JPH03183142A - 半導体集積装置 - Google Patents
半導体集積装置Info
- Publication number
- JPH03183142A JPH03183142A JP1322014A JP32201489A JPH03183142A JP H03183142 A JPH03183142 A JP H03183142A JP 1322014 A JP1322014 A JP 1322014A JP 32201489 A JP32201489 A JP 32201489A JP H03183142 A JPH03183142 A JP H03183142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- passivation
- opening
- film
- opened
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体集積装置の電極用パッドが、外部へ電
気的接続をする為のパシベーション膜の開口に関する。 〔従来の技術］ ＬＳＩなどの半導体集積装置は、雰囲気の湿度や不純物
などからの特性変化を防ぐため、表面をシリコン酸化膜
などのパシベーション膜で覆っている。そして、電極用
パッド部は外部との電気的接続を必要とする為、前記パ
シベーション膜を開口させている。 従来より、電極用パッド部のパシベーション膜の開口は
、電極用パッド１ケにつき１ケ所設けていた。この事を
第３図を用いて説明する。１１ｉ、１１２．１１３は電
極用パッドの信号が伝わる金属部で普通アルミ材が使わ
れている。２０４．２０５．２０６はパシベーション膜
が開口されている部分を示す、外部への電気的接続は、
パシベーション開口２０４，２０５，２０６へ、ワイヤ
ーボンディング等により行なわれている。 ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら従来例の場合は以下に示す問題点があった
。パシベーション膜の厚みは２〜３μｍであり、この厚
みは半導体集積装置製造時に造られる他の酸化膜などに
比べて一番厚い、この為、フォトエツチング法により、
パシベーション膜を開口させると、開口寸法は数μｍの
精度でばらりいてしまう、四角形の開口部の場合には、
特に四隅の寸法が１０μｍのオーダーでばらついてしま
う、外部との電気的接続は、パシベーション膜の開口部
へワイヤーボンディング等により行なわれるが、このワ
イヤーボンディングの電極用パッドへの接合強度は、パ
シベーション開口部の大きさに比例する。従って、所定
の接合強度を得る為に、前述したパシベーション膜開口
時のばらつきを加えた大きさに設計しなければならない
、従って、電極パッド部の微細化、高精細化が難かしい
。 本発明は上述の問題点を解決する６のであり。 その目的とする所は、微細化、高精細化が可能な電極パ
ッド構造を提供するものである。 ［課題を解決するための手段］ 上述した問題点を解決するため、本発明は電極用パッド
と、該電極用パッドが電気的接続をするためのパシベー
ション膜開口において、複数の該電極用パッドをひとつ
の該パシベーション膜開口により開けた事を特徴とする
。 【実 施 例Ｊ 以下に本発明の詳細な説明する。第１図は本発明の一実
施例を示す電極パッドの配置図である。１０１，１０２
，１０３，１０４，１０５は電極用パッドで通常アルミ
ニウムが使われている。２０１はパシベーション膜開口
部を示す、該パシベーション開口は、フォトエツチング
法で行なわれる。第１図の実施例では１０１〜１０５の
５つの電極用パッドを、ひとつのパシベーション開口部
２０１によって開けている例を示してい６．３０１はパ
シベーション開口部２０１の開口時に使用したエツチン
グ液で溶解しない膜が敷かれている領域を示す、半導体
集積装置の製造時。 パシベーション開口部２０１はフォトエツチング法によ
り弗酸等のエツチング液を用いて開口されるが、パッド
開口が金属外に及ぶため、このエツチング液は、パッド
電極下の酸化膜を溶かしてしまう、そこで本発明では、
このエツチング液に溶解しない多結晶シリコン、有機膜
、あるいは窒化膜（Ｓ ｉ−Ｎ４ ）をパッド金属直下
の３０１の領域に敷き、前記エツチング液によりパシベ
ーション膜開口時に金属下の酸化シリコンがエツチング
され、信頼性面で悪影響が出るのを防止する。 他の実施例を第２図に示す、第２図は本発明の他の実施
例を示す電極パッドの配置図である。１０６．１０７．
１０８．１０９，１１０は電極用パッドで通常アルミニ
ウムが使われている。２０２．２０３はパシベーション
膜開口部を示す、電極パッド１０６と１０７の２つはパ
シベーション開口２０２のひとつによって開口されてい
る。電極パッド１０８．１０９．１１０の３つはパシベ
ーション膜開口２０３のひとつによって開口されている
。３０２はパシベーション膿開口部２０２．２０３の開
口時に使用したエツチング液で溶解しない膜が敷かれて
いる領域を示す、第２図の実施例では、隣接して配置さ
れた電極パッド１０６と１０７のグループと、他の隣接
された電極パッド１０８，１０９．１１０のグループ毎
にひとつのパシベーション膿開口によって開口されてい
る。このように、複数の電極パッドをグループに分け、
前記グループ毎にひとつのパシベーション膿開口で開口
させてちよい。 〔発明の効果Ｊ 本発明によれば、エツチング精度の悪いパシベーション
膜をパッド毎にエツチングする必要がないので、パッド
