JPH0319210A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0319210A JPH0319210A JP15345489A JP15345489A JPH0319210A JP H0319210 A JPH0319210 A JP H0319210A JP 15345489 A JP15345489 A JP 15345489A JP 15345489 A JP15345489 A JP 15345489A JP H0319210 A JPH0319210 A JP H0319210A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- region
- semiconductor film
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明の非晶質または多結晶の半導体膜をレーザ光によ
シ再結晶化する半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
シ再結晶化する半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
従来の技術
近年、次世代の半導体装置としてＳＯＩ構造による半導
体装置が注目されている。ＳＯＩ構造形成技術にはエビ
タキシャル成長法，絶縁層埋め込み法，貼合わせ法，再
結晶化法などがある。この中でも再結晶化法、とりわけ
レーザ光による再結晶化法が有力である。
体装置が注目されている。ＳＯＩ構造形成技術にはエビ
タキシャル成長法，絶縁層埋め込み法，貼合わせ法，再
結晶化法などがある。この中でも再結晶化法、とりわけ
レーザ光による再結晶化法が有力である。
以下、従来のレーザ光による再結晶化法による半導体装
置の製造方法について説明する。
置の製造方法について説明する。
第２図は、従来のレーザ光による再結晶化法による半導
体装置の製造方法を示す断面図である。
体装置の製造方法を示す断面図である。
第２図にかいて、ａは平面図、ｂは正面図であシ、１は
シリコン等の半導体基板、２はシリコン酸化膜等の絶縁
膜、３は多結晶シリコン等の非品質または多結晶の半導
体膜、４はシリコン窒化膜等の絶縁膜、６はレーザ光で
ある。
シリコン等の半導体基板、２はシリコン酸化膜等の絶縁
膜、３は多結晶シリコン等の非品質または多結晶の半導
体膜、４はシリコン窒化膜等の絶縁膜、６はレーザ光で
ある。
レーザ光６を絶縁膜４のストライプに平行に照射すると
き、厚さの薄い領域４ａの反射率が厚さの厚い領域４ｂ
のそれよシ小さいなら、厚さの薄い領域４ａの下の半導
体膜３は高温になり、厚さの厚い領域４ｂの下の半導体
膜３は低温となる。
き、厚さの薄い領域４ａの反射率が厚さの厚い領域４ｂ
のそれよシ小さいなら、厚さの薄い領域４ａの下の半導
体膜３は高温になり、厚さの厚い領域４ｂの下の半導体
膜３は低温となる。
この結果、領域４ｂの下の半導体膜３に核が生じて、結
晶或長が領域４ｂの下の半導体膜３から領域４ａの下の
半導体膜３に向かって進み、領域４ｂの下の半導体膜３
が再結晶化し、単結晶となる。
晶或長が領域４ｂの下の半導体膜３から領域４ａの下の
半導体膜３に向かって進み、領域４ｂの下の半導体膜３
が再結晶化し、単結晶となる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら前記の従来の製造方法では、熱放散が悪く
、良質の単結晶を得ることができないという問題があっ
た。
、良質の単結晶を得ることができないという問題があっ
た。
本発明は前記従来の課題を解決するもので、非晶質壕た
は多結晶の半導体膜をレーザ光によって再結晶化する際
、半導体膜上部の絶縁膜に選択的に不純物イオン注入す
ることによって、再結晶化されるべき非晶質または多結
晶の半導体膜内に温度分布をつけ、大面積の良質の単結
晶を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
は多結晶の半導体膜をレーザ光によって再結晶化する際
、半導体膜上部の絶縁膜に選択的に不純物イオン注入す
ることによって、再結晶化されるべき非晶質または多結
晶の半導体膜内に温度分布をつけ、大面積の良質の単結
晶を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
課題を解決するための手段
この問題を達戒するために本発明の半導体装置の製造方
法は、非晶質または多結晶の半導体膜上に少なくとも１
層以上の絶縁膜を形或する工程と、この絶縁膜に選択的
に不純物イオンを注入する工程と、この絶縁膜の上から
レーザ光を照射する工程とを備えている。
法は、非晶質または多結晶の半導体膜上に少なくとも１
層以上の絶縁膜を形或する工程と、この絶縁膜に選択的
に不純物イオンを注入する工程と、この絶縁膜の上から
レーザ光を照射する工程とを備えている。
作 用
との構戒によって、不純物イオンを注入された部分の絶
縁膜の反射率が大きくなシ、１た絶縁膜中に発生した多
数の電子または正孔による熱伝導が生じ、再結晶化され
