JPH0760495B2 - 薄膜磁気読取及び／又は書込ヘッドの製造法 - Google Patents
薄膜磁気読取及び／又は書込ヘッドの製造法Info
- Publication number
- JPH0760495B2 JPH0760495B2 JP2135160A JP13516090A JPH0760495B2 JP H0760495 B2 JPH0760495 B2 JP H0760495B2 JP 2135160 A JP2135160 A JP 2135160A JP 13516090 A JP13516090 A JP 13516090A JP H0760495 B2 JPH0760495 B2 JP H0760495B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pole tip
- thin film
- length
- photoresist
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 101000606504 Drosophila melanogaster Tyrosine-protein kinase-like otk Proteins 0.000 description 3
- 238000006114 decarboxylation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 1h-indene-1-carboxylic acid Chemical class C1=CC=C2C(C(=O)O)C=CC2=C1 KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical group 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N ethenone Chemical compound C=C=O CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は薄膜磁気ヘッドの製造法に関し、より詳細には
薄膜磁気ヘッドの改善されたポールチップ設計に関す
る。
薄膜磁気ヘッドの改善されたポールチップ設計に関す
る。
［従来の技術］ 薄膜磁気読取及び／又は書込ヘッドは磁気ディスクや磁
気テープ等の磁気記憶媒体に磁気的に情報を書き込んだ
り読み取るのに使用される。磁気記憶媒体上にハイレベ
ルの情報記憶密度を与えることは非常に望ましい。
気テープ等の磁気記憶媒体に磁気的に情報を書き込んだ
り読み取るのに使用される。磁気記憶媒体上にハイレベ
ルの情報記憶密度を与えることは非常に望ましい。
記憶方式の一つの設計基準は性能／コスト比を低下させ
ることなく所与の記録面に対してできるだけ高い領域密
度を与えることである。（フロッピーディスクの場合も
ハードディスクの場合にも）回転ディスクドライブの場
合には、領域密度はトラックに沿った単位長当りの磁束
反転数（１インチ当り磁束反転単位で表わした線密度）
に半径方向に沿って単位長当りに利用可能なトラック数
（１インチ当りトラックの単位で表わしたトラック密
度）を乗じて得られる。領域密度は絶えず増大し、およ
そ３年毎に２倍になっている。現在の技術状態における
密度はおよそ１億ビット／平方インチ（1550万ビット/c
m2）であり、市販の光磁気ディスクは4.8億ビット／平
方インチ（7440万ビット/cm2）の領域密度を有してい
る。
ることなく所与の記録面に対してできるだけ高い領域密
度を与えることである。（フロッピーディスクの場合も
ハードディスクの場合にも）回転ディスクドライブの場
合には、領域密度はトラックに沿った単位長当りの磁束
反転数（１インチ当り磁束反転単位で表わした線密度）
に半径方向に沿って単位長当りに利用可能なトラック数
（１インチ当りトラックの単位で表わしたトラック密
度）を乗じて得られる。領域密度は絶えず増大し、およ
そ３年毎に２倍になっている。現在の技術状態における
密度はおよそ１億ビット／平方インチ（1550万ビット/c
m2）であり、市販の光磁気ディスクは4.8億ビット／平
方インチ（7440万ビット/cm2）の領域密度を有してい
る。
過去、線密度を最大化するための多大な努力がなされて
きた。高い線密度は記憶ヘッドのギャップ長を低減して
達成することができる。さらに、高いビット密度を実現
するような短い磁区遷移を支持する媒体特性の改善に最
大の注意が払われてきた。これは、主として記録物理学
及びマイクロ磁気学を良く理解することによりうまく達
成されてきた。例えば、絶縁粒子の形態学につながる沈
積工程により作られる磁気媒体は分解能が良好で信号／
ノイズ比が高い。ティ．チェン及びティ．山下のIEEE T
rans Mag.MAG−24（1988）第2700頁参照。
きた。高い線密度は記憶ヘッドのギャップ長を低減して
達成することができる。さらに、高いビット密度を実現
するような短い磁区遷移を支持する媒体特性の改善に最
大の注意が払われてきた。これは、主として記録物理学
及びマイクロ磁気学を良く理解することによりうまく達
成されてきた。例えば、絶縁粒子の形態学につながる沈
積工程により作られる磁気媒体は分解能が良好で信号／
ノイズ比が高い。ティ．チェン及びティ．山下のIEEE T
rans Mag.MAG−24（1988）第2700頁参照。
領域密度をさらに高めるには、トラック密度を高める方
法に相当の可能性が秘められている。現在産業で広く使
用されているポジ型ホトレジストを使用してこれを行う
ことができれば、特に有用である。
法に相当の可能性が秘められている。現在産業で広く使
用されているポジ型ホトレジストを使用してこれを行う
ことができれば、特に有用である。
本発明は薄膜ヘッド製造のための良好に制御されたリソ
グラフィ工程によりトラック密度を改善するものであ
る。レジスト形状を制御することにより良好なポールチ
ップ設計が得られる。各ポールチップの平行な２辺の中
の短い方がギャップに近い台形状のポールチップが提供
される。２つのポールチップがギャップ領域に対して実
質的にミラーイメージ対称性を有する特性形状を示す。
グラフィ工程によりトラック密度を改善するものであ
る。レジスト形状を制御することにより良好なポールチ
ップ設計が得られる。各ポールチップの平行な２辺の中
の短い方がギャップに近い台形状のポールチップが提供
される。２つのポールチップがギャップ領域に対して実
質的にミラーイメージ対称性を有する特性形状を示す。
本発明に従ったポールチップはポジ型ホトレジスト層を
沈積させポールチップを形成する部分を放射露光しポー
ルチップを沈積させる部分をマスクオフするホトリソグ
ラフィ工程を使用して製造することができる。次に、ホ
トレジストを焼成しその後照射露光を行う。次にレジス
トを現像し、第１の露光中にマスクオフされる部分を除
去する。残りのホトレジストの壁は“ネガティブ”勾配
を有する。次に、ポールチップをレリーフ領域内に沈積
させ、“ポジティブ”勾配の壁を有するようにすること
ができる。次に、標準ホトリソグラフィ技術を使用し
て、ギャップ及び上部ポールチップを沈積させることが
できる。こうして得られるポール構造により、ギャップ
領域に対して台形対称性のポールチップが提供される。
沈積させポールチップを形成する部分を放射露光しポー
ルチップを沈積させる部分をマスクオフするホトリソグ
ラフィ工程を使用して製造することができる。次に、ホ
トレジストを焼成しその後照射露光を行う。次にレジス
