JPH042018A - 真空インタラプタの製造方法 - Google Patents
真空インタラプタの製造方法Info
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Landscapes
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、真空インタラプタの製造方法に係り、特に電
極が低融点金属を含有している真空インタラプタの製造
方法に関したものである。
極が低融点金属を含有している真空インタラプタの製造
方法に関したものである。
B8発明の概要
本発明は、電極が低融点金属を含有している真空インタ
ラプタの最後の組立段階における気密口つ付け部にAu
−Inを主成分とするaつ材を用い、且つロウ付け温度
を700℃以下にして組み立てた後に真空引きすること
により、ロウ付け強度、気密接合の向上を図ったもので
ある。
ラプタの最後の組立段階における気密口つ付け部にAu
−Inを主成分とするaつ材を用い、且つロウ付け温度
を700℃以下にして組み立てた後に真空引きすること
により、ロウ付け強度、気密接合の向上を図ったもので
ある。
C9従来の技術
第5図は、この種真空インタラプタの従来の概略構成図
である。
である。
図中において、1は固定側部材であり、固定電極11を
内端に具備するり−ド棒12と、固定側端板13とを主
要な部材として構成している。2は可動側部材であり、
可動電極21を内端に具備するリード棒22と、可動側
端板23と、ベローズ24とを主要な部材として構成し
ている。3はセラミックス等の部材からなる絶縁筒であ
り、31は絶縁筒の内側に設けた金属シールドである。
内端に具備するり−ド棒12と、固定側端板13とを主
要な部材として構成している。2は可動側部材であり、
可動電極21を内端に具備するリード棒22と、可動側
端板23と、ベローズ24とを主要な部材として構成し
ている。3はセラミックス等の部材からなる絶縁筒であ
り、31は絶縁筒の内側に設けた金属シールドである。
このように構成した真空インタラプタは、可動電極21
を図中で上下方向に可動することにより電流の開閉を行
うものである。
を図中で上下方向に可動することにより電流の開閉を行
うものである。
このような構成からなる真空インタラプタの製造は、一
般には次のような手段により製造されている。
般には次のような手段により製造されている。
■ 第5図のように構成各部材の接合部に、板ロウ、線
ロウからなるロウ材41〜47を配置して仮組立し、こ
れを真空炉に入れて加熱排気とロウ付けを同時に行って
真空インタラプタを一括して製造する。
ロウからなるロウ材41〜47を配置して仮組立し、こ
れを真空炉に入れて加熱排気とロウ付けを同時に行って
真空インタラプタを一括して製造する。
■ 第5図のように構成各部材の接合部に、板ロウ、線
ロウからなるロウ材41〜47を配置して仮組立し、こ
れを非酸化性雰囲気中(例えば水素雰囲気)でロウ付け
を行い、その後図示省略の排気管を介して大気中にて加
熱排気して真空インタラプタを製造する。
ロウからなるロウ材41〜47を配置して仮組立し、こ
れを非酸化性雰囲気中(例えば水素雰囲気)でロウ付け
を行い、その後図示省略の排気管を介して大気中にて加
熱排気して真空インタラプタを製造する。
■ 固定側部材1と可動側部材2とを予め前工程で製造
しておき、そして、絶縁筒3との間にロウ材42.47
を介在させて、真空中でロウ付けする。または、ロウ付
け後に真空引きして真空インタラプタを製造する。
しておき、そして、絶縁筒3との間にロウ材42.47
を介在させて、真空中でロウ付けする。または、ロウ付
け後に真空引きして真空インタラプタを製造する。
なお、前記■、■の場合には各所に同じロウ材(例えば
Cu系のロウ材)を配置し、■の場合には溶融点の異な
るロウ材(例えばCu系とAg系)を使用するのが一般
的である。
Cu系のロウ材)を配置し、■の場合には溶融点の異な
るロウ材(例えばCu系とAg系)を使用するのが一般