るべき非晶質壕たは多結晶の半導体膜内に温度分布が生
じ、大面積の良質の単結晶を得ることができる。
縁膜の反射率が大きくなシ、１た絶縁膜中に発生した多
数の電子または正孔による熱伝導が生じ、再結晶化され
るべき非晶質壕たは多結晶の半導体膜内に温度分布が生
じ、大面積の良質の単結晶を得ることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法を示す断面図である。第１図において、ａは平面図、
ｂは正面図であシ、１はシリコン等の半導体基板、２は
シリコン酸化膜等の絶縁膜、３は多結晶シリコン等の非
品質または多結晶の半導体膜、６はＶ−ザ光で、これら
は従来例の構或と同じである。ｅはシリコン窒化膜等の
絶縁膜、６ａは不純物イオンの注入がされていない領域
、６ｂは不純物イオンの注入によって得られた高濃度不
純物領域である。
法を示す断面図である。第１図において、ａは平面図、
ｂは正面図であシ、１はシリコン等の半導体基板、２は
シリコン酸化膜等の絶縁膜、３は多結晶シリコン等の非
品質または多結晶の半導体膜、６はＶ−ザ光で、これら
は従来例の構或と同じである。ｅはシリコン窒化膜等の
絶縁膜、６ａは不純物イオンの注入がされていない領域
、６ｂは不純物イオンの注入によって得られた高濃度不
純物領域である。
以上のように構或された本実施例の半導体装置の製造方
法について、以下詳細に説明する。
法について、以下詳細に説明する。
第１図にかいて、絶縁膜２の厚さは約１・６μｍ，非晶
質捷たは多結晶の半導体膜３は約０．６μｍ、高濃度不
純物領域６ｂはホウ素で形或され、その深さは約０．３
μｍ程度である。
質捷たは多結晶の半導体膜３は約０．６μｍ、高濃度不
純物領域６ｂはホウ素で形或され、その深さは約０．３
μｍ程度である。
領域６ｂはホウ素を注入されることによシ格子の不秩序
を起こし、注入領域の屈折率が高くなる。
を起こし、注入領域の屈折率が高くなる。
その結果反射率も大きくなる。また熱伝導もフオノンに
よる熱伝導よシ電子または正孔による熱伝導が優勢にな
シ、熱放散も良くなる。
よる熱伝導よシ電子または正孔による熱伝導が優勢にな
シ、熱放散も良くなる。
したがって領域６ｂの下の半導体膜３は低温となる。こ
の結果、領域６ｂの下の半導体膜３に核が生じて、結晶
戒長が領域６ｂの下の半導体膜３から領域６ａの下の半
導体膜３に向かって進み、領域６ｂの下の半導体膜３が
再結晶化される。
の結果、領域６ｂの下の半導体膜３に核が生じて、結晶
戒長が領域６ｂの下の半導体膜３から領域６ａの下の半
導体膜３に向かって進み、領域６ｂの下の半導体膜３が
再結晶化される。
発明の効果
本発明は、再結晶化されるべき非品質または多結晶の半
導体膜上に形或した絶縁膜に選択的に不純物イオンを注
入することにより、反射率と熱伝導率を制御し、大面積
にわたシ良質の再結晶化を行うことができる優れた半導
体装置の製造方法を実現できるものである。
導体膜上に形或した絶縁膜に選択的に不純物イオンを注
入することにより、反射率と熱伝導率を制御し、大面積
にわたシ良質の再結晶化を行うことができる優れた半導
体装置の製造方法を実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例にかける半導体装置の製造方
法を示す断面図、第２図は従来の半導体装置の製造方法
を示す断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・非晶質または多結晶の半導体膜、４・・・
・・・絶縁膜、４ａ・・・・・・絶縁膜の厚さの薄い領
域、４ｂ・・・・・・厚さの厚い領域、５・・・・・・
レーザ光、ｅ・・・・・・絶縁膜、６ａ・・・・・・不
純物イオンの注入がされていない絶縁膜の領域、６ｂ・
・・・・・不純物イオンの注入によって得られた高濃度
不純物領域。
法を示す断面図、第２図は従来の半導体装置の製造方法
を示す断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・非晶質または多結晶の半導体膜、４・・・
・・・絶縁膜、４ａ・・・・・・絶縁膜の厚さの薄い領
域、４ｂ・・・・・・厚さの厚い領域、５・・・・・・
レーザ光、ｅ・・・・・・絶縁膜、６ａ・・・・・・不
純物イオンの注入がされていない絶縁膜の領域、６ｂ・
・・・・・不純物イオンの注入によって得られた高濃度
不純物領域。
Claims (1)
- 絶縁膜上に再結晶化されるべき非晶質または多結晶の半
導体膜を形成する工程と、前記非晶質または多結晶の半
導体膜上に少なくとも１層以上の第２の絶縁膜を形成す
る工程と、前記第２の絶縁膜に選択的に不純物イオンを
注入する工程と、前記第２の絶縁膜の上からレーザ光を
