における記録のための十分に
高い磁界強度を与えるために空隙厚みの１倍又は２倍に
保たれる。而して、現在の薄膜縦方向記録ヘッドでは、
空隙４８は約０．５ミクロンにでき、これにより約２０
．０００磁束リバーサル／インチの１ノニアビノト解像
が可能になり、喉高さを約１ミクロンに制限する。記録
密度が高くなると、研磨工程で喉高さを更に厳密に制御
することが必要になる。
高さは高飽和保持力の媒体における記録のための十分に
高い磁界強度を与えるために空隙厚みの１倍又は２倍に
保たれる。而して、現在の薄膜縦方向記録ヘッドでは、
空隙４８は約０．５ミクロンにでき、これにより約２０
．０００磁束リバーサル／インチの１ノニアビノト解像
が可能になり、喉高さを約１ミクロンに制限する。記録
密度が高くなると、研磨工程で喉高さを更に厳密に制御
することが必要になる。
これに対し、プローブ型ヘッドの空隙３０は比較的に大
きく作られ、而してこの空隙を横切る磁束は極めて少な
い。故に、ポール２２の先端からの磁束の実質的に全て
は媒体の記Ｂ層を磁化するのに有効であり、同様の喉高
さの制限はない。
きく作られ、而してこの空隙を横切る磁束は極めて少な
い。故に、ポール２２の先端からの磁束の実質的に全て
は媒体の記Ｂ層を磁化するのに有効であり、同様の喉高
さの制限はない。
而して、実際上、ポール２２の高さは記録、再生性能に
悪影響なしに約５ないし１０ミクロンにできる。ただし
、ポール厚さが約０．５ミクロン以下に減少すると、ポ
ール先端の飽和が問題になる。
悪影響なしに約５ないし１０ミクロンにできる。ただし
、ポール厚さが約０．５ミクロン以下に減少すると、ポ
ール先端の飽和が問題になる。
この分析から、２層垂直媒体に記録するプローブヘッド
は、ヘッド媒体分離が結局は連続滑り接触まで減少する
ときヘッドの製造とヘッド摩耗の許容度に関して縦方向
媒体における厚膜リング−ヘッド記録よりも大きい利点
がある。
は、ヘッド媒体分離が結局は連続滑り接触まで減少する
ときヘッドの製造とヘッド摩耗の許容度に関して縦方向
媒体における厚膜リング−ヘッド記録よりも大きい利点
がある。
第５図に示す磁気構造体の残部はヨーク５０、後方空隙
スタッド５２、及び復帰ヨーク５４を含む。ヨーク５０
には前記コイル３６と同様の螺旋コイル５０が誘導結合
される。コイル５６の両端（図示せず）は前記導体３８
．４０と同様の接続導体を連じてパッド４２と同様の適
当なパッドへ接続される。
スタッド５２、及び復帰ヨーク５４を含む。ヨーク５０
には前記コイル３６と同様の螺旋コイル５０が誘導結合
される。コイル５６の両端（図示せず）は前記導体３８
．４０と同様の接続導体を連じてパッド４２と同様の適
当なパッドへ接続される。
プローブ型ヘッド（第２図）及びリング型ヘット（第５
図）に精通した者は満足なヘッド機能を得るために磁気
回路設計上の留意すべき制限を理解しているであろう。
図）に精通した者は満足なヘッド機能を得るために磁気
回路設計上の留意すべき制限を理解しているであろう。
故に、これらの制限の詳細は述べない。
以上図示し記述したリード／ライト構造体は原子ごとの
構造法とも考えられる方法により達成された。本発明の
最も重要な構成要素の一つは、全構造体用の主となる細
長い埋設撓曲体を形成するのに使用されるスパッタされ
た酸化アルミ （又は他の同様無機材料）が弾性と構造
上の安全性とが高いことを特徴とすることである。この
特徴はかかる小寸法（マイクロ）、低質量（約■００マ
イクログラム）のリード／ライト構造体を提供する能力
の点で有意な役割を果す。ここに示す構造体は寸法と質
量が有意に減少しており、実質的に破滅的な摩耗がない
記録媒体と直接連続滑り接触操作に使用できることが経
験から判明している。
構造法とも考えられる方法により達成された。本発明の
最も重要な構成要素の一つは、全構造体用の主となる細