的である。
D0発明が解決しようとする課題
従来、真空インタラプタに要求される種々の特性を満た
すために電極に低融点金属、例えばBi(ビスマス)を
、0.1〜20重量%含有することが一般的に行われて
いる。
すために電極に低融点金属、例えばBi(ビスマス)を
、0.1〜20重量%含有することが一般的に行われて
いる。
しかし、電極がこのような低融点金属を含有している場
合には、ロウ付け時の温度(700〜1000℃)にて
電極より低融点金属の一部が蒸発することが知られてい
る。この蒸発した金属は、真空容器内部材に付着するば
かりか、その一部は溶融しているロウ社内に侵入してロ
ウ付け接合に悪影響を及ぼす問題がある。
合には、ロウ付け時の温度(700〜1000℃)にて
電極より低融点金属の一部が蒸発することが知られてい
る。この蒸発した金属は、真空容器内部材に付着するば
かりか、その一部は溶融しているロウ社内に侵入してロ
ウ付け接合に悪影響を及ぼす問題がある。
このような弊害の程度は、低融点金属の含有量との関係
もあるが、特に問題となるのは気密シール接合部である
。
もあるが、特に問題となるのは気密シール接合部である
。
つまり、機械的な接合強度は十分であったとしても気密
シール接合としては不十分なものとなってしまうおそれ
があるからである。
シール接合としては不十分なものとなってしまうおそれ
があるからである。
このような気密シール接合部としては、前述の第4図に
おける41,42,45.46.47のロウ材の部位が
各々該当する箇所であり、■ 真空炉中で一括組立する
場合には、これらのロウ材の箇所全部が該当する。しか
も、真空中で一括ロウ付けの場合には、高温加熱状態で
真空インタラプタ内が完全密閉となることから、蒸発し
たBjが内部にこもりやすく、気密接合特性を一層悪化
させやすい問題がある。
おける41,42,45.46.47のロウ材の部位が
各々該当する箇所であり、■ 真空炉中で一括組立する
場合には、これらのロウ材の箇所全部が該当する。しか
も、真空中で一括ロウ付けの場合には、高温加熱状態で
真空インタラプタ内が完全密閉となることから、蒸発し
たBjが内部にこもりやすく、気密接合特性を一層悪化
させやすい問題がある。
■ 前工程で固定側、可動側部材を予め製作しておき次
工程で一体化する場合には、42.47のロウ材の箇所
が該当する。
工程で一体化する場合には、42.47のロウ材の箇所
が該当する。
E8課題を解決するための手段
発明者らは、種々の実験を行った結果、■ まず低融点
金属(例えばBi)を含有する金属におけるBiの蒸発
飛散が活発となる温度に着目した。
金属(例えばBi)を含有する金属におけるBiの蒸発
飛散が活発となる温度に着目した。
第4図は、50Cu−40Cr−10Bf (重量%)
の組成からなる金属部材において、加熱温度(横軸)と
重量減少率(縦軸)との関係を不活性雰囲気(真空中)
で調べたものである。
の組成からなる金属部材において、加熱温度(横軸)と
重量減少率(縦軸)との関係を不活性雰囲気(真空中)
で調べたものである。
この図から、温度700℃辺りから急激に重量が減少す
る、つまりBiの蒸発飛散が700℃辺りから活発とな
ることが判った。換言すれば700℃以下の温度でロウ
付けすれば、Biの蒸発飛散はほとんどなく、悪影響は
ないことが判った。
る、つまりBiの蒸発飛散が700℃辺りから活発とな
ることが判った。換言すれば700℃以下の温度でロウ
付けすれば、Biの蒸発飛散はほとんどなく、悪影響は
ないことが判った。
■ 上記■のことから700℃以下の温度でロウ付けで
き□るロウ材として、Au−Inで形成すれば、安定に
ロウ付け接合できることを見い出した。すなわち、Au
−Inでロウ材を形成すれば、Biの蒸発飛散のない7
00℃以下の温度でロウ付けできるばかりでなく、ロウ
付け部にAu −Inの拡散層が存在し、これによって
低融点金属の接合界面への侵入を抑制でき、安定にロウ
付けできることが判った。
き□るロウ材として、Au−Inで形成すれば、安定に
