JPH03183044A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH03183044A JPH03183044A JP31888489A JP31888489A JPH03183044A JP H03183044 A JPH03183044 A JP H03183044A JP 31888489 A JP31888489 A JP 31888489A JP 31888489 A JP31888489 A JP 31888489A JP H03183044 A JPH03183044 A JP H03183044A
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- Japan
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- magneto
- sio2
- optical recording
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、光磁気記録用媒体に関し、
耐環境性と続出特性とを十分に確保し、同時に続出安定
性を向上させた光磁気記録媒体を提供することを目的と
し、 基板上に光磁気記録膜、保護膜、および干渉層を設けて
成る光磁気記録媒体において、Ｔｂ−ＳｉＯ２から成る
保護膜を有し、屈折率、熱伝導率および熱膨張係数の少
なくとも一つがＴｂ−３ｉ○２よりも大きい誘電体から
成る干渉層を有するように構成する。
性を向上させた光磁気記録媒体を提供することを目的と
し、 基板上に光磁気記録膜、保護膜、および干渉層を設けて
成る光磁気記録媒体において、Ｔｂ−ＳｉＯ２から成る
保護膜を有し、屈折率、熱伝導率および熱膨張係数の少
なくとも一つがＴｂ−３ｉ○２よりも大きい誘電体から
成る干渉層を有するように構成する。
本発明は、光磁気記録用媒体に関する。
光磁気記録媒体は、典型的には光磁気ディスクとして知
られており、ガラス、樹脂等の透明基板上に設けた磁気
光学効果を有する物質の光磁気記録膜にレーデビームを
照射して書込・続出・消去を行う。光磁気記録媒体に必
要な基本的特性として、（１）続出特性：読み出される
信号品質（Ｃ／Ｎ比で代表される）が高いこと、（２）
耐環境性：記録された信号が外界の影響を受けないこと
、および（３）読出安定性二記録された信号が繰り返し
読み出しによって劣化しないことが必要である。
られており、ガラス、樹脂等の透明基板上に設けた磁気
光学効果を有する物質の光磁気記録膜にレーデビームを
照射して書込・続出・消去を行う。光磁気記録媒体に必
要な基本的特性として、（１）続出特性：読み出される
信号品質（Ｃ／Ｎ比で代表される）が高いこと、（２）
耐環境性：記録された信号が外界の影響を受けないこと
、および（３）読出安定性二記録された信号が繰り返し
読み出しによって劣化しないことが必要である。
一般に、光磁気記録膜を構成する物質としてはＴｂＦｅ
Ｃｏ５ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ等の希土類金属・遷
移金属アモルファス合金が用いられている。この記録膜
が酸化等の外界からの影響によって変質すると記録され
た信号が経時劣化するので、記録膜を外界から保護して
耐環境性を確保する保護膜が設けられている。保護膜と
しては、金属の窒化物、酸化物、硫化物等の誘電体が用
いられている。
Ｃｏ５ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ等の希土類金属・遷
移金属アモルファス合金が用いられている。この記録膜
が酸化等の外界からの影響によって変質すると記録され
た信号が経時劣化するので、記録膜を外界から保護して
