JPH03190022A - 真空インタラプタの製造方法 - Google Patents
真空インタラプタの製造方法Info
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- JPH03190022A JPH03190022A JP32912689A JP32912689A JPH03190022A JP H03190022 A JPH03190022 A JP H03190022A JP 32912689 A JP32912689 A JP 32912689A JP 32912689 A JP32912689 A JP 32912689A JP H03190022 A JPH03190022 A JP H03190022A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、真空インタラプタの製造方法に係り、特に電
極が低融点金属を含有している真空インタラプタの製造
方法に関したものである。
極が低融点金属を含有している真空インタラプタの製造
方法に関したものである。
B9発明の概要
本発明は、電極が低融点金属を含有している真空インタ
ラプタの最後の組立段階における気密ロウ付部にTi−
Alを主成分とするロウ材を用い、組立後に真空引きす
ることにより、ロウ付け強度、気密接合の向上を図った
ものである。
ラプタの最後の組立段階における気密ロウ付部にTi−
Alを主成分とするロウ材を用い、組立後に真空引きす
ることにより、ロウ付け強度、気密接合の向上を図った
ものである。
C8従来の技術
第4図は、この種真空インタラプタの従来の概略構成図
である。
である。
図中において、菫は固定側部材であり、固定電極IIを
内端に具備するり一ド棒12と、固定側端板13とを主
要な部材として構成している。2は可動側部材であり、
可動電極2Iを内端に具備するリード棒22と、可動側
端板23と、ベローズ24とを主要な部材として構成し
ている。、3はセラミックス等の部材からなる絶縁筒で
あり、3!は絶縁筒の内側に設けた金属シールドである
。
内端に具備するり一ド棒12と、固定側端板13とを主
要な部材として構成している。2は可動側部材であり、
可動電極2Iを内端に具備するリード棒22と、可動側
端板23と、ベローズ24とを主要な部材として構成し
ている。、3はセラミックス等の部材からなる絶縁筒で
あり、3!は絶縁筒の内側に設けた金属シールドである
。
このように構成した真空インタラプタは、可動電極21
を図中で上下方向に可動することにより電流の開閉を行
うものである。
を図中で上下方向に可動することにより電流の開閉を行
うものである。
このような構成からなる真空インタラプタの製造は、一
般には次のような手段によって製造される。
般には次のような手段によって製造される。
■第4図のように構成各部材の接合部に、板ロウ、線ロ
ウからなるロウ材41〜47を配置して仮組立し、これ
を真空炉に入れて加熱排気とロウ付けを同時に行って真
空インタラプタを一括して製造する。
ウからなるロウ材41〜47を配置して仮組立し、これ
を真空炉に入れて加熱排気とロウ付けを同時に行って真
空インタラプタを一括して製造する。
■第4図のように構成各部材の接合部に、板ロウ、線ロ
ウからなるロウ材41〜47を配置して仮組立し、これ
を非酸化性雰囲気中(例えば水素雰囲気)でロウ付けを
行い、その後図示省略の排気管を介して大気中にて加熱
排気して真空インタラプタを製造する。
ウからなるロウ材41〜47を配置して仮組立し、これ
を非酸化性雰囲気中(例えば水素雰囲気)でロウ付けを
行い、その後図示省略の排気管を介して大気中にて加熱
排気して真空インタラプタを製造する。
■固定側部材lと可動側部材2とを予め前工程で製造し
ておき、そして、絶縁筒3との間にロウ材42.47を
介在させて、真空中でロウ付けする。または、ロウ付け
後に真空引きして真空インタラプタを製造する。
ておき、そして、絶縁筒3との間にロウ材42.47を
介在させて、真空中でロウ付けする。または、ロウ付け