トを現像し、第１の露光中にマスクオフされる部分を除
去する。残りのホトレジストの壁は“ネガティブ”勾配
を有する。次に、ポールチップをレリーフ領域内に沈積
させ、“ポジティブ”勾配の壁を有するようにすること
ができる。次に、標準ホトリソグラフィ技術を使用し
て、ギャップ及び上部ポールチップを沈積させることが
できる。こうして得られるポール構造により、ギャップ
領域に対して台形対称性のポールチップが提供される。
［実施例］ 磁気記憶媒体への高密度記録の探索により、本質的に小
型集積薄膜ヘッドが開発されるようになった。実質的に
２次元の薄膜ヘッドにより高い透磁率と高い飽和誘導を
有する磁膜を使用できるようになり、高分解能及び低イ
ンダクタンクの点で良好な性能が得られるようになっ
た。さらに、ヘツドをアレイ状に製造できることも薄膜
ヘッドの利点である。
型集積薄膜ヘッドが開発されるようになった。実質的に
２次元の薄膜ヘッドにより高い透磁率と高い飽和誘導を
有する磁膜を使用できるようになり、高分解能及び低イ
ンダクタンクの点で良好な性能が得られるようになっ
た。さらに、ヘツドをアレイ状に製造できることも薄膜
ヘッドの利点である。
磁気ヘッドはディスク面上を“飛ぶ”空気ベアリングス
ライダーの一体部である。スライダは代表的に酸化アル
ミナ及び炭化チタン混合物等の焼成セラミックで作られ
ている。Ni−Znフェライト等の磁気基板がシールド材と
して使用されることもある。従って、薄膜技術を使用し
た磁気ヘッドのバッチ製造は半導体の製造とは著しく異
なる。
ライダーの一体部である。スライダは代表的に酸化アル
ミナ及び炭化チタン混合物等の焼成セラミックで作られ
ている。Ni−Znフェライト等の磁気基板がシールド材と
して使用されることもある。従って、薄膜技術を使用し
た磁気ヘッドのバッチ製造は半導体の製造とは著しく異
なる。
垂直構成薄膜磁気記録ヘッドのバッチ製造はロマンキウ
等により要約されており、エル．ティ．ロマンキウ、及
びピー．サイモンのIEEE Trans. Mag.MAG−11（1975）
第50頁を参照されたい。この種のヘッド設計はより安定
ではあるが、製造のための微細ラッピング及び研削等の
付加加工技術を必要とする。従って、垂直構成薄膜ヘッ
ドは独特なパドル状ポール及びマルチターン／レイヤー
コイルパターンを特徴とするより精巧な設計へと展開し
た。
等により要約されており、エル．ティ．ロマンキウ、及
びピー．サイモンのIEEE Trans. Mag.MAG−11（1975）
第50頁を参照されたい。この種のヘッド設計はより安定
ではあるが、製造のための微細ラッピング及び研削等の
付加加工技術を必要とする。従って、垂直構成薄膜ヘッ
ドは独特なパドル状ポール及びマルチターン／レイヤー
コイルパターンを特徴とするより精巧な設計へと展開し
た。
薄膜ヘッドの製造に使用するリソグラフィ工程には第１
にデバイスパターン、すなわちレリーフ３次元形状とし
て現像されるホトレジスト層内の潜像を画定することが
含まれている。次に、このレリーフには電気めっき等の
標準沈積技術を使用して薄膜ヘッド部を充填することが
できる。マルチターン誘導薄膜ヘッド10を第１図及び第
２図に略示し、第１図は平面図であり第２図は側断面図
である。リソグラフィを使用して頂底磁膜コア12,14と
銅コイル16,18の形態を画定する。リソグラフィにより
絶縁層20もパターン化される。薄膜ヘッドの製造におい
て、基板21上にヘッドを沈積させるのにいくつかの別々
のパターン転移工程が使用され、それにはリフトオフ、
ウェット化学エッチング及びめっき／スパッタリングが
含まれる。代表的なヘッド形成工程には12よりも多いマ
スキングレベル及び沈積、めっき及びエッチングを含む
30以上の処理ステップが考えられる。
にデバイスパターン、すなわちレリーフ３次元形状とし
て現像されるホトレジスト層内の潜像を画定することが
含まれている。次に、このレリーフには電気めっき等の
標準沈積技術を使用して薄膜ヘッド部を充填することが
できる。マルチターン誘導薄膜ヘッド10を第１図及び第
２図に略示し、第１図は平面図であり第２図は側断面図
である。リソグラフィを使用して頂底磁膜コア12,14と
銅コイル16,18の形態を画定する。リソグラフィにより
絶縁層20もパターン化される。薄膜ヘッドの製造におい
て、基板21上にヘッドを沈積させるのにいくつかの別々
のパターン転移工程が使用され、それにはリフトオフ、
ウェット化学エッチング及びめっき／スパッタリングが
含まれる。代表的なヘッド形成工程には12よりも多いマ
スキングレベル及び沈積、めっき及びエッチングを含む
30以上の処理ステップが考えられる。
デバイスの性能を制御するいくつかのキーパラメータが
ある。スロート高さ及びギャップ長はヘッドの線密度及
び書込効率に影響を及ぼすフリンジ磁界分布に影響を及
ぼす。デバイスの最適寸法決めにはマイクロ磁気現象及
び広範なデバイスモデリングの深い理解が必要である。
オフトラック特性は達成可能なトラック密度に影響を及
ぼすため、頂底ポールの線幅変動及びそのアライメント
精度も重要である。
ある。スロート高さ及びギャップ長はヘッドの線密度及
び書込効率に影響を及ぼすフリンジ磁界分布に影響を及
ぼす。デバイスの最適寸法決めにはマイクロ磁気現象及
び広範なデバイスモデリングの深い理解が必要である。
オフトラック特性は達成可能なトラック密度に影響を及
ぼすため、頂底ポールの線幅変動及びそのアライメント
精度も重要である。
磁気ポールの製造に使用できる、加算的もしくは減算的
な、２つの方法がある。例として、電気めっきにウェッ
ト工程を使用する加算的方法は支配的方法であり、含ま
れる処理ステップを第６図に要約する。
な、２つの方法がある。例として、電気めっきにウェッ
ト工程を使用する加算的方法は支配的方法であり、含ま
れる処理ステップを第６図に要約する。
加算的方法はより多くの処理ステップを付加し化学エッ
チング中のアンダーカット及びイオンミリング等の多く
の処理バリエーションを引き出すことができる。しかし
ながら、沈積されたパーマロイ膜の組成及び歪の良好な
制御と組合わされる発達しためっき技術が加算的方法の
利点である。さらにそれはスパッタリング技術に較べて
低温工程である。
チング中のアンダーカット及びイオンミリング等の多く
の処理バリエーションを引き出すことができる。しかし
ながら、沈積されたパーマロイ膜の組成及び歪の良好な
制御と組合わされる発達しためっき技術が加算的方法の
利点である。さらにそれはスパッタリング技術に較べて
低温工程である。
達成可能な最高トラック密度は、いかにうまくポールチ
ップ素子をアラインできるかまた所望の磁気特性を有す
るポールをどれだけ小さく作ることができるかによって
強い影響を受ける。より高いトラック密度に対する飽く
ことのないニーズにより小型薄膜磁気ヘッドの開発が促
進された。これは主としてポールチップ幅の低減により
達成され、それはめっきダム幅の縮小に反映される。磁
気ポールは代表的に最適化基準、すなわちオーバライト
効率を高めるためには厚いポール分解能能力を高めるに
は薄いポール、に従って２〜４μｍの範囲のポール長を
有している。この制約により、３〜６μｍの範囲のター
ゲット厚を有する厚いレジストを使用する必要が生じ
る。薄膜ヘッドに対する厚いレジストの必要性の詳細は
他で検討されている。ジェー．エス．ガウの光／レーザ
マイクロリソグラフィII,Proc.SPIE 1088（1989）第108
8〜53頁参照。基本的に、理想的なレジストはあらゆる
