JPH03192288A - 静電荷像転写現像方法 - Google Patents
静電荷像転写現像方法Info
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- JPH03192288A JPH03192288A JP31149189A JP31149189A JPH03192288A JP H03192288 A JPH03192288 A JP H03192288A JP 31149189 A JP31149189 A JP 31149189A JP 31149189 A JP31149189 A JP 31149189A JP H03192288 A JPH03192288 A JP H03192288A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電荷保持媒体上に形成した静電荷像を熱可塑性
樹脂層を有する電荷保持媒体上に転写して熱現像する静
電荷像転写現像方法に関する。
樹脂層を有する電荷保持媒体上に転写して熱現像する静
電荷像転写現像方法に関する。
従来、熱可塑性樹脂層上に静電荷像を形成して加熱する
ことにより凹凸像を尼成し、その後冷却して凹凸像を固
定化することにより、静電荷パターンを現像することが
知られている。
ことにより凹凸像を尼成し、その後冷却して凹凸像を固
定化することにより、静電荷パターンを現像することが
知られている。
この現像方法は、例えば第４図Ｃａ＞に示すように支持
体ＩＱｃ上に電極１０ｂ１熱可塑性樹脂層１０ａを形成
した光導電体１０を帯電装置１１により一様にコロナ帯
電した後、第４図ら）に示すように画像露光して画像状
の静電荷パターンを形成し、その後第４図（Ｃ）に示す
ように電極１０ｂを接地した状態で加熱装置１２により
光導電体を加熱すると、熱可塑性樹脂層１０ａが可塑化
し、静電荷パターンに対応して電極１０ｂ上に誘起され
ている逆符号の電荷と表面の電荷とが引っ張りあい、そ
の結果、篤４図（６）に示すように熱可塑性樹脂層表面
に凹凸像１０ａ、すなわちフロスト像が形成される。フ
ロス）Ｉｆｆｉ成後、光導電体を冷却するとこの凹凸像
が固定化され、静電荷パターンの現像を行うことができ
る。
体ＩＱｃ上に電極１０ｂ１熱可塑性樹脂層１０ａを形成
した光導電体１０を帯電装置１１により一様にコロナ帯
電した後、第４図ら）に示すように画像露光して画像状
の静電荷パターンを形成し、その後第４図（Ｃ）に示す
ように電極１０ｂを接地した状態で加熱装置１２により
光導電体を加熱すると、熱可塑性樹脂層１０ａが可塑化
し、静電荷パターンに対応して電極１０ｂ上に誘起され
ている逆符号の電荷と表面の電荷とが引っ張りあい、そ
の結果、篤４図（６）に示すように熱可塑性樹脂層表面
に凹凸像１０ａ、すなわちフロスト像が形成される。フ
ロス）Ｉｆｆｉ成後、光導電体を冷却するとこの凹凸像
が固定化され、静電荷パターンの現像を行うことができ
る。
しかしながら、第４図に示す従来の現像方法では、光導
電体上に静電潜像を形成しているので、電荷保持性能が
よくないため、本出願人は光導電体でなく、熱可塑性樹
脂層を有する絶縁性の高い電荷保持媒体上に静電荷パタ
ーンを形成し、フロスト像を形成することを既に提案し
ているが、加熱してフロスト像を形成するごとに静電荷
はＩＪ−りしてしまうため、一つの静電荷像を何回も転
写することができなかった。
電体上に静電潜像を形成しているので、電荷保持性能が
よくないため、本出願人は光導電体でなく、熱可塑性樹
脂層を有する絶縁性の高い電荷保持媒体上に静電荷パタ
ーンを形成し、フロスト像を形成することを既に提案し
ているが、加熱してフロスト像を形成するごとに静電荷
はＩＪ−りしてしまうため、一つの静電荷像を何回も転
写することができなかった。
本発明は上記課題を解決するためのもので、静電荷像を
何回でも転写することが可能な静電荷像転写現像方法を
提供することを目的とする。
何回でも転写することが可能な静電荷像転写現像方法を
提供することを目的とする。
本発明は、軟化点が熱軟化性樹脂層の加熱変形温度以上
の絶縁性材料層を有する電荷保持媒体上に静電荷像を形
成し、これに対向して熱軟化性樹脂層を有する電荷保持
媒体を配置して加熱現像することにより、熱軟化性樹脂
層上に７０スト像を形成するものであり、このとき静電
荷像が形成されている絶縁性材料層は軟化や変形を生ぜ
ず、電荷のリークがほとんどないので、何回でも静電荷
像の転写現像を行うことができるものである。
の絶縁性材料層を有する電荷保持媒体上に静電荷像を形
成し、これに対向して熱軟化性樹脂層を有する電荷保持
媒体を配置して加熱現像することにより、熱軟化性樹脂
層上に７０スト像を形成するものであり、このとき静電
荷像が形成されている絶縁性材料層は軟化や変形を生ぜ
ず、電荷のリークがほとんどないので、何回でも静電荷
像の転写現像を行うことができるものである。
第１図は本発明の静電荷パターン形成方法を説明するた
めの図、第２図は熱現像を説明するための図、第３図は
形成されたフロスト像を説明するための図である。図中
、１は感光体、１ａはガラス基板、１ｂは透明電極、１
ｃは光導電層、２は電荷保持媒体、２ａは絶縁性材料層
、２ｂは電極、２ｃは支持体、Ｅは電源、３は電荷保持
媒体、３ａは熱軟化性樹脂層、３ｂは電極、３Ｃは支持
体、４は加熱装置、３１はフロスト像である。
めの図、第２図は熱現像を説明するための図、第３図は
形成されたフロスト像を説明するための図である。図中
、１は感光体、１ａはガラス基板、１ｂは透明電極、１
ｃは光導電層、２は電荷保持媒体、２ａは絶縁性材料層
、２ｂは電極、２ｃは支持体、Ｅは電源、３は電荷保持
媒体、３ａは熱軟化性樹脂層、３ｂは電極、３Ｃは支持
体、４は加熱装置、３１はフロスト像である。
感光体１は１叩程の厚みを有するガラス基板１ａに１０
０ＯＡ厚みのＩＴＯからなる透明電極１ｂを形成し、そ
の上に厚み１０μｍ程度の光導電層を形成したもので、
光が当たったところは導電性となるものである。この感
光体に対向して１０μｍ程の間隙を設けて配置される電
荷保持媒体２は、ガラス基板等からなる支持体２ｃ上に
ＩＴＯを蒸着して電極２ｂを形成し、電極上にふっ素樹
脂等の絶縁性材料層２ａを３〜１０μｍ厚で形成したも
のである。また、電荷保持媒体３はガラス基板等からな
る支持体３ｃ上に蒸着により電極３ｂを形成し、電極上
にロジンエステル重合体等の熱軟化性樹脂層３ａを３〜
１０μｍ厚で形成したものである。
０ＯＡ厚みのＩＴＯからなる透明電極１ｂを形成し、そ
の上に厚み１０μｍ程度の光導電層を形成したもので、
光が当たったところは導電性となるものである。この感
光体に対向して１０μｍ程の間隙を設けて配置される電
荷保持媒体２は、ガラス基板等からなる支持体２ｃ上に
ＩＴＯを蒸着して電極２ｂを形成し、電極上にふっ素樹
脂等の絶縁性材料層２ａを３〜１０μｍ厚で形成したも
のである。また、電荷保持媒体３はガラス基板等からな
る支持体３ｃ上に蒸着により電極３ｂを形成し、電極上
にロジンエステル重合体等の熱軟化性樹脂層３ａを３〜
１０μｍ厚で形成したものである。
このような感光体１と電荷保持媒体２とを対向配置し、
両電極間に電圧を印加しなから画偉露光すると、光の照
射された領域は感光体が導電性となって感光体と電荷保
持媒体の間隙に大きな電圧が加わって放電が起こり、一
方、光の照射されない領域では感光体が絶縁性のままで
あるので感光体と電荷保持媒体との間隙には放電破壊電
圧を越える電圧が加わらないため放電が起こらず、電荷
保持媒体上には画偉状に静電荷パターンが形成される。
両電極間に電圧を印加しなから画偉露光すると、光の照
射された領域は感光体が導電性となって感光体と電荷保
持媒体の間隙に大きな電圧が加わって放電が起こり、一
方、光の照射されない領域では感光体が絶縁性のままで
あるので感光体と電荷保持媒体との間隙には放電破壊電
圧を越える電圧が加わらないため放電が起こらず、電荷
保持媒体上には画偉状に静電荷パターンが形成される。
次に、第２図に示すように、静電荷パターンが形成され
た電荷保持媒体２の絶縁性材料層２ａに対向して０．
５〜ＩＯμｍの空隙を介して熱軟化性樹脂層３ｈが対向
するように電荷保持媒体３を配置し、例えば６０℃で数
分間加熱し、熱軟化性樹脂層３ａを軟化させる。このと
き、熱軟化性樹脂層３ａには絶縁性材料層上の表面電荷
と逆符号の電荷が誘起し、両方の電荷との間でクーロン
力が作用し、その結果、軟化した樹脂層表面には第３図
に示すように凹凸像３１が形成され、冷却することによ
り凹凸が固定化されて情報として記録される。熱軟化性
樹脂層の加熱変形温度は、絶縁性材料層２ａの軟化点よ
り低く設定しであるので、絶縁性材料層２ａの静電荷は
ほとんどリークしないとともに変形も生じないため、再
度、他の電荷保持媒体３を対向配置して同様に加熱現像
することにより、何回でも転写することが可能である。
た電荷保持媒体２の絶縁性材料層２ａに対向して０．
５〜ＩＯμｍの空隙を介して熱軟化性樹脂層３ｈが対向
するように電荷保持媒体３を配置し、例えば６０℃で数
分間加熱し、熱軟化性樹脂層３ａを軟化させる。このと
き、熱軟化性樹脂層３ａには絶縁性材料層上の表面電荷
と逆符号の電荷が誘起し、両方の電荷との間でクーロン
力が作用し、その結果、軟化した樹脂層表面には第３図
に示すように凹凸像３１が形成され、冷却することによ
り凹凸が固定化されて情報として記録される。熱軟化性
樹脂層の加熱変形温度は、絶縁性材料層２ａの軟化点よ
り低く設定しであるので、絶縁性材料層２ａの静電荷は
ほとんどリークしないとともに変形も生じないため、再
度、他の電荷保持媒体３を対向配置して同様に加熱現像
することにより、何回でも転写することが可能である。
なお、転写現像する電荷保持媒体３に対してあらかじめ
静電荷パターンと逆極性の電荷を帯電させておくことに
より、電荷保持媒体２と３の間の電位差を大きくとるこ
とができるので、熱軟化性材料層上の電荷に対してより
大きなり−ロン力が作用し、それによって凹凸像の深さ
を大きくすることかできる。この場合、逆帯電は均一に
行ったり、パターン状に行ったりしてもよく、パターン
状に帯電させた場合には７０スト像をパターン状に変調
することができる。
静電荷パターンと逆極性の電荷を帯電させておくことに
より、電荷保持媒体２と３の間の電位差を大きくとるこ
とができるので、熱軟化性材料層上の電荷に対してより
大きなり−ロン力が作用し、それによって凹凸像の深さ
を大きくすることかできる。この場合、逆帯電は均一に
行ったり、パターン状に行ったりしてもよく、パターン
状に帯電させた場合には７０スト像をパターン状に変調
することができる。
こうして凹凸像が形成された電荷保持媒体に光を照射す
ると、凹凸が形成された部分では乱反射が起こり、透過
光または反射光により凹凸の有無を読み取って情報の再
生を行うことができる。
ると、凹凸が形成された部分では乱反射が起こり、透過
光または反射光により凹凸の有無を読み取って情報の再
生を行うことができる。
例えば、光を照射してその透過像を観察すると、フロス
ト像の形成されている部分は乱反射が生じて黒く見え、
フロスト像が形成されていない部分は光は透過して白く
見えるのでフロスト像のポジ像が観察される。一方、光
を照射してその反射像を観察すると、フロスト像の形成
されている部分は乱反射が生じて白く見え、フロスト像
が形成されていない部分は光は透過して背景色が見える
ので、フロスト像のネガ像が観察される。なお、表面の
電荷は加熱の過程でリークして大部分は消滅することに
なる。
ト像の形成されている部分は乱反射が生じて黒く見え、
フロスト像が形成されていない部分は光は透過して白く
見えるのでフロスト像のポジ像が観察される。一方、光
を照射してその反射像を観察すると、フロスト像の形成
されている部分は乱反射が生じて白く見え、フロスト像
が形成されていない部分は光は透過して背景色が見える
ので、フロスト像のネガ像が観察される。なお、表面の
電荷は加熱の過程でリークして大部分は消滅することに
なる。
本発明は、軟化点が熱軟化性樹脂層の加熱変形温度以上
の絶縁性材料層を有する電荷保持媒体上に静電荷像を形
成し、これに熱軟化性樹脂層を有する電荷保持媒体を対
向配置することにより、熱軟化性樹脂層上に静電荷像に
対応した電荷を誘起させ、加熱して軟化させることによ
り誘起した電荷に作用する力により凹凸を形成させるも
のであり、加熱時に静電荷像が形成されている絶縁性材
料層は軟化せず、電荷もリークしないので何回でも転写
現像することが可能となる。
の絶縁性材料層を有する電荷保持媒体上に静電荷像を形
成し、これに熱軟化性樹脂層を有する電荷保持媒体を対
向配置することにより、熱軟化性樹脂層上に静電荷像に
対応した電荷を誘起させ、加熱して軟化させることによ
り誘起した電荷に作用する力により凹凸を形成させるも
のであり、加熱時に静電荷像が形成されている絶縁性材
料層は軟化せず、電荷もリークしないので何回でも転写
現像することが可能となる。
以下、実施例を説明する。
〔実施例１〕
ロジンエステル重合体（理科バーキュレス株式会社、商
品名ステベライトエステル１０）２０ｇヲモノクロロベ
ンゼン２０ｇ中に溶解した５０ｗｔ％溶液を調整し、Ｉ
ＴＯ電極を蒸着したガラス基板上にスピンコーターを用
いて２０００ｐｒｍで塗布した。６０℃で約１ｈｒｔ燥
し、膜厚５μｍの薄膜を得た。
品名ステベライトエステル１０）２０ｇヲモノクロロベ
ンゼン２０ｇ中に溶解した５０ｗｔ％溶液を調整し、Ｉ
ＴＯ電極を蒸着したガラス基板上にスピンコーターを用
いて２０００ｐｒｍで塗布した。６０℃で約１ｈｒｔ燥
し、膜厚５μｍの薄膜を得た。
〔実施例２〕
ふっ素樹脂（旭硝子社製、商品名サイトツブ）の旭硝子
社製ふっ素糸溶媒７ｗｔ％溶液を、ＩＴＯ電極を蒸着し
たガラス基板上にスピンコーターを用いて１５００ ｒ
ｐｍで塗布した。１５０℃で約１ｈｒｔ燥し、膜厚２．
６μｍのサイトツブ薄膜を得た。
社製ふっ素糸溶媒７ｗｔ％溶液を、ＩＴＯ電極を蒸着し
たガラス基板上にスピンコーターを用いて１５００ ｒ
ｐｍで塗布した。１５０℃で約１ｈｒｔ燥し、膜厚２．
６μｍのサイトツブ薄膜を得た。
〔実施例３〕
実施例２で得られた媒体と透明電極上に積層された有機
光導電材料とを対向させ、９μｍのポリエステルフィル
ムをスペーサーに用い、空隙を介して配置する。次いで
光導電材料の透明電極側から像を投影し、両電極間に７
００Ｖを０．１ｓｅｃ印加して像露光を行い、媒体上に
静電潜像を形成した。その後、静電潜像を形成した媒体
を２００Ｖにコロナ放電させた実施例１で得られた媒体
と対向させ、３．５μｍのポリエステルフィルムをスペ
ーサーに用い、空隙を介して配置する。これを６０℃の
オーブン中で３ｍ１ｎ加熱して実施例２で得られた媒体
上にフロスト像を得ることができた。
光導電材料とを対向させ、９μｍのポリエステルフィル
ムをスペーサーに用い、空隙を介して配置する。次いで
光導電材料の透明電極側から像を投影し、両電極間に７
００Ｖを０．１ｓｅｃ印加して像露光を行い、媒体上に
静電潜像を形成した。その後、静電潜像を形成した媒体
を２００Ｖにコロナ放電させた実施例１で得られた媒体
と対向させ、３．５μｍのポリエステルフィルムをスペ
ーサーに用い、空隙を介して配置する。これを６０℃の
オーブン中で３ｍ１ｎ加熱して実施例２で得られた媒体
上にフロスト像を得ることができた。
第１図は本発明の静電荷パターン形成方法を説明するた
めの図、第２図は熱現像を説明するための図、第３図は
形成されたフロスト像を説明するための図、第４図は従
来のフロスト像作成方法を説明するための図である。 １・・・感光体、１ａ・・・ガラス基板、１ｂ・・・透
明電極、１ｃ・・・光導電層、２・・・電荷保持媒体、
２ａ・・・絶縁性材料層、２ｂ・・・電極、２Ｃ・・・
支持体、３・・・電荷保持媒体、３ａ・・・熱軟化性樹
脂層、３ｂ・・・電極、３Ｃ・・・支持体、３１・・・
７０スト像。
めの図、第２図は熱現像を説明するための図、第３図は
形成されたフロスト像を説明するための図、第４図は従
来のフロスト像作成方法を説明するための図である。 １・・・感光体、１ａ・・・ガラス基板、１ｂ・・・透
明電極、１ｃ・・・光導電層、２・・・電荷保持媒体、
２ａ・・・絶縁性材料層、２ｂ・・・電極、２Ｃ・・・
支持体、３・・・電荷保持媒体、３ａ・・・熱軟化性樹
脂層、３ｂ・・・電極、３Ｃ・・・支持体、３１・・・
７０スト像。
Claims (4)
- （１）熱軟化性樹脂層を有する電荷保持媒体を加熱し、
変形歪みを形成した後冷却することによりフロスト像を
固定化するフロスト像の作成方法において、軟化点が熱
軟化性樹脂層の加熱変形温度以上の絶縁性材料層を有す
る電荷保持媒体上に静電荷像を形成し、該電荷保持媒体
に対向して熱軟化性樹脂層を有する電荷保持媒体を配置
し、加熱現像することを特徴とする静電荷像転写現像方
法。 - （２）請求項１記載の方法において、熱軟化性樹脂層を
有する電荷保持媒体をあらかじめ逆帯電しておくことを
特徴とする静電荷像転写現像方法。 - （３）逆帯電を均一に行うことを特徴とする請求項２記
載の静電荷像転写現像方法。 - （４）逆帯電をパターン状に行うことを特徴とする請求
項２記載の静電荷像転写現像方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31149189A JPH03192288A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 静電荷像転写現像方法 |
| PCT/JP1990/001551 WO1991008522A1 (fr) | 1989-11-29 | 1990-11-29 | Procede de duplication electrostatique |
| DE69032950T DE69032950T2 (de) | 1989-11-29 | 1990-11-29 | Elektrostatisches Ladungsinformationswiedergabeverfahren |
| US07/741,504 US5376955A (en) | 1989-11-29 | 1990-11-29 | Electrostatic charge information reproducing method with charge transfer by electrostatic discharge |
| EP90917541A EP0455828B1 (en) | 1989-11-29 | 1990-11-29 | Electrostatic copying method |
| DE69026246T DE69026246T2 (de) | 1989-11-29 | 1990-11-29 | Elektrostatisches kopierverfahren |
| EP95201117A EP0669562B1 (en) | 1989-11-29 | 1990-11-29 | Electrostatic charge information reproducing method |
| US08/304,784 US5739834A (en) | 1989-11-29 | 1994-09-12 | Electrostatic charge information reproducing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31149189A JPH03192288A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 静電荷像転写現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03192288A true JPH03192288A (ja) | 1991-08-22 |
Family
ID=18017874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31149189A Pending JPH03192288A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 静電荷像転写現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03192288A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646927A (en) * | 1994-10-14 | 1997-07-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Packaged photographic film with a plurality of liquid crystal recording regions |
| US5903296A (en) * | 1993-04-26 | 1999-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method |
-
1989
- 1989-11-29 JP JP31149189A patent/JPH03192288A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5903296A (en) * | 1993-04-26 | 1999-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method |
| US5646927A (en) * | 1994-10-14 | 1997-07-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Packaged photographic film with a plurality of liquid crystal recording regions |
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