JPH0556314B2 - - Google Patents
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- JPH0556314B2 JPH0556314B2 JP16619184A JP16619184A JPH0556314B2 JP H0556314 B2 JPH0556314 B2 JP H0556314B2 JP 16619184 A JP16619184 A JP 16619184A JP 16619184 A JP16619184 A JP 16619184A JP H0556314 B2 JPH0556314 B2 JP H0556314B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor layer
- thermal conductivity
- polycrystalline semiconductor
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体単結晶薄膜の製造方法に関す
る。
る。
従来の技術
第１１図及び第１２図を参照して従来の半導体
単結晶薄膜の製造方法について説明する。先ず第
１１図を参照して、半導体単結晶薄膜を形成すべ
き半導体装置について説明する。１は石英等から
なる絶縁基板（Si基板上にSiO2層を被着形成し
たものも可）、２はその上に減圧化学蒸着法等に
より帯状に被着形成された多結晶シリコン層、３
は基板１上及び多結晶シリコン層２上に亘つて被
着形成されたSiO2等よりなるキヤツプ層である。
単結晶薄膜の製造方法について説明する。先ず第
１１図を参照して、半導体単結晶薄膜を形成すべ
き半導体装置について説明する。１は石英等から
なる絶縁基板（Si基板上にSiO2層を被着形成し
たものも可）、２はその上に減圧化学蒸着法等に
より帯状に被着形成された多結晶シリコン層、３
は基板１上及び多結晶シリコン層２上に亘つて被
着形成されたSiO2等よりなるキヤツプ層である。
しかして、第１２図に示す如く、斯る帯状の多
結晶シリコン層２に対し、キヤツプ層３を介して
その長手方向（走査方向）５にカーボンヒータ、
レーザビーム発生源、ハロゲンランプ、IRラン
プ、電子ビーム発生器源等の線状の加熱手段４を
走査させる。かくすると、キヤツプ層３を介して
加熱手段４により加熱された多結晶シリコン層２
は溶融し、加熱手段４が遠ざかるにつれて自然冷
却されて固化し、再結晶化して単結晶となる。
結晶シリコン層２に対し、キヤツプ層３を介して
その長手方向（走査方向）５にカーボンヒータ、
レーザビーム発生源、ハロゲンランプ、IRラン
プ、電子ビーム発生器源等の線状の加熱手段４を
走査させる。かくすると、キヤツプ層３を介して
加熱手段４により加熱された多結晶シリコン層２
は溶融し、加熱手段４が遠ざかるにつれて自然冷
却されて固化し、再結晶化して単結晶となる。
この場合、帯状の多結晶シリコン層２の両側か
ら中央に向つて冷却が進むので、加熱手段４が既
に通過した部分の等温線は、破線ａにて示す如
く、図に於いて下側（走査方向ａと反対方向）に
凸の曲線になる。かくして多結晶シリコン層２は
矢印６に示すごとくその両側縁から中心に向つて
冷却固化して単結晶化して行く。このため得られ
た単結晶シリコン層２０の中央には符号７にて示
すごとき結晶粒界７が形成され、結晶の品質が低
下する。斯る結晶粒界７は、この単結晶層２０に
不純物を注入して、半導体（集積）回路を形成し
た場合、その部分で漏れ電流が生じるので、好ま
しくない。
ら中央に向つて冷却が進むので、加熱手段４が既
に通過した部分の等温線は、破線ａにて示す如
く、図に於いて下側（走査方向ａと反対方向）に
凸の曲線になる。かくして多結晶シリコン層２は
矢印６に示すごとくその両側縁から中心に向つて
冷却固化して単結晶化して行く。このため得られ
た単結晶シリコン層２０の中央には符号７にて示
すごとき結晶粒界７が形成され、結晶の品質が低
下する。斯る結晶粒界７は、この単結晶層２０に
不純物を注入して、半導体（集積）回路を形成し
た場合、その部分で漏れ電流が生じるので、好ま
しくない。
発明が解決しようとする問題点
斯る点に鑑み本発明は、結晶粒界の発生し難
い、高品質の半導体単結晶薄膜を製造することの
できる半導体単結晶薄膜の製造方法を提案せんと
するものである。
