JPH0317809A - 薄膜磁気読取及び／又は書込ヘッドの製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分腎１ 本発明は薄膜磁気ヘッドに関し、より詳細には簿股磁気
ヘッドの改善されたポールチップ設計に国する。

［従来の技術１ 薄膜磁気読取／書込ヘッドは磁気ディスクや磁気テープ
等の磁気記憶媒体に凪気的に情報を書き込んだり読み取
るのに使用される。磁気記憶媒体上にハイレベルの情報
記憶密度を与えることは非常に望ましい。

記録ｈ式の一つの設計基準は性能／コスト比を低ドさせ
ることなく所与の記録向に対してできるだ【ノ高い領域
密度を与えることである。（フ口ツビーディスクの場合
もハードディスクの場合にも）圓転ディスクドライブの
場合には、領域密度はトラックに沿った単位良当りの磁
束反転数（１インチ当り魁束反転単位で表わしたＩｌ１
密度）に半径方向に沿って単位長当りに利用可能なトラ
ック数〈１インチ当りトラックの単位で表わしたトラッ
ク密度）を乗じて得られる。領域密度は絶えず増大し、
およそ３年毎に２倍になっている。現在の技柘状態にお
ける密度はおよそ１億ビット／平方インチ（１５５０万
ビット／α２）であり、市販の光磁気ディスクは４．８
（ａピット／平方インチ（７４４０万ビット／α２〉の
領域密度を有している。

過去、線密度を最大化するための多大な努力がなされて
きた。高い線密度は記録ヘッドのギャップ長を低減して
達成することができる。さらに、高いビット密度を実現
ずるような短い磁区遷移を支持寸る媒休特性の改善に最
人の注意が払われてきた。これは、主として記録物理学
及びマイク１」磁気学を良く理解することによりうまく
達成ざれてきた。例えば、絶縁粒子の形態学につながる
沈積工程により作られる磁気媒体は分解能が良好で信号
／ノイズ比が高い。テイ，チェン及びテイ．山下のＩＥ
ＥＥ　ＴｒａｎｓＨａＯ．　ＭＡＧ−２４　（１９８８
）第２７００頁参照。

領域密度をさらに高めるには、トラック密度を高める方
法に相当の河能性が秘められている。現在産業で広く使
用されているボジ型小トレジストを使用してこれを｛ｊ
うことができれば、特に有川である。

本発明はＸ４膜ヘッド製造のための良好にｔＡ　ＩＩＩ
されたリソグラフィ工程によりトラックＷ！度を改善す
るしのである。レジスト形状をｔｌｌｔｌｌすることに
より良好なポールチップ設計が得られる。各ポール１ツ
プの゛Ｐ１ｉな２辺の中の短い方がギャップに近い台形
状のポールチップが提供される。２つのポールチップが
キャップ領域に対して実質的にミラーイメージ対称性を
有するｈ定形状を示す。

本発明に従ったポールチップｔよボジ型ホトレジスト病
を沈積させポールチップを形成する部分を放Ｉｌ｝Ｉ′
Ｂ光しポールヂッ１を［ｉさせる部分をマスクオフする
ホトリソグラフィ工程を使用して駒遣することができる
。次に、ホトレジストを焼成しその後照銅露光を行う。

次にレジストを現像し、第１の露光中にマスクオノされ
る部分を除去する。

残りのホトレジストの壁は“ネガティブ″勾配を右する
。次に、ポールチップをレリーフ領域内に沈積さぜ、“
ポジティブ勾配の壁を有するようにすることができる。

次に、標準ホトリソグラフィ技術を使川して、ギャップ
及び上部ポールチップを沈積させることができる。こう
して得られるポール構造により、ギャップ領域に対して
台形対称性のポールチップが提供される。