後に真空引きして真空インタラプタを製造する。
なお、前記■、■の場合には各所に同じロウ材(例えば
Cu系のロウ材)を配置し、■の場合には溶融点の異な
るロウ材(例えばCu系とAg系)を使用するのが一般
的である。
Cu系のロウ材)を配置し、■の場合には溶融点の異な
るロウ材(例えばCu系とAg系)を使用するのが一般
的である。
D9発明が解決しようとする課題
従来、真空インタラプタに要求される種々の特性を満た
すために電極に低融点金属、例えばBi(ビスマス)を
、0.1〜20重量%含有することが一般的に行われて
いる。
すために電極に低融点金属、例えばBi(ビスマス)を
、0.1〜20重量%含有することが一般的に行われて
いる。
しかし、電極がこのような低融点金属を含有している場
合には、ロウ付け時の温度(700〜1000℃)にて
電極より低融点金属の一部が蒸発することが知られてい
る。この蒸発した金属は、真空容器内部材に付着するば
かりか、その一部は溶融しているロウ材内に侵入してロ
ウ付け接合に悪影響を及ぼす問題がある。
合には、ロウ付け時の温度(700〜1000℃)にて
電極より低融点金属の一部が蒸発することが知られてい
る。この蒸発した金属は、真空容器内部材に付着するば
かりか、その一部は溶融しているロウ材内に侵入してロ
ウ付け接合に悪影響を及ぼす問題がある。
このような弊害の程度は、低融点金属の含有量との関係
もあるが、特に問題となるのは気密シール接合部である
。
もあるが、特に問題となるのは気密シール接合部である
。
つまり、機械的な接合強度は十分であったとしても気密
シール接合としては不十分なものとなってしまうおそれ
があるからである。
シール接合としては不十分なものとなってしまうおそれ
があるからである。
このような気密シール接合部としては、前述の第4図に
おける41.42,45,46.47のロウ材の部位が
各々該当する箇所であり、■真空炉中で一括組立する場
合には、これらのロウ材の箇所全部が該当する。しかも
、真空中で一括ロウ付けの場合には、高温加熱状態で真
空インタラプタ内が完全密閉となることから、蒸発した
Biが内部にこもりやすく、気密接合特性を一層悪化さ
せやすい問題がある。
おける41.42,45,46.47のロウ材の部位が
各々該当する箇所であり、■真空炉中で一括組立する場
合には、これらのロウ材の箇所全部が該当する。しかも
、真空中で一括ロウ付けの場合には、高温加熱状態で真
空インタラプタ内が完全密閉となることから、蒸発した
Biが内部にこもりやすく、気密接合特性を一層悪化さ
せやすい問題がある。
■前工程で固定側、可動側部材を予め製作しておき次工
程で一体化する場合には、42.47のロウ材の箇所が
該当する。
程で一体化する場合には、42.47のロウ材の箇所が
該当する。
E0課題を解決するための手段
発明者らは、種々実験を行った結果、Cu(銅)部材相
互の接合を、TiとAIとからなるロウ材で接合すれば
、ロウ付け部に低融点金属の侵入がなく気密接合ロウ付
けを確実にできることを見出した。換言すれば、真空イ
ンタラプタにおける気密シール接合部にTi−Alロウ
材を用いれば確実な気密シール接合ができることが判っ
た。また、TiまたはAIと共晶を作る材料を添加する
と、Ti、AIの拡散層を安定化でき、接合を一層確実
なものにできることも判明した。
互の接合を、TiとAIとからなるロウ材で接合すれば
、ロウ付け部に低融点金属の侵入がなく気密接合ロウ付
けを確実にできることを見出した。換言すれば、真空イ
ンタラプタにおける気密シール接合部にTi−Alロウ
材を用いれば確実な気密シール接合ができることが判っ
た。また、TiまたはAIと共晶を作る材料を添加する
と、Ti、AIの拡散層を安定化でき、接合を一層確実
なものにできることも判明した。
すなわち、ロウ付部にTi、AIの拡散層が存在するこ
とで、低融点金属の接合界面への侵入を効果的に防止で
き、安定にロウ付けできることが判った。
とで、低融点金属の接合界面への侵入を効果的に防止で
き、安定にロウ付けできることが判った。