い、高品質の半導体単結晶薄膜を製造することの
できる半導体単結晶薄膜の製造方法を提案せんと
するものである。
問題点を解決するための手段
本発明による半導体単結晶薄膜の製造方法は、
半導体層に対し相対的に加熱手段を走査させて、
半導体層を溶融させた後冷却固化させて半導体単
結晶薄膜を形成するようにした半導体単結晶薄膜
の製造方法において、半導体層の加熱走査方向と
略直交する方向の温度分布を双峰形にする放熱制
御層を、略5000Å以下の反応防止層を介して半導
体層上に選択的に被着するようにしたものであ
る。
半導体層に対し相対的に加熱手段を走査させて、
半導体層を溶融させた後冷却固化させて半導体単
結晶薄膜を形成するようにした半導体単結晶薄膜
の製造方法において、半導体層の加熱走査方向と
略直交する方向の温度分布を双峰形にする放熱制
御層を、略5000Å以下の反応防止層を介して半導
体層上に選択的に被着するようにしたものであ
る。
作 用
かくすると、加熱手段によつて加熱溶融された
半導体層は加熱手段の通過後、その中央から両側
に向つて冷却が進むので、中央部から両側に向つ
て再結晶化が進むから、従来技術のような結晶粒
界が発生し難く、高品質の半導体単結晶薄膜を得
ることができる。
半導体層は加熱手段の通過後、その中央から両側
に向つて冷却が進むので、中央部から両側に向つ
て再結晶化が進むから、従来技術のような結晶粒
界が発生し難く、高品質の半導体単結晶薄膜を得
ることができる。
実施例
以下に第１図を参照して本発明の一実施例を説
明する。第１図は半導体単結晶薄膜を形成すべき
半導体装置を示し、１は石英等の絶縁基板であ
る。この絶縁基板１としては、Si基板上にSiO2
層を被着形成したものも可能である。基板１上に
は例えばシリコンからなる多結晶半導体層２が帯
状に被着形成される。そして基板１及び多結晶半
導体層２上に亘つて略5000Å以下の例えばSiO2
から成る反応防止層８を被着形成する。そして多
結晶半導体層２の長手方向に沿つてその中央部
に、反応防止層８を介して、多結晶半導体層２よ
り熱伝導率の高い高熱伝導率層９Ａを被着形成す
る。この高熱伝導率層９Ａとしては、Mo，Ta，
Ｗ，Pt，Nb等が用いられる。これらの物質のSi
の融点1412℃に於ける熱伝導率（cal／sec・cm・
deg）は夫夫Mo：0.21，Ta：0.19，Ｗ：0.25，
Pt：0.157，Nb：0.154で、Si：0.058の３倍以上
である。又、これらの物質の比熱はSiのそれの1/
３以下である。
明する。第１図は半導体単結晶薄膜を形成すべき
半導体装置を示し、１は石英等の絶縁基板であ
る。この絶縁基板１としては、Si基板上にSiO2
層を被着形成したものも可能である。基板１上に
は例えばシリコンからなる多結晶半導体層２が帯
状に被着形成される。そして基板１及び多結晶半
導体層２上に亘つて略5000Å以下の例えばSiO2
から成る反応防止層８を被着形成する。そして多
結晶半導体層２の長手方向に沿つてその中央部
に、反応防止層８を介して、多結晶半導体層２よ
り熱伝導率の高い高熱伝導率層９Ａを被着形成す
る。この高熱伝導率層９Ａとしては、Mo，Ta，
Ｗ，Pt，Nb等が用いられる。これらの物質のSi
の融点1412℃に於ける熱伝導率（cal／sec・cm・
deg）は夫夫Mo：0.21，Ta：0.19，Ｗ：0.25，
Pt：0.157，Nb：0.154で、Si：0.058の３倍以上
である。又、これらの物質の比熱はSiのそれの1/
３以下である。
尚、この高熱伝導率層９Ａの幅及び厚さは加熱
手段、多結晶半導体層２の厚さ、幅等によつて任
意に設定される。
手段、多結晶半導体層２の厚さ、幅等によつて任
意に設定される。
しかして、上述したごときカーボンヒータ、レ
ーザービーム発生源、ハロゲンランプ、IRラン
プ、電子ビーム発生源の如き線状加熱手段を帯状
多結晶半導体層２の長手方向に対し略直交させて
配置し、これをその長手方向に移動させる。かく
すると、その加熱手段の直下付近の多結晶半導体
層２は溶融され、加熱手段が遠ざかるにつれてそ
の部分が自然冷却により固化して、再結晶化され
る。この場合、多結晶半導体層２の中央部には高
熱伝導率層９Ａが設けられているので、この部分
の熱が高熱伝導率層９Ａを通じて外部に速やかに
放熱され、高熱伝導率層９Ａのない部分は遅く放
熱されるので、帯状半導体層２の幅方向の温度分