処理条件の元で良好なエッジ尖鋭度を与え、不変的な厚
さを与え、化学エッチング及びミリングに対する抵抗力
と共に高温焼成及び硬化中にレジスト形状を維持する。
ップ素子をアラインできるかまた所望の磁気特性を有す
るポールをどれだけ小さく作ることができるかによって
強い影響を受ける。より高いトラック密度に対する飽く
ことのないニーズにより小型薄膜磁気ヘッドの開発が促
進された。これは主としてポールチップ幅の低減により
達成され、それはめっきダム幅の縮小に反映される。磁
気ポールは代表的に最適化基準、すなわちオーバライト
効率を高めるためには厚いポール分解能能力を高めるに
は薄いポール、に従って２〜４μｍの範囲のポール長を
有している。この制約により、３〜６μｍの範囲のター
ゲット厚を有する厚いレジストを使用する必要が生じ
る。薄膜ヘッドに対する厚いレジストの必要性の詳細は
他で検討されている。ジェー．エス．ガウの光／レーザ
マイクロリソグラフィII,Proc.SPIE 1088（1989）第108
8〜53頁参照。基本的に、理想的なレジストはあらゆる
処理条件の元で良好なエッジ尖鋭度を与え、不変的な厚
さを与え、化学エッチング及びミリングに対する抵抗力
と共に高温焼成及び硬化中にレジスト形状を維持する。
ポール幅の短縮はレジストの分解能により制限され、ポ
ールチップ形態はレジスト形状により決定される。加算
的方法では、レジストの形状制御はその臨界寸法の制御
を維持するのと同じ位重要である。有限寸法の薄膜ヘッ
ドのサイドフリンジ読取及び書込によりオフトラック記
録特性は強い影響を受けるため、側面形状は非常に重要
である。書込み中に側面から生じる磁界は、このサイド
フリンジ磁界及び対応する磁界勾配分布に従って、側部
消去帯域の形成に重要な役割を果す。
ールチップ形態はレジスト形状により決定される。加算
的方法では、レジストの形状制御はその臨界寸法の制御
を維持するのと同じ位重要である。有限寸法の薄膜ヘッ
ドのサイドフリンジ読取及び書込によりオフトラック記
録特性は強い影響を受けるため、側面形状は非常に重要
である。書込み中に側面から生じる磁界は、このサイド
フリンジ磁界及び対応する磁界勾配分布に従って、側部
消去帯域の形成に重要な役割を果す。
第３図にいくつかの共通レジスト形状を示す。第３図Ａ
の正規形状のレジスト22は代表的な単層ポジ型レジスト
であり、吸収及びレジスト現像工程の性質による傾斜側
壁を有している。第３図Ｂの砂時計型レジスト24は形状
をポジ型及びネガ型にしようとする力が平衡する時に得
られる。第３図Ｃのネガ型形状のレジスト26はネガ型レ
ジストを使用して得られる。本発明はまた、ポジ型レジ
ストを使用して第３図Ｃのレジスト形状26を形成する新
しい方法を教示するものである。
の正規形状のレジスト22は代表的な単層ポジ型レジスト
であり、吸収及びレジスト現像工程の性質による傾斜側
壁を有している。第３図Ｂの砂時計型レジスト24は形状
をポジ型及びネガ型にしようとする力が平衡する時に得
られる。第３図Ｃのネガ型形状のレジスト26はネガ型レ
ジストを使用して得られる。本発明はまた、ポジ型レジ
ストを使用して第３図Ｃのレジスト形状26を形成する新
しい方法を教示するものである。
通常、垂直レジスト形状はパターン転移及び寸法制御の
ために最も望ましい。しかしながら、ネガ型ホトレジス
トにより生成されるネガ型形状を金属リフトオフのため
に故意に生成することがある。正規の工程では、ネガ型
ホトレジストにより生成されるネガ型形状によりエッチ
ング及び臨界寸法測定中に問題を生じることがある。ま
た、あまりにネガ型の形状であれば、高アスペクト比特
性はくつがえされる。ネガ型レジストは分解能が低く、
特に厳しい環境の影響を受けやすい。
ために最も望ましい。しかしながら、ネガ型ホトレジス
トにより生成されるネガ型形状を金属リフトオフのため
に故意に生成することがある。正規の工程では、ネガ型
ホトレジストにより生成されるネガ型形状によりエッチ
ング及び臨界寸法測定中に問題を生じることがある。ま
た、あまりにネガ型の形状であれば、高アスペクト比特
性はくつがえされる。ネガ型レジストは分解能が低く、
特に厳しい環境の影響を受けやすい。
第３図Ａ〜第３図Ｃのめっきダム22〜26の対応するレジ
スト形状に基いて、可能なポールチップ形状を第４図Ａ
〜第４図Ｃに示す。第４図Ａのポールチップ28,30は第
３図Ａのレジスト形状22を使用して形成される。第４図
Ｂのポールチップ32,34は第３図Ｂのレジスト形状24を
使用して形成される。第４図Ｃのポールチップ36,38は
第３図Ｃのレジスト形状26を使用して形成される。
スト形状に基いて、可能なポールチップ形状を第４図Ａ
〜第４図Ｃに示す。第４図Ａのポールチップ28,30は第
３図Ａのレジスト形状22を使用して形成される。第４図
Ｂのポールチップ32,34は第３図Ｂのレジスト形状24を
使用して形成される。第４図Ｃのポールチップ36,38は
第３図Ｃのレジスト形状26を使用して形成される。
ノボラック樹脂及びジアゾナフトキノン感光添加剤に基
いたポジ型レジスト（第３図Ａのレジスト形状22）が薄
膜ヘッド産業の主な支えとなっている。しかしながら、
レジストの勾配のある側壁は結果として得られるポール
チップの幅に著しい影響を及ぼすことがある。83゜の勾
配を有するホトレジストからなる６μｍ厚のめっきダム
により頂底部間に３μｍのポール厚の差を有し底部では
僅かおよそ0.4μｍであるポールチップが製造される。
高トラック密度の要求に答えてポール幅が次第に小さく
なると、勾配のあるポールチップはヘッドの性能に著し
いインパクトを与え始める。サイドフリンジ磁界及び有
効ポール幅も壁の傾斜度に著しく依存する。
いたポジ型レジスト（第３図Ａのレジスト形状22）が薄
膜ヘッド産業の主な支えとなっている。しかしながら、
レジストの勾配のある側壁は結果として得られるポール
チップの幅に著しい影響を及ぼすことがある。83゜の勾
配を有するホトレジストからなる６μｍ厚のめっきダム
により頂底部間に３μｍのポール厚の差を有し底部では
僅かおよそ0.4μｍであるポールチップが製造される。
高トラック密度の要求に答えてポール幅が次第に小さく
なると、勾配のあるポールチップはヘッドの性能に著し
いインパクトを与え始める。サイドフリンジ磁界及び有
効ポール幅も壁の傾斜度に著しく依存する。
幅の差Ｗは次式を介して、所望ポール厚ｈ及び形状の傾
斜角αに関連する。
斜角αに関連する。
Ｗ＝ｈ×tanαｈ＊α 前式のグラフをｈ＝１μｍ（直線40）、ｈ＝２μｍ（直
線42）及びｈ＝３μｍ（直線44）に対して第５図に示
す。
線42）及びｈ＝３μｍ（直線44）に対して第５図に示
す。
一般的に、薄膜磁気読取及び／又は書込ヘッドの製造に
おいて最も重要なアンライメントステップは頂底ポール
に見当合せにある。磁気光学技術によりサイドフリンジ
磁界の分布とその勾配はポールのアライメント及びその
臨界寸法の制御により影響されることが実験的に判明し
ている。（エム．イー．リー．アール．アール．カテ
ィ．ダブリュ．レーブ及びエム．エッチ．クライダ.IEE
E Trans Mag.MAG−23（1987）第3161頁参照）。さら
に、オフトラック干渉を避けるためのガード帯域として
働くサイドトラックをオーバライトする時は消去帯域が
存在することが測定により判っている。大きなステップ
高さ及び薄膜ヘッドに使用する厚いレジストは所与のリ
ソグラフィツールのアライメント能力をある程度制約し
ている。頂底部間のオーバレイ条件は有効トラック幅の