金属のエツチング精度で決まる幅までパッド間スペース
を縮めることができる。これは同一チップサイズならば
、従来に比べて２〜３倍のパッドを形成できることを意
味し、また、パッドそのものを小さくできれば極めて多
数のパッドを半導体集積装置上に形成できる。
気的接続をする為のパシベーション膜の開口に関する。 〔従来の技術］ ＬＳＩなどの半導体集積装置は、雰囲気の湿度や不純物
などからの特性変化を防ぐため、表面をシリコン酸化膜
などのパシベーション膜で覆っている。そして、電極用
パッド部は外部との電気的接続を必要とする為、前記パ
シベーション膜を開口させている。 従来より、電極用パッド部のパシベーション膜の開口は
、電極用パッド１ケにつき１ケ所設けていた。この事を
第３図を用いて説明する。１１ｉ、１１２．１１３は電
極用パッドの信号が伝わる金属部で普通アルミ材が使わ
れている。２０４．２０５．２０６はパシベーション膜
が開口されている部分を示す、外部への電気的接続は、
パシベーション開口２０４，２０５，２０６へ、ワイヤ
ーボンディング等により行なわれている。 ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら従来例の場合は以下に示す問題点があった
。パシベーション膜の厚みは２〜３μｍであり、この厚
みは半導体集積装置製造時に造られる他の酸化膜などに
比べて一番厚い、この為、フォトエツチング法により、
パシベーション膜を開口させると、開口寸法は数μｍの
精度でばらりいてしまう、四角形の開口部の場合には、
特に四隅の寸法が１０μｍのオーダーでばらついてしま
う、外部との電気的接続は、パシベーション膜の開口部
へワイヤーボンディング等により行なわれるが、このワ
イヤーボンディングの電極用パッドへの接合強度は、パ
シベーション開口部の大きさに比例する。従って、所定
の接合強度を得る為に、前述したパシベーション膜開口
時のばらつきを加えた大きさに設計しなければならない
、従って、電極パッド部の微細化、高精細化が難かしい
。 本発明は上述の問題点を解決する６のであり。 その目的とする所は、微細化、高精細化が可能な電極パ
ッド構造を提供するものである。 ［課題を解決するための手段］ 上述した問題点を解決するため、本発明は電極用パッド
と、該電極用パッドが電気的接続をするためのパシベー
ション膜開口において、複数の該電極用パッドをひとつ
の該パシベーション膜開口により開けた事を特徴とする
。 【実 施 例Ｊ 以下に本発明の詳細な説明する。第１図は本発明の一実
施例を示す電極パッドの配置図である。１０１，１０２
，１０３，１０４，１０５は電極用パッドで通常アルミ
ニウムが使われている。２０１はパシベーション膜開口
部を示す、該パシベーション開口は、フォトエツチング
法で行なわれる。第１図の実施例では１０１〜１０５の
５つの電極用パッドを、ひとつのパシベーション開口部
２０１によって開けている例を示してい６．３０１はパ
シベーション開口部２０１の開口時に使用したエツチン
グ液で溶解しない膜が敷かれている領域を示す、半導体
集積装置の製造時。 パシベーション開口部２０１はフォトエツチング法によ
り弗酸等のエツチング液を用いて開口されるが、パッド
開口が金属外に及ぶため、このエツチング液は、パッド
電極下の酸化膜を溶かしてしまう、そこで本発明では、
このエツチング液に溶解しない多結晶シリコン、有機膜
、あるいは窒化膜（Ｓ ｉ−Ｎ４ ）をパッド金属直下
の３０１の領域に敷き、前記エツチング液によりパシベ
ーション膜開口時に金属下の酸化シリコンがエツチング
され、信頼性面で悪影響が出るのを防止する。 他の実施例を第２図に示す、第２図は本発明の他の実施
例を示す電極パッドの配置図である。１０６．１０７．
１０８．１０９，１１０は電極用パッドで通常アルミニ
ウムが使われている。２０２．２０３はパシベーション
膜開口部を示す、電極パッド１０６と１０７の２つはパ
シベーション開口２０２のひとつによって開口されてい
る。電極パッド１０８．１０９．１１０の３つはパシベ
ーション膜開口２０３のひとつによって開口されている
。３０２はパシベーション膿開口部２０２．２０３の開
口時に使用したエツチング液で溶解しない膜が敷かれて
いる領域を示す、第２図の実施例では、隣接して配置さ
れた電極パッド１０６と１０７のグループと、他の隣接
された電極パッド１０８，１０９．１１０のグループ毎
にひとつのパシベーション膿開口によって開口されてい
る。このように、複数の電極パッドをグループに分け、
前記グループ毎にひとつのパシベーション膿開口で開口
させてちよい。 〔発明の効果Ｊ 本発明によれば、エツチング精度の悪いパシベーション
膜をパッド毎にエツチングする必要がないので、パッド
金属のエツチング精度で決まる幅までパッド間スペース
を縮めることができる。これは同一チップサイズならば
、従来に比べて２〜３倍のパッドを形成できることを意
味し、また、パッドそのものを小さくできれば極めて多
数のパッドを半導体集積装置上に形成できる。
第１図は本発明の一実施例を示す電極パッドの配置図。
第２図は本発明の他の実施例を示す電極パッドの配置図
。 第３図は従来技術例の電極パッド配置図。 １０１〜１１３・・・電極パッド ２０１〜２０６ ・ ・パシベーション開口部 ３０ ｌ。 ３０２ ・ ・エツチング液で溶解しな い膜 以 上
。 第３図は従来技術例の電極パッド配置図。 １０１〜１１３・・・電極パッド ２０１〜２０６ ・ ・パシベーション開口部 ３０ ｌ。 ３０２ ・ ・エツチング液で溶解しな い膜 以 上