更には、真空中で真空インタラプタを一括して製造する
のではなく、ロウ付け接合した後に真空排気(真空引き
)して製造すれば−層気密シール接合特性が安定である
ことが判った。
のではなく、ロウ付け接合した後に真空排気(真空引き
)して製造すれば−層気密シール接合特性が安定である
ことが判った。
従って、本発明は、真空インタラプタ一体化時における
気密シール接合部のロウ材として、Tiを20〜90重
量%含有するTi−Al合金ロウ材を用いたものである
。
気密シール接合部のロウ材として、Tiを20〜90重
量%含有するTi−Al合金ロウ材を用いたものである
。
なお、
(1)TiまたはAIのいずれかと共晶を作る材料から
なる第3成分を添加し、TiとAIとを合計で20重量
%以上含有し、且つ重量比で、Ti/AI=20/80
〜90/10とした合金ロウ材でも良い。この共晶を作
る材料(第3成分)としては、例えば、Cu(銅)、I
n(インジウム)、 Ni にッケル)、Mn(マンガ
ン)、Fe(鉄)のうちの少なくとも1種類が該当する
。
なる第3成分を添加し、TiとAIとを合計で20重量
%以上含有し、且つ重量比で、Ti/AI=20/80
〜90/10とした合金ロウ材でも良い。この共晶を作
る材料(第3成分)としては、例えば、Cu(銅)、I
n(インジウム)、 Ni にッケル)、Mn(マンガ
ン)、Fe(鉄)のうちの少なくとも1種類が該当する
。
(2)低融点金属としては、例えば、Bi(ビスマス)
、Sb(アンチモン)等の低融点金属として良く知られ
ている金属が該当する。
、Sb(アンチモン)等の低融点金属として良く知られ
ている金属が該当する。
(3)ロウ材の使用条件としては、
■ロウ材は温度は、900〜1000℃。
■ロウ材は雰囲気は、真空中、不活性ガス中。
■ロウ材の厚さは、0.02〜l 、 OIII。
とするのが好ましい。
(4)真空インタラプタの一体化としては、■固定側部
材、可動側部材を各々形成しておき、これらと絶縁筒と
を一体化する場合 ■固定側部材、可動側部材の一方と絶縁筒とを予め一体
化、し、その後全体を一体化する場合。
材、可動側部材を各々形成しておき、これらと絶縁筒と
を一体化する場合 ■固定側部材、可動側部材の一方と絶縁筒とを予め一体
化、し、その後全体を一体化する場合。
の何れかが該当する。
(5)電極は、前工程で予めリード棒にロウ付けしても
良い。また低融点金属の含有量が少ない電極とリード棒
との接合の場合は本発明で用いたTf−AIロウ材でな
く、従来一般的に使用されているCu−Mn−Ni等の
ロウ材であっても差し支えない。ただし、本発明で使用
したTiAlロウ材を用いるのが望ましい。
良い。また低融点金属の含有量が少ない電極とリード棒
との接合の場合は本発明で用いたTf−AIロウ材でな
く、従来一般的に使用されているCu−Mn−Ni等の
ロウ材であっても差し支えない。ただし、本発明で使用
したTiAlロウ材を用いるのが望ましい。
(6)本発明においては接合部がCuであれば良く、部
材全体がCu、またはCuを主成分とする材料である必
要はない。
材全体がCu、またはCuを主成分とする材料である必
要はない。
F0作用
ロウ付け時には真空インタラプタ内は完全密閉ではない
ので、蒸発したBi等の金属が内部にこもることは減少
し、しかもロウ付け接合部にTi。
ので、蒸発したBi等の金属が内部にこもることは減少
し、しかもロウ付け接合部にTi。
AIの拡散層が存在することで低融点金属の接合界面へ
の侵入を効果的に防止でき、低融点金属を含有する電極
を備えた真空インタラプタの気密シール接合を確実に且
つ信頼性の高いものにできる。
の侵入を効果的に防止でき、低融点金属を含有する電極
を備えた真空インタラプタの気密シール接合を確実に且
つ信頼性の高いものにできる。
G、実施例
本発明を以下の実施例に基づいて詳細に説明する。
まずロウ材の特性について調べた実験結果を説明する。
(実験例−り
Cuが50重櫃%、Crが40重量%、Biが10重量
%の成分からなる、低融点金属含有の金属部材と無酸素