５〜10％以内と考えられる。有効幅の５％公差よりも良
好なポール間アライメント精度が必要である。アライメ
ント精度は本発明のポールチップ設計により著しく改善
される。
おいて最も重要なアンライメントステップは頂底ポール
に見当合せにある。磁気光学技術によりサイドフリンジ
磁界の分布とその勾配はポールのアライメント及びその
臨界寸法の制御により影響されることが実験的に判明し
ている。（エム．イー．リー．アール．アール．カテ
ィ．ダブリュ．レーブ及びエム．エッチ．クライダ.IEE
E Trans Mag.MAG−23（1987）第3161頁参照）。さら
に、オフトラック干渉を避けるためのガード帯域として
働くサイドトラックをオーバライトする時は消去帯域が
存在することが測定により判っている。大きなステップ
高さ及び薄膜ヘッドに使用する厚いレジストは所与のリ
ソグラフィツールのアライメント能力をある程度制約し
ている。頂底部間のオーバレイ条件は有効トラック幅の
５〜10％以内と考えられる。有効幅の５％公差よりも良
好なポール間アライメント精度が必要である。アライメ
ント精度は本発明のポールチップ設計により著しく改善
される。
第６図Ａ〜第６図Ｅ及び第７図Ａ〜第７図Ｇは低部ポー
ルチップを生成するのに使用する標準リソグラフィ工程
と本発明のポールチップの生成に使用する一つの可能な
工程（第７図Ａ〜第７図Ｇ）とを並べて比較するもので
ある。しかしながら、スパッタリング、ドライエッチン
グ等の他の工程を使用することもできる。第６図Ａ及び
第７図Ａはスピンコーティングされホトレジスト層48,5
8を軟焼成した（90℃でおよそ45分間）基板46,56を示
す。第６図Ｂ及び第７図Ｂにおいて、ホトレジスト層4
8,58は活性線放射で露光される。第６図Ｂにおいて、マ
スク50はポールチップが沈積されない領域を被覆してい
る。一方第７図Ｂでは、マスク60はポールチップを沈積
させる領域を被覆している。第７図Ｃ及び第７図Ｄは本
発明で使用する２つの付加ステップを示す。第７図Ｃに
おいて、露光されたホトレジスト58には後焼成がなされ
る。110℃で２〜５分間の後焼成で充分である。第７図
Ｄにおいて、後焼成の後、ホトレジスト層58には活性線
放射露光が行われる。
ルチップを生成するのに使用する標準リソグラフィ工程
と本発明のポールチップの生成に使用する一つの可能な
工程（第７図Ａ〜第７図Ｇ）とを並べて比較するもので
ある。しかしながら、スパッタリング、ドライエッチン
グ等の他の工程を使用することもできる。第６図Ａ及び
第７図Ａはスピンコーティングされホトレジスト層48,5
8を軟焼成した（90℃でおよそ45分間）基板46,56を示
す。第６図Ｂ及び第７図Ｂにおいて、ホトレジスト層4
8,58は活性線放射で露光される。第６図Ｂにおいて、マ
スク50はポールチップが沈積されない領域を被覆してい
る。一方第７図Ｂでは、マスク60はポールチップを沈積
させる領域を被覆している。第７図Ｃ及び第７図Ｄは本
発明で使用する２つの付加ステップを示す。第７図Ｃに
おいて、露光されたホトレジスト58には後焼成がなされ
る。110℃で２〜５分間の後焼成で充分である。第７図
Ｄにおいて、後焼成の後、ホトレジスト層58には活性線
放射露光が行われる。
第６図Ｃ及び第７図Ｅにおいて、ホトレジスト層48,58
が現像されポールチップを沈積させるレリーフ領域が残
される。第７図Ｅにおいて、結果として生じるレジスト
58厚さおよそ4.2μｍとすることができる。次に、第６
図Ｄ及び第７図Ｆにおいて、下部ポールチップパーマロ
イ磁膜52,62がそれぞれ基板46,56上へ電気めっきされ
る。次に、ホトジスト層48,58が剥離され第６図Ｅ及び
第７図Ｇに示すようなポールチップ52,62が残される。
が現像されポールチップを沈積させるレリーフ領域が残
される。第７図Ｅにおいて、結果として生じるレジスト
58厚さおよそ4.2μｍとすることができる。次に、第６
図Ｄ及び第７図Ｆにおいて、下部ポールチップパーマロ
イ磁膜52,62がそれぞれ基板46,56上へ電気めっきされ
る。次に、ホトジスト層48,58が剥離され第６図Ｅ及び
第７図Ｇに示すようなポールチップ52,62が残される。
第７図Ａ〜第７図Ｇに示す工程を使用して、得られるパ
ーマロイ層62は第７図Ｇに示すようなポジ型すなわち反
転勾配を有している。第８図において、第７図Ａ〜第７
図Ｇに示すように形成されたポールチップ62は上部ポー
ルチップ64及びギャップ66を含んでいる。上部ポール64
は第６図Ａ〜第６図Ｅに示す正規の工程を使用して、上
部ポールチップ64の縁勾配が下部ポールチップ62の反対
となるように沈積させることができる。ポールチップ64
を沈積させる前に、アルミナ（Al2O3）等の非磁性材に
よりギャップ66を充填することができる。ポールチップ
62,64の対称性により読戻し及び書込み中の薄膜磁気ヘ
ツド10の動作が改善される。
ーマロイ層62は第７図Ｇに示すようなポジ型すなわち反
転勾配を有している。第８図において、第７図Ａ〜第７
図Ｇに示すように形成されたポールチップ62は上部ポー
ルチップ64及びギャップ66を含んでいる。上部ポール64
は第６図Ａ〜第６図Ｅに示す正規の工程を使用して、上
部ポールチップ64の縁勾配が下部ポールチップ62の反対
となるように沈積させることができる。ポールチップ64
を沈積させる前に、アルミナ（Al2O3）等の非磁性材に
よりギャップ66を充填することができる。ポールチップ
62,64の対称性により読戻し及び書込み中の薄膜磁気ヘ
ツド10の動作が改善される。
第６図Ａ〜第６図Ｅに示すステップにおいて、露光が行
われると、窒素の脱離、ケテンへのウォルフ転位及びレ
ジスト内の微量の水との反応を経てジアゾキノン増感剤
（PAC）が置換インデンカルボン酸へ転化する。最後に
得られるのは塩基性現像剤溶液に非常に解け易いカルボ
ン酸であり、現像するとポジ型像が得られる。第６図Ａ
〜第６図Ｅのポジ型潜像を第７図Ａ〜第７図Ｇのネガテ
ィブトーンに変えるために、インデンカルボン酸は脱炭
酸ステップにより非水溶性誘導体、すなわちインデンへ
転化される。インデンはアルカリ性水溶液に溶解しない
だけでなく、これ以上の光化学もしくは熱処理に対して
も不活性である。この反応速度は後露光焼成ステップ中
に温度により制御される。生成されるインデンは非水溶
性のものであり、最初に露光された領域を非露光領域と
同じ位非溶融性とする。脱炭酸ステップの後に照射露光
及び従来のポジ型レジスト現像剤を使用した塩基水性現
像が行われると、ネガティブトーン像が生じる。これは
インデン生成物が形成された二重露光領域が非溶融性と
されたためである。現像は最初に露光されていない領域
で生じ、それは照射露光によりこのような領域のレジス
トが塩基溶解性の通常の光化学生成物へ転化するためで
ある。
われると、窒素の脱離、ケテンへのウォルフ転位及びレ
ジスト内の微量の水との反応を経てジアゾキノン増感剤
（PAC）が置換インデンカルボン酸へ転化する。最後に
得られるのは塩基性現像剤溶液に非常に解け易いカルボ
ン酸であり、現像するとポジ型像が得られる。第６図Ａ
〜第６図Ｅのポジ型潜像を第７図Ａ〜第７図Ｇのネガテ
ィブトーンに変えるために、インデンカルボン酸は脱炭
酸ステップにより非水溶性誘導体、すなわちインデンへ
転化される。インデンはアルカリ性水溶液に溶解しない
だけでなく、これ以上の光化学もしくは熱処理に対して
も不活性である。この反応速度は後露光焼成ステップ中
に温度により制御される。生成されるインデンは非水溶
