JPH03190889A - リン酸エステル化合物及びそれを含む液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、新規なリン酸エステル化合物及びそれを含有
する液晶組成物に関するものである。

（従来技術及びその問題点） 液晶表示素子は、消費電力が小さい、薄型表示が可能、
受光型表示であるので目の疲労が少ないなどといった多
くの長所を有しているため、各種の表示素子として広く
用いられている。現在量も広く用いられている表示方式
としては、ツィステッドネマチック（ＴＮ）型のもので
あり、その液晶化合物としてはネマチック相を示すもの
が用いられている。しかし、ＴＮ型表示素子は他の発光
型表示素子である、ＣＲＴ、プラズマデイスプレー、エ
レク１−ロルミネッセンスディスプレーなどと比較する
と、その応答速度が非常に遅いという欠点がある。従っ
て応答速度の改良された液晶表示素子の開発が望まれ、
そのための研究が多数行われている。

上記要望に応えるものとして、強誘電性液晶化合物を用
いた液晶表示方式が提案されている。（Ｎ。

Ａ、Ｃ１ａｒｋ、　　Ｓ、Ｔ、Ｌａｇｅｒｗａｌｌ　　
；　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓ、　　Ｌｅｔｔ：３
６８９９　（１，９８０））。この強誘電性液晶を利用
した表示素子は、ＴＮ型表示素子に比べて１００倍以上
の高速応答性と、双安定性よりもたらされるメモリー効
果を有し、大型テレビ画面や高速光シャッタープリンタ
ーヘッド、コンピュータ一端末、あるいは非線形光学材
料などのオプＩ・エレクトロニクス材料への応用が期待
されている。

強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のカイラルス
メクチック相に属するものであるが、そ中でも実用的に
望ましいものは、最も粘度の低いカイラルスメクチック
Ｃ（以下Ｓｃ”と略記）相である。

強誘電性を示す液晶材料としてはＳｃ”相を示す液晶化
合物、あるいはスメクチックＣ（以下Ｓｃと略記）相を
示す液晶化合物にそれ自体はＳｃ相を示さないが、液晶
化合物と相溶性が良く、しかも光学活性を有するカイラ
ルな化合物を添加した液晶混合物が使用可能である。

これまでに各種のＳｃ”相を示す液晶化合物あるいは液
晶混合物の配合成分としての光学活性化合物が検討され
ており、既に数多くの化合物が知られている。しかし、
これらの化合物の多くはアゾメチン結合（−ＣＨ＝Ｎ−
）や、２重結合（−ＣＩＩ＝ＣＨ−）を有しており、加
水分解や光劣化を起こし易いという問３ − 照点がある。さらにＳｃ”相を示す温度が室温より高い
ものが多く、室温付近にＳｃ”相を示す強誘電性液晶が
要望されている。又、実用特性を発現させるのに十分な
応答速度のものは未だ得られていない。

（発明の課題） 本発明は、化学的に安定で、光安定性にも優れた強誘電
性液晶組成物の配合成分として有用な新規な化合物を提
供するとともに、それを含む安定性に優れ、しかも室温
付近で高速応答性を示す液晶組成物を提供することをそ
の課題とする。

（課題を解決するための手段） 本発明者らは、前記課題を解決するために種々研究を重
ねた結果、２価の芳香環を含有する新規リン酸エステル
化合物を強誘電性液晶組成物の配合成分として用いると
、得られる強誘電性液晶が室温付近で優れた高速応答性
を示すことを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明によれば、下記−紋穴（Ｎ又は−・紋
穴（ＩＩ）で表わされるリン酸エステル化合物及びこれ
を配合成分として含む液晶組成物が提供される。

前記式中、Ｒ□は炭素数１〜２０のアルキル基、アルコ
キシ基、アシル基又はアシルオキシ基を示す。

Ｒ２及びＲ３は、炭素数１〜２０のアルキル基又は不斉
炭素を含む光学活性化合物ず。

Ｒ４は、不斉炭素を含んでいてもよい炭素数１〜２０の
環状鎖を示す。

を示す。この場合、単結合とは、環へと環Ｂとが直接結
合していることを意味する。

環へ及び環Ｂは、芳香環を示し、同−又は異っていても
よい。芳香環は、置換又は未置換の炭素環及び複素環を
包含するものである。このような芳香環は、ベンゼン環
や含窒素環が好ましく、その具体例を示すと以下の通り
である。

