JPH03178934A - 芳香族炭化水素の製造方法および触媒 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用骨！ＰＰ］ 木発目は、炭素数２〜７の脂肪族炭化水素及び／又は脂
環族炭化水素を主成分とする原料を、結晶性アルミノジ
ンコシリケート、または、これに遷移金属を含有させた
触媒と接触させて芳香族炭化水素を製造する方法および
触媒に関する。

「従来の技術１ 石油製品の改質等の目的で脂肪族炭化水素及び／又は脂
環族炭化水素を芳香族炭化水素に転化する多くの方法が
提案されており、その中で２５Ｍ５と呼ばれるゼオライ
１〜触媒を用いてパラフィン、オレフィン及び／又はナ
フテンからなる炭化水素を高選択率で芳香族化合物に転
化する方法が既に知られている（特公昭５６−４２６３
９号公報）。

さらにＺＳＭ　　５’Ｆゼオライトを亜鉛カチオンで置
換した亜鉛−１−］　−Ｚ　Ｓ　Ｍ−５、あるいは亜鉛
を担持させた触媒を用いると芳香族化合物の収率が向上
することも上記特許公報に開示されている。

また２５Ｍ５のアルミニウムを亜鉛で置換した構造をも
つジンコシリケートが合成できることおよびそのような
ジンコシリケート触媒および白金担持ジンコシリケート
触媒が低級パラフィン系炭化水素からの芳香族炭化水素
の製造にすぐれた選択性を示すことも知られている。（
ＵＳＩ）Ｒｅ　　２９９４８、特開昭６３−８３４２号
公報） ［発明が解決しようとする課題］ しかし亜鉛カチオンで置換した亜鉛−Ｈ−７，３Ｍ−５
触媒あるいは亜鉛を担持さゼたゼオライト触媒は反応中
に触媒から亜鉛が失なわれ、触媒活性が時間とともに低
下する。

またＺ　Ｓ　Ｍ　−５のアルミニウムを亜鉛で置換した
構造をもつジンコシリケートは酸強度が小さく、触媒活
性、寿命ともに充分とはいえない。

本発明者らは、炭素数２〜７の脂肪族炭化水素及び／又
は脂環族炭化水素から高選択率でかつ長ｌｌ１間安定的
に芳香族炭化水素を製造するための触媒について鋭意検
討した結果、ＺＳＭ−５型ゼオシイト（アルミノシリケ
ート）のアルミニラｌ＼を部分的に亜鉛で置換し、特定
のＳｉ／Ａｆｆ原子比および、Ｓ　ｉ　／　７．　ｎ原
子比を有する結晶性アルミノジンコシリケートが、活性
が高くかつ芳香族選択率が高く、しかも性能の経時劣化
が遅い触媒であることを見出した。

「課題を解決するための手段］ すなわち本発明は炭素数２〜７の脂肪族炭化水素及び／
又は脂環族炭化水素を少なくとも５０重量％含有する原
料を、Ｓｉ／Ａ、２原子比が１４〜３５であり、Ｓ　ｉ
　／　Ｚ　ｎ原子比が３０〜３５０である結晶性アルミ
ノジンコシリケートと接触させることを特徴とする芳香
族炭化水素の製造方法およびそのような結晶性アルミノ
ジンコシリケートからなる芳香族炭化水素製造用触媒で
ある。

陽イオンを含有する結晶性アルミノシリケートはゼオラ
イ１〜として天然品および合成品で知られている。アル
ミノシリケートはＳｉｎ、四面体とＡ　、Ｑ　０４四面
体が酸素原子を共有して架橋し酸素原子に対するアルミ
ニウムおよびケイ素原子の比率が１＝２である３次元の
骨格構造を有している。

