JPH0319228Y2 - - Google Patents
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- JPH0319228Y2 JPH0319228Y2 JP8487887U JP8487887U JPH0319228Y2 JP H0319228 Y2 JPH0319228 Y2 JP H0319228Y2 JP 8487887 U JP8487887 U JP 8487887U JP 8487887 U JP8487887 U JP 8487887U JP H0319228 Y2 JPH0319228 Y2 JP H0319228Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- connecting wall
- section
- heat dissipation
- plates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
この考案は、例えばサイリスタ、ダイオード、
トランジスタのような半導体素子を冷却する冷却
装置に関する。
トランジスタのような半導体素子を冷却する冷却
装置に関する。
従来の技術
従来の半導体素子冷却装置は、冷媒を収容する
タンク部と、冷媒流通管および放熱フインを備え
た放熱部とが別々につくられ、これらが互いに組
み合わされて、溶接されるとともに、放熱部の上
端に空気溜め部が溶接により結合されていた(例
えば特開昭57−152150号公報参照)。しかしなが
ら、このような従来の装置では、工数が非常に多
くなり、装置の製造に手間がかかつて、製造コス
トが非常に高くついた。また相互に別体のタンク
部と放熱部とを組み合わせているために、冷却性
能が劣るとともに、装置が大型となり、広い取付
けスペースを必要とするという問題点があつた。
タンク部と、冷媒流通管および放熱フインを備え
た放熱部とが別々につくられ、これらが互いに組
み合わされて、溶接されるとともに、放熱部の上
端に空気溜め部が溶接により結合されていた(例
えば特開昭57−152150号公報参照)。しかしなが
ら、このような従来の装置では、工数が非常に多
くなり、装置の製造に手間がかかつて、製造コス
トが非常に高くついた。また相互に別体のタンク
部と放熱部とを組み合わせているために、冷却性
能が劣るとともに、装置が大型となり、広い取付
けスペースを必要とするという問題点があつた。
考案の目的
この考案の目的は、上記の従来技術の問題を解
決し、非常にコンパクトで、しかも冷却性能が優
れているうえに、その製造をきわめて容易にかつ
安価になし得る半導体素子冷却装置を提供しよう
とするにある。
決し、非常にコンパクトで、しかも冷却性能が優
れているうえに、その製造をきわめて容易にかつ
安価になし得る半導体素子冷却装置を提供しよう
とするにある。
考案の構成
この考案は、上記の目的を達成するために、下
端部と上端部にそれぞれ孔を有しかつ相互に所定
間隔をおいて配置された少なくとも3枚の縦長の
プレートと、隣り合うプレートの周縁部同志の間
に配置された環状連結壁と、環状連結壁の内部に
おいてプレートの中間部に対応するように配置さ
れた内部フインと、隣り合うプレートの間におい
て下側孔と上側孔をそれぞれ囲むように配置され
た上下一対のリングと、両リングの中間に介在さ
れた放熱フインとよりなり、上記すべての部材が
重合状態に接合されて、各プレートの下側孔と、
環状連結壁の下端部と、下部リングとによつて液
状冷媒および半導体素子が収められるタンク部が
形成され、各プレートの上側孔と、環状連結壁の
上端部と、上部リングとによつて空気溜め部が形
成されるとともに、タンク部および空気溜め部の
中間に、両者に連なりかつ内部フインが収められ
たガス状冷媒凝縮部と、放熱フインが存在せしめ
られた通風間隙部とよりなる放熱部が形成されて
いる半導体素子冷却装置を要旨としている。
端部と上端部にそれぞれ孔を有しかつ相互に所定
間隔をおいて配置された少なくとも3枚の縦長の
プレートと、隣り合うプレートの周縁部同志の間
に配置された環状連結壁と、環状連結壁の内部に
おいてプレートの中間部に対応するように配置さ
れた内部フインと、隣り合うプレートの間におい
て下側孔と上側孔をそれぞれ囲むように配置され
た上下一対のリングと、両リングの中間に介在さ
れた放熱フインとよりなり、上記すべての部材が
重合状態に接合されて、各プレートの下側孔と、
環状連結壁の下端部と、下部リングとによつて液
状冷媒および半導体素子が収められるタンク部が
形成され、各プレートの上側孔と、環状連結壁の
上端部と、上部リングとによつて空気溜め部が形
成されるとともに、タンク部および空気溜め部の
中間に、両者に連なりかつ内部フインが収められ
たガス状冷媒凝縮部と、放熱フインが存在せしめ
られた通風間隙部とよりなる放熱部が形成されて
いる半導体素子冷却装置を要旨としている。
実施例
つぎに、この考案の実施例を図面に基づいて説
明する。
明する。
なお、この明細書において、上下、左右および
前後とは第1図を基準とし、上とは第1図上側、
下とは同下側をいい、また左とは同図左側、右と
は同右側をいい、前とは同図図面紙葉の表側、後
とは同裏側をいうものとする。
前後とは第1図を基準とし、上とは第1図上側、
下とは同下側をいい、また左とは同図左側、右と
は同右側をいい、前とは同図図面紙葉の表側、後
とは同裏側をいうものとする。
図面において、1は半導体素子冷却装置で、こ
れは液状冷媒4を収容しかつこの液状冷媒に半導
体素子を浸漬するタンク部2と、タンク部2より
蒸発したガス状冷媒を凝縮させる放熱部3と、空
気溜め部10とが一体に形成させられているもの
である。
れは液状冷媒4を収容しかつこの液状冷媒に半導
体素子を浸漬するタンク部2と、タンク部2より
蒸発したガス状冷媒を凝縮させる放熱部3と、空
気溜め部10とが一体に形成させられているもの
である。
5は並列状に配置された多数の偏平中空体で、
各偏平中空体5は、互いに対向状に配置された一
対の縦長の略長方形のプレート6と、両プレート
6の周縁部同志の間に配置された略長方形の環状
の連結壁7とによつて構成されている。各プレー
ト6の下端部には冷媒収容タンク部2を形成する
ための若干縦に長い略長方形の孔8があけられる
とともに、同上端部には空気溜め部10を形成す
るための横に長い略長方形の孔9があけられてい
る。これらの孔8,9同志の中間において両プレ
ート6同志の間隙に水平断面波形の内部フイン1
1が配置されている。12は一対の縦長の略長方
形のサイド・プレートで、これらは偏平中空体5
の左右両外側に配置されており、各サイド・プレ
ート12の下端部にはタンク部2を形成するため
の円形の孔13があけられている。
各偏平中空体5は、互いに対向状に配置された一
対の縦長の略長方形のプレート6と、両プレート
6の周縁部同志の間に配置された略長方形の環状
の連結壁7とによつて構成されている。各プレー
ト6の下端部には冷媒収容タンク部2を形成する
ための若干縦に長い略長方形の孔8があけられる
とともに、同上端部には空気溜め部10を形成す
るための横に長い略長方形の孔9があけられてい
る。これらの孔8,9同志の中間において両プレ
ート6同志の間隙に水平断面波形の内部フイン1
1が配置されている。12は一対の縦長の略長方
形のサイド・プレートで、これらは偏平中空体5
の左右両外側に配置されており、各サイド・プレ
ート12の下端部にはタンク部2を形成するため
の円形の孔13があけられている。
ここで、各偏平中空体5の一対のプレート6は
芯板17の両面にろう材層18を備えた薄手のブ
レージング・シート16によりつくられ、また左
右一対のサイド・プレート12は上記プレート6
の芯板17よりも厚い芯板23の両面にろう材層
24を備えた厚手のブレージング・シート22に
よりつくられている。
芯板17の両面にろう材層18を備えた薄手のブ
レージング・シート16によりつくられ、また左
右一対のサイド・プレート12は上記プレート6
の芯板17よりも厚い芯板23の両面にろう材層
24を備えた厚手のブレージング・シート22に
よりつくられている。
14は隣り合う偏平中空体5同志、および偏平
中空体5とサイド・プレート12の間の下端部に
孔8,13を囲むようにそれぞれ介在させられた
下部リングで、これはタンク部2を形成するため
のものである。15は同じく偏平中空体5同志、
および偏平中空体5とサイド・プレート12の間
の上端部に孔9を囲むようにそれぞれ介在された
上部リングで、これは空気溜め部10を形成する
ためのものである。
中空体5とサイド・プレート12の間の下端部に
孔8,13を囲むようにそれぞれ介在させられた
下部リングで、これはタンク部2を形成するため
のものである。15は同じく偏平中空体5同志、
および偏平中空体5とサイド・プレート12の間
の上端部に孔9を囲むようにそれぞれ介在された
上部リングで、これは空気溜め部10を形成する
ためのものである。
19は下部リング14と上部リング15の中間
において隣り合う偏平中空体5同志および偏平中
空体5とサイド・プレート12の間に介在された
垂直断面波形の外部放熱フイン、20は左右両サ
イド・プレート12の下端部に孔13と連通状に
接続された一対のパイプ、21は左右両サイド・
プレート12の外面を被う薄板よりなる外装板
で、これによりブレージング・シート22よりな
るサイド・プレート12の外面が保護されてい
る。
において隣り合う偏平中空体5同志および偏平中
空体5とサイド・プレート12の間に介在された
垂直断面波形の外部放熱フイン、20は左右両サ
イド・プレート12の下端部に孔13と連通状に
接続された一対のパイプ、21は左右両サイド・
プレート12の外面を被う薄板よりなる外装板
で、これによりブレージング・シート22よりな
るサイド・プレート12の外面が保護されてい
る。
左右両パイプ20の各内端部には、薄肉の差込
み部25が設けられるとともに、差込み部25に
沿うように膨出部26が設けられている。両パイ
プ20の外端部にはフランジ27が取り突けられ
るとともに蓋28が被せ止められている。
み部25が設けられるとともに、差込み部25に
沿うように膨出部26が設けられている。両パイ
プ20の外端部にはフランジ27が取り突けられ
るとともに蓋28が被せ止められている。
タンク部2は、すべての偏平中空体5の下側孔
8の内側部分と、偏平中空体5同志および偏平中
空体5とサイド・プレート12の間の下部リング
14と、蓋28を有する左右一対のパイプ20に
よつて形成された空間部により構成されている。
8の内側部分と、偏平中空体5同志および偏平中
空体5とサイド・プレート12の間の下部リング
14と、蓋28を有する左右一対のパイプ20に
よつて形成された空間部により構成されている。
放熱部3は、すべての偏平中空体5内の上下孔
8,9の中間部分すなわちタンク部2および空気
溜め部10に連なりかつ内部フイン11が収めら
れたガス状冷媒凝縮部40と、放熱フイン19の
存在する通風間隙部29とによつて構成されてい
る。
8,9の中間部分すなわちタンク部2および空気
溜め部10に連なりかつ内部フイン11が収めら
れたガス状冷媒凝縮部40と、放熱フイン19の
存在する通風間隙部29とによつて構成されてい
る。
空気溜め部10は、すべての偏平中空体5の上
側孔9の内側部分と、偏平中空体5同志および偏
平中空体5とサイド・プレート12の上端部とに
よつて形成された空間部により構成されている。
側孔9の内側部分と、偏平中空体5同志および偏
平中空体5とサイド・プレート12の上端部とに
よつて形成された空間部により構成されている。
30はタンク部2の冷媒に浸漬されたトランジ
スタ等の半導体素子、31は冷却フインで、これ
らは交互に層状に重ね合わせられており、図示し
ない適宜の手段により水平状態に保持されてい
る。32は半導体素子30に電力を供給する電線
で、これの両端部は右側の蓋28を貫通して外部
に取り出されている。33は蓋28の電線通過部
分に充填された絶縁材である。
スタ等の半導体素子、31は冷却フインで、これ
らは交互に層状に重ね合わせられており、図示し