長い埋設撓曲体を形成するのに使用されるスパッタされ
た酸化アルミ （又は他の同様無機材料）が弾性と構造
上の安全性とが高いことを特徴とすることである。この
特徴はかかる小寸法（マイクロ）、低質量（約■００マ
イクログラム）のリード／ライト構造体を提供する能力
の点で有意な役割を果す。ここに示す構造体は寸法と質
量が有意に減少しており、実質的に破滅的な摩耗がない
記録媒体と直接連続滑り接触操作に使用できることが経
験から判明している。
図示のな口き構造体を作るためにここに提案された方法
を考察するに、この方法は第１〜３図に示すユニットに
関して述べる。
を考察するに、この方法は第１〜３図に示すユニットに
関して述べる。
上記のな口＜、本発明の主な特徴、即ちヘッド、撓曲体
及び電気接続の形成の点で従来の方法と基本的に異なら
しめる特徴は、全体のマイクロヘッド／撓曲体／接続器
複合体が当業者により広く知られた薄膜及びホトリソグ
ラフィック技術を利用して集積ユニットとして形成され
ることに在る。
及び電気接続の形成の点で従来の方法と基本的に異なら
しめる特徴は、全体のマイクロヘッド／撓曲体／接続器
複合体が当業者により広く知られた薄膜及びホトリソグ
ラフィック技術を利用して集積ユニットとして形成され
ることに在る。
換言すると、本発明の全構造体は、従来の薄膜付着及び
蝕刻方法、例えば磁気部品、電気部品及び構造部品の周
知のホトパターンニングに伴うスパッタリング、蒸着、
メツキ、化学蒸着、イオンビーム付着及び蝕刻などを採
用して原子ごとに作成される。
蝕刻方法、例えば磁気部品、電気部品及び構造部品の周
知のホトパターンニングに伴うスパッタリング、蒸着、
メツキ、化学蒸着、イオンビーム付着及び蝕刻などを採
用して原子ごとに作成される。
ここに採用されるヘッド構造体は、ある意味では薄膜リ
ード撓曲体の延長となり、相当の厚さである。螺旋コイ
ル構造体を採用してこれを磁気ヨークに巻き付けること
により、ヘッド構造体全体の蝋が非常に小さくなり、特
にヘッドのインダクタンスと抵抗及び対応する漏話感度
が減少する。
ード撓曲体の延長となり、相当の厚さである。螺旋コイ
ル構造体を採用してこれを磁気ヨークに巻き付けること
により、ヘッド構造体全体の蝋が非常に小さくなり、特
にヘッドのインダクタンスと抵抗及び対応する漏話感度
が減少する。
撓曲構造体内に４１１１１付着することにより、従来の
方法では必要とされたツイストペア（ｔｗｉｓｔｅｄｐ
ａｉｒ）導体を結合する必要性が除去される。
方法では必要とされたツイストペア（ｔｗｉｓｔｅｄｐ
ａｉｒ）導体を結合する必要性が除去される。
第６図において、シリコンまたはセラミック、例えばチ
タン酸バリウムの研Ｆｐ！平坦ウェーハにできる四角形
ウェーハ５８は第１図、第２図、第３図の構造体２０を
作る全ての材料の付着とパターンニングの基板として役
立つ。第７図は第６図の７−７線における断片断面図で
あり、リード／ライト構造体２０を作る製作工程中に形
成される神々の層を示す。製作Ｔ程中に構造体の形成が
行われる方法に関し、構造体の上面２０ａ（第２図参照
）は第１に形成されるものであり、第６図のウェーハ５
８の上面に密接した構造体の部分である。
タン酸バリウムの研Ｆｐ！平坦ウェーハにできる四角形
ウェーハ５８は第１図、第２図、第３図の構造体２０を
作る全ての材料の付着とパターンニングの基板として役
立つ。第７図は第６図の７−７線における断片断面図で
あり、リード／ライト構造体２０を作る製作工程中に形
成される神々の層を示す。製作Ｔ程中に構造体の形成が
行われる方法に関し、構造体の上面２０ａ（第２図参照
）は第１に形成されるものであり、第６図のウェーハ５
８の上面に密接した構造体の部分である。
チタン薄膜６０と銅薄膜６２はウェーハ５８の上面にス
パッタされ、前者は付着層として役立ち、後者は導電性