一方本発明で用いる結晶性アルミノジンコシリケートは
、アルミノシリケートのアルミニウムを部分的に亜鉛で
置換した゛もので、ケイ素、アルミニウムおよび亜鉛原
子が酸素を共有して架橋し結晶性アルミノシリケートと
同し骨格構造を有する。ケイ素、アルミニウムあるいは
亜鉛原子のすべてが必ずしも同一の結晶構造を構成する
必要はなく、それらの１部がそれぞれの酸化物などの他
の形態をとって共存しても差し支えない。

なお、本発明のアルミノジンコシリケートは、陽イオン
の大部分をナトリウムイオンで置換して元素分析を行な
い、Ｎａ／Ａｌ比を求めることによって、イオン交換に
より亜鉛イオンで置換したアルミノシリケート或は亜鉛
を担持させたアルミノシリケードと区別することができ
る。すなわち、亜鉛イオンで置換したアルミノジンケ・
−１・或は亜鉛を担持させたアルミノシリケートは、Ｎ
ａ／Ａｌ比が１より小さいが、アルミノジンコンリケー
ドはＮａ／Ａｌ比が１より大きい。これはアルミノジン
コシリケート・の結品格−ｒを構成する亜鉛はアルミニ
ウムとともに陽イオン交換ザイトを提供するためである
。

供養こ本発明のアルミノジン−１シリケートとシンコシ
リケ−１・とはアンモニアのｙ？、温脱離測定によ−）
で区別されうる。すなわちジンコシリケ−１へでは、強
酸点に由来する３５０〜４５０″Ｃにおけるアンモニア
の脱離が少ないのに対し、アルミノジンコシリケートは
これが顕奸に認められる。これは結晶格ｒ−を構成する
亜鉛が、強酸点を生成しないのに対し、アルミニウムは
強酸点を／１ミ成するためである。

本発明の結晶性アルミノジンコシリケート中のＳ　ｉ　
／　Ａ　９の原子比は］−４〜３５、Ｓｉ／Ｚｎの原子
比は３０〜３５０の範囲である。

Ｓｉ／Ａｆｆの原子比が１４より小さいと、触媒性能の
経時劣化の遅い結晶が形成されにくく、方、同原子比が
３５より大きいと触媒の活性が寸分でなく経時劣化も速
くなる。

またＳ　ｉ　／　Ｚ　ｎの原子比が：３０より小さいと
結晶の形成が悪く触媒の経時劣化が速い。　一方、同原
子比が３５０より大きいと芳香族の選択率が低い。

本発明に用いる結晶性アルミノジンコシリケトはＺＳＭ
−５型ゼオライトに類似した第１表に示すＸ線回折図を
有するものが好ましい。

第　　１　　表 アルミノジンコシリケートの粉末Ｘ線回折格子面間隔（
ｄ値）　　　相対強度 １１．２±０３強 １０．１±０．３強 ５．９９±０．２弱 ５．５８±０．１弱 ５．０２±０．１弱 ４．６２±０．０８弱 ４２７±０．０８弱 ３．８５±０．０７強 ３．７２±０．０５強 ３．６５±０．０５弱 ３．０５±０．０３弱 ２．９９±０．０３弱 本発明の結晶性アルミノジンコシリケートはそのままで
も芳香族炭化水素製造用触媒として使用することができ
るが、結晶性アルミノジンコシリケートにイオン交換法
、含浸法などで遷移金属を含有させた触媒は、更に活性
および芳香族選択率が向上する。含有させる遷移金属は
、白金、パラジウム、ニッケル、コバルト、鉄などの第
■属金属、銅、クロム、モリブデンなどをあげることが
できるが、その中では白金およびクロムが活性および芳
香族選択率の点で優れているので特に好ましい。

結晶性アルミノジンコシリケ−１・は、ケイ素化合物、
アルミニウム化合物、亜鉛化合物、アルカリ金属塩、水
、そして場合により有機窒素化合物および酸を混合し、
１００°Ｃ〜２２０°Ｃの温度に３〜２００時間保って
合成することができる。