ロウ付け接合できることを見い出した。すなわち、Au
−Inでロウ材を形成すれば、Biの蒸発飛散のない7
00℃以下の温度でロウ付けできるばかりでなく、ロウ
付け部にAu −Inの拡散層が存在し、これによって
低融点金属の接合界面への侵入を抑制でき、安定にロウ
付けできることが判った。
■ 更には、真空中で真空インタラプタを一括して製造
するのではなく、ロウ付け接合した後に真空排気(真空
引き)して製造すれば一層気密シール接合特性が安定で
あることが判った。
するのではなく、ロウ付け接合した後に真空排気(真空
引き)して製造すれば一層気密シール接合特性が安定で
あることが判った。
従って、本発明は、真空インタラプタ一体化時における
気密シール接合部のロウ材として、第3図に示す組成範
囲のロウ材、すなわち、(1)■AuとInが21〜3
6重量%で形成したロウ材。
気密シール接合部のロウ材として、第3図に示す組成範
囲のロウ材、すなわち、(1)■AuとInが21〜3
6重量%で形成したロウ材。
■AuとInが38〜53重量%で形成したロウ材。
(2)そして、AuとInとの共晶点以上の温度である
500℃以上の温度で且つ低融点金属を含有する金属部
材におけるこの低融点金属の蒸発飛散が活発とならない
700”C以下の温度にてロウ付けする方法である。
500℃以上の温度で且つ低融点金属を含有する金属部
材におけるこの低融点金属の蒸発飛散が活発とならない
700”C以下の温度にてロウ付けする方法である。
しかして、Au、Inの割合、また温度が上記の関係よ
り外れる場合には安定したロウ付け接合を得ることが出
来なかった。
り外れる場合には安定したロウ付け接合を得ることが出
来なかった。
なお、
(1)低融点金属としては、例えば、Bi(ビスマス)
、Sb(アンチモン)等の低融点金属として良く知られ
ている金属が該当する。
、Sb(アンチモン)等の低融点金属として良く知られ
ている金属が該当する。
(2)低融点金属を含有する金属としては、銅。
銅合金、銀、銀合金1等の導電性に富む金属が該当する
。
。
(3)ロウ材は各成分の粉末を所定量混合して所定の形
状に加工するのが各成分の特性が活かされるので好まし
い。
状に加工するのが各成分の特性が活かされるので好まし
い。
また、所望のロウ材形成は、金型にてリング状、円板状
に圧縮成形する、または、まず板状に圧縮成形した後に
レーザ等にて簡便に得られる。
に圧縮成形する、または、まず板状に圧縮成形した後に
レーザ等にて簡便に得られる。
又は、混合粉末に有機バインダーを混ぜてペースト状に
して塗布することでも差し支えない。なお、粉末は、−
100メツシユ以下(149μm以下)の粒径のものが
好ましい。
して塗布することでも差し支えない。なお、粉末は、−
100メツシユ以下(149μm以下)の粒径のものが
好ましい。
(4)真空インタラプタの一体化としては、■ 固定側
部材、可動側部材を各々形成しておき、これらと絶縁筒
とを一体化する場合。
部材、可動側部材を各々形成しておき、これらと絶縁筒
とを一体化する場合。
■ 固定側部材、可動側部材の一方と絶縁筒とを予め一
体化し、その後全体を一体化する場合。
体化し、その後全体を一体化する場合。
の何れかが該当する。
(5)電極は、前工程で予めリード棒にロウ付けしても
良い。また低融点金属の含有量が少ない電極とり−ド棒
との接合の場合は本発明で用いたInを含有したロウ材
でなく、従来一般的に使用されているCu−Mn−Ni
等のロウ材であっても差し支えない。ただし、本発明で
使用したInを含有したロウ材を用いるのが望ましい。
良い。また低融点金属の含有量が少ない電極とり−ド棒
との接合の場合は本発明で用いたInを含有したロウ材
でなく、従来一般的に使用されているCu−Mn−Ni
等のロウ材であっても差し支えない。ただし、本発明で
使用したInを含有したロウ材を用いるのが望ましい。
(6)本発明においては、接合部がCuであれば良く、
部材全体がCu、またはCuを主成分とする材料である
必要はない。
部材全体がCu、またはCuを主成分とする材料である
必要はない。
F1作用
ロウ付け温度は約700℃以下で良いことから低融点金
属の飛散は少なく、またロウ付け時には真空インタラプ
タ内は完全密閉ではないので、蒸発した低融点金属が真
空インタラプタの内部にこもることは減少する。しかも
ロウ付け接合部にAu、Inの拡散層が存在することで
低融点金属の接合界面への侵入を抑制でき、低融点金属
を含有する電極を備えた真空インタラプタの気密シール
接合を確実に且つ信頼性の高いものにできる。
属の飛散は少なく、またロウ付け時には真空インタラプ
タ内は完全密閉ではないので、蒸発した低融点金属が真
空インタラプタの内部にこもることは減少する。しかも
ロウ付け接合部にAu、Inの拡散層が存在することで
低融点金属の接合界面への侵入を抑制でき、低融点金属
を含有する電極を備えた真空インタラプタの気密シール
接合を確実に且つ信頼性の高いものにできる。
G、実施例
本発明を以下の実施例に基づいて詳細に説明する。
まずロウ材の特性について調べた実験結果を説明する。
(実験例)
Cuが50重量%、Crが40重量%、Biが10重量
%の成分からなる、低融点金属含有の金属部材と無酸素
銅との接合例である。
%の成分からなる、低融点金属含有の金属部材と無酸素
銅との接合例である。
(a)低融点金属を含有した部材について100メツシ
ユの粒径のCr(クロム)粉末を、アルミナ容器(内径
68mm)に約160g入れ、このCr粉末上にCu−
B1合金(約400g)を載置し、容器に蓋をかぶせ、
これを真空炉内にて脱ガスと共にCu−B1合金の融点
以下の温度で加熱処理して、まずCr粒子を拡散結合さ
せて多孔質の溶浸母材を形成する。
ユの粒径のCr(クロム)粉末を、アルミナ容器(内径
68mm)に約160g入れ、このCr粉末上にCu−
B1合金(約400g)を載置し、容器に蓋をかぶせ、
これを真空炉内にて脱ガスと共にCu−B1合金の融点
以下の温度で加熱処理して、まずCr粒子を拡散結合さ
せて多孔質の溶浸母材を形成する。
その後温度を上げて、Cu、Biを溶浸母材に溶浸させ
る。
る。
この際にアルミナ容器内は、Bi蒸気を含んだ雰囲気と
なり、Biを多量に含有した複合金属が得られる。
なり、Biを多量に含有した複合金属が得られる。
こうして得られた金属材料を、容器から取り出し、外面
を機械加工して所定の寸法形状にする。
を機械加工して所定の寸法形状にする。
(b)ロウ材について
325メツシユの粒径のAu、Inの粉末を用意し、A
uを53g、Inを27gの割合で混合機にて充分に混
合する。
uを53g、Inを27gの割合で混合機にて充分に混
合する。
得られた混合粉末から約1.5g 分取し、径が40m
mの金型に均一に充填し、30トンで加圧成形して厚さ
約0.4mmの円形状の薄い成形体を得る。
mの金型に均一に充填し、30トンで加圧成形して厚さ
約0.4mmの円形状の薄い成形体を得る。
(c)ロウ付けについて
上記ロウ材(Au−In)を、前記Cu−CrB1合金
部材と、無酸素銅からなる部材との間に入れ、これらを
アルミナ容器内に設置し、且つ蓋をし、真空炉にて加熱
処理(500℃、15分間)して接合した。
部材と、無酸素銅からなる部材との間に入れ、これらを
アルミナ容器内に設置し、且つ蓋をし、真空炉にて加熱
処理(500℃、15分間)して接合した。
(d)ロウ付けの結果について
上記のようにして得られた接合物は、強固に接合されて
おり、しかもロウ材も十分に流動していることが確認さ
れた。
おり、しかもロウ材も十分に流動していることが確認さ
れた。
また、X線マイクロアナライザにて接合部の断面を観察
すると、Au、Inの拡散層によって、Biの界面への
析出は防止され、安定したロウ付け接合層が形成されて
いることが確認された。
すると、Au、Inの拡散層によって、Biの界面への
析出は防止され、安定したロウ付け接合層が形成されて
いることが確認された。
(その他の実験例)
上述の実験例と同様な条件で、ロウ材の成分を変えてロ
ウ付け接合について調べた。その結果は第1図に示す共
晶点(イ)及び(ロ)の近傍における組織であれば上述
の場合と同様の結果が得られることが判った。すなわち
、ロウ材をAuInで形成し、且つInが21〜36重
量%及び38〜53重量%とすれば良いことが判った。
ウ付け接合について調べた。その結果は第1図に示す共
晶点(イ)及び(ロ)の近傍における組織であれば上述
の場合と同様の結果が得られることが判った。すなわち
、ロウ材をAuInで形成し、且つInが21〜36重
量%及び38〜53重量%とすれば良いことが判った。
(比較実験例)
比較のために一般的に知られている、63Ag−27C
u−1,01nロウ材、Cu −M n −N i系ロ
ウ材を用い、温度条件を前者は800℃、後者は950
℃とし、且つ他の条件は上記実験と同様にしてロウ付け
を試みたが剥離し、ロウ付けができなかった。
u−1,01nロウ材、Cu −M n −N i系ロ
ウ材を用い、温度条件を前者は800℃、後者は950
℃とし、且つ他の条件は上記実験と同様にしてロウ付け
を試みたが剥離し、ロウ付けができなかった。
(一実施例)
上述の結果からAu−Inを含有するロウ材であれば低
融点金属を含有するCu(銅)部材を直接接合しても十
分な接合強度が得られることが判ったので、このロウ材
を用いて第1図に示す真空インタラプタを構成した。
融点金属を含有するCu(銅)部材を直接接合しても十
分な接合強度が得られることが判ったので、このロウ材
を用いて第1図に示す真空インタラプタを構成した。
すなわち、第1図に示す真空インタラプタを構成するに
際して、まず第2図(a)に示す固定側部材1、及び第
2図(b)に示す可動側部材2を各々前工程で形成する
。
際して、まず第2図(a)に示す固定側部材1、及び第
2図(b)に示す可動側部材2を各々前工程で形成する
。
固定側部材lは、Cu(銅)からなる固定側端板13、
Cuからなるリード棒12、Cuからなる排気管14か
らなるもので、これらの各部材の間に、ロウ材(板状ロ
ウ材、線状ロウ材)を配置して仮組立し、非酸化性雰囲
気中(真空中)にて約1000℃の温度に加熱して接合
形成する。
Cuからなるリード棒12、Cuからなる排気管14か
らなるもので、これらの各部材の間に、ロウ材(板状ロ
ウ材、線状ロウ材)を配置して仮組立し、非酸化性雰囲
気中(真空中)にて約1000℃の温度に加熱して接合
形成する。
また、可動側部材2は、Cuからなる固定側端板23、
Cuからなるリード棒22.5US(ステンレス鋼)か
らなるべb−ズ24からなるもので、これら各部材間に
、ロウ材を配置して仮組立し、非酸化性雰囲気中(真空
中)にて約1000℃の温度に加熱して接合形成する。
Cuからなるリード棒22.5US(ステンレス鋼)か
らなるべb−ズ24からなるもので、これら各部材間に
、ロウ材を配置して仮組立し、非酸化性雰囲気中(真空
中)にて約1000℃の温度に加熱して接合形成する。
なお、上記ロウ材は、−船釣なCu −M nNiロウ
材を使用した。
材を使用した。
上述のように予め形成した固定側部材lと可動側部材2
とは、第1図に示すように、各リード棒12.22の内
端部にロウ材43.44(板状ロウ材)を介して、電極
(Cuが50重量%、Crが40重量%、Biが10重
量%の成分)を設けて仮組立する。また、両端部にCu
(銅)からなる補助部材131,231を備えた絶縁筒
3に各々ロウ材42.47(板状ロウ材)を介して仮組
立する。これらロウ材42.43.44.47は、67
Au−33In (重量%)であり、非酸化性雰囲気中
(真空)にて前工程のロウ付け温度より低い温度の約5
00℃でロウ付け接合して所定の真空インタラプタを一
体化構成し、その後、加熱すると共に排気管14を介し
て真空引きして排気し、排気管14をピンチオフするこ
とにより所望の真空インタラプタを得る。
とは、第1図に示すように、各リード棒12.22の内
端部にロウ材43.44(板状ロウ材)を介して、電極
(Cuが50重量%、Crが40重量%、Biが10重