電気メツキベースとして役立つ。銅層６４は厚さ約５な
いし約２５ミクロンであり、フィルム６２に電気メツキ
され、滑らかな、艶だし仕上げとして平田に研磨される
。次いで、ホトレジストか模様化され、マスクを形成し
、これを通じて追加の銅が約６ないし１０ミクロ７メー
トルの厚さにメツキされ、その結果ホトレジストの剥Ｍ
後に、平行な銅の縞６６が生じる。
パッタされ、前者は付着層として役立ち、後者は導電性
電気メツキベースとして役立つ。銅層６４は厚さ約５な
いし約２５ミクロンであり、フィルム６２に電気メツキ
され、滑らかな、艶だし仕上げとして平田に研磨される
。次いで、ホトレジストか模様化され、マスクを形成し
、これを通じて追加の銅が約６ないし１０ミクロ７メー
トルの厚さにメツキされ、その結果ホトレジストの剥Ｍ
後に、平行な銅の縞６６が生じる。
ホトレジストはウェーハ５８の縁５８ａ（第６図参照）
に関して模様化され、約６ないし１０ミクロンの金がこ
のパターンを通じてメツキされ、萌記結合パッド４２（
第７図に示さず）を形成する。次いでチタン付着層６８
がこの面にスパッタされ、次いで酸化アルミ層７０が約
６ないし１０ミクロンの厚さにスパッタされる。得られ
た面はラップ仕上げ及び研磨されて縞６６及び結合バッ
ト４２を露出させ、滑らかな平坦面を形成する。
に関して模様化され、約６ないし１０ミクロンの金がこ
のパターンを通じてメツキされ、萌記結合パッド４２（
第７図に示さず）を形成する。次いでチタン付着層６８
がこの面にスパッタされ、次いで酸化アルミ層７０が約
６ないし１０ミクロンの厚さにスパッタされる。得られ
た面はラップ仕上げ及び研磨されて縞６６及び結合バッ
ト４２を露出させ、滑らかな平坦面を形成する。
次に、チタン付着層７２とメツキベース７４をこの而に
スパッタし、ホトレジストをスパッタし、これを通じて
約２ないし４ミクロンの銅をメツキし、これにより前記
螺旋コイル３６の底導体７６を形成する。第７図に関し
、螺旋コイルの底導体として、これらは第２図に示すな
口きコイルの頂導体として現れる。この層は前記導体３
８．４０を形成し、縞６６の高さを増す。次いでホトレ
ジストを剥離し、再形成し模様化しホトレジストマスク
を通じて厚さ数ミクロンの銅メツキを施し、メツキベー
ス７４及びチタン層７２の露出部分の蝕刻後に電気バイ
ア（ｖｉａ）接続部７８を形成しまた縞６６の頂部に銅
を追加する。次いでチタン付着層８０を面にスパッタし
、ホトレジストマスクを通じて蝕刻し、導体３８．４０
、全バイア７８、及びコイル導体７６を電気的に隔離す
る。次に、酸化アルミフィルム８２を数ミクロンの厚さ
にスパッタし、ラップ仕上げし、研磨してバイア７８と
縞６６を露出させ、再び滑らかな平面を形成する。
スパッタし、ホトレジストをスパッタし、これを通じて
約２ないし４ミクロンの銅をメツキし、これにより前記
螺旋コイル３６の底導体７６を形成する。第７図に関し
、螺旋コイルの底導体として、これらは第２図に示すな
口きコイルの頂導体として現れる。この層は前記導体３
８．４０を形成し、縞６６の高さを増す。次いでホトレ
ジストを剥離し、再形成し模様化しホトレジストマスク
を通じて厚さ数ミクロンの銅メツキを施し、メツキベー
ス７４及びチタン層７２の露出部分の蝕刻後に電気バイ
ア（ｖｉａ）接続部７８を形成しまた縞６６の頂部に銅
を追加する。次いでチタン付着層８０を面にスパッタし
、ホトレジストマスクを通じて蝕刻し、導体３８．４０
、全バイア７８、及びコイル導体７６を電気的に隔離す
る。次に、酸化アルミフィルム８２を数ミクロンの厚さ
にスパッタし、ラップ仕上げし、研磨してバイア７８と
縞６６を露出させ、再び滑らかな平面を形成する。
これに続いて、他のチタン付着層８４及びニッケル鉄メ
ツキベース８６をスパッタする。その後、ホトレジスト
マスクを通じて、強い磁界の存在のちとにニッケル鉄メ