［実施＠１ 磁気記憶媒体への′ｔＳ密度記麺の探索により、木質的
に小型集ｌｉｆｔ薄膜ヘッドが開発ざれるようになった
。実質的に２次元の薄膜ヘッドにより高い透轍率と高い
飽和誘導を有するｔａ膜を使川ぐきるようになり、高分
解能及び低インダクタンスの点で良好な性能が御られる
ようになった。さらに、ヘッドをアレイ状に製造できる
ことも薄膜ヘッドの利点である。

遇気ヘッドはディスク面上を゛飛ぶ゛′空気ベアリング
スライダーの一体部である。スライダは代表的に酸化ア
ルミナ及び炭化チタン混合物等の焼成セラミックで作ら
れている。Ｎ　ｉ　−　ｌ　ｎフＩライト等の磁気基板
がシールド材として使用されることもある。従って、薄
膜技術を使川した磁気ヘッドのバッチｖＪ造は半導体の
製造とは著しく異なる。

垂ぬ構或薄！！磁気記録ヘッドのバッチ￥；Ｊ造は０マ
ンキウ等により要約されており、エル．テイ．ＯＶンキ
ウ、及びビー．サイヒンの！［［Ｅ　ｌ’ｒａｎｓＨａ
（］．　ＨＡＧ−１　１　（１９７５）第５０頁を参照
されたい。この種のヘッド設計はより安定ではあるが、
製造のための微細ラッピング及び研削等の付加加工技術
を必聾とする。従って、垂直構成ａダ膜ヘッドは独特な
パドル状ポール及びマルブターン／レイヤーコイルパタ
ーンを特徴と４るより精巧な設計へと展開した。

薄膜ヘッドの製造に使用するりソグラフィ工程には第１
にデバイスパターン、すなわちレリーノ３次元形状とし
て現像されるホトレジスト肋内の潜像を画定することが
含まれている。次に、このレリーフには電気めっき等の
ａ準沈積技術を使用して薄膜ヘッド部を充＊ｉることが
できる。マルチターン誘導ａ膜ヘッド１０を第１図及び
第２図に略示し、第１図は平内図であり第２図は側断向
図である。リソグラフイを使用して頂底磁汲コア１２．
１４と銅」イル１６．１８の形態を画定する。リソグラ
フィにより絶縁１１２０もパターン化される。薄膜ヘッ
ドのｖｌ造において、基板２１上にヘッドを沈積させる
のにいくつかの別々のパターン耘移工狸が使用され、そ
れに番よりフトオフ、ウェット化学エッチング及びめつ
き／スパッタリングが含まれる。代表的なヘッド形或■
稈には１２よりも多いマスキングレベル及び沈積、めっ
き及びエッチングを含む３０以上の処理ステップが考え
られる。

デバイスの性能をｔ，ＩＩ　御’ｔるいくつかの４−パ
ラメータがある。スロート高さ及びギャップ良はヘッド
の線密度及び書込効率にｖｅＷを及ぼタフリンジ磁Ｗ分
布に影響を及ぼす。デバイスの最適寸法決めにはマイク
ロ磁気現象及び広範なデバイスモデリングの深い理解が
必装である。オフトラック特性は達成可能なトラック密
度に影響を及ぼ寸ため、頂底ポールの線幅変動及びその
アライメント精度も重聾である。

磁気ポールの製造に使川できる、加粋的もしくは減算的
な、２つの方法がある。例として、電気めっきにウェッ
ト工程を使用づる加算的方法は支配的方法であり、含ま
れる処理ステップを第６図に波約する。

加粋的方法はより多くの処理ステップを付加し化学エッ
チング中のアンダーカット及びイオンミリング等の多く
の処即バリエーションを引き出すことができる。しかし
ながら、沈積されたパー７０イ膜の組或及び歪の良好な
制御と組合わされる発達しためつき技術が加算的方法の
利点である。