リン原子を含む化合物に関しては、特定の濃度で液晶相
を示すライオトロピック液晶の分野において、生体膜の
一成分であるリン脂質がよく研究されている。しかしな
がら、表示素子に応用できるのは、特定の温度で液晶相
を示すサーモ１−ロピツク液晶であり、リン原子を含む
化合物を既存のサーモトロピック液晶へ添加した例（Ｇ
、に１ｏｓｅ　ｅｔａＱ；Ｍｏ１．　Ｃｒｙｓｔ、Ｌｉ
ｇ、　Ｃｒｙｓｔ、　１５０２０１（１９８７））は知
られているが、強誘電性液晶組成物の配合成分としてリ
ン原子を含む化合物を応用した例は知らていない。

一般式〇）において、Ｒ２又はＲ３によって表わされる
基のうち、不斉炭素を含む光学活性基は、各種の光学活
性物質から誘導できるが、特に光学活性アルコールが出
発原料として有用である。光学活性アルコールとして、
例えば、光学活性２−メチルブタノール、光学活性３−
メチル−ペンタノール、光学活性−４メチル−ヘキサノ
ール、光学活性５−メチル−へブタノール、光学活性６
−メチル−オクタツール、光学活性シ１−ロネロール、
光学活性３，７−シメチルオクタノール、光学活性２−
ブタノール、光学活性２−ペンタノール、光学活性２−
ヘキサノール、光学活性２−ヘプタツール、光学活性２
−オクタツール、光学活性２−ノナノール、光学活性２
−デカノール、光学活性２−ウンデカノール、光学活性
２−ドデカノール、光学活性２−メチル−へブタノール
、光学活性２−メチル−ヘキサノール、光学活性２−ア
ルキルオキシプロパツール、光学活性３−アルキル方キ
シブタノール、光学活性３−アルキルオキシペンタノー
ル、光学活性乳酸エステル、光学活性３−ヒフ− ドロキシ−２−メチル−プロパン酸エステル、光学活性
３−ヒドロキシブタン酸エステル、光学活性３−ヒドロ
キシペンタン酸エステル、光学活性２−ハロゲノ−プロ
パツール、光学活性２−ハロゲノ−ブタノール、光学活
性２−ハロゲノ−ペンタノール、光学活性２−ハロゲノ
−ヘキサノール、光学活性２−ハロゲノ−ヘプタツール
、光学活性２−ハロゲノ−オクタツール、光学活性２−
ハロゲノ−ノナノール、光学活性２−ハロゲノ−デカノ
ール、光学活性２−ハロゲノ−ウンデカノール、光学活
性２−ハロゲノ−ドデカノール、光学活性ツルケタール
、光学活性グリシドール、光学活性２，３−ジハロゲノ
−プロパノール、光学活性３−アルキルオキシ−２−ハ
ロゲノ−プロパツール、光学活性３−ハロゲノ−２−ア
ルキルオキシ−プロパツール、光学活性３−アルキルオ
キシ−１−ハロゲノ−２−プロパツール、光学活性１，
３−ジアルキルオキシ−２−プロパツール等が有用であ
る。

また−紋穴（１）において、Ｒ，又はＲ３によって表わ
される基のうち、炭素数１〜２０のアルキル基は、対応
するアルコール（Ｒ２０）１又はＲ１０Ｈ）から容易に
誘導される。

さらに−紋穴（ＩＩ）において、Ｒ４によって表わされ
る環状鎖は、対応するジオール（ｌ（０−Ｒ４−ＯＨ）
から容易に誘導される。

一般式（１）及び（Ｕ）で表わされる化合物の例を示す
と次の通りである。ただし、これらの化合物には限定さ
れない。また、以下におけるＣ１は不斉炭素を示す。

１、０ −紋穴（１）で表わされる本発明の化合物は、例えば、
下記−紋穴（ｍ）で表わされるヒドロキシ化合物、Ｒ２
０Ｈ及びＲ３０Ｈを順次、常法に従いリン像エステル化
反応させることにより合成することができる。

（Ｉｊｌ） １１ また、−紋穴（ＩＩ）で表わされる本発明の化合物は、
例えば、−紋穴（ＩＩＩ）で表わされるヒドロキシ化合
物及び）１０−８４−ＯＨを常法に従いリン酸エステル
化反応させることにより合成することができる。

−紋穴（１）において、Ｒ２とＲ１のうちの少なくと２
− も一方が不斉炭素を含む光学活性基である場合、あるい
は−紋穴（ＩＩ）において、Ｒ４が不斉炭素を含む環状
鎖である場合、本発明の化合物は光学活性化合物であり
、強誘電性を示さない単なるＳｃ相を示す化合物又は強
誘電性液晶化合物と混合使用することによりＳｃ”相温
度範囲が改善され、応答特性の優れた強誘電性液晶組成
物を得ることができる。

また−紋穴（Ｉ）において、Ｒ２とＲ３が同一の炭素数
１〜２０のアルキル基である場合、あるいは−紋穴（Ｉ
Ｉ）において、Ｒ４が不斉炭素を含まない対称な環であ
る場合、本発明の化合物は非光学活性化合物であり、既
存の強誘電性液晶化合物と混合使用することによりＳｃ
Ｉ相温度範囲が改善され、応答特性の優れた強誘電性液
晶組成物を得ることができる。

さらに−紋穴（Ｉ）において、Ｒ２とＲ３が互いに異な
るアルキル基である場合、あるいは−紋穴（ＩＩ）にお
いて、Ｒ，が非対称な環である場合、本発明の化合物は
リン原子上が光学活性な化合物となり得る。通常のリン
酸エステル化反応を行うと、リン原子上がラセミの化合
物が得られるので、既存の強誘電性液晶化合物と混合使
用することにより、Ｓｃ”相温度範囲が改善され、応答
特性の優れた強誘電性液晶組成物を得ることができる。

またジアステレオマーに誘導し、光学分割を経由する不
斉リン酸エステル化反応により、リン原子上が光学活性
な化合物を得ることも可能であり、その場合本発明の化
合物は光学活性化合物として、単なるＳｃ相を示す化合
物又は強誘電性液晶化合物と混合使用することにより、
Ｓｃ”相温度範囲が改善され、応答特性の優れた強誘電
性液晶組成物を得ることができる。

（発明の効果） 本発明のリン酸エステル化合物は、アゾメチン結合（−
ＣＨ＝Ｎ−）や２重結合（−ＣＨ＝ＣＨ−）などを有し
ていないので、化学的にも、光に対しても安定であり、
さらに他の液晶との相溶性が良く、強誘電性液晶組成物
の成分として用いることにより、優れた高速応答性を示
す液晶表示素子が得られる。

また本発明のリン酸エステル化合物のうち、光学活性な
ものは、ネマチック液晶とも相溶性が良いため、ホワイ
トティラー型カラー表示用、コレステリックネマチック
相転移型表示用、ＴＮ型セルにおけるリバースドメイン
発生防止用などの目的で、従来のネマチック液晶に添加
して用いることも可能である。

（実施例） 次に本発明を実施例によりさらに詳細に示す。

なお、以下において、Ｃｒｙ、　Ｎ”、Ｉｓｏ相はそれ
ぞれ結晶相、カイラルネマチック相、等方性液体相を示
す。

実施例１ ４−オクチルオキシビフェニル−ジー（Ｓ）−２−メチ
ルブチルホスフェートの合成 オキシ塩化リン１．．７ｇ（１（１ｍｍｏ１２）をベン
ゼンＩＯ＋ｎＱに溶解し、０℃に冷却して、これに４−
（４’−オクチルオキシフェニル）フェノール３．０ｇ
（１０ｍｍｏｆｌ）とピリジン０．８ｇ（ｌｏｍｍｏρ
）をベンゼン２０−に溶解したものを滴下し、滴下終了
後２時間加熱還流させた。こ−１５＝ １６ れを再びＯ′Ｃに冷却して、これに（Ｓ）−２−メチル
ブタノール１　、８ｇ　（２０ｍｍｏｎ）とピリジ’Ｊ
　］、　、　６ｇ　（２０ｍｍｏＱ）をベンゼン２０戒
に溶解したものを滴下し、滴下終了後２時間加熱還流さ
せた。放冷後、１００−の酢徴エチルを加え、飽和硫酸
銅水溶液、水、飽和硫酸ナトリウム水溶液で順次洗浄し
、無水硫酸ナトリウムで脱水した。溶媒を留去し、シリ
カゲルカラムクロマ１−グラフィーで精製し、下記式で
表わされる４−オクチルオキシビフェニル−ジー（Ｓ）
−メチルブチルホスフェート３．３ｇ（収率６４％）を
得た。