ケイ素化合物の１例としてケイ酸ナトリウム、ケイ酸カ
リウム、シリカあるいはこれら２種以上の混合物などを
用いることができる。

アルミニウム化合物として硫酸アルミニウム、硝酸アル
ミニウム、塩化アルミニウム、アルミン酸ナトリウム、
アルミン酸カリウム、水酸化アルミニウム、アルミナ、
あるいはこれら２種以−にの混合物などを用いることが
できる。

亜鉛化合物として硫酸亜鉛、硝酸亜鉛、塩化亜鉛、酸化
亜鉛、水酸化亜鉛、あるいはこれら２種以上の混合物な
どを用いることができる。

アルカリ金属塩として、ナトリウム、カリウムの水酸化
物、塩化物、臭化物、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、あるい
はこれら２種以上の混合物などを用いることができる。

有機窒素化合物として、テトラプロピルアンモニウム、
テトラブチルアンモニウム、トリプロピルメチルアンモ
ニウムｔｌどの第４級アンモニウム】　０ の水酸化物、臭化物、塩化物、あるいは、トリプロピル
アミン、］・リブチルアミン、モルホリンなどのアミン
、１−リエタノールアミン、シエタノルアミンなどのア
ミノアルコール、アセトアミド、プロピオンアミドなど
のアミド、メチル尿素、１，３−ジメチル尿素などのア
ルキル尿素、アセトニトリル、プロピオニトリルなどの
二１−リルあるいはこれらの２神以上の混合物などを用
いることかできる。

酸として、硫酸、硝酸、塩酸、酢酸、リン酸、あるいは
これら２種以上の混合物を用いることができる。

また、これらの原料はそれぞれ＋ｉｉ、独で用いる必要
はなく、例えばシリカアルミナのようにあらがしめ混合
された状態、あるいは化合物であってもよい。原料とし
てここに例示したものに限られるものではない。

合成されたアルミノジンコシリケートはイオン交換性で
あり、陽イオンの大部分をＦ１１イオンに交換して用い
ることができる。交換に先だって合１ 成されたアルミノジンコシリケートを例えば空気中で５
４０℃で焼成してもよい。１１＋イオンへの交換は、硝
酸、塩酸、硫酸などの水溶液に浸けることにより、ある
いはアンモニウム塩水溶液に浸けてアンモニウムイオン
に交換したものを焼成することにより行なうことができ
る。これらのイオン交換において、水溶液に浸むづて加
熱、減圧などにより気体を除く操作を加えて６よい。

史にアルミノシンコシリケーｈの陽イオンの大部分をア
ルカリ土類金属イ」ンで交換したものも用いることがで
きる。

Ｈ４あるいはアルカリ土類金属イオンでイオン交換され
たアルミノシンコシリヶ−１〜に遷移金属を担持して用
いることができる。

結晶性アルミノジンコシリケートはそのままでも、ある
いは造粒剤を加えて成形しても触媒として用いることが
できる。造粒剤としてはシリカ、アルミナ、粘土、無機
塩、有機高分子、界面活性剤など−ｇＨに知られている
ちのを使用できる。

このような結晶性アルミノジンコシリケートは２ 炭素ｖｉ２〜７の脂肪族炭化水素及び／又は脂環族炭化
水素から芳香族炭化水素を製造する触媒として用いられ
るが、炭素数２〜７の脂肪族炭化水素としては、エタン
、プロパン、ｎ−ブタン、ｉ　−ブタン、０−ペンタン
、ｌ−ベンクン、ネオペンタン、「】−ヘキサン、メヂ
ルベンクン、ジメヂルブタン、ｎ−へブタン、メチルヘ
キサン、ジメチルペンタンなどの飽和炭化水素、エチレ
ン、プロピレン、ブテン、ブタジェン、ペンテン、ペン
タジェン、ヘキセン、ヘプタジエン、ペンテン、ヘプタ
ジエン、シクロペンテン、メチルシクロペンタン、シク
ロヘキセン、メチルシクロヘキセン、ヘクロヘブデン、
シクロヘキセンエン、メチルシクロヘキサンエンなどの
不飽和炭化水素が含まれる。