耐環境性を確保する保護膜が設けられている。保護膜と
しては、金属の窒化物、酸化物、硫化物等の誘電体が用
いられている。
また、光磁気記録媒体は書込によって生じた僅かな偏光
面の回転角（０，５°程度）を読み出すため、磁気光学
効果によらない他の光記録媒体や磁気記録媒体に比べて
続出特性（代表的にはＣ／Ｎ比）が劣る。続出特性の改
良策の一つとして、記録膜と透明基板との間に、あるい
は薄い透過性の記録膜の場合には更に記録膜とその背後
の反射膜との間に、高屈折率を有する物質から成る干渉
層を設けることによって回転角を実質的に大きくする（
１°程度）ことが提案されている。干渉層を槽底する物
質としても、窒化物、酸化物、硫化物等が用いられ、同
一物質の層で保護膜および干渉層を兼ねさせることもで
きる。干渉層は干渉が起きる最適厚さに形成される。
面の回転角（０，５°程度）を読み出すため、磁気光学
効果によらない他の光記録媒体や磁気記録媒体に比べて
続出特性（代表的にはＣ／Ｎ比）が劣る。続出特性の改
良策の一つとして、記録膜と透明基板との間に、あるい
は薄い透過性の記録膜の場合には更に記録膜とその背後
の反射膜との間に、高屈折率を有する物質から成る干渉
層を設けることによって回転角を実質的に大きくする（
１°程度）ことが提案されている。干渉層を槽底する物
質としても、窒化物、酸化物、硫化物等が用いられ、同
一物質の層で保護膜および干渉層を兼ねさせることもで
きる。干渉層は干渉が起きる最適厚さに形成される。
従来、種々の物質による保護膜および干渉層が提案され
ているが、いずれも十分な読出特性と続出安定性とが同
時に得られないという問題があった。
ているが、いずれも十分な読出特性と続出安定性とが同
時に得られないという問題があった。
本発明は、耐環境性と続出特性とを十分に確保し、同時
に続出安定性を向上させた光磁気記録媒体を提供するこ
とを目的とする。
に続出安定性を向上させた光磁気記録媒体を提供するこ
とを目的とする。
上記の目的は、本発明によれば、基板上に光磁気記録膜
、保護膜、および干渉層を設けて成る光磁気記録媒体に
おいて、Ｔｂ−３ｉ○２から成る保護膜を有し、屈折率
、熱伝導率および熱膨張係数の少なくとも一つがＴｂ５
ｉ０２よりも大きい誘電体から戊る干渉層を有すること
を特徴とする光磁気記録媒体によって達成される。
、保護膜、および干渉層を設けて成る光磁気記録媒体に
おいて、Ｔｂ−３ｉ○２から成る保護膜を有し、屈折率
、熱伝導率および熱膨張係数の少なくとも一つがＴｂ５
ｉ０２よりも大きい誘電体から戊る干渉層を有すること
を特徴とする光磁気記録媒体によって達成される。
第１図に、保護膜として用いられている各種の誘電体に
ついて、記録膜を外界の影響から保護する保護効果を比
較した結果を示す。本発明の光磁気記録媒体は、同図に
示されるように極めて高い保護効果を有するＴ ｂ −
Ｓ ｉ ０２の保護膜を設けたことにより、耐環境性を
十分に確保する。
ついて、記録膜を外界の影響から保護する保護効果を比
較した結果を示す。本発明の光磁気記録媒体は、同図に
示されるように極めて高い保護効果を有するＴ ｂ −
Ｓ ｉ ０２の保護膜を設けたことにより、耐環境性を
十分に確保する。
第１表に、保護膜あるいは干渉層として用いられている
種々の誘電体について熱伝導率、屈折率および熱膨張率
を示す。
種々の誘電体について熱伝導率、屈折率および熱膨張率
を示す。
以下余白
第１表
Ｔｂ ５１０２は、第１図に示したように極めて優れ
た保護効果を有するが、第１表に示したように熱伝導率
が小さいので続出時に照射されたレーザビームの熱が逃
げ難いため続出安定性が小さい。一方、例えば同表中の
窒化シリコン、窒化アルミニウム等は屈折率が大きいの
で干渉層としては優れているが、Ｔｂ−ＳｉＯ２に比べ
て保護効果が劣り、また−船釣な製膜方法である反応性