性のものであり、最初に露光された領域を非露光領域と
同じ位非溶融性とする。脱炭酸ステップの後に照射露光
及び従来のポジ型レジスト現像剤を使用した塩基水性現
像が行われると、ネガティブトーン像が生じる。これは
インデン生成物が形成された二重露光領域が非溶融性と
されたためである。現像は最初に露光されていない領域
で生じ、それは照射露光によりこのような領域のレジス
トが塩基溶解性の通常の光化学生成物へ転化するためで
ある。
脱炭酸のメカニズムは研究されていて、酸触媒、負勾配
を好む熱誘起架橋、脂肪族及び芳香族アミンを加えたジ
アゾナフトキノン及びノボラック樹脂からなる像反転レ
ジストの側壁形状に基いた異なる像反転システムを、レ
ジストのジアゾ含有量及び後露光焼成温度を変えること
によりネガ型から垂直的にポジ型へと制御できることが
判っている。
を好む熱誘起架橋、脂肪族及び芳香族アミンを加えたジ
アゾナフトキノン及びノボラック樹脂からなる像反転レ
ジストの側壁形状に基いた異なる像反転システムを、レ
ジストのジアゾ含有量及び後露光焼成温度を変えること
によりネガ型から垂直的にポジ型へと制御できることが
判っている。
こうして得られる台形ポールチップの寸法は広範な範囲
にわたる。それぞれ20μｍよりも大きく１μｍよりも小
さい幅及び高さを有するポールチップに対して、側壁の
角度はヘッドの性能にほとんど影響を及ぼさない。
にわたる。それぞれ20μｍよりも大きく１μｍよりも小
さい幅及び高さを有するポールチップに対して、側壁の
角度はヘッドの性能にほとんど影響を及ぼさない。
本発明の製造法により、改善された読取り及び書込み特
性を有する薄膜磁気ヘッドが提供される。ギャップ領域
に対するポールチップのミラーイメージ対称性により高
密度磁気記憶装置に適した狭小なフリンジ磁界が得られ
る。第７図Ａ〜第７図Ｇに示す後焼成及び焼成露光工程
は薄膜ヘッドの製造に使用される現在の方法で容易に実
施することができる。
性を有する薄膜磁気ヘッドが提供される。ギャップ領域
に対するポールチップのミラーイメージ対称性により高
密度磁気記憶装置に適した狭小なフリンジ磁界が得られ
る。第７図Ａ〜第７図Ｇに示す後焼成及び焼成露光工程
は薄膜ヘッドの製造に使用される現在の方法で容易に実
施することができる。
本発明を実施例について説明してきたが、同業者ならば
発明の精神及び範囲から逸脱することなく形状や詳細を
変更できることがお判りと思う。例えば、ギャップ領域
に近い面がギャップ領域に遠い面よりも狭いようなさま
ざまな台形を使用することができる。さらに、ポールチ
ップ高さ及び台形の辺間の角度を変えることもできる。
本発明は上記ポールが下部ポールよりも小さい薄膜ヘッ
ドに応用できる。
発明の精神及び範囲から逸脱することなく形状や詳細を
変更できることがお判りと思う。例えば、ギャップ領域
に近い面がギャップ領域に遠い面よりも狭いようなさま
ざまな台形を使用することができる。さらに、ポールチ
ップ高さ及び台形の辺間の角度を変えることもできる。
本発明は上記ポールが下部ポールよりも小さい薄膜ヘッ
ドに応用できる。
第１図は薄膜磁気読取及び／又は書込ヘッドの平面図、
第２図は第１図の薄膜ヘッドの側面図、第３図は３つの
ホトレジスト形状を示す図、第４図は薄膜ヘッド内のポ
ールチップの製造に第３図のホトレジスト形状を使用す
る場合に得られるポールチップ構造を示す図、第５図は
ポールチップの勾配と３つの異なるポールチップ高さに
対するポールチップの頂縁及び底縁間のポールチップ幅
の差との関係を示すグラフの図面、第６図及び第７図は
従来技術のポールチップ形成法（第６図）と本発明の方
法（第７図）を横に並べて比較したものを示す図であ
り、第８図はギャップ領域に対してミラーイメージ対称
性を有する本発明の製造法により得られたポールチップ
の断面図である。 参照符号の説明 10……薄膜ヘッド 12,14……磁膜コア 16,18……銅コイル 20……絶縁層 21,46,56……基板 22,24,26……レジスト 28〜38,52,62,64……ポールチップ 48,58……ホトレジスト層 50,60……マスク
第２図は第１図の薄膜ヘッドの側面図、第３図は３つの
ホトレジスト形状を示す図、第４図は薄膜ヘッド内のポ
ールチップの製造に第３図のホトレジスト形状を使用す
る場合に得られるポールチップ構造を示す図、第５図は
ポールチップの勾配と３つの異なるポールチップ高さに
対するポールチップの頂縁及び底縁間のポールチップ幅
の差との関係を示すグラフの図面、第６図及び第７図は
従来技術のポールチップ形成法（第６図）と本発明の方
法（第７図）を横に並べて比較したものを示す図であ
り、第８図はギャップ領域に対してミラーイメージ対称
性を有する本発明の製造法により得られたポールチップ
の断面図である。 参照符号の説明 10……薄膜ヘッド 12,14……磁膜コア 16,18……銅コイル 20……絶縁層 21,46,56……基板 22,24,26……レジスト 28〜38,52,62,64……ポールチップ 48,58……ホトレジスト層 50,60……マスク
Claims (2)
- 【請求項１】薄膜磁気読取及び／又は書込ヘッドの製造
法において、該方法は、 非磁性基板上にホトレジスト層を形成するステップと、 ホトレジスト層をマスクを介して放射露光するステップ
と、 ホトレジスト層を焼成するステップと、 ホトレジスト層を放射露光するステップと、 ホトレジスト層を現像してダム状のホトレジストを形成
するステップであって、各々が前記非磁性基板から離れ
る方向に互いに傾斜することにより台形状の空洞を形成
する面を有する該ダム状のホトレジストを形成するステ
ップと、 前記基板の表面により画定される平面にほぼ垂直な断面
において全体として台形状の形状を有する下部ポールチ
ップを前記基板上に沈着するステップであって、前記基
板と面隣接接触し第１の面長を有する第１の面と、基板
に遠く実質的に第１の面と平行で第２の面長を有する第
２の面とを有し、該第１の面の長さは該第２の面の長さ
よりも大きくなるようにして該下部ポールチップを形成
するステップと、 前記基板の表面から前記ダム状のホトレジストを除去す
るステップと、 前記下部ポールチップの第２の面上にギャップ層を沈着
するステップと、 前記基板の表面により画定される平面にほぼ垂直な断面
において全体として台形状の上部ポールチップをギャッ
プ層上に沈着するステップであって、前記ギャップ層と
面隣接接触し第１の面長を有する第１の面と、ギャップ
層に遠く実質的に第１の面と平行で第２の面長を有する
第２の面を有し、該第１の面の長さは該第２の面の長さ
よりも短くなるようにして、前記上部ポールチップを形
成するステップからなる薄膜磁気読取及び／又は書込ヘ
ッドの製造法。 - 【請求項２】請求項（１）記載の方法において、前記上
部ポールチップは前記下記ポールチップと全体として対
称的なミラーイメージを有する、薄膜磁気読取及び／又
は書込ヘッドの製造法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/358,122 US4970615A (en) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | Pole design for thin film magnetic heads |
| US358122 | 1989-05-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0317809A JPH0317809A (ja) | 1991-01-25 |