また脂環族炭化水素としては、シクロペンタン、メチル
シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、シクロへブタン、エチルシクロベンクンなどを挙げ
ることができる。

反応に供給される原料は上記の炭素数２〜７の脂肪族炭
化水素及び／又は脂環族炭化水素を少なくとも５０重量
％含有するものであり、上記以外の成分、例えばベンゼ
ン、トルエン、炭素数Ｃ８以上の炭化水素、メタノール
、ジメチルニーデルなどが混入していても差しつかえな
い。

芳香族化反応は３５０〜６００℃の温度範囲で行なうの
が適当である。反応温度が３５０°Ｃより低いと芳香族
炭化水素の収率が十分でなく、方、６００℃より高いと
コーク生成による触媒性能の劣化が速い６　原料の供給
速度は原料の組成、反応温度、触媒の種類によるが、重
量時間空間速度が０．１〜１０Ｈｒ”の範囲が適当であ
る。重量時間空間速度が０．１１（ｒ−’より小さいと
芳香族炭化水素の製造効率が低く、一方、１０Ｈｒ”よ
り大きいと芳香族炭化水素の収率が十分でない。

芳香族化反応の圧力はＯ〜ｌ０ｋｇ／ｃｒｒ？−Ｇの圧
力が適当である。１０ｋｇ／ｃｒｒ？−Ｇ以上の圧力で
は芳香族炭化水素の収率が高くない。反応原料である炭
素数２〜７の脂肪族炭化水素はそのままイｊ（給してち
よいが、水素、窒素、二酸化炭素とともに供給してイ）
よい。

し実施例］ 以下、実施例により本発明を具体的に説明する。

実施例１ 蒸留水１０４ｍ℃に塩化す］−リウム２６ｇ、ブ１−ラ
ブ口ビルアンモニウムブロミド１９ｇを溶解したＣ浦に
、蒸留水６０ｍ９に硫酸型１（１１３４ｇ、硫酸アルミ
ニウム１．７１ｇ、テトラプロピルアンモニウムプロミ
ド５．６ｇ、　濃硫酸５．３ｇを溶かしたＡ液と、蒸留
水４５ｍｆｆに水ガラス３号６９ｇを溶かしたＢ液を撹
拌しながら同Ｉ１．？にか一つ連続的に加えた。その際
、混合液のｐ　Ｈが１０に細持されるように水酸化ナト
リウｌ＼または硫酸を加えて調節した。この混合液から
ゲルを遠心分離で間取し、１時間拙潰し、遠心分離によ
る上澄液と合わせ）：：。混合物をオートクレーブに移
し、３時間で１６０℃まで昇温し、撹拌しつつ引続き１
６０°Ｃに２０時間保持した。放冷し　５ て固形物を取出し、水洗し、乾燥後５４０″Ｃで焼成し
て、第１表に示すＸ線回折図による格子面間隔を有する
アルミノジンコシリケート１８ｇが１５）られた。これ
を硝酸アンモニウム水溶液に浸して陽イオンをＮ　Ｉ（
４＋イオンで置換し、５４０℃で３５時間焼成して１Ｊ
型にした。これをデトラアンミンジクロロ白金水溶液に
浸して白金を０．５重量％担持したちのを触媒Ａとする
。この触媒に、Ｊ−３ける原子比Ｓ　ｉ　／　Ａ　１２
は３３、Ｓ　ｉ　／　Ｚ　ｎは４５であった。

またこのｌ（ｌｑの触媒Ａ＋：Ｎ　ａ　Ｃｌで処理し、
陽イオンの大部分をＮａで置換し、Ｎａ／ＡＩ比を求め
た結果、１３であった。さらに、このＩＪ型の触媒Ａに
室温でアンモニアを吸着させ、ヘリウムを流通させなが
ら胃、温し、熱伝導度型検出器で脱離するアンモニア量
を測定した。この結果を第１図の曲線Ａとして示した。

触媒Ａにおけるアンモニアの昇温脱離曲線はアルミノジ
ンコシリケートに特有の３５０〜４００℃におｚＪる顕
苔なアンモニア脱離を示している。

６ 次に触媒Ａを充填し５００″Ｃに保った反応器に、反応
原料ｎ−ペンタンを重Ｍｌｌ￥間空間速度２Ｈｚ”で、
字素で２４ｖｏ　１％に希釈して流通させ芳香族化反応
を行なった。反応器出口ガスを採取しガスクロマ１−グ
ラフィーでその組成を分析し、その分析値よりｎ−ペン
タン転化率と芳香族選択率を以下の式により計算した。

ｎ−ペンタン転化率（％） １ １００−　　　　　　　ｘｌＯＯ Ｃ＋　　＋　Ｃ２ ２ 原料流通開始１時間後のｎ−ペンタン転化率と芳香族選
択率、およびｎ−ペンタン転化率が８０％になる時間と
その時の芳香族選択率を実施例２〜１３、比較例２〜３
とともに表２に示す。

　７ 実施例２ 硫酸アルミニウムの使用量を２．８５ｇにし、他は実施
例１と同し方法で白金担持Ｈ型アルミノジンコシリケー
ト触媒を調製し、この触媒を用いて実施例１と同し方法
でｎ−ペンタンの芳香族化反応を行なった。この触媒の
原子比Ｓｉ／ＡＩ２は２０、Ｓｉ／Ｚｎは４５てあった
。

Ｘ癒姻ユ 硫酸アルミニウムの使用量を３．９９ｇにし、他は実施
例１と同し方法で触媒調製とｎ−ペンタンの芳香族化反
応を行なった。触媒中の原子比Ｓｉ／Ａｆｆは］４、Ｓ
　ｉ　／　Ｚ　ｎは４５であった。

Ｘ施旦１ 硫酸亜鉛の使用量を０．２７ｇにし、他は実施例１と同
し方法で触媒調製と、ｎ−ペンタンの芳香族化反応を行
なった。触媒中の原子比Ｓｉ／Ａｆｆは３３、Ｓ　ｉ　
／　Ｚ　ｎは２１０であった。

亙旌員互 硫酸亜鉛の使用量を０．５４ｇにし、他は実施例１と同
じ方法で触媒調製とｎ−ペンタンの芳香　８ 族化反応を行なった。触媒中の原子比Ｓ　ｉ　／　Ａ　
Ｑ。

は３３、Ｓ　ｉ　／　７．　ｎは１０９てあ一〕だ。

丈狙Ａ１ 白金担持上程を省略し、他は実施例１と同し方法で触媒
を調製し、重量時間空間速度ｌでｎ−ペンタンを反ｈ１
１、させた。触媒中の原子比Ｓｉ／Ａｆｆは：３３、Ｓ
　ｉ　／　Ｚ　ｎは４５であった。

夫施組Ｌ′Ｌ 実施例１の触媒調製において白金↑０持の１１１１に、
１−１　型アルミノシン＝Ｉシリク゛−用一を蛸酸マグ
ネシウム水溶液に浸漬して陽イオンをＭ　ｇ　２−に交
換する工程を加えて触媒を調製した。この触媒を用いて
実施例１と同し条件で「ｌ−ペンタンの芳香族化反応を
行なった。

実施例８ アルミノジンコシリケ−１・の陽イオンをＣａ”に交換
する他は実施例７と同様に触媒を調製し、ｎ−ペンタン
の芳香族化反応を行なった。

実施例９ 実施例１に準して調製したＦＩ型アルミノシリケ９ １へ８０重量部にベンＩ−ナイ１−２０重量部を加え−
Ｃ混練、造粒、焼成したものに白金を０５重量％担持し
た触媒を調製し、実施例【と同し条件でｎ−ペンタンの
芳香族化反応を行なった。

