JPH03184330A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03184330A JPH03184330A JP32151789A JP32151789A JPH03184330A JP H03184330 A JPH03184330 A JP H03184330A JP 32151789 A JP32151789 A JP 32151789A JP 32151789 A JP32151789 A JP 32151789A JP H03184330 A JPH03184330 A JP H03184330A
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- JP
- Japan
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- film
- oxide film
- transition element
- natural oxide
- niobium
- Prior art date
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関するもので、特に電
極膜の形成に使用されるものである。
極膜の形成に使用されるものである。
（従来の技術）
パワーデバイスにおいて半導体基板上に配線電極のため
の金属膜等を形成する際、真空蒸着法或いは、スパッタ
リング法により基板上に直接所望の金属膜を形成させて
いる。しかし、半導体基板は空気中に放置しておくだけ
で基板の表面に薄い自然酸化膜が形成される。かかる酸
化膜は絶縁体として働き、膜間の接触抵抗を大きくし素
子特性を悪くするという欠点がある。このため金属膜を
形成する工程前に自然酸化膜をフッ酸等で除去する工程
が採られている。しかし、自然酸化膜の除去工程におい
ては、除去不要部分にまで除去が進行してしまうおそれ
がある。例えば、パワーデバイスにおいては、裏面電極
形成工程前に半導体基板裏面の自然酸化膜を除去する工
程が行われているが、フッ酸等は除去の不要なデバイス
の表面にも作用するため加工精度の減少・歩留まりの低
下という問題がある。
の金属膜等を形成する際、真空蒸着法或いは、スパッタ
リング法により基板上に直接所望の金属膜を形成させて
いる。しかし、半導体基板は空気中に放置しておくだけ
で基板の表面に薄い自然酸化膜が形成される。かかる酸
化膜は絶縁体として働き、膜間の接触抵抗を大きくし素
子特性を悪くするという欠点がある。このため金属膜を
形成する工程前に自然酸化膜をフッ酸等で除去する工程
が採られている。しかし、自然酸化膜の除去工程におい
ては、除去不要部分にまで除去が進行してしまうおそれ
がある。例えば、パワーデバイスにおいては、裏面電極
形成工程前に半導体基板裏面の自然酸化膜を除去する工
程が行われているが、フッ酸等は除去の不要なデバイス
の表面にも作用するため加工精度の減少・歩留まりの低
下という問題がある。
（発明が解決しようとする課題）
このように従来技術においては上記のような問題点があ
った。本発明は、除去工程を行うことなく膜間の接触抵
抗を低く保ち、除去不要部分の除去による加工精度の減
少・歩留りの低下を防止するものである。
った。本発明は、除去工程を行うことなく膜間の接触抵
抗を低く保ち、除去不要部分の除去による加工精度の減
少・歩留りの低下を防止するものである。
〔発明の構成］
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、本発明は自然酸化膜が表面
に形成された半導体基板の自然酸化膜上にニオブ等の遷
移元素を堆積させ、このニオブ等の遷移元素よりなる膜
下の前記自然酸化膜を全て遷移元素の酸化物よりなる膜
に変換する工程とを具備する半導体装置の製造方法を提
供する。
に形成された半導体基板の自然酸化膜上にニオブ等の遷
移元素を堆積させ、このニオブ等の遷移元素よりなる膜
下の前記自然酸化膜を全て遷移元素の酸化物よりなる膜
に変換する工程とを具備する半導体装置の製造方法を提
供する。
（作用）
このように構成されたものにおいては、半導体基板表面
に形成された自然酸化膜上にニオブを堆積させることに
より自然酸化膜とニオブとが反応しニオブ酸化物ができ
る。このニオブ酸化物は抵抗が低いため膜間の接触抵抗
を減少させることができる。
に形成された自然酸化膜上にニオブを堆積させることに
より自然酸化膜とニオブとが反応しニオブ酸化物ができ
る。このニオブ酸化物は抵抗が低いため膜間の接触抵抗
を減少させることができる。
（実施例）
本発明の実施例を以下に述べる。第１図は本発明におけ
る半導体装置の製造方法の各工程の断面図である。半導
体基板１上に自然酸化膜２（膜厚３０人程度）が形成さ
れた状態において（第１図（ａ）） 、スパッタリング
法によりニオブ膜３を１０００人程度形成する（第１図
（ｂ））。この上に所望の金属膜４（例えばニッケル）
を形成し、パワーデバイスの裏面電極等として用いる。
る半導体装置の製造方法の各工程の断面図である。半導
体基板１上に自然酸化膜２（膜厚３０人程度）が形成さ
れた状態において（第１図（ａ）） 、スパッタリング
法によりニオブ膜３を１０００人程度形成する（第１図
（ｂ））。この上に所望の金属膜４（例えばニッケル）
を形成し、パワーデバイスの裏面電極等として用いる。
なお、金属膜４はニッケル・金等の金属多層膜であって
も良い。
も良い。
このように構成されたものにおいては金属膜形成工程に
おいて、半導体基板１上の自然酸化膜２を構成するシリ
コン酸化物とニオブ膜３を構成するニオブとが反応し、
ニオブ酸化膜５（ＮｂＯｘ）ができる（第１図（Ｃ））
。このニオブ酸化膜５を構成するニオブ酸化物は導電性
物質であることから、半導体基板１と金属膜・金属多層
膜４間との接触抵抗を低く保ち、良好な素子特性を得る
ことができる。具体的には、コンタクトホールを２０１
＋＋ｎとした場合、直接ニオブをスパッタした場合、接
触抵抗は０．８Ｘ１０−’（Ω・ｃｄ ）程度となり、
フッ酸により酸化膜を除去した場合と同程度の値が得ら
れることが分かった。このように自然酸化膜の存在によ
る問題を金属酸化膜形成工程において解決しているため
に、自然酸化膜除去工程を省略することができ、工程の
削減により歩留りの低下を防止を期待できる。さらに上
記除去工程が不要ゆえに、除去不要部分にフッ酸等が作
用することがないため、加工精度の減少のおそれがない
。
おいて、半導体基板１上の自然酸化膜２を構成するシリ
コン酸化物とニオブ膜３を構成するニオブとが反応し、
ニオブ酸化膜５（ＮｂＯｘ）ができる（第１図（Ｃ））
。このニオブ酸化膜５を構成するニオブ酸化物は導電性
物質であることから、半導体基板１と金属膜・金属多層
膜４間との接触抵抗を低く保ち、良好な素子特性を得る
ことができる。具体的には、コンタクトホールを２０１
＋＋ｎとした場合、直接ニオブをスパッタした場合、接
触抵抗は０．８Ｘ１０−’（Ω・ｃｄ ）程度となり、
フッ酸により酸化膜を除去した場合と同程度の値が得ら
れることが分かった。このように自然酸化膜の存在によ
る問題を金属酸化膜形成工程において解決しているため
に、自然酸化膜除去工程を省略することができ、工程の
削減により歩留りの低下を防止を期待できる。さらに上
記除去工程が不要ゆえに、除去不要部分にフッ酸等が作
用することがないため、加工精度の減少のおそれがない
。
なお、本発明は少なくとも、自然酸化膜がすべて反応す
ればよく必ずしもニオブは全て反応することを要しない
。
ればよく必ずしもニオブは全て反応することを要しない
。
さらに、ニオブの代わりに遷移元素のうちＲｅ。
Ｒｕ、Ｉ ｒ、Ｏｓ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｖ、Ｐｔを用
いた場合においても同様の効果がある。
いた場合においても同様の効果がある。
［発明の効果］
以上に述べてきたように、本発明によれば、自然酸化膜
を除去する工程を行うことなく接触抵抗を有効に低下せ
しめ、加工精度の向上・歩留まりの低下の防止を図るこ
とができる。
を除去する工程を行うことなく接触抵抗を有効に低下せ
しめ、加工精度の向上・歩留まりの低下の防止を図るこ
とができる。
第１図は本発明における半導体装置の製造方法の各工程
の断面図である。 ｉ・・・・・・半導体基板、２・・・・・・自然酸化膜
、３・・・・・・ニオブ、４・・・・・・金属膜、５・
・・・・・ニオブ酸化膜。
の断面図である。 ｉ・・・・・・半導体基板、２・・・・・・自然酸化膜
、３・・・・・・ニオブ、４・・・・・・金属膜、５・
・・・・・ニオブ酸化膜。
Claims (2)
- （１）自然酸化膜が形成された半導体基板上に遷移元素
を堆積させ、この遷移元素を前記自然酸化膜を構成する
酸化物と反応させることにより、前記遷移元素よりなる
膜下の前記自然酸化膜を全て遷移元素の酸化物よりなる
膜に変換する工程を有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - （２）請求項１において遷移元素をニオブとしたことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32151789A JPH03184330A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32151789A JPH03184330A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03184330A true JPH03184330A (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=18133453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32151789A Pending JPH03184330A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03184330A (ja) |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP32151789A patent/JPH03184330A/ja active Pending
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