布は双峰後となる。このため多結晶半導体層２の
中央部から単結晶化（再結晶化）が開始され、
徐々にその両側に向つて単結晶化が進んで行く。
かくして従来のごとき結晶粒界が単結晶半導体層
の中央部に形成される虞は殆んどなくなる。
ーザービーム発生源、ハロゲンランプ、IRラン
プ、電子ビーム発生源の如き線状加熱手段を帯状
多結晶半導体層２の長手方向に対し略直交させて
配置し、これをその長手方向に移動させる。かく
すると、その加熱手段の直下付近の多結晶半導体
層２は溶融され、加熱手段が遠ざかるにつれてそ
の部分が自然冷却により固化して、再結晶化され
る。この場合、多結晶半導体層２の中央部には高
熱伝導率層９Ａが設けられているので、この部分
の熱が高熱伝導率層９Ａを通じて外部に速やかに
放熱され、高熱伝導率層９Ａのない部分は遅く放
熱されるので、帯状半導体層２の幅方向の温度分
布は双峰後となる。このため多結晶半導体層２の
中央部から単結晶化（再結晶化）が開始され、
徐々にその両側に向つて単結晶化が進んで行く。
かくして従来のごとき結晶粒界が単結晶半導体層
の中央部に形成される虞は殆んどなくなる。
第１図の実施例においては、多結晶半導体層２
の上に反応防止層８を介して高熱伝導率層９Ａを
設けた場合について述べたが、第２図に示す如く
多結晶半導体層２の下側、即ち基板１と多結晶半
導体層２との間に、反応防止層８を介して高熱伝
導率層９Ａを設けてもよい。
の上に反応防止層８を介して高熱伝導率層９Ａを
設けた場合について述べたが、第２図に示す如く
多結晶半導体層２の下側、即ち基板１と多結晶半
導体層２との間に、反応防止層８を介して高熱伝
導率層９Ａを設けてもよい。
この場合は、多結晶半導体層２の高熱伝導率層
９Ａの設けられている部分の、基板１側への放熱
が、他部より速やかに行なわれる。
９Ａの設けられている部分の、基板１側への放熱
が、他部より速やかに行なわれる。
又、第３図に示すごとく多結晶半導体層２上に
反応防止層８ａを介して高熱伝導率層９Aaを被
着形成すると共に、多結晶半導体層２の下側、即
ち基板１と多結晶半導体層２との間に反応防止層
８ｂを介して高熱伝導率層９Abを配するように
してもよい。かくすれば、高熱伝導率層９Aa，
９Abで挾まれた多結晶半導体層２の部分は他部
に比し、上側の高熱伝導率層９Aaから速やかに
熱が放散されると共に、下側の高熱伝導率層９
Ab及び基板１を介して速やかに熱が放散される。
反応防止層８ａを介して高熱伝導率層９Aaを被
着形成すると共に、多結晶半導体層２の下側、即
ち基板１と多結晶半導体層２との間に反応防止層
８ｂを介して高熱伝導率層９Abを配するように
してもよい。かくすれば、高熱伝導率層９Aa，
９Abで挾まれた多結晶半導体層２の部分は他部
に比し、上側の高熱伝導率層９Aaから速やかに
熱が放散されると共に、下側の高熱伝導率層９
Ab及び基板１を介して速やかに熱が放散される。
上述の第１図〜第３図の実施例では、反応防止
層８を介して、多結晶半導体層２の中央部に高熱
伝導率層９Ａを設けた場合であるが、逆に多結晶
半導体層２の両側に反応防止層８を介して多結晶
半導体層２より熱伝導率の低い低熱伝導率層を被
着することもできる。即ち、第４図に示す如く、
反応防止層８を介して、多結晶半導体層８上の中
央に溝が形成される如く、その両側及び基板１上
に低熱伝導率層９Ｂ，９Ｂを被着形成する。
層８を介して、多結晶半導体層２の中央部に高熱
伝導率層９Ａを設けた場合であるが、逆に多結晶
半導体層２の両側に反応防止層８を介して多結晶
半導体層２より熱伝導率の低い低熱伝導率層を被
着することもできる。即ち、第４図に示す如く、
反応防止層８を介して、多結晶半導体層８上の中
央に溝が形成される如く、その両側及び基板１上
に低熱伝導率層９Ｂ，９Ｂを被着形成する。
この低熱伝導率層９Ｂとしては3Al2O3・
2SiO2，Al2O3，ZrO2等が可能で、これらの熱伝
導率（cal／sec・cm・deg）は、3Al2O3・
2SiO2：0.013，Al2O3：0.014，ZrO2：0.005以下
で、Si：0.058の1/3以下である。尚、これら物質
の比熱はSiのそれよりも大きい。
2SiO2，Al2O3，ZrO2等が可能で、これらの熱伝
導率（cal／sec・cm・deg）は、3Al2O3・
2SiO2：0.013，Al2O3：0.014，ZrO2：0.005以下
で、Si：0.058の1/3以下である。尚、これら物質
の比熱はSiのそれよりも大きい。
かくして、多結晶半導体層２の中央部が他部に
比べて熱放散が速やかに行なわれ、この部分から
冷却固化による単結晶化（再結晶化）が開始さ
れ、これが徐々両側に進むことにより、やはり従
来のような中央部での結晶粒界の発生は殆んどな
い。
比べて熱放散が速やかに行なわれ、この部分から
冷却固化による単結晶化（再結晶化）が開始さ
れ、これが徐々両側に進むことにより、やはり従
来のような中央部での結晶粒界の発生は殆んどな
い。
第４図の実施例では、低熱伝導率層９Ｂ，９Ｂ
を反応防止層８を介して多結晶半導体層２上の両
側に配するようにした場合があるが、第５図に示
す如くこの低熱伝導率層９Ｂを多結晶半導体層２
上の両側に設けるのみならず、反応防止層８を介
して多結晶半導体層２の下側、即ち基板１と多結
晶半導体層２との間に設けるようにすることもで
きる。この場合は、多結晶半導体層２の中央部で
の熱放散が他部より一層速やかになる。
を反応防止層８を介して多結晶半導体層２上の両
側に配するようにした場合があるが、第５図に示
す如くこの低熱伝導率層９Ｂを多結晶半導体層２
上の両側に設けるのみならず、反応防止層８を介
して多結晶半導体層２の下側、即ち基板１と多結
晶半導体層２との間に設けるようにすることもで
きる。この場合は、多結晶半導体層２の中央部で
の熱放散が他部より一層速やかになる。
又、第６図に示す如く、反応防止層８を介し
て、低熱伝導率層９Ｂ，９Ｂを多結晶半導体層２
の下側、即ち基板１と多結晶半導体層２との間の
両側に設けても良い。
て、低熱伝導率層９Ｂ，９Ｂを多結晶半導体層２
の下側、即ち基板１と多結晶半導体層２との間の
両側に設けても良い。
第７図は第１図及び第４図の実施例を折衷した
ものであつて、これによれば多結晶半導体層２の
中央部に高熱伝導率層９Ａが、その両側に低熱伝
導率層９Ｂが夫々設けられるもので、半導体多結
晶層２の中央部の両側部に対する放熱の速さが頗
る大となる。
ものであつて、これによれば多結晶半導体層２の
中央部に高熱伝導率層９Ａが、その両側に低熱伝
導率層９Ｂが夫々設けられるもので、半導体多結
晶層２の中央部の両側部に対する放熱の速さが頗
る大となる。
第８図の実施例は、多結晶半導体層２上に反応
防止層８を介して、多結晶半導体層２より熱輻射
率の高い高熱輻射率層９Ｃをその長手方向に沿つ
てその中央部に設けた場合である。この高熱輻射
率層９Ｃとしてはカーボンを用いる。Siの融点
（1412℃）に於ける輻射率は、カーボンが0.8、シ
リコンが0.5である。
防止層８を介して、多結晶半導体層２より熱輻射
率の高い高熱輻射率層９Ｃをその長手方向に沿つ
てその中央部に設けた場合である。この高熱輻射
率層９Ｃとしてはカーボンを用いる。Siの融点
（1412℃）に於ける輻射率は、カーボンが0.8、シ
リコンが0.5である。
これによれば加熱手段によつて多結晶半導体層
２が加熱溶融され、加熱手段が通過した後、多結
晶半導体層２の熱輻射がその両側に比べて中央部
に於いて迅速に行われるので、その中央部から冷
却固化による結晶化が開始し、それが両側に進む
ことになり、やはり従来のごとき結晶粒界は発生
し難い。
２が加熱溶融され、加熱手段が通過した後、多結
晶半導体層２の熱輻射がその両側に比べて中央部
に於いて迅速に行われるので、その中央部から冷
却固化による結晶化が開始し、それが両側に進む
ことになり、やはり従来のごとき結晶粒界は発生
し難い。
第９図は第８図における高熱輻射率層９Ｃを多
結晶半導体層２の長手方向と直交する方向に分割
してその表面積を大とし、輻射効率を向上せしめ
た場合である。
結晶半導体層２の長手方向と直交する方向に分割
してその表面積を大とし、輻射効率を向上せしめ
た場合である。
尚、第１図〜第９図の実施例は、これらを適宜
折衷することができる。その場合、高熱伝導率層
又は及び高熱輻射率層と、低熱伝導率層とを組合
せて用いることになる。
折衷することができる。その場合、高熱伝導率層
又は及び高熱輻射率層と、低熱伝導率層とを組合
せて用いることになる。
以下に第１０図を参照して、本発明に用いられ
る放熱制御層としての高熱伝導率層を、ゲート電
極としても用いたMOS電界効果トランジスタの
製法の一例について説明する。第１０図Ａにおい
て、１は石英等の絶縁基板であつて、その上に
SiO2等の絶縁層１０を被着形成する。この絶縁
層１０上にシリコンからなる多結晶半導体層２を
被着形成し、その上に1000Å以下のSiO2層のご
とき反応防止層８を被着形成する。多結晶半導体
層２上においてその中央部に反応防止層８を介し
て金属から成る高熱伝導率層９Ａを被着形成す
る。そして、多結晶半導体層２を上述と同様に加
熱手段によつて加熱溶融及び冷却固化することに
より、多結晶半導体層２を単結晶半導体層２０に
変換する。
る放熱制御層としての高熱伝導率層を、ゲート電
極としても用いたMOS電界効果トランジスタの
製法の一例について説明する。第１０図Ａにおい
て、１は石英等の絶縁基板であつて、その上に
SiO2等の絶縁層１０を被着形成する。この絶縁
層１０上にシリコンからなる多結晶半導体層２を
被着形成し、その上に1000Å以下のSiO2層のご
とき反応防止層８を被着形成する。多結晶半導体
層２上においてその中央部に反応防止層８を介し
て金属から成る高熱伝導率層９Ａを被着形成す
る。そして、多結晶半導体層２を上述と同様に加
熱手段によつて加熱溶融及び冷却固化することに
より、多結晶半導体層２を単結晶半導体層２０に
変換する。
次に第１０図Ｂに示す如く、イオンプランテー
シヨン等の技法により、Ｐ型又はＮ型の不純物を
単結晶シリコン半導体層２０の両側の領域に打ち
込んで、ｐ型又はｎ型の不純物領域２０ａ，２０
ｂを形成する。
シヨン等の技法により、Ｐ型又はＮ型の不純物を
単結晶シリコン半導体層２０の両側の領域に打ち
込んで、ｐ型又はｎ型の不純物領域２０ａ，２０
ｂを形成する。
しかる後第１０図ｃに示す如く、反応防止層８
の不純物領域２０ａ，２０ｂ上の部分にエツチン
グにより孔を穿け、ドレイン及びソース電極とな
る金属電極層２１ａ，２１ｂをその孔を通じて不
純物領域２０ａ，２０ｂ上及び反応防止層８上に
亘つて被着形成する。この場合、ゲート電極とし
ての高熱伝導率層９Ａの下の反応防止層８は単結
晶半導体層２０との間の絶縁膜として機能するの
でその厚さは、上述の如く約1000Å以下が好適で
ある。
の不純物領域２０ａ，２０ｂ上の部分にエツチン
グにより孔を穿け、ドレイン及びソース電極とな
る金属電極層２１ａ，２１ｂをその孔を通じて不
純物領域２０ａ，２０ｂ上及び反応防止層８上に
亘つて被着形成する。この場合、ゲート電極とし
ての高熱伝導率層９Ａの下の反応防止層８は単結
晶半導体層２０との間の絶縁膜として機能するの
でその厚さは、上述の如く約1000Å以下が好適で
ある。
第１０図において、多結晶半導体層２を単結晶
シリコン半導体層２０に変換してから不純物のド
ープを行つたが、多結晶シリコン半導体層２に予
めイオンプランテーシヨン技術等により不純物を
ドープさせることも可能である。
シリコン半導体層２０に変換してから不純物のド
ープを行つたが、多結晶シリコン半導体層２に予
めイオンプランテーシヨン技術等により不純物を
ドープさせることも可能である。
第１０図の実施例によれば多結晶半導体層を単
結晶半導体層に変換する際の、結晶の高品質化に
用いる金属から成る高熱伝導率層をMOS電界効
果トランジスタのゲート電極として用いるので単
結晶薄膜を用いてMOS電界効果トランジスタを
製造コストを少なくして容易に作ることができ
る。
結晶半導体層に変換する際の、結晶の高品質化に
用いる金属から成る高熱伝導率層をMOS電界効
果トランジスタのゲート電極として用いるので単
結晶薄膜を用いてMOS電界効果トランジスタを
製造コストを少なくして容易に作ることができ
る。
発明の効果
上述せる本発明によれば、中央部に結晶粒界の
生じ難い品質の良好な半導体単結晶薄膜を形成す
ることのできる半導体単結晶薄膜の製造方法を得
ることができる。
生じ難い品質の良好な半導体単結晶薄膜を形成す
ることのできる半導体単結晶薄膜の製造方法を得
ることができる。
第１図〜第９図は本発明による半導体単結晶薄
膜の製造方法の各実施例を示す断面図、第１０図
は本発明による半導体単結晶薄膜の製造方法を応
用したMOS電界効果トランジスタの製造方法の
工程を示す断面図、第１１図は従来の半導体単結
晶薄膜の製造方法の説明に供する断面図、第１２
図は第１１図の多結晶半導体層の結晶化の説明に
供する線図である。 １は基板、２は多結晶半導体層、８は反応防止
層、９Ａ〜９Ｃは放熱制御層で、そのうち９Ａは
高熱伝導率層、９Ｂは低熱伝導率層、９Ｃは高熱
輻射率層である。