実施例１０ 実施例１で調製した触媒Ａを用いて、反応）晶度を４５
０℃とし、重量時間空間速度ＩＨｒ−’Ｆｎペンタンを
窒素で２４　ｖ　ｏ　１％に希釈して反応させた。

実逓Ｉ（Ｌ± 触媒Ａを用いて、ｎ−ペンタンを窒素で希釈せずに、重
量時間空間速度を１．３８ｒ−’とし、反応温度５００
°Ｃでｎ−ペンタンの芳香族化反応を行なった。

実施例１２ 触媒Ａを用いて、圧力を３ｋｇ／ｃｎｉ″・Ｇとした以
外は実施例１１と同じ条件で反応を行なった。

実施例１３ テトラアンミンジクロロ白金水溶液の代わりに０ クロム酸アンモニウム水溶液にＨ型アルミノジンコシリ
ケ−１−を浸してクロムを０．１５重量％担持する以外
は実施例１と同様にしで調製した触媒を用いて、圧力Ｉ
Ｋｇ／ｃｍ２・Ｇ、反応温度５４０℃で、ｎ−ペンタン
を窒素で希釈せずに重量時間空間速度１１１ｒ”で反応
させた。

比較例１ 硫酸アルミニウムを用いない他は実施例１と同し方法で
ジンコシリケート触媒を調製した。触媒中の原子比Ｓ　
ｉ　／　Ａ　ｆ２．は８００、Ｓ　ｉ　／　Ｚ　ｎは４
５であった。

またこのＩＪ型ジンコシリケート触媒について、実施例
１と同様の方法で、アンモニアの昇温脱離測定を行なっ
た。この結果を、第１図に曲線Ｂとして示した。ジンコ
シリケートにおけるアンモニアの昇温脱離曲線はアルミ
ノジンコシリケートとは異なる挙動を示している。

この触媒を用い実施例１と同し条件でｎ−ペンタンを反
応させた。

ｎ−ペンタン転化率と芳香族選択率は実施例１１ と同様に計算した。原料流通開始１時間後のｎペンタン
転化率は８０％、芳香族選択率は３９ｗ　ｔ％であり、
このジンコシリケート触媒は、本発明の触媒に比べて特
にｎ−ペンタン転化率が低い。また８時間後にはｎ−ペ
ンタン転化率」３よび芳香族選択率はそれぞれ５７％、
３５ｗし％まで低下した。

比較例２ 硫酸亜鉛を用いない他は実施例１と同し方法でアルミノ
シリケート触媒を調製した。原子比Ｓｉ／Ａｆ２は３３
てＺｎは存在しなかった。

このＨ型のアルミノシリケート触媒をＮａＣ１で処理し
て陽イオンの大部分をＮａに置換し、Ｎａ／Ａｉ比を求
めたところ、０．９であった。

このＨ型のアルミノシリケート触媒を用い実施例１と同
じ条件でｎ−ペンタンを反応させた。

原料流通開始１時間後のｎ−ペンタン転化率は１００％
、芳香族選択率は４４ｗｔ％てあったが、２１時間後に
はｎ−ペンタン転化率が８０％にまで低下し、芳香族選
択率ち４０　ｗ　ｔ％であっ２ た６ 比較例３ 実施例１の触媒調製において、硫酸アルミニウムの使用
量を１．１４ｇ、硫酸亜鉛の使用量を０．６１：とし、
他は実施例１と同し方法で低Ａｔ、高Ｚｎ含有率のアル
ミノジンコシリケート触媒を調製し、実施例１と同じ条
件でｎ−ペンタンの転化反応を行なった。この触媒にお
ける原子比Ｓｉ／Ａｆｆは５０．Ｓｉ／Ｚｎは２０であ
った。

ｎ−ペンタン転化率と芳香族選択率は、原料流通開始１
時間後のｎ−ペンタン転化率は１００％、芳香族選択率
は４４　ｗ−ｅ％であったが、３％晴間後で１１−ペン
タン転化率が８０％にまで低下し、その峙の芳香族選択
率は３１．　ｗ　ｔ％であった。