照射する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15345489A JPH0319210A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15345489A JPH0319210A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319210A true JPH0319210A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15562910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15345489A Pending JPH0319210A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319210A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104505340A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-04-08 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种低温多晶硅薄膜的制备方法 |
| CN106206257A (zh) * | 2016-08-12 | 2016-12-07 | 昆山国显光电有限公司 | 制备低温多晶硅薄膜及晶体管的方法 |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP15345489A patent/JPH0319210A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104505340A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-04-08 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种低温多晶硅薄膜的制备方法 |
| CN106206257A (zh) * | 2016-08-12 | 2016-12-07 | 昆山国显光电有限公司 | 制备低温多晶硅薄膜及晶体管的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW595003B (en) | Thin-film transistor and method for manufacturing same | |
| US5371381A (en) | Process for producing single crystal semiconductor layer and semiconductor device produced by said process | |
| US4448632A (en) | Method of fabricating semiconductor devices | |
| CN100468765C (zh) | 薄膜半导体器件 | |
| JPH0319210A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0575965B1 (en) | Method of forming semiconductor crystal and semiconductor device | |
| JP2709591B2 (ja) | 再結晶半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0556314B2 (ja) | ||
| JPS5893222A (ja) | 半導体単結晶膜の製造方法 | |
| JPS5880831A (ja) | 半導体装置用基板の製造方法 | |
| JPS6147627A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0282519A (ja) | 固相エピタキシャル成長方法 | |
| JPH0442358B2 (ja) | ||
| JP2695462B2 (ja) | 結晶性半導体膜及びその形成方法 | |
| JPH0810669B2 (ja) | Ｓｏｉ膜の形成方法 | |
| JPS61203629A (ja) | 半導体層の単結晶化方法 | |
| JPS6315471A (ja) | 薄膜トランジスタとその製造方法 | |
| JPH0413848B2 (ja) | ||
| JPS60164316A (ja) | 半導体薄膜の形成方法 | |
| JPS58169905A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPS62216368A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5893229A (ja) | 半導体グラフオエピタキシ−素子の製造方法 | |
| JPS59228713A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03211739A (ja) | 接合型電界効果トランジスタ装置及びその製造方法 | |
| JPH0727863B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |