JPH03185907A - 圧電素子 - Google Patents
圧電素子Info
- Publication number
- JPH03185907A JPH03185907A JP32460889A JP32460889A JPH03185907A JP H03185907 A JPH03185907 A JP H03185907A JP 32460889 A JP32460889 A JP 32460889A JP 32460889 A JP32460889 A JP 32460889A JP H03185907 A JPH03185907 A JP H03185907A
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- Japan
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- piezoelectric element
- layer
- electrode lead
- piezoelectric
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
圧電素子に関し、
とくに、ストリップ型の小形厚み振動子における電極接
続の信頼性を向上させることを目的とし、圧電体基板の
相対向する両主面に励振電極部が配設され、前記両面の
励振電極部のそれぞれの電極リード引出し部とセラミッ
ク基板上に形成された金属導体配線層とが導電性接着材
により接着接続されてなる圧電素子において、少なくと
も前記電極リード引出し部が最下層の密着金属層と最上
層の接続導体層とを備えるように圧電素子を構成する。
続の信頼性を向上させることを目的とし、圧電体基板の
相対向する両主面に励振電極部が配設され、前記両面の
励振電極部のそれぞれの電極リード引出し部とセラミッ
ク基板上に形成された金属導体配線層とが導電性接着材
により接着接続されてなる圧電素子において、少なくと
も前記電極リード引出し部が最下層の密着金属層と最上
層の接続導体層とを備えるように圧電素子を構成する。
本発明は圧電素子、とくに、LiTaO3回転X板を用
いるストリップ型の小形厚み振動子の電極構成に関する
。
いるストリップ型の小形厚み振動子の電極構成に関する
。
近年、ワードプロセッサやパソコンなどのOA機器や通
信機器の小形化にともなって、それらに使用する基準信
号の発生などの素子に極めて小形の圧電素子、たとえば
、圧電振動子が利用されるようになってきた。このよう
な圧電振動子は従来の水晶を圧電体とする代わりに、電
気機械結合係数の大きな新しい人工単結晶である。たと
えば、LiTa03(リチウム・タンタレート)などが
用いられるようになったが、素子の小形化のためにセラ
果ツタ基板上の金属導体配線層に、励振電極部のリード
引出し部を直接導電性接着材で接着して接続する場合が
多く、その接続信頼性の向上が求められている。
信機器の小形化にともなって、それらに使用する基準信
号の発生などの素子に極めて小形の圧電素子、たとえば
、圧電振動子が利用されるようになってきた。このよう
な圧電振動子は従来の水晶を圧電体とする代わりに、電
気機械結合係数の大きな新しい人工単結晶である。たと
えば、LiTa03(リチウム・タンタレート)などが
用いられるようになったが、素子の小形化のためにセラ
果ツタ基板上の金属導体配線層に、励振電極部のリード
引出し部を直接導電性接着材で接着して接続する場合が
多く、その接続信頼性の向上が求められている。
最近、LiTa0+単結晶は電気機械結合係数が大きく
、かつ、温度係数が比較的小さいので極めて小形の圧電
振動子や弾性表面波素子としてよく使用されるようにな
った。
、かつ、温度係数が比較的小さいので極めて小形の圧電
振動子や弾性表面波素子としてよく使用されるようにな
った。
たとえば、第6図は圧電素子の外観例を示す図である。
図中、■は圧電体基板で、たとえば、厚さ0.55mm
、巾1 mm、長さ8mmの長方形に加工した3゛回転
XカットのLiTaO3板、2゛は励振電極部で、圧電
体基板1の主面の一方の面に、たとえば、厚さ50nm
のNiCrを下地として、その上に厚さ200nmのA
uを蒸着し、通常のホトエツチング技術により、一方に
電極リード引出し部21゛ を設けた所定の電極パター
ン形状に形威しである。
、巾1 mm、長さ8mmの長方形に加工した3゛回転
XカットのLiTaO3板、2゛は励振電極部で、圧電
体基板1の主面の一方の面に、たとえば、厚さ50nm
のNiCrを下地として、その上に厚さ200nmのA
uを蒸着し、通常のホトエツチング技術により、一方に
電極リード引出し部21゛ を設けた所定の電極パター
ン形状に形威しである。
22゛ は素子固定部で、前記圧電体基板1の他方の端
に前記励振電極部2゛とは切り離されて設けられ、膜構
成は前記励振電極部2゛と同一で、かつ、ホトエツチン
グ技術で同時形成されたものである。
に前記励振電極部2゛とは切り離されて設けられ、膜構
成は前記励振電極部2゛と同一で、かつ、ホトエツチン
グ技術で同時形成されたものである。
3°は圧電体基板1の主面の他方の面に被着された。同
じく、Au/NiCrの2層膜からなり、たとえば、前
記励振電極部2゛のものと反対方向に電極リード引出し