ツキベース８８を約２ないし約３ミクロンの厚さに電気
メツキして横方向の磁化容易軸線を持つ前記ヨーク２４
を形成する。この段階はバイア７８及び縞６６の高さま
で伸びる。
ツキベース８６をスパッタする。その後、ホトレジスト
マスクを通じて、強い磁界の存在のちとにニッケル鉄メ
ツキベース８８を約２ないし約３ミクロンの厚さに電気
メツキして横方向の磁化容易軸線を持つ前記ヨーク２４
を形成する。この段階はバイア７８及び縞６６の高さま
で伸びる。
構造体２０の磁気横Ｉｆｆ素は他の材料、例えばコバル
ト−鉄、コバルト−ジルコニウム、鉄−窒化物などから
、種々の他の付着手段、例えばスパッタリング、蒸着、
化学蒸着などにより作ることができる。
ト−鉄、コバルト−ジルコニウム、鉄−窒化物などから
、種々の他の付着手段、例えばスパッタリング、蒸着、
化学蒸着などにより作ることができる。
ホトレジストを剥離し、新しいホトレジストマスクを形
成し、これを通じてニッケルー鉄層９０をやはり適当な
磁界内で、バイア７８及び縞６６の上に約４ないし６ミ
クロンの厚さにメツキし、前記後方空隙スタッド２６の
ベースを形成する。
成し、これを通じてニッケルー鉄層９０をやはり適当な
磁界内で、バイア７８及び縞６６の上に約４ないし６ミ
クロンの厚さにメツキし、前記後方空隙スタッド２６の
ベースを形成する。
層８４及びベース８６の露出部域を蝕刻し、約６ないし
約８ミクロンの酸化アルミ層９２を面にスパッタし、や
はりラップ仕上げし、研磨して平面とし、バイア７８、
後方空隙スタッド及び縞６６を露出する。酸化アルミか
ら形成される撓曲体３４はこの付着シーケンスで漸増す
ること、また撓曲体の幅は縞６６の間隔により制限され
ることに注目すべきである。
約８ミクロンの酸化アルミ層９２を面にスパッタし、や
はりラップ仕上げし、研磨して平面とし、バイア７８、
後方空隙スタッド及び縞６６を露出する。酸化アルミか
ら形成される撓曲体３４はこの付着シーケンスで漸増す
ること、また撓曲体の幅は縞６６の間隔により制限され
ることに注目すべきである。
チタン付着層９４及び銅メツキベース層９６が露出面に
スパッタされ、約２ないし約４ミクロンの銅がホトレジ
ストマスクを通じてメツキされ、これによりバイア７８
を接続し螺旋コイルの製作を完了する導体９８を形成し
、隔離した導体３８．４０への接続部を形成する。使用
したホトレジストマスクを剥離した後に、新しい厚いホ
トレジストマスクを準備し、これを通じて約２０ないし
約３０ミクロンのニッケルー鉄層１００が磁界内でメツ
キされて後方空隙スタッド２６を形成しかっ縞６６の高
さを増す。フィルム９４．９６のＮ 出部域はホトレジ
ストの剥離後に蝕刻され、約３５ないし約４０ミクロン
の酸化アルミ層１０１が而にスパッタされる。而は再び
ラップ仕上げされ、平坦に研磨されて後方空隙スタッド
２６と＆２６６を露出させる。チタン付着層１０２とニ
ッケルー鉄メツキベース１０４がスパッタされて厚さ約
２ないし約４ミクロンのニッケルー鉄フィルム１０６を
適当な磁界とホトレジストマスクでメツキさせ、前記復
帰ヨーク５４を形成する。このホトレジストマスクは次
いで剥離され新しいマスクと置き換えられ、これを通じ
て約１５ないし２０ミクロンのニッケルー鉄Ｆｉ１０８
が縞６６の上にメツキされる。層１０２．１０４の露出
部域は蝕刻され、約１５ないし約２０ミクロンの酸化ア
ルミ層１１０がスパッタされ、次いで平坦にラップ仕上
げされて縞６６を露出させる。最後に酸化アルミの面を
ホトレジストマスクを通じて約（０ないし約１５ミクロ
ンの深さに蝕刻し、これにより空隙３０の区域に存在す
る表面地形の拡大部またはステップで撓曲体３４の厚さ
を規定する。この蝕刻ステップにより縞６６の側部が一
部露出する。深さ約５０ないし約１００ミクロン、幅約
（００ないし約１５０ミクロンのスクライブカット（ｓ
