JPH042020A - 真空インタラプタの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ　産業上の利用分野 本発明は、真空インタラプタの製造方法に係り、特に電
極が低融点金属を含有している真空インタラプタの製造
方法に関したものである。

Ｂ１発明の概要 本発明は、電極が低融点金属を含有している真空インタ
ラプタのロウ付け部、特に最後の組立段階における気密
ロウ材は部にＣｕとＮｉとＰとＳｎとからなるアモルフ
ァス質のロウ材を用い、且つロウ付け加熱温度を７００
℃以下にして真空引きとロウ付けとを同時に行うことに
より、ロウ付け強度、気密接合の向上を図ったものであ
る。

Ｃ１従来の技術 第４図は、この種真空インタラプタの従来の概略構成図
である。

図中において、ｌは固定側部材であり、固定電極１１を
内端に具備するリード棒１２と、固定側端板１３とを主
要な部材として構成している。２は可動側部材であり、
可動電極２１を内端に具備するリード棒２２と、可動側
端板２３と、ベローズ２４とを主要な部材として構成し
ている。３はセラミックス等の部材からなる絶縁筒であ
り、３１は絶縁筒の内側に設けた金属シールドである。

このように構成した真空インタラプタは、可動電極２１
を図中で上下方向に可動することにより電流の開閉を行
うものである。

このような構成からなる真空インタラプタの製造は、一
般には次のような手段によって製造される。

■　第４図のように構成各部材の接合部に、板ロウ、線
ロウからなるロウ材４１〜４７を配置して仮組立し、こ
れを真空炉に入れて加熱排気とロウ付けを同時に行って
真空インタラプタを一括して製造する。

■　固定側部材ｌと可動側部材２の一部、または全部を
予め前工程で製造しておき、そして、絶縁筒３との間に
ロウ材４２．４７を介在させて、真空中でロウ付けと加
熱排気を同時に行って真空インクラブタを製造する。

なお、前記■の場合には各所に同じロウ材（例えばＣｕ
系のロウ材）を配置し、■の場合には溶融点の異なるロ
ウ材（例えばＣｕ系とＡｇ系）を使用するのが一般的で
ある。

Ｂ９発明が解決しようとする課題 従来、真空インタラプタに要求される種々の特性を満た
すために、電極はＣｕ（銅）を主成分としこれに低融点
金属、例えばＢｉ（ビスマス）を、０．１〜２０重量％
含有することが一般的に行われている。

しかし、電極がこのような低融点金属を含有している場
合には、ロウ付け時の温度（７００〜１０００℃）にて
電極より低融点金属の一部が蒸発することが知られてい
る。この蒸発した金属は、真空容器内部材に付着するば
かりか、その一部は溶融しているロウ村山に侵入してロ
ウ付け接合に悪影響を及ぼすことがある。

このような弊害の程度は、低融点金属の含有量との関係
もあるが、特に問題となるのは気密シール接合部である
。

つまり、機械的な接合強度は十分であったとしても気密
シール接合としては不十分なものとなってしまうおそれ
があるからである。

このような気密シール接合部としては、前述の第４図に
おける４１．４２，４５，４６．４７のロウ材の部位が
各々該当する箇所であり、■　真空炉中で一括組立する
場合には、これらのロウ材の箇所全部が該当する。

■　前工程で固定側、可動側部材を予め製作しておき次
工程で一体化する場合には、４２．４７のロウ材の箇所
が該当する。

Ｅ０課題を解決するための手段 発明者らは、種々の実験を行った結果、■　まず低融点
金属（例えばＢｉ）を含有する金属におけるＢｉの蒸発
飛散が活発となる温度に着目した。

第４図は、５０Ｃｕ−４０Ｃｒ−１０Ｂｉ　（重量％）
の組成からなる金属部材において、加熱温度（横軸）と
重量減少率（縦軸）との関係を不活性雰囲気（真空中）
で調べたものである。