さらにそれはスパッタリング技術に較べて低温工程であ
る。

達成ＴＩＪ能な＠高トラック密度は、いかにうまくポー
ルチップ素子を７ライン一〇きるかまた所望の魁気特性
を有するポールをどれだけ小さく作ることができるかに
よって強い彰胃を受ける。より高いトラック密度に対す
る飽くことのないニーズにより小型薄膜磁気ヘッドの開
発が促進された。これは主としてポールチップ幅の低減
により達成され、それはめつきダム幅の縮小に反映され
る．，ｒｄ１気ポールは代表的に罎適化基琴、すなわち
オーバライト効率を高めるためには厚いポール分解能能
力を高めるには清いポール、に従って２〜４μ机の範囲
のポール長を有している。この制約により、３〜６μ肌
の範囲のターゲット庫を４４する厚いレジストを使用づ
る必斂が生じる。ＭＩＱヘッドに対する０いレジストの
必要性の詳Ｉｌｌ（よ他で検，１１されている。ジエー
．エス．ガウの光／レーり７マイクロリソクラ７イ■，
　Ｐｒｏｃ．　ＳＰＩＮ：　　１　０８８（１９８９）
第１０８８〜５３貞参照。塁本的に、１１ｌ！想的なレ
ジストｉよあらゆる処理条件の元で良好なエッジ尖［１
を与え、不変的な厚さをうえ、化学エッチング及びミリ
ングにヌ４りる抵六力と共に＾温焼成及び硬化中にレジ
スト形状を維持する。

ポール幅の短縮ｑレジストの分解能により制限され、ポ
ールチップ形態はレジスト形状により決定される。加鋒
的方法では、レジストの形状υＩｔｌｌはその臨界寸法
のｉｌｌ仰をＮ持するのと同じ位重要である。有眼寸法
のＩＷ膜ヘッドのサイドノリンジ読取及び書込によりオ
フトラック記録特性は強い影響を受けるため、側面形状
は非常に重要である。

出込み中に側面から生じる魁Ｗは、このサイドフリンジ
磁Ｗ及び対応する凪界勾配分布に従って、側部消去帯域
の形成に重要な投割を果す。

第３図にいくつかの共通レジスト形状を示す。

第３図八の正規形状のレジスト２２は代表的な単廟ボジ
型レジストであり、吸収及びレジスト現像工程の性質に
よる傾斜側壁を石している。第３図０の砂時計型レジス
ト２４は形状をボジ型及びネガ型にしようとする力が１
ｌＬ衡する時に得られる。

第３図Ｃのネガ型形状のレジスト２６はネガ型レジスト
を使川して得られる。本発明はまた、ボジ型レジストを
使用して第３図Ｃのレジスト形状２６を形成する新しい
方法を教示するものである。

通常、垂直レジスト形状はパターン転移及び寸法ｆ，Ｉ
ｌａｌｌのために最ら望ましい。しかしながら、ネガ型
ホトレジストにまり生威されるネガ型形状を金属リフト
オノのために故意に生成することがある。正規の工程で
は、ネガ型ホトレジストにより生成されるネガ型形状に
よりエッチング及び臨界寸法測定中に問題を生じること
がある。また、あまりにネノＪ型の形状であれば、高７
スベクト比特性はくつがえされる。ネガ型レジストは分
解能が恢く、特に厳しい環境の彰費を受けやすい。

第３図Ａ〜第３図Ｃのめっきダム２０〜２６の対応する
レジスト形状に基いて、可能なポールチップ形状を第４
図Ａ〜第４図Ｃに示す。第４図Ａのポールブップ２８．
３０は第３１ｍＡのレジスト形状２２を使用して形成ざ
れる。第４図Ｂのポールヂップ３２．３４は第３図Ｂの
レジスト形状２４を使川して形成される。第４図Ｃのポ
ールチップ３６．３８は第３図Ｃのレジスト形状２６を
使用して形成される。