部31’ を設けである。素子固定部32”も同様に前
記素子固定部22゛ と反対側の端に形威されている。
じく、Au/NiCrの2層膜からなり、たとえば、前
記励振電極部2゛のものと反対方向に電極リード引出し
部31’ を設けである。素子固定部32”も同様に前
記素子固定部22゛ と反対側の端に形威されている。
第7図は圧電素子の素子搭載状態を示す断面図である。
図中、4は密着金属層で、前記圧電体基板1との密着性
をよくするために最下層に設けたたとえばNiCr膜、
6はAuを蒸着した導体膜である。
をよくするために最下層に設けたたとえばNiCr膜、
6はAuを蒸着した導体膜である。
9は、たとえばセラ稟ツク基板、8a、8bは金属導体
配線層で、たとえば、Ag−Pdからなる厚膜配線層で
ある。7a、7bは導電性接着材で、たとえば、Agペ
ーストである。
配線層で、たとえば、Ag−Pdからなる厚膜配線層で
ある。7a、7bは導電性接着材で、たとえば、Agペ
ーストである。
導電性接着材7a、7bは電極リード引出し部21°。
31゛ を゛金属導体配線層8a、8bに電気的に、ま
た、機械的に接続固定するためのものである。素子固定
部22”、32゛ は前記圧電素子1のセラミック基板
9への機械的固定を、より確実にするために設けられた
ものである。
た、機械的に接続固定するためのものである。素子固定
部22”、32゛ は前記圧電素子1のセラミック基板
9への機械的固定を、より確実にするために設けられた
ものである。
上記のような圧電素子の励振電極部2゛、3°に交番電
圧を印加すると、たとえば、この例では厚みすべり振動
が励起され、振動子として機能することができる。
圧を印加すると、たとえば、この例では厚みすべり振動
が励起され、振動子として機能することができる。
しかし、上記従来の圧電素子は電極リード引出し部21
’、31’ の最上層が金(Au)導体層6から構成さ
れており、このAu導体層6は導電性接着材7a、7b
であるAgペーストとの接着強度が非常に小さく、たと
えば、実測によると1g7mm”程度しかなく、振動子
のように素子表面が振動する場合には動作時間の経過と
ともに、接続抵抗の増大や接続の不安定性が生じるとい
う重大な問題があり、その解決が必要であった。
’、31’ の最上層が金(Au)導体層6から構成さ
れており、このAu導体層6は導電性接着材7a、7b
であるAgペーストとの接着強度が非常に小さく、たと
えば、実測によると1g7mm”程度しかなく、振動子
のように素子表面が振動する場合には動作時間の経過と
ともに、接続抵抗の増大や接続の不安定性が生じるとい
う重大な問題があり、その解決が必要であった。
上記の課題は、圧電体基板1の相対向する両主面に励振
電極部2および3が配設され、前記励振電極部2および
3のそれぞれの電極リード引出し部21および31と、
セラミック基板9上に形威された金属導体配線層8aお
よび8bとが導電性接着材7aおよび7bにより接着接
続されてなる圧電素子において、少なくとも前記電極リ
ード引出し部21および31が最下層の密着金属層4と
最上層の接続導体層5とを備えることを特徴とした圧電
素子によって解決することができる。
電極部2および3が配設され、前記励振電極部2および
3のそれぞれの電極リード引出し部21および31と、
セラミック基板9上に形威された金属導体配線層8aお
よび8bとが導電性接着材7aおよび7bにより接着接
続されてなる圧電素子において、少なくとも前記電極リ
ード引出し部21および31が最下層の密着金属層4と
最上層の接続導体層5とを備えることを特徴とした圧電
素子によって解決することができる。
本発明によれば、少なくとも電極リード引出し部21お
よび31の最上層に接続導体層5として、たとえば、P
d金属膜を形威しであるので、Agペーストとの接着強
度が5g/mm”と従来のAu金属層との接着強度に比
較して約5倍の強度が得られ、長時間の動作信頼性が著
しく向上するのである。
よび31の最上層に接続導体層5として、たとえば、P
d金属膜を形威しであるので、Agペーストとの接着強
度が5g/mm”と従来のAu金属層との接着強度に比
較して約5倍の強度が得られ、長時間の動作信頼性が著
しく向上するのである。
第1図は本発明の実施例を示す側面図である。
2は励振電極部で、圧電体基板1の主面の一方の面に、
たとえば、厚さ50nmのNiCrを密着金属層4とし
て最下層に設け、その上に厚さ1100nのPdを接続
導体層5としてスパッタリング法により最上層に形威し
、通常のホトエツチング技術により、一方に電極リード
引出し部21を設けた所定の電極パターン形状に形威し
である。22は素子固定部で前記圧電体基板1の他方の
端に前記励振電極部2とは切り離されて設けられ、膜構
成は前記励振電極部2と同一で、かつ、ホトエツチング
技術で同時形成されたものである。
たとえば、厚さ50nmのNiCrを密着金属層4とし
て最下層に設け、その上に厚さ1100nのPdを接続
導体層5としてスパッタリング法により最上層に形威し
、通常のホトエツチング技術により、一方に電極リード
引出し部21を設けた所定の電極パターン形状に形威し
である。22は素子固定部で前記圧電体基板1の他方の
端に前記励振電極部2とは切り離されて設けられ、膜構
成は前記励振電極部2と同一で、かつ、ホトエツチング