Claims (1)
- 電極用パッドと、該電極用パッドが電気的接続をするた
めのパシベーション膜開口において、複数の該電極用パ
ッドをひとつの該パシベーション膜開口により開けたこ
とを特徴とする半導体集積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322014A JPH03183142A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 半導体集積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322014A JPH03183142A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 半導体集積装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183142A true JPH03183142A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=18138960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1322014A Pending JPH03183142A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 半導体集積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03183142A (ja) |
-
1989
- 1989-12-12 JP JP1322014A patent/JPH03183142A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3287346B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US5648684A (en) | Endcap chip with conductive, monolithic L-connect for multichip stack | |
| US5731222A (en) | Externally connected thin electronic circuit having recessed bonding pads | |
| US5366589A (en) | Bonding pad with circular exposed area and method thereof | |
| JP2005166692A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US5466956A (en) | Semiconductor integrated circuit device with electrode for measuring interlayer insulator capacitance | |
| JPH05343468A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07122604A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2597396B2 (ja) | シリコーンゴム膜のパターン形成方法 | |
| JP2003197850A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH03183142A (ja) | 半導体集積装置 | |
| JPS62261139A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04134854A (ja) | Ｉｃチップ間配線方法 | |
| JPH11243120A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH02184043A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH021917A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0653219A (ja) | 半導体装置 | |
| JP5430848B2 (ja) | 半導体素子、半導体装置、及びそれらの製造方法 | |
| JP2001189424A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS62183134A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3188023B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6041728Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5923530A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH03136351A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH04361566A (ja) | 半導体集積回路 |