ノボラック樹脂及びジアゾナフトキノン感光添加剤に基
いたボジ型レジスト（第３図Ａのレジスト形状２２）が
薄膜ヘッド産業の主な支えとなっている。しかしながら
、レジストの勾配のある測壁は結果として得られるポー
ルチップの幅に著しい影費を及ぼすことがある。８３゜
の勾配を有する小トレジストからなる６μｍ　＊ｉのめ
っきダムにより偵底部間に３μ机のポール厚の差を有し
底ｎｔでは僅かおよそ０．４μｍであるポールチップが
ｔＪ造される。高トラック密度の要求に答えてポール幅
が次第に小さくなると、勾配のあるポールチップはヘッ
ドの性能に著しいインパクトを与え始める。サイドフリ
ンジ班界及び有効ポール幅も壁の餉斜度に著しく依存す
る。

幅の差Ｗｔよ次式を介して、所望ポール厚ｈ及び形状の
傾斜角αに関連する。

Ｗ＝ｈｘｔａｎα〜ｈ＊α 前式のグラフをｈ＝１μｍ（直線４０），ｈ＝２μｒｒ
Ｌ（直線４２）及びｈ＝３μｍ　（直線４４〉に対して
第５図に示す。

一般的に、薄膜磁気読取／８込ヘッドのｔＪ造にＪ３い
て最も重要なアライメントステップは頂底ポールの見当
合せにある。磁気光学技術によりサイドフリンジｍＷの
分布とその勾配はポールの７ライメント及びその臨Ｗ寸
法のｔ，ＩＩ　ｔｉｌｌにより影腎されることが実験的
に判明している。（エム．イーリー．アーノレ．７−ノ
レ．カティ．ダブリュ．レーブ及びエム．エッチ．クラ
イダ，　ＩＥＬＥ　Ｔｒａｎｓ　Ｗａｇ．ＭＡＧ−２３
　（１９’８７）第３１６１貞参照）。

さらに、オノトラック干渉を避けるためのガード帝域と
して働くサイドトラックをＡ−バライト寸る時ｔま消去
帯１ａが存在することが測定により判っている。大きな
ステップ高さ及び薄膜ヘッドに使川する厚いレジストは
所与のりソグラノイツールのアライメント能力をある程
度υ１杓している。Ｍ＋底部１れ１のオーバレイ条件は
有効トラック幅の５〜１０％以内と考えられる。有効幅
の５％公差よりも良好なポール間アライメンｌ一精度が
必蟹である。

アライメント精度は本発明のポールチップ設計により著
しく改善される。

用６図Ａ〜第６図Ｅ及び第７図Ａ〜第７図Ｇは低部ポー
ルチップを生成するのに使川する標準リソグラフィエ程
と本発明のポールチップの生成に使用する−・つの可能
な工程（第７図Ａ〜第７図Ｇ〉とを並べて比較寸るもの
である。しかしながら、スパッタリング、ドライエッチ
ング等の他の工程を使１｝Ｊすることもできる。第６図
八及び第７図Ａはスピンコーティングされホトレジスト
）１１１４８．５８を軟焼成した（９０℃でおよそ４５
分問）基板４６．５６を示す。第６図Ｂ及び第７図Ｂに
おいて、ホトレジスト１１１４８．５８は活性線放輌で
露光される。第６図８において、マスク５０はポールチ
ップが沈積されない領域を被覆している。

一方第７図Ｂでは、マスク６０はポールグツブを沈積さ
せる領域を被覆している。第７図Ｃ及び第７図Ｄは本発
明で使川づる２つの付加ステップを示す。第７図ＣＩ．
：Ｉ３いて、露光されたホトレジスト５８には後焼成が
なされる。１１０℃で２〜５分間の後焼成で充分である
。刀７図Ｄにおいて、後焼成の後、ホトレジスト層５８
には活性線放剣露光が行われる。

第６図Ｃ及び第７図Ｅ　ｋ：　Ａ３いて、ホトレジスト
１４８．５８が現像されポールチップを沈積させるレリ
ーフ領域が残される。第７図Ｅにおいて、結果として生
じるレジスト５８厚さおよそ４．２μ仇とすることがで
きる。次に、第６図Ｄ及び第７図１：において、下部ポ
ールチップパーマロイ鴎１１５２．６２がそれぞれ基板
４６．５６上へ電気めっきされる。次に、ホトジスト層
４８．５８が剥離され第６図Ｅ及び第７図Ｇに示すよう
なポールチップ５２．６２が残される。

第７図Ａ〜第７図Ｇに示すｉＮを使用して、得られるバ
ーマＵイ脂６２は第７図Ｇに示すようなボジ型すなわち
反転勾配を有している。第８図において、第７図Ａ〜第
７図Ｇに示すように形成されたポールチップ６２は上部
ポールチップ６４及びギャップ６６を含んでいる。上部
ポール６４は第６図Ａ−１６図Ｅに示す正規の工程を使
用して、上部ポールチップ６４の緑勾配が下部ポールチ
ップ６２の反対となるように沈積させることができる。

ポールチップ６４を沈積させる前に、アルミナ（Ａｉ２
０３）等の非磁性材により−Ｙヤツブ６６を充Ｉａｔる
ことができる。ポールブツブ６２．６４の対称性により
読戻し及びよ込Ｊメ中の薄ｌ！磁気ヘッド１０の動作が
改善される。

第６図Ａ〜第６図Ｅに示すスデツプにおいて、露光が行
われると、窒素の脱離、ケテンへのウオルフ転位及びレ
ジスト内の微晶の水との反応を経てジアゾキノン増感剤
（ＰＡＣ）が酋換インデンカルボン酸へ転化する。最後
に得られるのは塩基性現像剤溶液に非常に解け易いカル
ボン酸であり、現像するとボジ型像が得られる。第６図
Ａ〜第６図Ｅのボジ型潜像を第７図八〜第７図Ｇのネガ
ティブトーンに変えるために、インデンカルボン醗は脱
炭酸ステッグにより非水溶性誘導体、すなわちインデン
へ転化ざれる。インデンはアルカリ杜水溶液に溶解しな
いだけでなく、これ以上の光化学もしくは熱処理に対し
ても不活怜である。この反応速度は後貞光焼成ステップ
中に温度により制御される。生成されるインデンは非水
溶性のものであり、最初に露光された領域を非露光領域
と同じ位非溶融竹とする。脱炭酸ステップの後に照躬剥
光及び従来のボジ型レジスト現像剤を使用した塩塁水性
現像がｔ１われると、ネガティブトーン像が生じる。こ
れはインデン生成物が形成された二重露光領域が非溶融
性とされたためである。現像は最初に露光されていない
領域で生じ、それは照躬寵先によりこのような！ｉｌ４
のレジストが＠基溶解性の通常の光化学生成物へ転化す
るためである。

脱炭酸のメカニズムは研究されていて、醒触媒、負勾配
を好む熱誘起１Ｍ橋、脂肪族及び芳香族アミンを加えた
ジ７ゾナフトキノン及びノボラツク樹脂からなる＠反転
レジストの側壁形状に填いた異なる像反転システムを、
レジストのジアゾ含行檄及び後露光焼或温度を変えるこ
とによりネガ型から垂直的にボジ聖へとｉｌｌｔＩＩｌ
′Ｃきることが判っている。

こうして得られる台形ポールブップの寸法は広範な範囲
にわたる。それぞれ２０μ仇より５大きく１μｍよりも
小さい幅及び高さを有するポールチップに対して、側壁
の角度はヘッドの性能にほとんど彰胃を及ぼさない。