膜の製造方法の各実施例を示す断面図、第１０図
は本発明による半導体単結晶薄膜の製造方法を応
用したMOS電界効果トランジスタの製造方法の
工程を示す断面図、第１１図は従来の半導体単結
晶薄膜の製造方法の説明に供する断面図、第１２
図は第１１図の多結晶半導体層の結晶化の説明に
供する線図である。 １は基板、２は多結晶半導体層、８は反応防止
層、９Ａ〜９Ｃは放熱制御層で、そのうち９Ａは
高熱伝導率層、９Ｂは低熱伝導率層、９Ｃは高熱
輻射率層である。
Claims (1)
- １ 半導体層に対し相対的に加熱手段を走査させ
て、上記半導体層を溶融させた後冷却固化させて
半導体単結晶薄膜を形成するようにした半導体単
結晶薄膜の製造方法に於いて、上記半導体層の上
記加熱走査方向と略直交する方向の温度分布を双
峰形にする放熱制御層を、略5000Å以下の反応防
止層を介して上記半導体層上に選択的に被着する
ことを特徴とする半導体単結晶薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16619184A JPS6144785A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 半導体単結晶薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16619184A JPS6144785A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 半導体単結晶薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144785A JPS6144785A (ja) | 1986-03-04 |
| JPH0556314B2 true JPH0556314B2 (ja) | 1993-08-19 |
Family
ID=15826773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16619184A Granted JPS6144785A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 半導体単結晶薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144785A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2631121B2 (ja) * | 1988-03-07 | 1997-07-16 | 理化学研究所 | 半導体薄膜のレーザー溶融再結晶化方法 |
| JP2750890B2 (ja) * | 1988-06-28 | 1998-05-13 | 株式会社リコー | 半導体基板の製造方法 |
| JPH0283915A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Ricoh Co Ltd | 半導体単結晶薄膜の製造方法 |
| JP2797104B2 (ja) * | 1988-10-21 | 1998-09-17 | 正國 鈴木 | 半導体結晶層の製造方法 |
| US9228727B2 (en) | 2012-04-05 | 2016-01-05 | Michael W. May | Lighting assembly |
| US10302292B2 (en) | 2016-01-07 | 2019-05-28 | Michael W. May | Connector system for lighting assembly |
| US9726332B1 (en) | 2016-02-09 | 2017-08-08 | Michael W. May | Networked LED lighting system |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP16619184A patent/JPS6144785A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6144785A (ja) | 1986-03-04 |
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