JPH03180093A - ハイブリッド集積回路基板構成 - Google Patents
ハイブリッド集積回路基板構成Info
- Publication number
- JPH03180093A JPH03180093A JP1319897A JP31989789A JPH03180093A JP H03180093 A JPH03180093 A JP H03180093A JP 1319897 A JP1319897 A JP 1319897A JP 31989789 A JP31989789 A JP 31989789A JP H03180093 A JPH03180093 A JP H03180093A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hybrid
- integrated circuit
- board
- circuit board
- hybrid integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はハイブリッド集積回路基板構成に関し、特にフ
リップチップケースタイプのＬＳＩを実装するハイブリ
ッド集積回路基板構成に関する。
リップチップケースタイプのＬＳＩを実装するハイブリ
ッド集積回路基板構成に関する。
従来、この種のハイブリッド集積回路基板構成は、第１
図および第２図に示すような高温発熱回路、即ち抵抗体
パターン４と給電用電極５ａ、５ｂが組込まれていなか
った。このため、フリップチップケースタイプのＬＳＩ
２とハイブリッド基板１間を接続するには、ペイパーリ
フロー装置等により雰囲気を高温にし、はんだ７を介在
させて接続するようになっていた。
図および第２図に示すような高温発熱回路、即ち抵抗体
パターン４と給電用電極５ａ、５ｂが組込まれていなか
った。このため、フリップチップケースタイプのＬＳＩ
２とハイブリッド基板１間を接続するには、ペイパーリ
フロー装置等により雰囲気を高温にし、はんだ７を介在
させて接続するようになっていた。
上述した従来のハイブリッド集積回路基板の接続に際し
ては、高額なパイパリフロー装置が必要であり、しかも
液体媒体（例えばフッ素系の絶縁性液体）をも必要とし
ていた。さらにもう一方の問題として、接続されたＬＳ
Ｉを取外す等の保守面で、１個だけ取外したい時に他の
ＬＳＩもはんだがリフローされて、ブリッジする等の欠
点があった。
ては、高額なパイパリフロー装置が必要であり、しかも
液体媒体（例えばフッ素系の絶縁性液体）をも必要とし
ていた。さらにもう一方の問題として、接続されたＬＳ
Ｉを取外す等の保守面で、１個だけ取外したい時に他の
ＬＳＩもはんだがリフローされて、ブリッジする等の欠
点があった。
本発明は、フリップチップケースタイプのＬＳＩとハイ
ブリッド基板とをはんだにて接続してなるハイブリッド
集積回路基板構成において、前記ハイブリッド基板に抵
抗体パターンと給電用電極とにより構成され前記はんだ
を加熱溶融する少なくとも１個の高温発熱回路を備えて
いる。
ブリッド基板とをはんだにて接続してなるハイブリッド
集積回路基板構成において、前記ハイブリッド基板に抵
抗体パターンと給電用電極とにより構成され前記はんだ
を加熱溶融する少なくとも１個の高温発熱回路を備えて
いる。
また本発明のハイブリッド集積回路基板構成は、前記抵
抗体パターンが前記ハイブリッド基板の表面層に配置さ
れて−いる。
抗体パターンが前記ハイブリッド基板の表面層に配置さ
れて−いる。
さらにまた本発明のハイブリッド集積回路基板構成は、
前記抵抗体パターンが前記ハイブリッド基板の内層に配
置されている。
前記抵抗体パターンが前記ハイブリッド基板の内層に配
置されている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ線部の拡大断面図である９本実施例はフリップチ
ップケースタイプのＬＳＩ２とハイブリッド基板１の基
板側パッド３とをはんだ７にて接続してなり、ハイブリ
ッド基板１の表面層に抵抗体パターン４と給電用電極５
ａ。
Ａ−Ａ線部の拡大断面図である９本実施例はフリップチ
ップケースタイプのＬＳＩ２とハイブリッド基板１の基
板側パッド３とをはんだ７にて接続してなり、ハイブリ
ッド基板１の表面層に抵抗体パターン４と給電用電極５
ａ。
５ｂにより構成されてはんだ７を加熱溶融する４個の高
温発熱回路を有してなる。
温発熱回路を有してなる。
即ち第１図に示すように、ハイブリッド基板１の表面層
にフリップチップケースタイプのＬＳＩ２を２個所に実
装し、またこのＬＳＩ２を実装する前の、即ち、基板側
パッド３がむき出しの状態のところ２個所を設け、これ
ら４個所の周辺に抵抗体パターン４と給電用電極５ａ、
５ｂから成る４個の高温発熱回路を設ける。第２図は、
ＬＳＩ２とハイブリッド基板１を実装（接続）した状態
を詳細な断面図で示している。
にフリップチップケースタイプのＬＳＩ２を２個所に実
装し、またこのＬＳＩ２を実装する前の、即ち、基板側
パッド３がむき出しの状態のところ２個所を設け、これ
ら４個所の周辺に抵抗体パターン４と給電用電極５ａ、
５ｂから成る４個の高温発熱回路を設ける。第２図は、
ＬＳＩ２とハイブリッド基板１を実装（接続）した状態
を詳細な断面図で示している。
次に、このような構成の本実施例において、ＬＳＩ２と
ハイブリッド基板１との接続に関する高温発熱回路の機
能を第２図で説明する。ＬＳＩ２のＬＳＩ側パッド６と
基板側パッド３のどちらか一方又は両方に予備はんだ（
図示せず）した両者をセット後、給電用電極５ａ、５ｂ
に電圧を印加すると、抵抗体パターン４が発熱し、ＬＳ
Ｉ側パッド６及び基板側パッド３の予備はんだが溶け、
両者がはんだ７によって接続される。このはんだ７を介
して、ＬＳＩ間の相互接続は基板内の貫通スルーホール
９及びプラインドパイヤホール１０により接続される。
ハイブリッド基板１との接続に関する高温発熱回路の機
能を第２図で説明する。ＬＳＩ２のＬＳＩ側パッド６と
基板側パッド３のどちらか一方又は両方に予備はんだ（
図示せず）した両者をセット後、給電用電極５ａ、５ｂ
に電圧を印加すると、抵抗体パターン４が発熱し、ＬＳ
Ｉ側パッド６及び基板側パッド３の予備はんだが溶け、
両者がはんだ７によって接続される。このはんだ７を介
して、ＬＳＩ間の相互接続は基板内の貫通スルーホール
９及びプラインドパイヤホール１０により接続される。
なお、ハイブリッド基板１からの給電用電極５ａ、５ｂ
の取出しおよび信号ピン等の取出しは、ここでは図示し
ていないが、殻間なハイブリッド基板と同等である。
の取出しおよび信号ピン等の取出しは、ここでは図示し
ていないが、殻間なハイブリッド基板と同等である。
このような本実施例によれば、必要な箇所の高７品発熱
回路を選択して加熱することができるので、−たん接続
したＬＳＩを１個だけ取外したい場合でも、その特定の
高温発熱回路だけを加熱することにより、周囲の他のＬ
ＳＩに何ら影響を与えることなく、必要なＬＳＩのはん
だ付は部分を溶融して取外すことができる。
回路を選択して加熱することができるので、−たん接続
したＬＳＩを１個だけ取外したい場合でも、その特定の
高温発熱回路だけを加熱することにより、周囲の他のＬ
ＳＩに何ら影響を与えることなく、必要なＬＳＩのはん
だ付は部分を溶融して取外すことができる。
なお本実施例では、高温発熱回路の抵抗体パターン４を
ハイブリッド基板１の表面層に配置しているが、これに
限らず基板の内層に配置してもよいことはもちろんであ
る。また高温発熱回路も４個に限定するものではない。
ハイブリッド基板１の表面層に配置しているが、これに
限らず基板の内層に配置してもよいことはもちろんであ
る。また高温発熱回路も４個に限定するものではない。
以上説明したように本発明は、ハイブリッド基板にフリ
ップチップ実装用の高温発熱回路を設けることにより、
従来のＬＳＩ搭載および取外し時に必要であったペイバ
リフロー装置およびそれに適用される液体媒体を必要と
しない利点があり、また、必要な高温発熱回路だけを加
熱することによって局部的なＬＳＩの搭載および取外し
ができる効果がある。
ップチップ実装用の高温発熱回路を設けることにより、
従来のＬＳＩ搭載および取外し時に必要であったペイバ
リフロー装置およびそれに適用される液体媒体を必要と
しない利点があり、また、必要な高温発熱回路だけを加
熱することによって局部的なＬＳＩの搭載および取外し
ができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は第１
図のＡ−Ａ線部を拡大して示す断面図である。 １・・・ハイブリッド基板、２・・・フリップチップケ
ースタイプのＬＳＩ、３・・・基板側パッド、４・・・
抵抗体パターン、５ａ、５ｂ・・・給電用電極、６・・
・ＬＳ ■側バッド、 ７・・・はんだ、 ８・・・基板内層パター ン、９・・・貫通スルーホール、１０・・・ブラインド
バイアホール。
図のＡ−Ａ線部を拡大して示す断面図である。 １・・・ハイブリッド基板、２・・・フリップチップケ
ースタイプのＬＳＩ、３・・・基板側パッド、４・・・
抵抗体パターン、５ａ、５ｂ・・・給電用電極、６・・
・ＬＳ ■側バッド、 ７・・・はんだ、 ８・・・基板内層パター ン、９・・・貫通スルーホール、１０・・・ブラインド
バイアホール。
Claims (3)
- １．フリップチップケースタイプのＬＳＩとハイブリッ
ド基板とをはんだにて接続してなるハイブリッド集積回
路基板構成において、前記ハイブリッド基板に抵抗体パ
ターンと給電用電極とにより構成され前記はんだを加熱
溶融する少なくとも１個の高温発熱回路を備えることを
特徴とするハイブリッド集積回路基板構成。 - ２．前記抵抗体パターンが前記ハイブリッド基板の表面
層に配置されていることを特徴とする請求項１記載のハ
イブリッド集積回路基板構成。 - ３．前記抵抗体パターンが前記ハイブリッド基板の内層
に配置されていることを特徴とする請求項１記載のハイ
ブリッド集積回路基板構成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319897A JPH03180093A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | ハイブリッド集積回路基板構成 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319897A JPH03180093A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | ハイブリッド集積回路基板構成 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03180093A true JPH03180093A (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=18115455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1319897A Pending JPH03180093A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | ハイブリッド集積回路基板構成 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03180093A (ja) |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP1319897A patent/JPH03180093A/ja active Pending
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