鋼との接合例である。
%の成分からなる、低融点金属含有の金属部材と無酸素
鋼との接合例である。
(a)低融点金属を含有した部材についてI00メツシ
ュの粒径のCr(クロム)粉末を、アルミナ容器(内径
68u)に約160g入れ、このCr粉末上にCu−B
1合金(約400g)を載置し、容器に蓋をかぶせ、こ
れを真空炉内にて脱ガスと共にCu−B1合金の融点以
下の温度で加熱処理して、まずCr粒子を拡散結合させ
て多孔質の溶浸母材を形成する。
ュの粒径のCr(クロム)粉末を、アルミナ容器(内径
68u)に約160g入れ、このCr粉末上にCu−B
1合金(約400g)を載置し、容器に蓋をかぶせ、こ
れを真空炉内にて脱ガスと共にCu−B1合金の融点以
下の温度で加熱処理して、まずCr粒子を拡散結合させ
て多孔質の溶浸母材を形成する。
その後温度を上げて、Cu、Biを溶浸母材に溶浸させ
る。
る。
この際にアルミナ容器内は、Bi蒸気を含んだ雰囲気と
なり、Biを多量に含有した複合金属が得られる。
なり、Biを多量に含有した複合金属が得られる。
こうして得られた金属材料を、容器から取り出し、外面
を機械加工して所定の寸法形状にする。
を機械加工して所定の寸法形状にする。
(b)ロウ材について
325メツシユの粒径のTfとAIの粉末と、これらT
i、AIと共晶を作る第3成分としてのCu粉末(−3
25メツシユ)とを用意し、Tiが35重量%、AIが
30重量%、Cuが35重量%となるように混合する。
i、AIと共晶を作る第3成分としてのCu粉末(−3
25メツシユ)とを用意し、Tiが35重量%、AIが
30重量%、Cuが35重量%となるように混合する。
この混合粉末を非酸化性雰囲気中で加熱溶解し、得られ
たインゴットを圧延成形して、約0 、2 xmの箔状
のロウ材に加工する。
たインゴットを圧延成形して、約0 、2 xmの箔状
のロウ材に加工する。
(C)ロウ付けについて
上記ロウ材(T i −A I−Cu)を、Cu−Cr
−B4合金部材と、無酸素銅からなる部材との間に入れ
、これらをアルミナ容器内に設置し、且つ蓋をし、真空
炉にて加熱処理(980℃、15分間)して接合した。
−B4合金部材と、無酸素銅からなる部材との間に入れ
、これらをアルミナ容器内に設置し、且つ蓋をし、真空
炉にて加熱処理(980℃、15分間)して接合した。
(d)ロウ付けの結果について
上記のようにして得られた接合物は、強固に接合されて
おり、しかもロウ材も十分に流動していることが確認さ
れた。
おり、しかもロウ材も十分に流動していることが確認さ
れた。
また、X線マイクロアナライザにて接合部の断面を観察
すると、Ti、AIの拡散層によって、Biの界面への
析出は防止され、安定したロウ付け接合層が形成されて
いることが確認された。
すると、Ti、AIの拡散層によって、Biの界面への
析出は防止され、安定したロウ付け接合層が形成されて
いることが確認された。
(実験例−2〜38)
上述の実験例−1と同様な条件で、ロウ材の成分を変え
てロウ付け接合について調べた。その結果は第3図及び
下表に示す通りであった。
てロウ付け接合について調べた。その結果は第3図及び
下表に示す通りであった。
(以下余白)
なお、実験例−30〜35,37.38における、接合
強度は良好であり、引っ張り試験の結果、ロウ付け部で
はなく、接合した母材の部分が破壊する結果であった。
強度は良好であり、引っ張り試験の結果、ロウ付け部で
はなく、接合した母材の部分が破壊する結果であった。
従って、これらの結果から、■ロウ材をTiとAIとで
形成し、且つ両者の成分比(重量比)を、T i /
A Iが20/80〜90/10とすれば良いことが判
った。
形成し、且つ両者の成分比(重量比)を、T i /
A Iが20/80〜90/10とすれば良いことが判
った。
■Ti、AIと共晶を作る第3成分を添加すると、Ti
、AIの拡散層を安定化させる効果があり、含有させる
上限は80重量%であることが判った。
、AIの拡散層を安定化させる効果があり、含有させる
上限は80重量%であることが判った。