ない適宜の手段により水平状態に保持されてい
る。32は半導体素子30に電力を供給する電線
で、これの両端部は右側の蓋28を貫通して外部
に取り出されている。33は蓋28の電線通過部
分に充填された絶縁材である。
34は冷却装置1の右側サイド・プレート12
の上端部に空気溜め部10と連通するように接続
された細い導管で、この導管34を通じて最初に
冷媒4が供給され、また冷却装置1内を減圧する
ため空気等が導管34を経て吸引除去される。3
5は同じく右側サイド・プレート12の上端部に
空気溜め部10と連通するように接続された太い
L形の管で、これの先端部に冷却装置1内の圧力
が過大となつたときに作動する安全装置36が取
り突けられている。37は放熱部3の前後両側に
これをめぐるように取り突けられた横断面コ形の
一対のダクト接続部材、38は冷却装置1の下端
部に設けられた左右一対の取付用脚である。
の上端部に空気溜め部10と連通するように接続
された細い導管で、この導管34を通じて最初に
冷媒4が供給され、また冷却装置1内を減圧する
ため空気等が導管34を経て吸引除去される。3
5は同じく右側サイド・プレート12の上端部に
空気溜め部10と連通するように接続された太い
L形の管で、これの先端部に冷却装置1内の圧力
が過大となつたときに作動する安全装置36が取
り突けられている。37は放熱部3の前後両側に
これをめぐるように取り突けられた横断面コ形の
一対のダクト接続部材、38は冷却装置1の下端
部に設けられた左右一対の取付用脚である。
上記半導体素子冷却装置1は例えばつぎのよう
にして製造される。
にして製造される。
第6図に示すように、サイド・プレート12
と、上下リング14,15および放熱フイン19
と、偏平中空体5を構成すべき一対のプレート6
と、連結壁7および内部フイン11とを順に積層
状に組み合わせる。左右両サイド・プレート12
の外面には外装板21を重ね合わせるとともに、
両サイド・プレート12の下端部の孔13にそれ
ぞれパイプ20の差込み部25を差し込んでお
く。そしてこの組合わせ状態ですべての部材を例
えば真空ろう付け法により同時に接合する。
と、上下リング14,15および放熱フイン19
と、偏平中空体5を構成すべき一対のプレート6
と、連結壁7および内部フイン11とを順に積層
状に組み合わせる。左右両サイド・プレート12
の外面には外装板21を重ね合わせるとともに、
両サイド・プレート12の下端部の孔13にそれ
ぞれパイプ20の差込み部25を差し込んでお
く。そしてこの組合わせ状態ですべての部材を例
えば真空ろう付け法により同時に接合する。
ここで、各偏平中空体5のプレート6と左右一
対のサイド・プレート12は、共にアルミニウム
のブレージング・シート16,22よりつくられ
ているが、その他の部材はすべてアルミニウムの
ベア材によりつくられている。
対のサイド・プレート12は、共にアルミニウム
のブレージング・シート16,22よりつくられ
ているが、その他の部材はすべてアルミニウムの
ベア材によりつくられている。
サイド・プレート12を構成するブレージン
グ・シート22は、例えば厚さ4.5mm程度の厚い
芯板23の両面にろう材層24が設けられたもの
であり、したがつて強度が非常に大きい。これに
対し、偏平中空体5のプレート6を構成するブレ
ージング・シート16は、例えば厚さ1.0〜1.2mm
程度の芯板17の両面にろう材層18が設けられ
たものである。
グ・シート22は、例えば厚さ4.5mm程度の厚い
芯板23の両面にろう材層24が設けられたもの
であり、したがつて強度が非常に大きい。これに
対し、偏平中空体5のプレート6を構成するブレ
ージング・シート16は、例えば厚さ1.0〜1.2mm
程度の芯板17の両面にろう材層18が設けられ
たものである。
サイド・プレート12のろう材層24のクラツ
ド率、すなわち芯板23に対するろう材層24の
ろう材付着率はプレート6のろう材層18のクラ
ツド率より小さくする。というのは、両プレート
6,12の芯板17,23の厚みが極端に異なる