本発明により、改善された読取り及び瀉込Ｊメ特性を有
する薄膜磁気ヘッドが提供される。ギ一Ｉツブ領域に封
ずるポールチップのくラーイメージ対称性により１％密
度磁気記憶装置に適した狭小なフリンジ硼界が得られる
。第７　ｔＸＩ　Ａ〜第７図Ｇに示す後焼成及び照銅露
光工捏はＩｔ？膜ヘッドの製造に使用ざれる現在の方法
で容易に実施することがで４． きる。

本発明を実施例について説明してきたが、同業者ならば
発明の精神及び範囲から逸脱することなく形状や詳細を
変史できることがお判りと思う。

例えば、ギャップ領域に近い面がギャップ領域に遠い面
よりも狭いようなさまざまな台形を使用することができ
る。さらに、ポールチップ高さ及び台形の辺間の角匪を
変えることもできる。本発明は上記ポールが下部ポール
よりら小さいａ膜ヘッドに応出できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は簿Ｉ！磁気読取／真込ヘッドの平面図、第２図
は第１図のｉｔ？膜ヘッドの側１ｎ１図、第３図は３つ
のホトレジスト形状をホす図、第４１ＸＵ＆，ｔ　Ｍ膜
ヘッド内のポールチップの製造に第３図のホトレジスト
形状を使用づる場合に得られるポールチップ構造を示す
図、第５図はポールチップの勾配と３つの異なるポール
チップ高さに対するポールチップの１貢縁及び底縁間の
ポールチップ幅の差との関係を示すグラフの図面、第６
図及び第７図は従来技術のポールチップ形或法（第６図
）と本発明の方法（第７図）を横に並べて比較したちの
をポリ図であり、第８図はギャップ領域に対してミラー
イメージ対称性を右する本発明の完成されたポールブッ
プの断面図である。 参照符￥１の説明 １０・・・簿ＩＱヘッド １２．１４・・・６ｔｌ膜コア １６．１８・・・銅コイル ２０・・・絶縁層 ２１．４６．５６・・・基伽 ２２．２４．２６・・・レジスト ２８〜３８．５２．６２．６４・・・ポールブツブ４８
．５８・・・ホトレジスト層 ５０．６０・・・マスク