ｃｒｉｂｅ ｃｕｔ）が縁５８ａに関してウェーハ５４
の後側につくられ、これにより第１１図に示すす口＜、
浅い切欠対抗結合パッド４２を形成する。鋸カット１１
４が作られ、ウェーハ５８をバー１１６に分割し、第８
図に示す如くヨーク２４の端を露出させるが、形成する
パッド４２又は導体３８．４０を露出しない。バー１１
６はエポキシ１２０と組み立てられ、撓曲体（１８に保
持され（第９図、第１０図参照）、ヨーク２４の端は露
出され、付属具１１８の面と同じ平面にある。エポキシ
は前記切欠またはスクライブカット１１２を充填する。
スパッタされ、約２ないし約４ミクロンの銅がホトレジ
ストマスクを通じてメツキされ、これによりバイア７８
を接続し螺旋コイルの製作を完了する導体９８を形成し
、隔離した導体３８．４０への接続部を形成する。使用
したホトレジストマスクを剥離した後に、新しい厚いホ
トレジストマスクを準備し、これを通じて約２０ないし
約３０ミクロンのニッケルー鉄層１００が磁界内でメツ
キされて後方空隙スタッド２６を形成しかっ縞６６の高
さを増す。フィルム９４．９６のＮ 出部域はホトレジ
ストの剥離後に蝕刻され、約３５ないし約４０ミクロン
の酸化アルミ層１０１が而にスパッタされる。而は再び
ラップ仕上げされ、平坦に研磨されて後方空隙スタッド
２６と＆２６６を露出させる。チタン付着層１０２とニ
ッケルー鉄メツキベース１０４がスパッタされて厚さ約
２ないし約４ミクロンのニッケルー鉄フィルム１０６を
適当な磁界とホトレジストマスクでメツキさせ、前記復
帰ヨーク５４を形成する。このホトレジストマスクは次
いで剥離され新しいマスクと置き換えられ、これを通じ
て約１５ないし２０ミクロンのニッケルー鉄Ｆｉ１０８
が縞６６の上にメツキされる。層１０２．１０４の露出
部域は蝕刻され、約１５ないし約２０ミクロンの酸化ア
ルミ層１１０がスパッタされ、次いで平坦にラップ仕上
げされて縞６６を露出させる。最後に酸化アルミの面を
ホトレジストマスクを通じて約（０ないし約１５ミクロ
ンの深さに蝕刻し、これにより空隙３０の区域に存在す
る表面地形の拡大部またはステップで撓曲体３４の厚さ
を規定する。この蝕刻ステップにより縞６６の側部が一
部露出する。深さ約５０ないし約１００ミクロン、幅約
（００ないし約１５０ミクロンのスクライブカット（ｓ
ｃｒｉｂｅ ｃｕｔ）が縁５８ａに関してウェーハ５４
の後側につくられ、これにより第１１図に示すす口＜、
浅い切欠対抗結合パッド４２を形成する。鋸カット１１
４が作られ、ウェーハ５８をバー１１６に分割し、第８
図に示す如くヨーク２４の端を露出させるが、形成する
パッド４２又は導体３８．４０を露出しない。バー１１
６はエポキシ１２０と組み立てられ、撓曲体（１８に保
持され（第９図、第１０図参照）、ヨーク２４の端は露
出され、付属具１１８の面と同じ平面にある。エポキシ
は前記切欠またはスクライブカット１１２を充填する。
この組立体の而は次いでラップ仕上げされ、平坦に研磨
される。洗浄後に、高い飽和磁気を有する軟質磁気フィ
ルム１２２（第１２図、第１３図参照）が第１２図の矢
印１２４で示す如く磁化容易軸線がバー１１６の長さと
平行になるように強い磁界の存在のもとに前記−ポール
２２の所望厚さにスパッタされる。次いでフィルム１２
２がホトレジストマスクを通じて好ましくはイオンミリ
ング（ｉｏｎ ｍｉｌｌｉｎｇ）によりスパッタされ、
第１２図、第１３図に示す如くヨーク２４の露出端に接
合する前記−ポール２２を形成する。厚さ約２ないし約
４ミクロンの酸化アルミの受動層１２６が面にスパッタ
される。ホトレジストが模様化され、層Ｉ２６が蝕刻さ
れ、第１２図、第１３図に示す如く酸化アルミ被覆−ポ
ール２２を残す。付属具１１８は次いで溶液に浸漬され
、エポキシを溶解しバー１、１６を自由にする。次いで