ので、サイド・プレート12のろう材層24のク
ラツド率をプレート6のろう材層18のクラツド
率と同じものとすると、サイド・プレート12の
ろう材が過多となり、真空ブレージングのさいの
ろう材溶融時に薄い放熱フイン19がこのろう材
によつて溶かされてしまい、接合不良が生じるか
らである。
ド率、すなわち芯板23に対するろう材層24の
ろう材付着率はプレート6のろう材層18のクラ
ツド率より小さくする。というのは、両プレート
6,12の芯板17,23の厚みが極端に異なる
ので、サイド・プレート12のろう材層24のク
ラツド率をプレート6のろう材層18のクラツド
率と同じものとすると、サイド・プレート12の
ろう材が過多となり、真空ブレージングのさいの
ろう材溶融時に薄い放熱フイン19がこのろう材
によつて溶かされてしまい、接合不良が生じるか
らである。
サイド・プレート12のろう材層24のクラツ
ド率は、プレート6のろう材層18のクラツド率
の50%以下とするのが望ましい。
ド率は、プレート6のろう材層18のクラツド率
の50%以下とするのが望ましい。
上記の構成を有する半導体素子冷却装置1にお
いて、タンク部2の液状冷媒4に浸漬された半導
体素子30から熱が生じると、これが冷却フイン
31を通じて冷媒4に速やかに伝達され、冷媒4
が蒸発せしめられる。冷媒4の蒸気はタンク部2
上方の偏平中空体5内を上昇して放熱部3に至
り、そこで内部フイン11、プレート6、および
外部放熱フイン19を介して空気と熱交換させら
れて、熱を放出する。これにより冷媒4は凝縮
し、凝縮後偏平中空体5内を液滴となつて流下
し、タンク部2に戻る。冷媒4のこのような作用
が繰り返されて、半導体素子30が冷却される。
いて、タンク部2の液状冷媒4に浸漬された半導
体素子30から熱が生じると、これが冷却フイン
31を通じて冷媒4に速やかに伝達され、冷媒4
が蒸発せしめられる。冷媒4の蒸気はタンク部2
上方の偏平中空体5内を上昇して放熱部3に至
り、そこで内部フイン11、プレート6、および
外部放熱フイン19を介して空気と熱交換させら
れて、熱を放出する。これにより冷媒4は凝縮
し、凝縮後偏平中空体5内を液滴となつて流下
し、タンク部2に戻る。冷媒4のこのような作用
が繰り返されて、半導体素子30が冷却される。
なお、上記実施例においては、各偏平中空体5
の一対のプレート6同志の周縁部が連結壁7を介
して接合されているが、その他たとえばプレート
6の周縁部を屈曲させて、プレート6に連結壁7
を一体に設け、この連結壁を対向プレート6の周
縁部あるいは対向プレート6の同様に屈曲した連
結壁に接合することにより、偏平中空体5を形成
するようにしてもよい。
の一対のプレート6同志の周縁部が連結壁7を介
して接合されているが、その他たとえばプレート
6の周縁部を屈曲させて、プレート6に連結壁7
を一体に設け、この連結壁を対向プレート6の周
縁部あるいは対向プレート6の同様に屈曲した連
結壁に接合することにより、偏平中空体5を形成
するようにしてもよい。
プレート6およびサイド・プレート12の形状
は、実施例のような略長方形だけでなく、その他
の形状であつても勿論よい。
は、実施例のような略長方形だけでなく、その他
の形状であつても勿論よい。
上記実施例の半導体素子冷却装置はアルミニウ
ム製であるが、これは銅その他の金属によりつく
られていてもよい。
ム製であるが、これは銅その他の金属によりつく
られていてもよい。
考案の効果
この考案による半導体素子冷却装置は、上述の
ように、下端部と上端部にそれぞれ孔8,9を有
しかつ相互に所定間隔をおいて配置された少なく
とも3枚の縦長のプレート6と、隣り合うプレー
ト6,6の周縁部同志の間に配置された環状連結
壁7と、環状連結壁7の内部においてプレート
6,6の中間部に対応するように配置された内部
フイン11と、隣り合うプレート6,6の間にお
いて下側孔8と上側孔9をそれぞれ囲むように配
置された上下一対のリング14,15と、両リン
グ14,15の中間に介在された放熱フイン9と
よりなり、上記すべての部材が重合状態に接合さ