■好ましい組成は、TiとAIと共晶を作る材料(第3
成分)との組み合わせであり、且つ成分比(重量比)を
、 Ti /AI = 40/60〜80/20(Ti+A
I)/(第3成分) −20/80〜90/10とず
れば良いことが判った。
成分)との組み合わせであり、且つ成分比(重量比)を
、 Ti /AI = 40/60〜80/20(Ti+A
I)/(第3成分) −20/80〜90/10とず
れば良いことが判った。
(比較実験例)
比較のために一般的に知られている、AgCu−1n系
ロウ材、及びCu−Mn−Ni系ロウ材を用い、温度条
件を前者は800℃、後者は950℃とし、且つ他の条
件は上記実施例−1と同様にしてロウ付けを試みたが、
いずれも剥離し、ロウ付けができなかった。
ロウ材、及びCu−Mn−Ni系ロウ材を用い、温度条
件を前者は800℃、後者は950℃とし、且つ他の条
件は上記実施例−1と同様にしてロウ付けを試みたが、
いずれも剥離し、ロウ付けができなかった。
(一実施例)
上述の結果からTiを20〜90重量%含有するTi−
A1合金ロウ材であれば低融点金属を含有するCu(銅
)部材を直接接合しても十分な接合強度が得られること
が判ったので、このロウ材を用いて第1図に示す真空イ
ンタラプタを構成した。
A1合金ロウ材であれば低融点金属を含有するCu(銅
)部材を直接接合しても十分な接合強度が得られること
が判ったので、このロウ材を用いて第1図に示す真空イ
ンタラプタを構成した。
すなわち、第1図に示す真空インタラプタを構成するに
際して、まず第2図(a)に示す固定側部材1、及び第
2図(b)に示す可動側部材2を各々前工程で形成する
。
際して、まず第2図(a)に示す固定側部材1、及び第
2図(b)に示す可動側部材2を各々前工程で形成する
。
固定側部材lは、Cu(銅)からなる固定側端板13、
Cuからなるリード棒12、Cuからなる排気管14、
からなるもので、これらの各部材の間に、35Cu−3
5Ti−30AI(重量%)の成分からなるロウ材(板
状ロウ材、線状ロウ材)を配置して仮組立し、非酸化性
雰囲気中(真空中)にて約980℃の温度に加熱して接
合形成する。
Cuからなるリード棒12、Cuからなる排気管14、
からなるもので、これらの各部材の間に、35Cu−3
5Ti−30AI(重量%)の成分からなるロウ材(板
状ロウ材、線状ロウ材)を配置して仮組立し、非酸化性
雰囲気中(真空中)にて約980℃の温度に加熱して接
合形成する。
また、可動側部材2は、Cuからなる固定側端板23、
Cuからなるリード棒22.5US(ステンレス鋼)か
らなるベローズ24からなるもので、これらの各部材間
に、Cu−Mn−Niロウ材を配置して仮組立し、非酸
化性雰囲気中(真空中)にて約tooo℃の温度に加熱
して接合形成する。
Cuからなるリード棒22.5US(ステンレス鋼)か
らなるベローズ24からなるもので、これらの各部材間
に、Cu−Mn−Niロウ材を配置して仮組立し、非酸
化性雰囲気中(真空中)にて約tooo℃の温度に加熱
して接合形成する。
上述のように予め形成した固定側部材!と可動側部材2
とは、第1図に示すように、各リード棒12.22の内
端部にロウ材43.44(板状ロウ材)を介して、電極
(Cuが50重量%、Crが40重量%、Biが10重
量%の成分)を設けて仮組立する。また、両端部にCu
(銅)からなる補助部材131,231を備えた絶縁筒
3に各々ロウ材42.47(板状ロウ材)を介して仮組
立する。
とは、第1図に示すように、各リード棒12.22の内
端部にロウ材43.44(板状ロウ材)を介して、電極
(Cuが50重量%、Crが40重量%、Biが10重
量%の成分)を設けて仮組立する。また、両端部にCu
(銅)からなる補助部材131,231を備えた絶縁筒
3に各々ロウ材42.47(板状ロウ材)を介して仮組
立する。
これらロウ材は、74Cu−13Ti−13AI(重量
%)(実験例−37)であり、非酸化性雰囲気中(真空
)にて前述のロウ付け温度より低い温度の約920℃で
ロウ付け接合して所定の真空インタラプタを一体化構成
し、その後、加熱すると共に排気管14を介して真空引
きして排気し、排気管14をピンチオフすることにより
所望の真空インタラプタを得る。
%)(実験例−37)であり、非酸化性雰囲気中(真空
)にて前述のロウ付け温度より低い温度の約920℃で
ロウ付け接合して所定の真空インタラプタを一体化構成
し、その後、加熱すると共に排気管14を介して真空引
きして排気し、排気管14をピンチオフすることにより
所望の真空インタラプタを得る。
このようにして形成した真空インタラプタにおける端板
13.23と補助金具131,231とは強固に接合さ
れ、ヘリウム・リークデテクターにより調査した結果リ
ークの全く無いことが確認できた。
13.23と補助金具131,231とは強固に接合さ
れ、ヘリウム・リークデテクターにより調査した結果リ
ークの全く無いことが確認できた。
なお、ベローズとリード棒及び端板との間に従来から一
般的に使用されているCu−Mn−Niのロウ材を使用
したのは、本発明におけるCuTi−AlではSUSの
ロウ付けが安定していないことによるものであり、前述
のような構成の可動側部材2を構成する場合にあっては
、このロウ材の部分がBiの悪影響を受けることはほと
んど無いからである。
般的に使用されているCu−Mn−Niのロウ材を使用
したのは、本発明におけるCuTi−AlではSUSの
ロウ付けが安定していないことによるものであり、前述
のような構成の可動側部材2を構成する場合にあっては
、このロウ材の部分がBiの悪影響を受けることはほと
んど無いからである。
H,発明の効果
本発明は、Ti、AIを主成分としだロウ材を用いてい
ることから、ロウ付け部にTf、AIの拡散層を形成し
、この拡散層が低融点金属の接合界面への侵入を効果的
に防止できることから、低融点金属を含有(0,1〜2
0重量%)する電極を備えた真空インタラプタにおいて
も気密シール接合を確実且つ安定なものにできる。
ることから、ロウ付け部にTf、AIの拡散層を形成し
、この拡散層が低融点金属の接合界面への侵入を効果的
に防止できることから、低融点金属を含有(0,1〜2
0重量%)する電極を備えた真空インタラプタにおいて
も気密シール接合を確実且つ安定なものにできる。
しかも、Ti、AIと共晶を作る金属材料を添加すると
ロウ付け接合を一層安定に行うことができる。
ロウ付け接合を一層安定に行うことができる。
更には、真空インタラプタをロウ付け一体化した後に排
気管を介して真空引きして所望の真空インタラプタを得
るので、ロウ付け時には真空インタラプタ構成部材内は
、完全密閉体ではないので、蒸発したBi等の金属が内
部にこもることは減少し、気密シール接合を一層確実で
安定なものにできる。
気管を介して真空引きして所望の真空インタラプタを得
るので、ロウ付け時には真空インタラプタ構成部材内は
、完全密閉体ではないので、蒸発したBi等の金属が内
部にこもることは減少し、気密シール接合を一層確実で
安定なものにできる。
従って、真空インタラプタにおける信頼性、耐久性の向
上が図れ、品質向上に寄与できるものである。
上が図れ、品質向上に寄与できるものである。
第1図は、本発明の一実施例における真空インタラプタ
の概略構成図、第2図(a)、(b)は、第1図におけ
る真空インタラプタの部分組立図、第3図は、ロウ材の
各実施例における成分比と評価の説明図、第4図は、従
来の真空インタラプタの概略構成図である。 1・・・固定側部材、2・・・可動側部材、12.22
・・・リード棒、42,43,44.47・・・ロウ材
。 第2図(0) 郡分瓢立図 郡分粗立18
の概略構成図、第2図(a)、(b)は、第1図におけ
る真空インタラプタの部分組立図、第3図は、ロウ材の
各実施例における成分比と評価の説明図、第4図は、従
来の真空インタラプタの概略構成図である。 1・・・固定側部材、2・・・可動側部材、12.22
・・・リード棒、42,43,44.47・・・ロウ材
。 第2図(0) 郡分瓢立図 郡分粗立18
Claims (4)
- (1)少なくともリード棒と端板とを備えた固定側部材