| JPH0760495B2 true JPH0760495B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=23408388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2135160A Expired - Fee Related JPH0760495B2 (ja) | 1989-05-26 | 1990-05-24 | 薄膜磁気読取及び／又は書込ヘッドの製造法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4970615A (ja) |
| EP (1) | EP0399800B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0760495B2 (ja) |
| DE (1) | DE69027483T2 (ja) |
| SG (1) | SG47667A1 (ja) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296979A (en) * | 1988-09-20 | 1994-03-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disc apparatus with thin film head suitable for high-density recording |
| US5155646A (en) * | 1989-07-26 | 1992-10-13 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Multiple layered thin-film magnetic head for magnetic recording and reproducing apparatus |
| US5116719A (en) * | 1990-02-15 | 1992-05-26 | Seagate Technology, Inc. | Top pole profile for pole tip trimming |
| US5084957A (en) * | 1990-11-06 | 1992-02-04 | Seagate Technology, Inc. | Method for aligning thin film head pole tips |
| US5137750A (en) * | 1990-11-06 | 1992-08-11 | Seagate Technology, Inc. | Method of making a thin film head with contoured pole face edges for undershoot reduction |
| US5181152A (en) * | 1991-02-22 | 1993-01-19 | Seagate Technology Inc. | Leading edge undershoot elimination in thin film heads |
| US5267112A (en) * | 1991-09-30 | 1993-11-30 | Digital Equipment Corporation | Thin film read/write head for minimizing erase fringing and method of making the same |
| JPH06309610A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-04 | Sony Corp | 磁気ヘッド |
| US5699605A (en) * | 1994-05-23 | 1997-12-23 | Seagate Technology, Inc. | Method for forming a magnetic thin film head with recessed basecoat |
| US5909346A (en) * | 1994-08-26 | 1999-06-01 | Aiwa Research & Development, Inc. | Thin magnetic film including multiple geometry gap structures on a common substrate |
| US5490028A (en) * | 1994-08-26 | 1996-02-06 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including an integral layered shield structure |
| US5673474A (en) * | 1994-08-26 | 1997-10-07 | Aiwa Research And Development, Inc. | Method of fabricating a thin film magnetic head including layered magnetic side poles |
| US5544774A (en) * | 1994-08-26 | 1996-08-13 | Aiwa Research And Development, Inc. | Method of eliminating pole recession in a thin film magnetic head |
| JPH08171712A (ja) * | 1994-08-26 | 1996-07-02 | Aiwa Co Ltd | 側面露出型薄膜磁気ヘッド並びにその製造方法 |
| US6091581A (en) * | 1994-08-26 | 2000-07-18 | Aiwa Co., Ltd. | Thin film magnetic head including a separately deposited diamond-like carbon gap structure and magnetic control wells |
| US5748417A (en) * | 1994-08-26 | 1998-05-05 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including layered magnetic side poles |
| US5754377A (en) * | 1994-08-26 | 1998-05-19 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including an elevated gap structure |
| US5563754A (en) * | 1994-08-26 | 1996-10-08 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including a durable wear layer and gap structure |
| US5801909A (en) * | 1994-08-26 | 1998-09-01 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including durable wear layer and non-magnetic gap structures |
| US5621594A (en) * | 1995-02-17 | 1997-04-15 | Aiwa Research And Development, Inc. | Electroplated thin film conductor coil assembly |
| US5615069A (en) * | 1995-06-07 | 1997-03-25 | Seagate Technology, Inc. | Thin-film transducer design for undershoot reduction |
| US6069015A (en) * | 1996-05-20 | 2000-05-30 | Aiwa Research And Development, Inc. | Method of fabricating thin film magnetic head including durable wear layer and non-magnetic gap structure |
| WO1999041739A1 (en) * | 1998-02-16 | 1999-08-19 | Hitachi, Ltd. | Thin-film magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic disk drive provided with the same |
| US6493048B1 (en) | 1998-10-21 | 2002-12-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
| US6393692B1 (en) * | 1999-04-01 | 2002-05-28 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacture of a composite shared pole design for magnetoresistive merged heads |
| JP3843194B2 (ja) * | 1999-05-19 | 2006-11-08 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JP3373176B2 (ja) * | 1999-07-09 | 2003-02-04 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法および薄膜磁気ヘッド |
| US6385008B1 (en) | 1999-12-16 | 2002-05-07 | International Business Machines Corporation | Reduction of magnetic side writing in thin film magnetic heads using negative profiled pole tips |
| US6531436B1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-03-11 | Shipley Company, L.L.C. | Polymer removal |
| KR100370403B1 (ko) * | 2000-11-24 | 2003-01-29 | 삼성전자 주식회사 | 수직자기기록 방식의 자기헤드 |
| US6809899B1 (en) | 2001-08-20 | 2004-10-26 | Western Digital (Fremont), Inc. | Magnetic heads for perpendicular recording with trapezoidal pole tips |
| US6762011B2 (en) | 2002-04-15 | 2004-07-13 | International Business Machines Corporation | Deposition of a projection structure on a substrate using a negative mask and negative photoresist |
| US7298587B2 (en) * | 2002-08-05 | 2007-11-20 | Seagate Technology Llc | Rounded top pole |
| JP2004171733A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-17 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ヘッドおよびそれを備えた磁気テープ装置ならびに磁気ヘッドの製造方法 |
| JP2005063562A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドを用いた磁気装置、並びに前記薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US7057849B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-06-06 | Esgw Holding Limited | Data storage device with dampers |
| US20120154951A1 (en) * | 2010-12-21 | 2012-06-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for manufacturing a perpendicular magnetic write pole having a write pole and trailing shield with a tapered trailing gap |
| US9865284B2 (en) * | 2016-01-07 | 2018-01-09 | Western Digital Technologies, Inc. | Fabrication process for slider with extended three-dimensional air-bearing surface |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8006193A (nl) * | 1980-11-13 | 1982-06-01 | Philips Nv | Magneetkop voor hoge spoordichtheid. |
| JPS57204111A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Hitachi Ltd | Forming method for magnetic thin-film pattern |
| US4700253A (en) * | 1983-11-22 | 1987-10-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Slanted pole head for magnetic recording |
| US4701820A (en) * | 1984-11-08 | 1987-10-20 | Eastman Kodak Company | Slant gap thin-film head having first and second wedge-shaped structures |