スパッタ等によって安定した保護膜として作製するのが
困難である。
た保護効果を有するが、第１表に示したように熱伝導率
が小さいので続出時に照射されたレーザビームの熱が逃
げ難いため続出安定性が小さい。一方、例えば同表中の
窒化シリコン、窒化アルミニウム等は屈折率が大きいの
で干渉層としては優れているが、Ｔｂ−ＳｉＯ２に比べ
て保護効果が劣り、また−船釣な製膜方法である反応性
スパッタ等によって安定した保護膜として作製するのが
困難である。
本発明においては、屈折率、熱伝導率、および／または
熱膨張率がＴｂ−３ｉ○２よりも大きい誘電体の干渉層
を設けたことにより、続出特性を十分に確保しながら続
出安定性を向上させる。
熱膨張率がＴｂ−３ｉ○２よりも大きい誘電体の干渉層
を設けたことにより、続出特性を十分に確保しながら続
出安定性を向上させる。
すなわち、熱伝導率がＴｂ ５１０２より大きい誘電
体を干渉層として用いた場合には、続出時のレーデビー
ム照射の熱の放散が促進されるので、繰り返し読み出し
による記録信号の劣化が防止され続出安定性が向上する
。この場合、熱伝導率のみでなく屈折率もＴｂ ５ｔ
０２より大きい誘電体を用いれば、続出安定性のみでな
く続出特性をも向上させることができる。このような誘
電体としては、例えば第１表中の窒化シリコン（Ｓｉ３
Ｎ、）、窒化アルミニウム（Ａｊ！Ｎ＞、窒化硼素（Ｂ
Ｎ）等、あるいは同表中に示していないがＴｂ−窒化シ
リコン等を用いることができる。
体を干渉層として用いた場合には、続出時のレーデビー
ム照射の熱の放散が促進されるので、繰り返し読み出し
による記録信号の劣化が防止され続出安定性が向上する
。この場合、熱伝導率のみでなく屈折率もＴｂ ５ｔ
０２より大きい誘電体を用いれば、続出安定性のみでな
く続出特性をも向上させることができる。このような誘
電体としては、例えば第１表中の窒化シリコン（Ｓｉ３
Ｎ、）、窒化アルミニウム（Ａｊ！Ｎ＞、窒化硼素（Ｂ
Ｎ）等、あるいは同表中に示していないがＴｂ−窒化シ
リコン等を用いることができる。
また、熱膨張率がＴｂ−３ｉ○２よりも大きい誘電体を
干渉層として用いた場合には、スパッタ製膜時の温度と
室温との温度差により記録膜中に応力が発生し、これに
より記録膜の磁気異方性が大きくなる結果、記録されて
いる信号の劣化が抑制され、続出安定性が向上する。こ
のような誘電体としては、第１表中の殆どのものが該当
するが、特に熱膨張率の大きい誘電体として酸化アルミ
ニウム（，１２０３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、
−酸化シリコン（Ｓｉｎ）等が望ましく、熱膨張率のみ
でなく屈折率もＴｂ−３ｉ○２より大きい酸化ジルコニ
ウム（Ｚｒ○、）、酸化チタン（ＴｉＯ□）等が更に望
ましい。
干渉層として用いた場合には、スパッタ製膜時の温度と
室温との温度差により記録膜中に応力が発生し、これに
より記録膜の磁気異方性が大きくなる結果、記録されて
いる信号の劣化が抑制され、続出安定性が向上する。こ
のような誘電体としては、第１表中の殆どのものが該当
するが、特に熱膨張率の大きい誘電体として酸化アルミ
ニウム（，１２０３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、
−酸化シリコン（Ｓｉｎ）等が望ましく、熱膨張率のみ
でなく屈折率もＴｂ−３ｉ○２より大きい酸化ジルコニ
ウム（Ｚｒ○、）、酸化チタン（ＴｉＯ□）等が更に望
ましい。
更に、本発明の干渉層として用いる誘電体としては、熱
伝導率、屈折率、および熱膨張率の全てがＴｂ５ｘ０２
よりもかなり大きい窒化シリコン（ｓ １３Ｎ４） 、
窒化アルミニウム（ＡｆＮ）、窒化硼素（ＢＮ）等の窒
化物、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の酸化物等が特に望ま