この図から、温度７００℃辺りから急激に重量が減少す
る、つまりＢｉの蒸発飛散が７００℃辺りから活発とな
ることが判った。換言すれば７００℃以下の温度でロウ
付けすれば、Ｂｉの蒸発飛散はほとんどなく、悪影響は
ないことが判った。

■　上記■のことから７００℃以下の温度でロウ付けで
きるロウ材として、ＣｕとＮｉとＰとＳｎとからなり且
つアモルファス質で形成すれば、安定にロウ付け接合で
きることを見い出した。

ＣｕとＮｉとＰとＳｎとからなり且つアモルファス質で
ロウ材を形成すれば、Ｂｉの蒸発飛散のない７００℃以
下の温度でロウ付けできるばかり・でなく、ロウ付け部
にＣｕ−Ｎ１−Ｐ−Ｓｎの拡散層が存在し、これによっ
て低融点金属の接合界面への侵入を抑制でき、安定にロ
ウ付けできることが判った。

従って、本発明は、例えば低融点金属を含有していても
これの悪影響を受けないロウ材とロウ付け方法を提供す
るものであり、 （１）ＣｕとＮｉとＰとＳｎとからなるアモルファス質
のロウ材であって、Ｃｕを７７〜８０重量％、Ｎｉを３
８〜５３重量％、Ｐを７〜８重量％、Ｓｎを４〜ｌＯ重
量％、で形成したロウ材。

（２）そして、６３０℃以上の温度で且つ低融点金属を
含有する金属部材におけるこの低融点金属の蒸発飛散が
活発とならない７００℃以下の温度にてロウ付けする方
法である。

しかして、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎの割合、また温度が上
記の関係より外れる場合には安定したロウ付け接合を得
ることが出来なかった。

なお、 （１）低融点金属としては、例えば、Ｂｉ（ビスマス）
、Ｓｂ（アンチモン）等の低融点金属として良く知られ
ている金属が該当する。

（２）真空インタラプタの一体化としては、■　固定側
部材、可動側部材を各々形成しておき、これらと絶縁筒
とを一体化する場合。

■　固定側部材、可動側部材の一方と絶縁筒とを予め一
体化し、その後全体を一体化する場合。

の何れかが該当する。

（３）電極は、前工程で予めリード棒にロウ付けしても
良い。また低融点金属の含有量が少ない電極とリード棒
との接合の場合は本発明で用いたＩｎを含有したロウ材
でなく、従来−船釣に使用されているＣ　ｕ　−Ｍ　ｎ
　−Ｎ　ｉ等のロウ材であっても差し支えない。ただし
、本発明で使用したＩｎを含有したロウ材を用いるのが
望ましい。

（４）本発明においては、接合部がＣｕであれば良く、
部材全体がＣｕ、またはＣｕを主成分とする材料である
必要はない。

Ｆ６作用 ロウ付け温度は約７００℃以下で良いことから低融点金
属の飛散は少なく、またロウ付け時には真空インクラブ
タ内は完全密閉ではないので、蒸発した低融点金属が真
空インタラプタの内部にこもることは減少する。しかも
ロウ付け接合部にＣｕ−Ｎｉ　−Ｐ−５ｎの拡散層が存
在することで低融点金属の接合界面への侵入を抑制でき
、低融点金属を含有する電極を備えた真空インクラブタ
の気密シール接合を確実に且つ信頼性の高いものにでき
る。

Ｇ、実施例 本発明を以下の実施例に基づいて詳細に説明する。

まずロウ材の特性について調べた実験結果を説明する。

（実験例−１） Ｃｕが５０重量％、Ｃｒが４０重量％、Ｂｉが１０重量
％の成分からなる、低融点金属含有の金属部材と無酸素
銅との接合例である。

（ａ）低融点金属を含有した部材について１００メツシ
ユの粒径のＣｒ（クロム）粉末を、アルミナ容器（内径
６８ｍｍ）に約１６０ｇ入れ、このＣｒ粉末上にＣｕ−
Ｂ１合金（約４００ｇ）を載置し、容器に蓋をかぶせ、
これを真空炉内にて脱ガスと共にＣｕ−Ｂ１合金の融点
以下の温度で加熱処理して、まずＣｒ粒子を拡散結合さ
せて多孔質の溶浸母材を形成する。