| EP0186032B1 (de) * | 1984-12-21 | 1989-05-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Dünnfilm-Magnetkopf für ein senkrecht zu magnetisierendes Aufzeichnungsmedium |
| JPS6254812A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-10 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| EP0222183B1 (en) * | 1985-10-14 | 1994-01-12 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head |
-
1989
- 1989-05-26 US US07/358,122 patent/US4970615A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-05-23 DE DE69027483T patent/DE69027483T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-23 EP EP90305596A patent/EP0399800B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-23 SG SG1996003626A patent/SG47667A1/en unknown
- 1990-05-24 JP JP2135160A patent/JPH0760495B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0399800B1 (en) | 1996-06-19 |
| DE69027483D1 (de) | 1996-07-25 |
| SG47667A1 (en) | 1998-04-17 |
| US4970615A (en) | 1990-11-13 |
| EP0399800A2 (en) | 1990-11-28 |
| DE69027483T2 (de) | 1996-10-10 |
| EP0399800A3 (en) | 1991-07-17 |
| JPH0317809A (ja) | 1991-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0760495B2 (ja) | 薄膜磁気読取及び／又は書込ヘッドの製造法 | |
| KR100218755B1 (ko) | 폴팁 트리밍용 상부 폴 구조물 및 그 제조방법 | |
| JP2677415B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| Fontana et al. | Process considerations for critical features in high areal density thin film magnetoresistive heads: A review | |
| US5241440A (en) | Thin film magnetic head and manufacturing method therefor | |
| US5126232A (en) | Pole design for thin film magnetic heads | |
| US6282776B1 (en) | Magnetic head and method of manufacturing the same | |
| US5068959A (en) | Method of manufacturing a thin film head | |
| US6882502B2 (en) | Thin-film magnetic head with narrowed track width and method for making same | |
| US6459542B1 (en) | Thin film magnetic head having the coil layer patterned directly on an insulating layer on a lower core layer and its manufacturing method | |
| US6465149B2 (en) | Solution to be optically treated, a method for forming an antireflection film, a method for pattern-plating and a method for manufacturing a thin film magnetic head | |
| US6597534B1 (en) | Thin-film magnetic head suitable for narrower tracks and preventing write fringing and method for making the same | |
| US7175972B2 (en) | Method for fabricating a thin film magnetic head | |
| US6521335B1 (en) | Method of fabricating a submicron narrow writer pole | |
| Gau | Photolithography for integrated thin film read/write heads | |
| JP3440225B2 (ja) | フレームめっき方法および薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法 | |
| JP3428905B2 (ja) | 金属膜形成方法及び薄膜磁気ヘッドのポール形成方法 | |
| JP3464379B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| EP0390347A2 (en) | Recording head to optimize high density recording | |
| JP3189909B2 (ja) | パターン．マスク位置合わせ用ターゲットの形成方法 | |
| JP3217008B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 | |
| JP2000207709A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2001265006A (ja) | レジストパターンの形成方法、薄膜パターンの形成方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS62229512A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPH05303719A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |