JPH03180075A - 受光素子の製造方法 - Google Patents
受光素子の製造方法Info
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- JPH03180075A JPH03180075A JP1319887A JP31988789A JPH03180075A JP H03180075 A JPH03180075 A JP H03180075A JP 1319887 A JP1319887 A JP 1319887A JP 31988789 A JP31988789 A JP 31988789A JP H03180075 A JPH03180075 A JP H03180075A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコン受光素子の製造方法に関し、特に窒
化シリコン膜で無反射コートした、コンパクトディスク
（以下ＣＤと記す）のピックアップ部に用いる樹脂封止
型フォトダイオードの製造方法に関する。
化シリコン膜で無反射コートした、コンパクトディスク
（以下ＣＤと記す）のピックアップ部に用いる樹脂封止
型フォトダイオードの製造方法に関する。
従来の樹脂封止型フォトダイオードの受光素子は第３図
に示す様に無反射コート膜として窒化シリコン膜３を成
長じた後にコンタクトホールを形成し電極２を形成した
後に耐湿性向上を目的としてプラズマＣＶＤ窒化シリコ
ン膜１を成長して受光素子表面上をカバーしている。
に示す様に無反射コート膜として窒化シリコン膜３を成
長じた後にコンタクトホールを形成し電極２を形成した
後に耐湿性向上を目的としてプラズマＣＶＤ窒化シリコ
ン膜１を成長して受光素子表面上をカバーしている。
上述した従来の製法では、無反射コートした受光部、す
なわち１層５の領域に、耐湿性向上の為に成長じたプラ
ズマＣＶＤ窒化シリコン膜１が残った構造になり、無反
射コートの役目を果さなくなってしまう。さらにプラズ
マＣＶＤ窒化シリコン膜の厚さ制御性が悪く厚さのバラ
ツキが大きいので、ＣＤピックアップ用フォトダイオー
ドのように単一波長のレーザ光を受ける場合反射が極大
になり、感度が著しく低下するという欠点がある。
なわち１層５の領域に、耐湿性向上の為に成長じたプラ
ズマＣＶＤ窒化シリコン膜１が残った構造になり、無反
射コートの役目を果さなくなってしまう。さらにプラズ
マＣＶＤ窒化シリコン膜の厚さ制御性が悪く厚さのバラ
ツキが大きいので、ＣＤピックアップ用フォトダイオー
ドのように単一波長のレーザ光を受ける場合反射が極大
になり、感度が著しく低下するという欠点がある。
本発明のフォトダイオード（受光素子）の製法は、プラ
ズマＣＶＤ窒化シリコン膜を戒長する前に、ＣＶＤ酸化
膜を成長する工程および、ＣＶＤ酸化膜をエツチングし
て受光部に酸化膜を残す工程を有し、さらにプラズマＣ
ＶＤ窒化シリコン膜をパターニング後に受光部に残った
酸化膜を除去する工程を有している。
ズマＣＶＤ窒化シリコン膜を戒長する前に、ＣＶＤ酸化
膜を成長する工程および、ＣＶＤ酸化膜をエツチングし
て受光部に酸化膜を残す工程を有し、さらにプラズマＣ
ＶＤ窒化シリコン膜をパターニング後に受光部に残った
酸化膜を除去する工程を有している。
〔実施例１〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ＞、（ｂ）、（ｃ）は本発明の一実施例のフ
ォトダイオードの製造工程を説明する図である。
ォトダイオードの製造工程を説明する図である。
第１図（ａ）は、ｎ−基板７にＰ型不純物を拡散酸化し
て２層５を形成し、次にｎ型不純物を拡散、酸化してｎ
層６を形成し、さらに受光部などの酸化膜をエツチング
して除去した後に窒化シリコンＭ３を成長し、コンタク
トホール形成後に電極２の形成を終えたものである。
て２層５を形成し、次にｎ型不純物を拡散、酸化してｎ
層６を形成し、さらに受光部などの酸化膜をエツチング
して除去した後に窒化シリコンＭ３を成長し、コンタク
トホール形成後に電極２の形成を終えたものである。
さらに第１図（ｂ）でその後の工程を説明する。
電極２を形成後にＣＶＤ酸化膜を戒長し、パターニング
することにより受光部に酸化膜８を残し、さらにその上
にプラズマＣＶＤ窒化シリコンＭ１を成長し、パターニ
ングして受光部及びボンディングパッド部の窒化膜を除
去する。最後に受光部の酸化膜８を除去して、第１図（
Ｃ）に示す本発明によるフォトダイオードを得る。
することにより受光部に酸化膜８を残し、さらにその上
にプラズマＣＶＤ窒化シリコンＭ１を成長し、パターニ
ングして受光部及びボンディングパッド部の窒化膜を除
去する。最後に受光部の酸化膜８を除去して、第１図（
Ｃ）に示す本発明によるフォトダイオードを得る。
〔実施例２〕
第２図は本発明の実施例２の縦断面図である。
ベース９部の絶縁膜は実施例１で述べた方法で形成され
ており、ＣＶＤ窒化シリコン膜３となっている。本実施
例はフォトトランジスタの場合であるが、フォトダイオ
ードの受光部に相当するベース９部に無反射コートして
おり、反射によるロスが最小限に押えられ、低い電流増
幅率で所望の出力電流が得られるのでフォトトランジス
タの高速化に有効である。なぜならば、電流増幅率が高
いことと速度が速いということは相反するパラメータで
あり、高速化には電流増幅率を低くすることが不可欠で
ある。
ており、ＣＶＤ窒化シリコン膜３となっている。本実施
例はフォトトランジスタの場合であるが、フォトダイオ
ードの受光部に相当するベース９部に無反射コートして
おり、反射によるロスが最小限に押えられ、低い電流増
幅率で所望の出力電流が得られるのでフォトトランジス
タの高速化に有効である。なぜならば、電流増幅率が高
いことと速度が速いということは相反するパラメータで
あり、高速化には電流増幅率を低くすることが不可欠で
ある。
以上説明したように本発明は、ＣＶＤ窒化シリコン膜３
とプラズマＣＶＤ窒化シリコン膜１との間にＣＶＤ酸化
膜８を介在させることにより、受光部のプラズマＣＶＤ
窒化シリコン膜１を下層にあるＣＶＤ窒化シリコン膜３
を傷める事なく、選択的に除去できる効果がある。
とプラズマＣＶＤ窒化シリコン膜１との間にＣＶＤ酸化
膜８を介在させることにより、受光部のプラズマＣＶＤ
窒化シリコン膜１を下層にあるＣＶＤ窒化シリコン膜３
を傷める事なく、選択的に除去できる効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の詳細な説明す
る縦断面図、第２図は本発明の第２実施例の縦断面図、
第３図は従来の受光素子の縦断面図である。 １・・・ＣＶＤ窒化シリコン膜、２・・・電極、３・・
・プラズマＣＶＤ窒化シリコン膜、４・・・酸化膜、５
・・・Ｐ層、６・・・ｎ層、７・・・ｎ−基板、８・・
・ＣＶＤ酸化膜、 ９・・・ベース、 Ｏ・・・エミッタ。
る縦断面図、第２図は本発明の第２実施例の縦断面図、
第３図は従来の受光素子の縦断面図である。 １・・・ＣＶＤ窒化シリコン膜、２・・・電極、３・・
・プラズマＣＶＤ窒化シリコン膜、４・・・酸化膜、５
・・・Ｐ層、６・・・ｎ層、７・・・ｎ−基板、８・・
・ＣＶＤ酸化膜、 ９・・・ベース、 Ｏ・・・エミッタ。
Claims (1)
- 第１の導電型の基板に第２の導電型の不純物を拡散す
る工程、前記第２の導電型の周囲の第１の導電型の基板
に第１の導電型の不純物を拡散する工程、窒化シリコン
膜を成長する工程、電極を形成する工程、ＣＶＤ酸化膜
を成長する工程、受光部以外のＣＶＤ酸化膜を除去する
工程、さらにプラズマＣＶＤ窒化シリコン膜を成長する
工程、次に前記受光部の酸化膜上とボンディングパッド
部のプラズマＣＶＤ窒化シリコン膜を除去し、前記受光
部の酸化膜を除去する工程を有する受光素子の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319887A JP2808760B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 受光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319887A JP2808760B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 受光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03180075A true JPH03180075A (ja) | 1991-08-06 |
| JP2808760B2 JP2808760B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=18115349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1319887A Expired - Fee Related JP2808760B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 受光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2808760B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288261A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-01 | Nec Corp | フォトダイオードの製造方法 |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP1319887A patent/JP2808760B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288261A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-01 | Nec Corp | フォトダイオードの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2808760B2 (ja) | 1998-10-08 |
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