バーが蝕刻浴に浸漬されて縞６６の銅とニッケルー鉄及
び撓曲体３４の下の銅層６４を溶かし、これにより本発
明の構造体の形成を完了する。最後に、ラン−イン（ｒ
ｕｎｉｎ）ラップ仕上げは−ポール２２の先端を露出す
るのに役立つ。
される。洗浄後に、高い飽和磁気を有する軟質磁気フィ
ルム１２２（第１２図、第１３図参照）が第１２図の矢
印１２４で示す如く磁化容易軸線がバー１１６の長さと
平行になるように強い磁界の存在のもとに前記−ポール
２２の所望厚さにスパッタされる。次いでフィルム１２
２がホトレジストマスクを通じて好ましくはイオンミリ
ング（ｉｏｎ ｍｉｌｌｉｎｇ）によりスパッタされ、
第１２図、第１３図に示す如くヨーク２４の露出端に接
合する前記−ポール２２を形成する。厚さ約２ないし約
４ミクロンの酸化アルミの受動層１２６が面にスパッタ
される。ホトレジストが模様化され、層Ｉ２６が蝕刻さ
れ、第１２図、第１３図に示す如く酸化アルミ被覆−ポ
ール２２を残す。付属具１１８は次いで溶液に浸漬され
、エポキシを溶解しバー１、１６を自由にする。次いで
バーが蝕刻浴に浸漬されて縞６６の銅とニッケルー鉄及
び撓曲体３４の下の銅層６４を溶かし、これにより本発
明の構造体の形成を完了する。最後に、ラン−イン（ｒ
ｕｎｉｎ）ラップ仕上げは−ポール２２の先端を露出す
るのに役立つ。
ここに提案された製造法から本発明の他の実施例に注目
を移し、第１４図を参照するに、共通支持ベース１２８
ｄを通じて接合された個々に独立的に可撓なヘッド／撓
曲体／導体構造体のマルチヘッド列１２８が断片的に示
されている。これらフィンガ状構造体の各々は、ベース
１２８ｄと接合する場合以外、第を図又は第５図に示す
構造体と同じ内部構造を有する。
を移し、第１４図を参照するに、共通支持ベース１２８
ｄを通じて接合された個々に独立的に可撓なヘッド／撓
曲体／導体構造体のマルチヘッド列１２８が断片的に示
されている。これらフィンガ状構造体の各々は、ベース
１２８ｄと接合する場合以外、第を図又は第５図に示す
構造体と同じ内部構造を有する。
共通支持ベースがかかる列に含まれること、及びホトパ
ターニングが接合構造体が複数であることに関する場合
を除き、個々に採用される製造技術は上記のものと実質
的に同じである。
ターニングが接合構造体が複数であることに関する場合
を除き、個々に採用される製造技術は上記のものと実質
的に同じである。
非常に特異な、集積された一体的ヘッド／撓曲体／導体
構造体並びにかかる構造体の列、及びその独特の製造法
がここに開示されたことは明らかであり、この方法はリ
ード／ライト構造体の使用に作う寸法と質看の問題を有
意に取り扱う。本発明の構造体は損傷的摩耗を生じる傾
向なしに相対的に動く媒体の面と直接連続的接触して使
用できる。
構造体並びにかかる構造体の列、及びその独特の製造法
がここに開示されたことは明らかであり、この方法はリ
ード／ライト構造体の使用に作う寸法と質看の問題を有
意に取り扱う。本発明の構造体は損傷的摩耗を生じる傾
向なしに相対的に動く媒体の面と直接連続的接触して使
用できる。
本発明を実施する好適実施例及び方法を開示し、２つの
ポール構造体を示し、列モデルを示したが、本発明の精
神から逸脱することなく他の変化例が可能である。本発
明の範囲内で他の材料及び付着及び模様化工程を採用で
きることは明らかであろつ。
ポール構造体を示し、列モデルを示したが、本発明の精
神から逸脱することなく他の変化例が可能である。本発
明の範囲内で他の材料及び付着及び模様化工程を採用で
きることは明らかであろつ。
第１図は本発明による構造のリード／ライト構造体の作
業側斜面（僅かに回転）図、第２図は第１図の構造体の
拡大縦断面図でありプローブ型へウド（変換器）、電気
コイルとこれに接続する導電トレース及び埋設撓曲体を
示す図、第３図は第２図の底面から見た平面図、第４図