技術で同時形成されたものである。
3は圧電体基板1の主面の他方の面に被着された。同じ
< 、Pd/NiCrの同一構成、同一膜厚の2層膜か
らなる励振電極部で、たとえば、前記励振電極部2のも
のと反対方向に電極リード引出し部31を設けてあり、
素子固定部32も同様に前記素子固定部22と反対側の
端に形威されている。
< 、Pd/NiCrの同一構成、同一膜厚の2層膜か
らなる励振電極部で、たとえば、前記励振電極部2のも
のと反対方向に電極リード引出し部31を設けてあり、
素子固定部32も同様に前記素子固定部22と反対側の
端に形威されている。
なお、前記従来例の諸国面で説明したものと同等の部分
については同一符号を付し、かつ、同等部分についての
説明は省略する。
については同一符号を付し、かつ、同等部分についての
説明は省略する。
第2図は本発明実施例の素子搭載状態を示す断面図であ
る。
る。
科
本発明実施例では、導電性接着帯7a、7bであるAg
ペーストは電極リード引出し部21,31および素子固
定部22.32の最上層をなす接続導体層5であるPd
金属膜に接触して接着しているので、前記のごとく接着
強度は極めて強固である。
ペーストは電極リード引出し部21,31および素子固
定部22.32の最上層をなす接続導体層5であるPd
金属膜に接触して接着しているので、前記のごとく接着
強度は極めて強固である。
本図においても、前記従来例の諸国面で説明したものと
同等の部分については同一符号を付し、かつ、同等部分
についての説明は省略する。
同等の部分については同一符号を付し、かつ、同等部分
についての説明は省略する。
第3図は動作時間と累積故障率の関係を示す図で、縦軸
に累積故障率を横軸に動作時間をとっである。試験条件
は前記第1図で説明した圧電素子を、前記第2図に示し
たごとくに搭載し、1506Cの加速条件において、金
属導体配線層8a、8b間に4MHzの交番電圧を印加
して連続動作を行わせ、所定のレベルの振動が得られな
くなったら不良と判定した。
に累積故障率を横軸に動作時間をとっである。試験条件
は前記第1図で説明した圧電素子を、前記第2図に示し
たごとくに搭載し、1506Cの加速条件において、金
属導体配線層8a、8b間に4MHzの交番電圧を印加
して連続動作を行わせ、所定のレベルの振動が得られな
くなったら不良と判定した。
なお、参照試料として第7図に示した従来の電極構成に
よる圧電素子の累積故障率を破線の■に示した。従来例
では100時間ですでに不良が発生しはじめ、1000
時間では約10′&に達している。
よる圧電素子の累積故障率を破線の■に示した。従来例
では100時間ですでに不良が発生しはじめ、1000
時間では約10′&に達している。
これに対して、本発明実施例の場合は実線の■に示した
ごとく、1000時間を過ぎてようやく故障が発生しは
じめ、2000時間になっても故障の発生は1%以下で
、動作信頼性は大巾に改善されることが確認された。
ごとく、1000時間を過ぎてようやく故障が発生しは
じめ、2000時間になっても故障の発生は1%以下で
、動作信頼性は大巾に改善されることが確認された。
第4図は本発明の他の実施例を示す図である。
本実施例では最下層の密着金属層4である厚さ50nm
のNiCr膜と、最上層の接続導体層5である厚さ11
00nのPd金属膜の間に、たとえば、厚さ1100n
のAu導体層6を中間層として挿入したものである。固
有抵抗がPdの115程度のAuを中間層とすることに
より、使用目的により振動子の共振抵抗を小さくする必
要がある場合に、とくに有利である。
のNiCr膜と、最上層の接続導体層5である厚さ11
00nのPd金属膜の間に、たとえば、厚さ1100n
のAu導体層6を中間層として挿入したものである。固
有抵抗がPdの115程度のAuを中間層とすることに
より、使用目的により振動子の共振抵抗を小さくする必
要がある場合に、とくに有利である。
第5図は本発明のさらに他の実施例を示す図で、電極リ
ード引出し部21.31および素子固定部22.32に
だけ、最上層にPd金属膜からなる接続導体層5を設け
たもので、第4図の実施例の変形で同様の使用目的に好
適である。
ード引出し部21.31および素子固定部22.32に
だけ、最上層にPd金属膜からなる接続導体層5を設け
たもので、第4図の実施例の変形で同様の使用目的に好
適である。
以上の実施例では接続導体層5として、Pd金属膜を用
いたが、これに限定されるものではなく、他の金属、た
とえば、T−iなどを用いても同様の効果が得られる。
いたが、これに限定されるものではなく、他の金属、た
とえば、T−iなどを用いても同様の効果が得られる。
なお、以上述べた実施例は例を示したものであり、本発
明の趣旨に添うものである限り、上記実施例に示した以
外の素材、素子構成、あるいは、それらの組み合わせや
、また、膜形成技術についても他の方法を適宜用いて、
本発明の圧電素子を構成してよいことは言うまでもない
。
明の趣旨に添うものである限り、上記実施例に示した以
外の素材、素子構成、あるいは、それらの組み合わせや
、また、膜形成技術についても他の方法を適宜用いて、
本発明の圧電素子を構成してよいことは言うまでもない
。
以上詳しく述べたように、本発明によれば、少なくとも
電極リード引出し部21および31の最上層に接続導体
層5として、たとえば、Pd金属膜を形威しであるので
、Agペーストとの接着強度が5g/mm”と従来のA
u導体層6との接着強度0 に比較して約5倍の強度が得られ、圧電素子、たとえば
、圧電振動子の品質・信頼性の向上に寄与するところが
極めて大きい。
電極リード引出し部21および31の最上層に接続導体
層5として、たとえば、Pd金属膜を形威しであるので
、Agペーストとの接着強度が5g/mm”と従来のA
u導体層6との接着強度0 に比較して約5倍の強度が得られ、圧電素子、たとえば
、圧電振動子の品質・信頼性の向上に寄与するところが
極めて大きい。
第1図は本発明の実施例を示す側面図、第2図は本発明
実施例の素子搭載状態を示す断面図、 第3図は動作時間と累積故障率の関係を示す図、第4図
は本発明の他の実施例を示す図、第5図は本発明のさら
に他の実施例を示す図、第6図は圧電素子の外観例を示
す図、 第7図は従来の圧電素子の素子搭載状態を示す断面図で
ある。 図において、 1は圧電体基板、 2.3は励振電極部、 4は密着金属層、 5は接続導体層、 6はAu導体層、 1 7 (7a、7b)は導電性接着材、 8 (8a、8b)は金属導体配線層、9はセラミック
基板、 21.31は電極リード引出し部、 22.32は素子固定部である。 2 膨寥【旨・詐(×)
実施例の素子搭載状態を示す断面図、 第3図は動作時間と累積故障率の関係を示す図、第4図
は本発明の他の実施例を示す図、第5図は本発明のさら
に他の実施例を示す図、第6図は圧電素子の外観例を示
す図、 第7図は従来の圧電素子の素子搭載状態を示す断面図で
ある。 図において、 1は圧電体基板、 2.3は励振電極部、 4は密着金属層、 5は接続導体層、 6はAu導体層、 1 7 (7a、7b)は導電性接着材、 8 (8a、8b)は金属導体配線層、9はセラミック
基板、 21.31は電極リード引出し部、 22.32は素子固定部である。 2 膨寥【旨・詐(×)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 圧電体基板(1)の相対向する両主面に励振電極部(
2,3)が配設され、前記励振電極部(2,3)のそれ
ぞれの電極リード引出し部(21,31)とセラミック
基板(9)上に形成された金属導体配線層(8a,8b
)とが導電性接着材(7a,7b)により接着接続され
てなる圧電素子において、 少なくとも前記電極リード引出し部(21,31)が最
下層の密着金属層(4)と最上層の接続導体層(5)と
を備えることを特徴とした圧電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32460889A JPH03185907A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 圧電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32460889A JPH03185907A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 圧電素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185907A true JPH03185907A (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=18167719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32460889A Pending JPH03185907A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 圧電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03185907A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007096899A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片の製造方法、圧電振動片の接合構造、圧電デバイス |
| JP2009135749A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子及び圧電発振器 |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP32460889A patent/JPH03185907A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007096899A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片の製造方法、圧電振動片の接合構造、圧電デバイス |
| JP2009135749A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子及び圧電発振器 |
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