しい。
伝導率、屈折率、および熱膨張率の全てがＴｂ５ｘ０２
よりもかなり大きい窒化シリコン（ｓ １３Ｎ４） 、
窒化アルミニウム（ＡｆＮ）、窒化硼素（ＢＮ）等の窒
化物、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の酸化物等が特に望ま
しい。
また、本発明の光磁気記録媒体は、典型的には基板上に
干渉層、その上に記録膜、その上にＴｂ−３ｉ○２保護
膜を形成した膜構成を有するが、基板と干渉層との間に
もＴｂ−３ｉ○２の保護膜を設けることにより、保護効
果が一層向上する。
干渉層、その上に記録膜、その上にＴｂ−３ｉ○２保護
膜を形成した膜構成を有するが、基板と干渉層との間に
もＴｂ−３ｉ○２の保護膜を設けることにより、保護効
果が一層向上する。
以下に実施例により本発明をより詳しく説明する。
〔実施例１〕
第２図に示す膜構成の本発明に従った光磁気ディスクを
作製した。
作製した。
ガラス基板１１上に、窒化シリコンの干渉層１２ （厚
さ９０ｎｍ）、その上にＤｙ２６Ｆｅ５９Ｃ０１５アモ
ルファス合金の光磁気記録膜１３（厚さ９０ｎｍ）、そ
の上にＴ ｂ −Ｓ ｔ ０２の保護膜１４（厚さ９０
ｎｍ）を何れもスパッタによって形成した。
さ９０ｎｍ）、その上にＤｙ２６Ｆｅ５９Ｃ０１５アモ
ルファス合金の光磁気記録膜１３（厚さ９０ｎｍ）、そ
の上にＴ ｂ −Ｓ ｔ ０２の保護膜１４（厚さ９０
ｎｍ）を何れもスパッタによって形成した。
作製した光磁気ディスクに、線速１０ｍ、ビット長１μ
ｍで信号を記録し、Ｃ／Ｎ比５０ｄＢを得た。
ｍで信号を記録し、Ｃ／Ｎ比５０ｄＢを得た。
また、記録したビット（ビット長１μｍ）にレーザビー
ムを照射し、信号の劣化を測定したところ、しきい値パ
ワー（信号を記録できる最小のレーザパワー）の５０％
まで信号の劣化が認められなかった。
ムを照射し、信号の劣化を測定したところ、しきい値パ
ワー（信号を記録できる最小のレーザパワー）の５０％
まで信号の劣化が認められなかった。
〔実施例２〕
第３図に示す膜構成の本発明に従った光磁気ディスクを
作製した。
作製した。
ポリカーボネート基板２１上に、Ｔｂ−３ｉ○２の保護
膜２２ （厚さ２０ｎｍ）、その上に窒化シリコンの干
渉層２３ （厚さ７０ ｎｍ） 、その上にＴｂ２０Ｆ
ｅ７２Ｃｏ８アモルファス合金の光磁気記録膜２４ （
厚さ９０ｎｍ）、その上にＴｂ５１０２の保護膜２５〈
厚さ９０ｎｍ）を何れもスパッタによって形成した。
膜２２ （厚さ２０ｎｍ）、その上に窒化シリコンの干
渉層２３ （厚さ７０ ｎｍ） 、その上にＴｂ２０Ｆ
ｅ７２Ｃｏ８アモルファス合金の光磁気記録膜２４ （
厚さ９０ｎｍ）、その上にＴｂ５１０２の保護膜２５〈
厚さ９０ｎｍ）を何れもスパッタによって形成した。
作製した光磁気ディスクに、線速１０ｍ１ビツト長１μ
ｍで信号を記録し、Ｃ／Ｎ比５１ｄＢを得た。
ｍで信号を記録し、Ｃ／Ｎ比５１ｄＢを得た。
また、記録したビット（ビット長１μｍ〉にレーザビー
ムを照射し、信号の劣化を測定したところ、しきい値パ
ワーの５５％まで信号の劣化が認められなかった。
ムを照射し、信号の劣化を測定したところ、しきい値パ
ワーの５５％まで信号の劣化が認められなかった。
〔実施例３〕
第４図に示す膜構成の本発明に従った光磁気ディスクを
作製した。
作製した。
ガラス基板３１上に、酸化ジルコニウムの干渉層３２
（厚さ７０ｎｍ）、その上にＤｙ２５Ｆｅ６０Ｃｏ １
５アモルファス合金の光磁気記録膜３３（厚さ９０ｎｍ
）、その上にＴｂ ５ｔ０２の保護膜３４ （厚さ９
０ｎｍ）を何れもスパッタによって形成した。
（厚さ７０ｎｍ）、その上にＤｙ２５Ｆｅ６０Ｃｏ １
５アモルファス合金の光磁気記録膜３３（厚さ９０ｎｍ
）、その上にＴｂ ５ｔ０２の保護膜３４ （厚さ９