は第１図、第２図、第３図の構造体のヘッドと関連した
相対的に動く剛性記録媒体（ディスク）の磁気層との間
に住起する磁気相互作用を示す簡単化した図、第５図は
リング型リード／ライトヘッド（変換器）を含む他の構
造を示す第２図と同様の断片図、第６１３図は第１図、
第２図、第３図の製造ステップを示す図、第１４図（プ
レート２）は第１図に示すものと同様の構造体のマルチ
ユニット列の断片斜面（作業側）図である。 ２０、、、Ｎ４造体、 ２２．、、−ポール、 ２４１
０．ヨーク、 ２６．、、 スタッド、 ２８゜１
．復帰ヨーク、 ３０．４０．、、空隙、 ３２５０．
媒体、 ３８．４０．、、導体、 ４２゜１．パッド。
業側斜面（僅かに回転）図、第２図は第１図の構造体の
拡大縦断面図でありプローブ型へウド（変換器）、電気
コイルとこれに接続する導電トレース及び埋設撓曲体を
示す図、第３図は第２図の底面から見た平面図、第４図
は第１図、第２図、第３図の構造体のヘッドと関連した
相対的に動く剛性記録媒体（ディスク）の磁気層との間
に住起する磁気相互作用を示す簡単化した図、第５図は
リング型リード／ライトヘッド（変換器）を含む他の構
造を示す第２図と同様の断片図、第６１３図は第１図、
第２図、第３図の製造ステップを示す図、第１４図（プ
レート２）は第１図に示すものと同様の構造体のマルチ
ユニット列の断片斜面（作業側）図である。 ２０、、、Ｎ４造体、 ２２．、、−ポール、 ２４１
０．ヨーク、 ２６．、、 スタッド、 ２８゜１
．復帰ヨーク、 ３０．４０．、、空隙、 ３２５０．
媒体、 ３８．４０．、、導体、 ４２゜１．パッド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ディスク又はドラムの如き相対的に動く媒体に関し
て情報の読み書きを行うための集積一体的リード／ライ
トヘッド／撓曲体／導体構造体であって、この構造体は
下記のものを含む： 細長い誘電体可撓性体、及び 前記体に埋設された磁気リード／ライトポール構造体、
及び前記ポール構造体に連動した電気コイル及び導体手
段。 ２、磁化容易軸線が媒体の平面に垂直な２層媒体に記録
を行うための補助又は磁束復帰ポールに関連してプロー
ブ型主ポールを採用した請求項１記載のリード／ライト
構造体。 ３、磁化容易軸線が媒体の平面内にある媒体に記録を行
うために従来利用される空隙付き２−ポール又は『リン
グ』型の形態であることを特徴とする請求項１記載のリ
ード／ライト構造体。 ４、前記可撓性体、ポール構造体及びコイル及び導体手
段は付着工程、例えばスパッタリング及びホトリソグラ
フィックパターンニングにより形成されることを特徴と
する請求項１記載のリード／ライト構造体。 ５、前記可撓性体は酸化アルミから形成される請求項１
、２、３又は４記載のリード／ライト構造体。 ６、全長約０．２ないし約０．５インチの範囲、全幅約
４ないし約２０ミルの範囲、厚み約１５ないし約６５ミ
クロンの範囲、質量約１００マイクログラムである請求
項１、２、３又は４記載のリード／ライト構造体。 ７、全長約０．２ないし約０．５インチの範囲、全幅約
４ないし約２０ミルの範囲、厚み約１５ないし約６５ミ
クロンの範囲、質量約１００マイクログラムである請求
項５記載のリード／ライト構造体。 ８、ディスク又はドラムの如き相対的に動く媒体との滑
り接触で情報の読み書きを行うための集積一体的リード
／ライトヘッド／撓曲体／導体構造体であって、この構
造体は下記のものを含む：細長い誘電体可撓性体、及び 前記体に埋設された磁気リード／ライトポール構造体、
及び前記ポール構造体に連動した電気コイル及び導体手
段。 ９、剛性記録媒体と共に使用するような構造である請求
項８記載のリード／ライト構造体。 １０、前記可撓性体、ポール構造体及びコイル及び導体
手段は付着工程、例えばスパッタリング及びホトリソグ