量%の成分)を設けて仮組立する。また、両端部にCu
(銅)からなる補助部材131,231を備えた絶縁筒
3に各々ロウ材42.47(板状ロウ材)を介して仮組
立する。これらロウ材42.43.44.47は、67
Au−33In (重量%)であり、非酸化性雰囲気中
(真空)にて前工程のロウ付け温度より低い温度の約5
00℃でロウ付け接合して所定の真空インタラプタを一
体化構成し、その後、加熱すると共に排気管14を介し
て真空引きして排気し、排気管14をピンチオフするこ
とにより所望の真空インタラプタを得る。
このようにして形成した真空インタラプタにおける端板
13,23と補助金具131,231とは強固に接合さ
れ、ヘリウム・リークデテクターにより調査した結果リ
ークの全く無いことが確認できた。
13,23と補助金具131,231とは強固に接合さ
れ、ヘリウム・リークデテクターにより調査した結果リ
ークの全く無いことが確認できた。
H1発明の効果
本発明によるロウ材は、A u −I nを主成分とし
ていることから、ロウ材は加熱温度を700℃以下で行
うことができるので、低融点金属の蒸発飛散を効果的に
防止でき、これによってロウ材は部に低融点金属の侵入
がなくなる。しかも、ロウ材は部にAu、Inの拡散層
が形成されるので、この拡散層が低融点金属の接合界面
への侵入を抑制できることから、低融点金属を含有(0
,1〜20重量%)する電極を備えた真空インタラプタ
においても気密シール接合を確実且つ安定なものにでき
る。
ていることから、ロウ材は加熱温度を700℃以下で行
うことができるので、低融点金属の蒸発飛散を効果的に
防止でき、これによってロウ材は部に低融点金属の侵入
がなくなる。しかも、ロウ材は部にAu、Inの拡散層
が形成されるので、この拡散層が低融点金属の接合界面
への侵入を抑制できることから、低融点金属を含有(0
,1〜20重量%)する電極を備えた真空インタラプタ
においても気密シール接合を確実且つ安定なものにでき
る。
また、ロウ材は温度が約700℃以下の比較的低い温度
のロウ材であるから、接合部材及び他の構成部材に与え
る熱的影響を軽減することができる。
のロウ材であるから、接合部材及び他の構成部材に与え
る熱的影響を軽減することができる。
更には、真空インタラプタをロウ材は一体化した後に排
気管を介して真空引きして所望の真空インタラプタを得
るので、ロウ材は時には真空インタラプタ構成部材内は
、完全密閉体ではないので、蒸発したBi等の金属が内
部にこもることは減少し、気密シール接合を一層確実で
安定なものにできる。
気管を介して真空引きして所望の真空インタラプタを得
るので、ロウ材は時には真空インタラプタ構成部材内は
、完全密閉体ではないので、蒸発したBi等の金属が内
部にこもることは減少し、気密シール接合を一層確実で
安定なものにできる。
従って、真空インタラプタにおける信頼性、耐久性の向
上が図れ、品質向上に寄与できるものである。
上が図れ、品質向上に寄与できるものである。
第1図は、本発明の一実施例における真空インタラプタ
の概略構成図、第2図(a)、(b)は、第1図におけ
る真空インタラプタの部分組立図、第3図は、本発明の
ロウ材に係る組成範囲の説明図、第4図は、加熱温度と
重量減少率との関係図、第5図は、従来の真空インタラ
プタの概略構成図である。 311図 吸泥#I4晧鵬′困 外2名 第2図(−) 節分ta江閉 郡々岨二図 第;1図 本発明のロウ叙1;琢7I岨威範囲の斂明図u 重 ! (’/、) n
の概略構成図、第2図(a)、(b)は、第1図におけ
る真空インタラプタの部分組立図、第3図は、本発明の
ロウ材に係る組成範囲の説明図、第4図は、加熱温度と
重量減少率との関係図、第5図は、従来の真空インタラ
プタの概略構成図である。 311図 吸泥#I4晧鵬′困 外2名 第2図(−) 節分ta江閉 郡々岨二図 第;1図 本発明のロウ叙1;琢7I岨威範囲の斂明図u 重 ! (’/、) n
Claims (4)
- (1)少なくともリード棒と端板とを備えた固定側部材
と、少なくともリード棒とベローズとを備えた可動側部