と、少なくともリード棒とベローズとを備えた可動側部
材と、これらの部材の端板が気密接合される絶縁筒と、
各リード棒の内端に設けた電極とを主要な構成部材とし
た真空インタラプタの製造方法において、 前記固定側部材、及び可動側部材を形成する第1工程と
、形成した固定側部材および可動側部材と絶縁筒とのロ
ウ付け気密接合、及びリード棒の内端に電極をロウ付け
接合して真空インタラプタを組み立てる第2工程と、組
み立てた真空インタラプタ内を真空排気して真空インタ
ラプタを得る第3工程とからなり、 前記電極は低融点金属を含有する材料で形成し、前記第
2工程におけるロウ付け部分となる部材の少なくとも端
部を銅材で形成し、前記第2工程における少なくとも気
密接合部にTiを20〜90重量%含有するTi−Al
が主成分のロウ材を用いたことを特徴とする真空インタ
ラプタの製造方法。 - (2)第1工程で電極の少なくとも一方をリード棒内端
にロウ付けすることを特徴とする請求項1に記載の真空
インタラプタの製造方法。 - (3)少なくともリード棒と端板とを備えた固定側部材
と、少なくともリード棒とベローズとを備えた可動側部
材と、これらの部材の端板が気密接合される絶縁筒と、
各リード棒の内端に設けた電極とを主要な構成部材とし
た真空インタラプタの製造方法において、 前記固定側部材または可動側部材の何れか一方の部材を
形成する第1工程と、固定側部材または可動側部材の何
れか他方の部材を絶縁筒の一方の端部にロウ付け気密接
合する第2工程と、前記第1工程で得た部材と絶縁筒の
他方の端部とのロウ付け気密接合、及びリード棒の内端
に電極をロウ付け接合して真空インタラプタを構成する
第3工程と、組み立てた真空インタラプタの真空容器内
を真空排気して真空インタラプタを得る第4工程とから
なり、 前記電極は低融点金属を含有する材料で形成し、前記第
3工程におけるロウ付け部分となる部材の少なくとも端
部を銅材で形成し、前記第3工程における少なくとも気
密接合部にTiを20〜90重量%含有するTi−Al
が主成分のロウ材を用いたことを特徴とする真空インタ
ラプタの製造方法。 - (4)第1工程及び第2工程で電極の少なくとも一方を
リード棒内端にロウ付けすることを特徴とする請求項3
に記載の真空インタラプタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32912689A JPH03190022A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 真空インタラプタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32912689A JPH03190022A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 真空インタラプタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190022A true JPH03190022A (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=18217912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32912689A Pending JPH03190022A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 真空インタラプタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03190022A (ja) |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP32912689A patent/JPH03190022A/ja active Pending
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