ラフィックパターンニングにより形成されることを特徴
とする請求項８又は９記載のリード／ライト構造体。 １１、前記可撓性体は酸化アルミから形成される請求項
８又は９記載のリード／ライト構造体。 １２、前記可撓性体は酸化アルミから形成される請求項
１０記載のリード／ライト構造体。 １３、全長約０．２ないし約０．５インチの範囲、全幅
約４ないし約２０ミルの範囲、厚み約１５ないし約６５
ミクロンの範囲、質量約１００マイクログラムである請
求項８又は９記載のリード／ライト構造体。 １４、約５ないし約５０マイクログラムの負荷で操作す
るように設計された請求項８又は９記載のリード／ライ
ト構造体。 １５、全長約０．２ないし約０．５インチの範囲、全幅
約４ないし約２０ミルの範囲、厚み約１５ないし約６５
ミクロンの範囲、質量約１００マイクログラムである請
求項１０記載のリード／ライト構造体。 １６、全長約０．２ないし約０．５インチの範囲、全幅
約４ないし約２０ミルの範囲、厚み約１５ないし約６５
ミクロンの範囲、質量約１００マイクログラムである請
求項１１記載のリード／ライト構造体。 １７、全長約０．２ないし約０．５インチの範囲、全幅
約４ないし約２０ミルの範囲、厚み約１５ないし約６５
ミクロンの範囲、質量約１００マイクログラムである請
求項１２記載のリード／ライト構造体。 １８、ディスク又はドラムの如き相対的に動く媒体に関
して情報の読み書きを行うための集積一体的リード／ラ
イトヘッド／撓曲体／導体構造体であって、この構造体
は下記のものを含む：相互に関して独立的に可撓性であ
り共通支持ベースへ結合された複数個の細長い誘電体可
撓性体、及び 前記体に埋設された磁気リード／ライトポール構造体、
及び前記ポール構造体に連動された電気コイル及び導体
手段。 １９、各ポール構造体は磁化容易軸線が媒体の平面に垂
直な２層媒体に記録を行うための補助又は磁束復帰ポー
ルに関連してプローブ型主ポールの形態をとる請求項１
８記載のリード／ライト構造体。 ２０、磁化容易軸線が媒体の平面内にある媒体に記録を
行うために従来利用される空隙付き２−ポール又は『リ
ング』型の形態であることを特徴とする請求項１８記載
のリード／ライト構造体。 ２１、各可撓性体、ポール構造体及びコイル及び導体手
段は付着工程、例えばスパッタリング及びホトリソグラ
フィックパターンニングにより形成されることを特徴と
する請求項１８記載のリード／ライト構造体。 ２２、前記可撓性体は酸化アルミから形成される請求項
１８、１９、２０又は２１記載のリード／ライト構造体
。 ２３、かかる媒体と滑り接触で使用するように設計され
た請求項１８、１９、２０又は２１記載のリード／ライ
ト構造体。 ２４、ディスク又はドラムの如き相対的に動く記録媒体
に関して情報の読み書きを行うための集積一体的リード
／ライトヘッド／撓曲体／導体構造体の製造法であって
、この方法は下記のものを含む： 前記体内に、付着工程により、細長い誘電体可撓性体を
形成し、この形成中に かかる体内に、やはり付着工程により、磁気リード／ラ
イトポール構造体、及びかかるポール構造体に連動した
電気コイル及び導体手段を形成する。 ２５、前記可撓性体はスパッタされた酸化アルミから形
成された請求項２４記載の方法。 ２６、全長約０．２ないし約０．５インチの範囲、全幅
約４ないし約２０ミルの範囲、厚み約１５ないし約６５
ミクロンの範囲、質量約１００マイクログラムである最
終のユニットが得られる請求項２４又は２５記載の方法
。 ２７、リード／ライトポール構造体はプローブ型構造体
の形態をとる請求項２４又は２５記載の方法。 ２８、リード／ライトポール構造体はリング型構造体の
形態をとる請求項２４又は２５記載の方法。
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