その後温度を上げて、Ｃｕ、Ｂｉを溶浸母材に溶浸させ
る。

この際にアルミナ容器内は、Ｂｉ蒸気を含んだ雰囲気と
なり、Ｂｉを多量に含有した複合金属が得られる。

こうして得られた金属材料を、容器から取り出し、外面
を機械加工して所定の寸法形状にする。

（ｂ）ロウ材について ７７．６Ｃｕ−５，７Ｎｉ−７Ｐ−９，７Ｓｎ（重量％
）のアモルファス質のロウ材を用意する。

（ｃ）ロウ付けについて 上記ロウ材（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ−９ｎ）を、前記Ｃｕ−Ｃ
ｒ−Ｂ１合金部材と、無酸素銅からなる部材との間に入
れ、これらをアルミナ容器内に設置し、真空炉にて加熱
処理（７００℃、１５分間）して接合した。

（ｄ）ロウ付けの結果について 上記のようにして得られた接合物は、強固に接合されて
おり、しかもロウ材も十分に流動していることが確認さ
れた。

また、Ｘ線マイクロアナライザにて接合部の断面を観察
すると、Ａｕ、Ｉｎの拡散層によって、Ｂｉの界面への
析出は防止され、安定したロウ付け接合層が形成されて
いることが確認された。

（比較実験例） 比較のために一般的に知られている、６３Ａｇ２７Ｃｕ
−１Ｏｒｎｏつ材、Ｃｕ　−Ｍ　ｎ　−Ｎ　ｉ系ロウ材
を用い、温度条件を前者は８００℃、後者は９５０℃と
し、且つ他の条件は上記実験と同様にしてロウ付けを試
みたが剥離し、ロウ付けができなかった。

（一実施例） 上述の結果からＡｕ−Ｉｎを含有するロウ材であれば低
融点金属を含有するＣｕ（銅）部材を直接接合しても十
分な接合強度が得られることが判ったので、このロウ材
を用いて第１図に示す真空インタラプタを構成した。

すなわち、第１図に示す真空インクラブタを構成するに
際して、まず第２図（ａ）に示す固定側部材１、及び第
２図（ｂ）に示す可動側部材２を各々前工程で形成する
。

固定側部材１は、Ｃｕ（銅）からなる同定側端板１３、
Ｃｕからなるリード棒１２、Ｃｕからなる排気管１４、
からなるもので、これらの各部材の間に、Ｃｕ　−Ｍ　
ｎ　−Ｎ　ｉロウ材を配置して仮組立し、非酸化性雰囲
気中（真空中）にて約９８０℃の温度に加熱して接合形
成する。

また、可動側部材２は、Ｃｕからなる固定側端板２３、
Ｃｕからなルリート棒２２、ＳＵＳ　Ｃ７゜テンレス＠
）製のベローズ２４からなるもので、これらの各部材間
に、Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｉロウ材を配置して仮組立し、非酸
化性雰囲気中（真空中）にて約１０００℃の温度に加熱
して接合形成する。

上述のように予め形成した固定側部材ｌと可動側部材２
とは、第１図に示すように、各リード棒１２．２２の内
端部にロウ材４３．４４（板状ロウ材）を介して、電極
（Ｃｕが５０重量％、Ｃｒが４０重量％、Ｂｉが１０重
量％の成分）を設けて仮組立する。また、両端部にＣｕ
（銅）からなる補助部材１３１，２３１を備えた絶縁筒
３に各々ロウ材４２．４７（板状ロウ材）を介して仮組
立する。これらロウ材４２，４３，４４．４７は、７７
．６Ｃｕ−５，７Ｎｉ−７Ｐ−９，７Ｓｎ（重量％）の
アモルファス質のロウ材であり、非酸化性雰囲気中（真
空）にて前述の電極ロウ材は温度より低い温度の約７０
０℃でロウ付け接合して所定の真空インタラプタを一体
化構成すると共に加熱排気して所望の真空インタラプタ
を得る。

このようにして形成した真空インタラプタにおける電極
１１．２１とリード棒１２．２２との接合、及び端板１
３．２３と補助金具１３１，２３１とは強固に接合され
ている。特に端板１３．２３と補助金具１３１，２３１
との接合部は、ヘリウム・リークデテクターにより調査
した結果リークの全く無いことか確認できた。

なお、ベローズ及び端板とリード棒との間に従来から一
般的に使用しているＣｕ−Ｍｎ−Ｎｉのロウ材を使用し
たのは、本発明で適用したＣｕ　−Ｎ　ｉ　−Ｐ−８ｎ
のアモルファス質のロウ材ではロウ付け特性が安定して
いないことによるものであり、後工程でのロウ付け温度
が低（低融点金属の蒸発飛散がほとんどなく、このロウ
材の部分がＢｉの悪影響を受けることはほとんど無いか
らである。

Ｈ０発明の効果 本発明によるロウ材は、Ｃｕ−Ｎ１−Ｐ−５ｎのアモル
ファス質のロウ材であることから、ロウ材は加熱温度を
７００℃以下で行うことができるので、低融点金属の蒸
発飛散を効果的に防止でき、これによってロウ材は部に
低融点金属の侵入がなくなる。しかも、ロウ材は部にＣ
ｕ−Ｎ１−Ｐ−Ｓｎの拡散層が形成されるので、この拡
散層が低融点金属の接合界面への侵入を抑制できること
から、低融点金属を含有（０，１〜２０重量％）する電
極を備えた真空インタラプタにおいても気密シール接合
を確実且つ安定なものにできる。

また、ロウ材は温度が約７００℃以下の比較的低い温度
のロウ材であるから、接合部材及び他の構成部材に与え
る熱的影響を軽減することができる。

従って、真空インタラプタにおける信頼性、耐久性の向
上が図れ、品質向上に寄与できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例における真空インクラブタ
の概略構成図、第２図（ａ）、（ｂ）は、第１図におけ
る真空インタラプタの部分組立図、第３図は、加熱温度
と重量減少率との関係図、第４図は、従来の真空インタ
ラプタの概略構成図である。 １・・・固定側部材、２・・・可動側部材、１１・・・
固定電極、１２・・・リード棒、１３・・・固定側端板
、２１・・・可動電極、２２・・・リード棒、２３・・
・可動側端板、１３１・・・補助部材、２３１・・・補
助部材。 第１ｗＪ 叡施ＮｊＩめ鐵略璃八゛図 第２図（ａ） 郷＃１ＩＩｌｉＬ圀 第２図（ｂ） 部分組立口 第４図 毅永めＸ区インタウブタｎ歳略填成口

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくともリード棒と端板を備えた固定側部材と
   、少なくともリード棒とベローズとを備えた可動側部材
   と、これらの部材の端板が気密接合される絶縁筒と、各
   リード棒の内端に設けた電極とを主要な構成部材とした
   真空インタラプタの製造方法において、 前記固定側部材、及び可動側部材を予め形成する第１工
   程と、 形成した固定側部材および可動側部材と絶縁筒とのロウ
   付け気密接合、及び各リード棒の内端に電極をロウ付け
   接合して真空インタラプタを組み立てると共に真空中に
   て加熱排気して真空インタラプタを得る第２工程とから
   なり、 前記電極は低融点金属を含有する材料で形成し、前記第
   ２工程におけるロウ付け部分となる部材の少なくとも端
   部を銅を主成分とする材料で形成し、 前記第２工程における少なくとも気密接合部にＣｕとＮ
   ｉとＰとＳｎとからなるアモルファス質のロウ材を用い
   、且つロウ付け加熱温度を７００℃以下としたことを特
   徴とする真空インタラプタの製造方法。
2. （２）第１工程で電極の少なくとも一方をリード棒内端
   にロウ付けすることを特徴とする請求項１項に記載の真
   空インタラプタの製造方法。