０ｎｍ）を何れもスパッタによって形成した。
作製した光磁気ディスクに、線速１０ｍ、ビット長１μ
ｍで信号を記録し、Ｃ／Ｎ比５０ｄＢを得た。
ｍで信号を記録し、Ｃ／Ｎ比５０ｄＢを得た。
記録膜の磁気異方性が６０％大きくなった。
また、記録したビット （ビット長１μｍ）にレーザビ
ームを照射し、信号の劣化を測定したところ、しきい値
パワーの６０％まで信号の劣化が認められなかった。
ームを照射し、信号の劣化を測定したところ、しきい値
パワーの６０％まで信号の劣化が認められなかった。
〔実施例４〕
第５図に示す膜構成の本発明に従った光磁気ディスクを
作製した。
作製した。
ガラス基板４１上に、Ｔｂ−３ｉ○２の保護膜４２ （
厚さ２０ｎｍ）、その上に酸化アルミニウムの干渉層４
３ （厚さ７０ｎｍ）、その上にＴｂ２０Ｆｅ７２Ｃｏ
８アモルファス合金の光磁気記録膜４４ （厚さ９０ｎ
ｍ）、その上にＴｂ−３ｉ○２の保護膜４５ （厚さ９
０ｎｍ）を何れもスパッタによって形成した。
厚さ２０ｎｍ）、その上に酸化アルミニウムの干渉層４
３ （厚さ７０ｎｍ）、その上にＴｂ２０Ｆｅ７２Ｃｏ
８アモルファス合金の光磁気記録膜４４ （厚さ９０ｎ
ｍ）、その上にＴｂ−３ｉ○２の保護膜４５ （厚さ９
０ｎｍ）を何れもスパッタによって形成した。
作製した光磁気ディスクに、線速１０ｍ１ビツト長１μ
ｍで信号を記録し、Ｃ／Ｎ比５１ｄＢを得た。
ｍで信号を記録し、Ｃ／Ｎ比５１ｄＢを得た。
記録膜の磁気異方性が５０％大きくなった。
また、記録したビット（ビット長１μｍ）にレーデビー
ムを照射し、信号の劣化を測定したところ、しきい値パ
ワーの５５％まで信号の劣化が認められなかった。
ムを照射し、信号の劣化を測定したところ、しきい値パ
ワーの５５％まで信号の劣化が認められなかった。
〔比較例１〕
第６図に示す膜構成の従来の光磁気ディスクを作製した
。
。
ガラス基板５１上に、Ｔｂ−３ｉ○２の干渉層５２ （
厚さ９０ｎｍ）、その上にＤｙ２６Ｆｅ５９Ｃ○１５ア
モルファス合金の光磁気記録膜５３（厚さ９０ｎｍ）、
その上にＴｂ ＳｉＯ２の保護膜５４ （厚さ９０ｎ
ｍ）を何れもスパッタによって形成した。
厚さ９０ｎｍ）、その上にＤｙ２６Ｆｅ５９Ｃ○１５ア
モルファス合金の光磁気記録膜５３（厚さ９０ｎｍ）、
その上にＴｂ ＳｉＯ２の保護膜５４ （厚さ９０ｎ
ｍ）を何れもスパッタによって形成した。
作製した光磁気ディスクに、線速１０ｍ１ビツト長１μ
ｍで信号を記録し、Ｃ／Ｎ比４８ｄＢを得た。
ｍで信号を記録し、Ｃ／Ｎ比４８ｄＢを得た。
また、記録したビット（ビット長１μｍ〉にレーザビー
ムを照射し、信号の劣化を測定したところ、しきい値パ
ワーの３０％で信号の劣化カ月忍められた。
ムを照射し、信号の劣化を測定したところ、しきい値パ
ワーの３０％で信号の劣化カ月忍められた。
〔比較例２〕
第７図に示す膜構成の従来の光磁気ディスクを作製した
。
。
ポリカーボネート基板６１上に、Ｔｂ−３ｉ○２の干渉
層６２ （厚さ９０ｎｍ）、その上にＴｂ２０Ｆｅ７２
Ｃｏ８アモルファス合金の光磁気記録膜６３（厚さ９０
ｎｍ）、その上にＴｂ−３ｉ○２の保護膜６４ （厚さ
９０ｎｍ）を何れもスパッタによって形成した。
層６２ （厚さ９０ｎｍ）、その上にＴｂ２０Ｆｅ７２
Ｃｏ８アモルファス合金の光磁気記録膜６３（厚さ９０
ｎｍ）、その上にＴｂ−３ｉ○２の保護膜６４ （厚さ
９０ｎｍ）を何れもスパッタによって形成した。
作製した光磁気ディスクに、線速１０ｍ、ビット長１μ
ｍで信号を記録し、Ｃ／Ｎ比４９ｄＢを得た。
ｍで信号を記録し、Ｃ／Ｎ比４９ｄＢを得た。
また、記録したビット（ビット長１μｍ）にレーザビー
ムを照射し、信号の劣化を測定したところ、しきい値パ
ワーの４０％で信号の劣化が認められた。
ムを照射し、信号の劣化を測定したところ、しきい値パ
ワーの４０％で信号の劣化が認められた。