以下余白 表 　４ よ逓建＋ｌ　１４ 表３に示す組成のベンゼン５％を含有する炭化水素混合
物を原料として、重量時間空間速度１．９＋（ｒ−’で
窒素で２０ＶＯ１％に希釈して反応温度５００℃で触媒
Ａに流通させ芳香族化反応を行なった。

表　　３ 反応器出口ガス組成から転化率と芳香族選択率を求めた
ところ、流通開始１時間後の転化率と芳香族選択率はそ
れぞれ９９％、５６ｗｔ％、１７時間後ではそれぞれ９
５％、５１ｗｔ％であった。

ただし転化率と芳香族選択率を次に示す式から求めた。

転化率（％） Ａｏ、９５ 芳香族選択率（ｗｔ％） ただし、 Ｂ　＝ Ｃ＝ （反応品出ロガス中全炭化水素濃度 （ｗｔ％）） （反応器出口ガス中Ｃ５〜Ｃ７パラ フイン、シクロパラフィン濃度 （ｗｔ％）） （反応器出口ガス中芳香族炭化水素 濃度（ｗｔ％）） ［発明の効果］ 本発明は、特定の範囲のＳｉ／Ａｇ原子比およびＳｉ／
７：ｎ原子比を有するアルミノジンコシリケ−１・を倉
荷する触媒を用いたことにより、脂肪族炭化水素及び／
又は脂環族炭化水素か６万香族炭化水素が高い転化率と
芳香族選択率で得られるのみならず、触媒活性が長期間
の維持できるので、触媒、Ｉｔ命が長く、工業的に有利
な方法である。

【図面の簡単な説明】

第１図のＡは実施例１で調製したアルミノジンコシリケ
ート触媒、また第１図のＢは比較例１て調製したジンコ
シリケート触媒のアンモニア昇温脱離測定の結果を示す
グラフである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）炭素数２〜７の脂肪族炭化水素及び／又は脂環族
   炭化水素を少なくとも５０重量％含有する原料を、Ｓｉ
   ／Ａｌ原子比が１４〜３５であり、Ｓｉ／Ｚｎ原子比が
   ３０〜３５０である結晶性アルミノジンコシリケートと
   接触させることを特徴とする芳香族炭化水素の製造方法
   。 （２）炭素数２〜７の脂肪族炭化水素及び／又は脂環族
   炭化水素を少なくとも５０重量％含有する原料を、Ｓｉ
   ／Ａｌ原子比が１４〜３５であり、Ｓｉ／Ｚｎ原子比が
   ３０〜３５０である結晶性アルミノジンコシリケートに
   遷移金属を含有させた触媒と接触させることを特徴とす
   る芳香族炭化水素の製造方法。 （３）遷移金属が白金及び／またはクロムである請求項
   ２に記載の芳香族炭化水素の製造方法。 （４）結晶性アルミノジンコシリケートが下記に示す粉
   末Ｘ線回折図を有するものである請求項１ないし３に記
   載の芳香族炭化水素の製造方法。 格子面間隔（ｄ値）相対強度 １１．２±０．３強 １０．１±０．３強 ５．９９±０．２弱 ５．５８±０．１弱 ５．０２±０．１弱 ４．６２±０．０８弱 ４．２７±０．０８弱 ３．８５±０．０７強 ３．７２±０．０５強 ３．６５±０．０５弱 ３．０５±０．０３弱 ２．９９±０．０３弱 （５）Ｓｉ／Ａｌ原子比が１４〜３５であり、Ｓｉ／Ｚ
   ｎ原子比が３０〜３５０である結晶性アルミノジンコシ
   リケートからなる芳香族炭化水素製造用触媒。 （６）Ｓｉ／Ａｌ原子比が１４〜３５であり、Ｓｉ／Ｚ
   ｎ原子比が３０〜３５０である結晶性アルミノジンコシ
   リケートに遷移金属を含有させてなる芳香族炭化水素製
   造用触媒。