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）薄膜磁気読取／書込ヘッドの製造法において、該
   方法は、 非磁性基板上にホトレジスト層を形成し、 ホトレジスト層をマスクを介して放射光し、ホトレジス
   ト層を焼成し、 ホトレジスト層を放射露光し、 ホトレジスト層を現像する、 ステップからなる薄膜磁気読取／書込ヘッドの製造法。 （２）請求項（１）記載の方法において、さらにホト・
   レジスト層現像ステップの後にパーマロイ磁膜層を沈積
   させるステップを有する、薄膜磁気読取／書込ヘッドの
   製造法。 （３）請求項（２）記載の方法において、さらにパーマ
   ロイ磁膜層を沈積させるステップの後にホトレジス層を
   剥離させるステップを有する、薄膜磁気読取／書込みヘ
   ッドの製造法。 （４）請求項（２）記載の方法において、沈積ステップ
   は電気めっきステップである、薄膜磁気読取／書込みヘ
   ッドの製造法。 （５）請求項（３）記載の方法において、沈積ステップ
   は一般的に基板に最も近い台形縁が基板から最も遠い台
   形縁よりも広幅である台形状にパーマロイ磁膜を沈積さ
   せるステップからなる、薄膜磁気読取／書込ヘッドの製
   造法。 （６）請求項（５）記載の方法において、 台形の頂面にギャップ材を沈積させ、 ギャップ材上に第２の磁性層を沈積させる、ステップを
   含む、薄膜磁気読取／書込ヘッドの製造法。 （７）請求項（６）記載の方法において、第２の磁性層
   は第１の磁性層と対称的なミラーイメージとして沈積さ
   れる、薄膜磁気読取／書込ヘッドの製造法。 （８）下部ポールチップを含む下部ポールと、上部ポー
   ルチップを置む上部ポールと、上下部ポールチップ間に
   扶まれギャップ材が充填されているギャップ領域を有す
   るタイプの薄膜磁気トランスジューサにおいて、上部ポ
   ールチップはギャップ領域に対して下部ポールチップと
   対称的なミラーイメージを有する、薄膜磁気トランスジ
   ューサ。 （９）請求項（８）記載の薄膜磁気トランスジューサに
   おいて、下部ポールチップ及び上部ポールチップは一般
   的な台形である、薄膜磁気トランスジューサ。 （１０）請求項（９）記載の薄膜磁気トランスジューサ
   において、下部及び上部ポールチップは近位面及び遠位
   面を有し、近位面はギャップ領域に近い面からなり遠位
   面はギャップ領域に遠い面からなり、近位面の長さは実
   質的に遠位面の長さよりも短い、薄膜磁気トランスジュ
   ーサ。 （１１）請求項（１０）記載の薄膜磁気トランスジュー
   サにおいて、下部及び上部ポールチップの台形形状は実
   質的に等長の側面を有する、薄膜磁気トランスジューサ
   。 （１２）薄膜磁気トランスジューサにおいて、該トラン
   スジューサは、 基板と、 基板上に沈積され一般的に台形状の下部ポールチップで
   あつて、基板と面隣近接触し第１の面長を有する第１の
   面と、基板に遠く実質的に第１の面と平行で第２の面長
   を有する第２の面を有し、第１の面長は第２の面長より
   も大きい前記下部ポールチップと、 下部ポールチップの第２の面上に沈積されたギャップ層
   と、 ギャップ層上に沈積され一般的に台形状の上部ポールチ
   ップであって、ギャップ層と面隣接接触し第１の面長を
   有する第１の面と、ギャップ層に遠く実質的に第１の面
   と平行で第２の面長を有する第２の面を有し、第１の面
   長は第２の面長よりも短い、前記上部ポールチップ、 からなる薄膜磁気トランスジューサ。 （１３）請求項（１２）記載の薄膜磁気トランスジュー
   サにおいて、上部及び下部ポールチップはギャップ層に
   対してミラーイメージ対称性である、薄膜磁気トランス
   ジューサ。（１４）請求項（１２）記載の薄膜磁気トラ
   ンスジューサにおいて、上部ポールチップの第１及び第
   ２の面長は下部ポールチップの第１及び第２の面長より
   も短い、薄膜磁気トランスジューサ。 （１５）請求項（１２）記載の薄膜磁気トランスジュー
   サにおいて、上部及び下部ポールチップの第１及び第２
   面間の距離は０．１μｍと１０μｍの間である、薄膜磁
   気トランスジューサ。 （１６）請求項（１２）記載の薄膜磁気トランスジュー
   サにおいて、上部ポールチップの台形は、 さらに２辺を有し上部ポールチップの第１の面と前記辺
   との間の角度は９０°よりも小さく、下部ポールチップ
   は、 さらに２辺を有し上部ポールチップの第２の面と前記辺
   との間の角度は９０°よりも小さい、薄膜磁気トランス
   ジューサ。 （１７）請求項（１６）記載の薄膜磁気トランスジュー
   サにおいて、上部ポールのさらに２つの辺は実質的に同
   じ長さであり下部ポールチップのさらに２つの辺は実質
   的に同じ長さである、薄膜磁気トランスジューサ。 （１８）請求項（１７）記載の薄膜磁気トランスジュー
   サにおいて、 上部ポールチップのさらに２つの辺と第１の面は第１の
   角度を形成し、 下部ポールチップのさらに２つの辺と第２の面は第２の
   角度を形成し、 第１の角度は第２の角度とほぼ同じである、薄膜磁気ト
   ランスジューサ。 （１９）請求項（１２）記載の薄膜磁気トランスジュー
   サにおいて、上部及び下部ポールチップの第１及び第２
   の面長は２０μｍよりも短い、 薄膜磁気トランスジューサ。