以上説明したように、本発明によれば、光磁気記録媒体
の耐環境性と続出特性とを十分に確保し、同時に続出安
定性を著しく向上させることができる。更に、干渉層と
して屈折率も大きい誘電体を用いることによって、続出
安定性のみでなく続出特性をも大幅に向上させることが
できる。
の耐環境性と続出特性とを十分に確保し、同時に続出安
定性を著しく向上させることができる。更に、干渉層と
して屈折率も大きい誘電体を用いることによって、続出
安定性のみでなく続出特性をも大幅に向上させることが
できる。
第１図は、各種誘電体の保護効果を比較して示すグラフ
、 第２図〜第５図は、それぞれ本発明に従った光磁気ディ
スクの膜構成を示す断面図、および第６図および第７図
は、それぞれ従来の光磁気ディスクの膜構成を示す断面
図である。 １１．２１．３１．４１．５１．６１・・・基板、１２
．２３，３２，４３．５２．６２・・・干渉層、１３．
２４，３３，４４．５３．６３・・・記録膜、１４．２
２．２５．３４．４２，４５．５４．６４・・・保護膜
。
、 第２図〜第５図は、それぞれ本発明に従った光磁気ディ
スクの膜構成を示す断面図、および第６図および第７図
は、それぞれ従来の光磁気ディスクの膜構成を示す断面
図である。 １１．２１．３１．４１．５１．６１・・・基板、１２
．２３，３２，４３．５２．６２・・・干渉層、１３．
２４，３３，４４．５３．６３・・・記録膜、１４．２
２．２５．３４．４２，４５．５４．６４・・・保護膜
。
Claims (1)
- １、基板上に光磁気記録膜、保護膜、および干渉層を設
けて成る光磁気記録媒体において、Ｔｂ−ＳｉＯ＿２か
ら成る保護膜を有し、屈折率、熱伝導率および熱膨張係
数の少なくとも一つがＴｂ−ＳｉＯ＿２よりも大きい誘
電体から成る干渉層を有することを特徴とする光磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31888489A JPH03183044A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31888489A JPH03183044A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183044A true JPH03183044A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=18104041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31888489A Pending JPH03183044A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03183044A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6802073B1 (en) * | 1999-06-11 | 2004-10-05 | Tosoh Corporation | Magneto-optical recording medium |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP31888489A patent/JPH03183044A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6802073B1 (en) * | 1999-06-11 | 2004-10-05 | Tosoh Corporation | Magneto-optical recording medium |
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