この化合物の”Ｈ−ＮＭＲスペクトル及び融点は以下の
通りであった。

ＮＭＲ，Ｓ（ｐｐｍ、ＣＤＣ４，）　：　０．８９（９
８，ｍ）、０．９７　（６８、ｍ）、］、、３１（１４
Ｈ，＋１１）、１．７１（４Ｈ，ｍ）、３．９８（６Ｈ
，＋ａ）、６．８５〜７．５１（８Ｈ，ｍ） 融点：３９℃ 実施例２ ４−（４’−デシルオキシベンゾイルオキシ）フェニル
−ジー（Ｓ）−２−メチルブチルホスフェ−１−の合成
実施例１の４−（４’−オクチルオキシフェニル）フェ
ノールの代りに、４−（４’−デシルオキシベンゾイル
オキシ）フェノールを用い、他は実施例１と全く同様に
反応させ、下記式で表わされる４−（４’−デシルオキ
シベンゾイルオキシ）フェニル−ジー（Ｓ）−２−メチ
ルブチルホスフェートを得た。

この化合物の融点は３９℃であった。既知のカイラルで
ないＳｃ化合物である４−デシルオキシ安息香酸に、こ
の合成した化合物を２０ｗｔ％添加した液晶混合物の相
転移温度は以下の通りであった。

この混合物を、間隔２声のラビング配向処理済ガラス透
明電極間に封入し、そのＳｃ”相において±２０Ｖ、５
０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭な光スイッチン
グが認められ、その応答時間は８０℃で１００μｓｅｃ
と非常に高速であった。

このように本発明の化合物はＳｃ相を示す化合物と混合
して、高速で応答する強誘電性液晶組成物を調製するこ
とができる。

実施例３ ４−オクタデシルオキシビフェニルジー（Ｓ）−Ｚ−メ
チルブチルホスフェ−１への合成 実施例１の４−（４’−オクチルオキシフェニル）フェ
ノールの代りに４−（４’−オクタデシルオキシフェニ
ル）フェノールを用い、他は実施例１と全く同様に反応
させ、下記式で表わされる４−オクタデシルオキシビフ
ェニルジ＝（Ｓ）−２−メチルブチルホスフェート３．
８ｇ（収率５８％）を得た。

実施例４ ２−（４’−オクチルオキシビフェニルオキシ）−５−
へキシル−１，３，２−ジオキサホスファン−２−オキ
サイドの合成 実施例１の（Ｓ）−２−メチルブタノールの代りに２ヘ
キシル−１，３−プロパンジオールを用い他は実施例１
と全く同様に反応させ、下記式で表わされる２（４′−
オクチルオキシビフェニルオキシ）−５−へキシル−１
，３，２−ジオキサホスファン−２−オキサイド２．５
ｇ（収率５０％）を得た。

実施例５ ４−（４’−デシルオキシベンゾイルオキシ）フェニル
（Ｒ）−１−メチルへブチルメチルホスフェ−１〜の合
成 オキシ塩化リン１　、７ｇ　（］、ＯｍｍｏＱ、）をベ
ンゼン１０威に溶解し０℃に冷却して、これに４−　（
４’−デシルオキシベンゾイルオキシ）フェノール３．
７ｇ（１０ｍｍｏＱ）とピリジン０．８ｇ（１０ｍｍｏ
ｆｆ）をベンゼン２０ｍＤ、に溶解したものを滴下し、
滴下終了後２時間加熱還流させた。

これを再び０℃に冷却して、これに（Ｒ）−２−オクタ
ツール１．３ｇ（］、ＯｍｍｏＱ）とピリジン０．８ｇ
（］Ｏｍｍｏｆｆ）をベンゼン２０−に溶解したものを
滴下し、滴下終了後＝１９ ０ ２時間加熱還流させた。これを再び０℃に冷却して、こ
れにメタノール０．６ｇ（２０ｍｍｏＱ）とピリジン１
．６ｇ（２０ｍｍｏＱ）をベンゼン２０ｍＱに溶解した
ものを滴下し、滴下終了後２時間加熱還流させた。放冷
後、］００ｍｆｌの酢酸エチルを加え、飽和硫酸銅水溶
液、水、飽和硫酸ナトリウム水溶液で順次洗浄し、無水
硫酸ナトリウムで脱水した。溶媒を留去し、シリカゲル
カラムクロマ１−グラフィーで精製し、下記式で表わさ
れる４−（４’−デシルオキシベンゾイルオキシ）フェ
ニル（Ｒ）−１−メチルヘプチルメチルホスフェート４
．４ｇ（収率７６％）を得た。

この化合物の融点は４５°Ｃであった。

実施例６ ４−　（４’−デシルオキシベンゾイルオキシ）フェニ
ルオクタデシルメチルホスフェートの合成実施例５の（
Ｒ）−２−オクタツールの代りにオクタデカノールを用
い、他は実施例５と全く同様に反応させ、下記式で表わ
される４−（４’−デシルオキシベンゾイルオキシ）フ
ェニルオクタデシルメチルホスフェート４．７ｇ（収率
６６り）を得た。

実施例７ ４−（４’−デシルオキシフェノキシカルボニル）フェ
ニル（Ｒ）−１−メチルへブチルメチルホスフェートの
合成 実施例５の４−（４’−デシルオキシベンゾイルオキシ
）フェノールの代りに４−（４’−デシルオキシフェノ
キシカルボニル）フェノールを用い、他は実施例５と全
く同様に反応させ、下記式で表わされる４（４′−デシ
ルオキシフェノキシカルボニル）フェニル（Ｒ）−１−
メチルヘプチルメチルホスフェート４．３ｇ（収率７５
％）を得た。

１ ２ 実施例８ ４−（４’−デシルオキシベンジルオキシ）フェニル（
Ｒ）−１−メチルヘプチルメチルホスフェートの合成実
施例５の４−　（４’−デシルオキシベンゾイルオキシ
）フェノールの代りに４−（４’−デシルオキシベンジ
ルオキシ）フェノールを用い他は実施例５と同様に反応
させ、下記式で表わされる４−（４’−デシルオキシベ
ンジルオキシ）フェニル（Ｒ）−１−メチルヘプチルメ
チルホスフェート４．０ｇ（収率７１％）を得た。

実施例９ ４−（４’−デシルオキシフェノキシカルビニル）フェ
ニル（Ｒ）−１−メチルヘプチルメチルホスフェートの
合成 実施例５の４−（４’−デシルオキシベンゾイルオキシ
）フェノールの代りに４−（１１’−デシルオキシフェ
ノキシカルビニル）フェノールを用い他は実施例５と全
く同様に反応させ、下記式で表わされる４−（４′−デ
シルオキシフェノキシカルビニル）フェニル（Ｒ）−１
−メチルヘプチルメチルホスフェート３．９ｇ（収率６
９％）を得た。

実施例１０ ４　、２’　−（５’−オクチルピリミジル）フェニル
（Ｒ）−１メチルヘプチルメチルホスフエートの合成実
施例５の４−（４’−デシルオキシベンゾイルオキシ）
フェノールの代りに４．２’−（５’−オクチルピリミ
ジル）フェノールを用い、他は実施例５と全く同様に反
応させ、下記式で表わされる４、２’−（５’−オクチ
ルピリミジル）フェニル（Ｒ）−１−メチルヘプチルメ
チルホスフェート３．３ｇ（収率６７ｚ）を得た。