材と、これらの部材の端板が気密接合される絶縁筒と、
各リード棒の内端に設けた電極とを主要な構成部材とし
た真空インタラプタの製造方法において、 前記固定側部材、及び可動側部材を形成する第1工程と
、 形成した固定側部材及び可動側部材と絶縁筒とのロウ付
け気密接合、及び各リード棒の内端に電極をロウ付け接
合して真空インタラプタを組み立てる第2工程と、 組み立てた真空インタラプタ内を真空排気して真空イン
タラプタを得る第3工程とからなり、前記電極は低融点
金属を含有する材料で形成し、前記第2工程におけるロ
ウ付け部分となる部材の少なくとも端部を銅材で形成し
、 前記第2工程における少なくとも気密接合部にAu−I
nを主成分とするロウ材を用い、且つロウ付け加熱温度
を700℃以下としたことを特徴とする真空インタラプ
タの製造方法。 - (2)第1工程で電極の少なくとも一方をリード棒内端
にロウ付けすることを特徴とする請求項1項に記載の真
空インタラプタの製造方法。 - (3)少なくともリード棒と端板とを備えた固定側部材
と、少なくともリード棒とベローズとを備えた可動側部
材と、これらの部材の端板が気密接合される絶縁筒と、
各リード棒の内端に設けた電極とを主要な構成部材とし
た真空インタラプタの製造方法において、 前記固定側部材または可動側部材の何れか一方の部材を
形成する第1工程と、 固定側部材または可動側部材の何れか他方の部材を絶縁
筒の一方の端部にロウ付け気密接合する第2工程と、 前記第1工程で得た部材と絶縁筒の他方の端部とのロウ
付け気密接合、及び各リード棒の内端に電極をロウ付け
接合して真空インタラプタを構成する第3工程と、 組み立てた真空インタラプタの真空容器内を真空排気し
て真空インタラプタを得る第4工程とからなり、 前記電極は低融点金属を含有する材料で形成し、前記第
3工程におけるロウ付け部分となる部材の少なくとも端
部を銅材で形成し、 前記第3工程における少なくとも気密接合部にAu−I
nを主成分とするロウ材を用い、且つロウ付け加熱温度
を700℃以下としたことを特徴とする真空インタラプ
タの製造方法。 - (4)第1工程及び第2工程で電極の少なくとも一方を
リード棒内端にロウ付けすることを特徴とする請求項3
項に記載の真空インタラプタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10267590A JPH042018A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 真空インタラプタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10267590A JPH042018A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 真空インタラプタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042018A true JPH042018A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14333810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10267590A Pending JPH042018A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 真空インタラプタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH042018A (ja) |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP10267590A patent/JPH042018A/ja active Pending
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