実施例１１ ４．５’−（２’−デシルオキシピリミジル）フェニル
（Ｒ）３ ４− １−メチルヘプチルメチルホスフェートの合成実施例５
の４−（４′−デシルオキシベンゾイルオキシ）フェノ
ールの代りに４．５′−（２’−デシルオキシピリミジ
ル）フェノールを用い他は実施例５と全く同様に反応さ
せ、下記式で表わされる４、５’−（２’−デシルオキ
シピリミジル）フェニル（Ｒ）−１−メチルヘプチルメ
チルホスフェート３．５ｇ（収率６６％）を得た。

実施例１２ ４　、２’　−（５’−ドデシルピリジル）フェニル（
Ｒ）−１−メチルヘプチルメチルホスフェートの合成実
施例５の４−（４’−デシルオキシベンゾイルオキシ）
フェノールの代りに４　、２’　−（５’−ドデシルピ
リジル）フェノールを用い、他は実施例５と全く同様に
反応させ、下記式で表わされる４、２’−（５’−ドデ
シルピリジル）フェニル（Ｒ）−１−メチルヘプチルメ
チルホスフェート２．８ｇ（収率５１％）を得た。

実施例１３ ４．５’−（２’−テ）−ラブシルピリジル）フェニル
（Ｒ）１−メチルヘプチルメチルホスフェートの合成実
施例５の４−（４’−デシルオキシベンゾイルオキシ）
フェノールの代りに４．５’−（２’−テトラデシルピ
リジル）フェノールを用い、他は実施例５と全く同様に
反応させ、下記式で表わされる４、５’−（２’−テト
ラデシルピリジル）フェニル（Ｒ）−］−メチルヘプチ
ルメチルホスフェート３．６Ｅ（収率６３％）を得た。

実施例４ ４　、６’　−（３’−オクチルオキシピリダジル）フ
ェニル（Ｒ）−１−メチルヘプチルメチルホスフェート
の合成実施例５の４−（４’−デシルオキシベンゾイル
オキシ）フェノールの代りに４　、６’　−（３’−オ
クチルオキシフζ ２６ ピリダジル）フェノールを用い、他は実施例５と全く同
様に反応させ、下記式で表わされる４、６’−（３’−
オクチルオキシピリダジル）フェニル（Ｒ）−］−メチ
ルヘプチルメチルホスフェート２．９ｇ（収率５７り）
を得た。

実施例１５ ４　、２’　−（５’−ヘキサデシルピラジル）フェニ
ル（Ｒ）１−メチルへブチルメチルホスフェートの合成
実施例５の４−（４’−デシルオキシベンゾイルオキシ
）フェノールの代りに４　、２’　−（５’−ヘキサデ
シルピラジル）フェノールを用い、他は実施例５と全く
同様に反応させ、下記式で表わされる４　、　２’　−
（５’−ヘキサデシルピラジル）フェニル（Ｒ）−１−
メチルヘプチルメチルホスフェート３．６ｇ（収率６０
％）を得た。

７−

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ）又は一般式（II）で表わされ
   るリン酸エステル化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒ＿１は炭素数１〜２０のアルキル基、アルコ
   キシ基、アシル基又はアシルオキシ基を示し、Ｒ＿２、
   Ｒ＿３は炭素数１〜２０のアルキル基又は不斉炭素を含
   む光学活性基を示し、Ｒ＿４は不斉炭素を含んでいても
   よい炭素１〜２０の環状鎖を示し、Ｘは単結合、▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、又は−ＯＣＨ＿２−を示
   し、環Ａ及び環Ｂは芳香環を示す）
2. （２）下記一般式（ I ）又は一般式（II）で表わされ
   るリン酸エステル化合物を含有することを特徴とする液
   晶組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒ＿１は炭素数１〜２０のアルキル基、アルコ
   キシ基、アシル基又はアシルオキシ基を示し、Ｒ＿２、
   Ｒ＿３は炭素数１〜２０のアルキル基又は不斉炭素を含
   む光学活性基を示し、Ｒ＿４は不斉炭素を含んでいても
   よい炭素数１〜２０の環状鎖を示し、Ｘは単結合、▲数
   式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
   があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、又は−ＯＣＨ＿２−を
   示し、環Ａ及び環Ｂは芳香環を示す）