れて、各プレート6の下側孔8と、環状連結壁7
の下端部と、下部リング14とによつて液状冷媒
4および半導体素子30が収められるタンク部2
が形成され、各プレート6の上側孔9と、環状連
結壁7の上端部と、上部リング15とによつて空
気溜め部10の中間に、両者に連なりかつ内部フ
イン11が収められたガス状冷媒凝縮部40と、
放熱フイン19が存在せしめられた通風間隙部2
9とよりなる放熱部3が形成されているもので、
半導体素子30および液状冷媒4を収容するタン
ク部2と、これの上方の放熱部3と、空気溜め部
10とが一体に形成されているから、冷却性能が
非常にすぐれており、かつきわめてコンパクト
で、取付けスペースが狭くてすむ。そのうえ、冷
却装置1は、その構成部材を順に積層状態に組み
合わせて、これらを同時にろう付けすることによ
り一体に製造することができるから、その製造を
きわめて容易かつ安価に行ない得るという効果を
奏する。
ように、下端部と上端部にそれぞれ孔8,9を有
しかつ相互に所定間隔をおいて配置された少なく
とも3枚の縦長のプレート6と、隣り合うプレー
ト6,6の周縁部同志の間に配置された環状連結
壁7と、環状連結壁7の内部においてプレート
6,6の中間部に対応するように配置された内部
フイン11と、隣り合うプレート6,6の間にお
いて下側孔8と上側孔9をそれぞれ囲むように配
置された上下一対のリング14,15と、両リン
グ14,15の中間に介在された放熱フイン9と
よりなり、上記すべての部材が重合状態に接合さ
れて、各プレート6の下側孔8と、環状連結壁7
の下端部と、下部リング14とによつて液状冷媒
4および半導体素子30が収められるタンク部2
が形成され、各プレート6の上側孔9と、環状連
結壁7の上端部と、上部リング15とによつて空
気溜め部10の中間に、両者に連なりかつ内部フ
イン11が収められたガス状冷媒凝縮部40と、
放熱フイン19が存在せしめられた通風間隙部2
9とよりなる放熱部3が形成されているもので、
半導体素子30および液状冷媒4を収容するタン
ク部2と、これの上方の放熱部3と、空気溜め部
10とが一体に形成されているから、冷却性能が
非常にすぐれており、かつきわめてコンパクト
で、取付けスペースが狭くてすむ。そのうえ、冷
却装置1は、その構成部材を順に積層状態に組み
合わせて、これらを同時にろう付けすることによ
り一体に製造することができるから、その製造を
きわめて容易かつ安価に行ない得るという効果を
奏する。
図面はこの考案の実施例を示すもで、第1図は
本考案品の部分切欠き正面図、第2図は同側面
図、第3図は第1図−線に沿う断面図、第4
図は第1図−線に沿う断面図、第5図は第1
図−線に沿う拡大断面図、第6図は分解斜視
図である。 1……半導体素子冷却装置、2……タンク部、
3……放熱部、4……冷媒、6……プレート、7
……連結壁、8……下側孔、9……上側孔、10
……空気溜め部、11……内部フイン、14……
下部リング、15……上部リング、19……放熱
フイン、29……通風間隙部、30……半導体素
子、40……ガス状冷媒凝縮部。
本考案品の部分切欠き正面図、第2図は同側面
図、第3図は第1図−線に沿う断面図、第4
図は第1図−線に沿う断面図、第5図は第1
図−線に沿う拡大断面図、第6図は分解斜視
図である。 1……半導体素子冷却装置、2……タンク部、
3……放熱部、4……冷媒、6……プレート、7
……連結壁、8……下側孔、9……上側孔、10
……空気溜め部、11……内部フイン、14……
下部リング、15……上部リング、19……放熱
フイン、29……通風間隙部、30……半導体素
子、40……ガス状冷媒凝縮部。
Claims (1)
- 下端部と上端部にそれぞれ孔8,9を有しかつ
相互に所定間隔をおいて配置された少なくとも3
枚の縦長のプレート6と、隣り合うプレート6,
6の周縁部同志の間に配置された環状連結壁7
と、環状連結壁7の内部においてプレート6,6
の中間部に対応するように配置された内部フイン
11と、隣り合うプレート6,6の間において下
側孔8と上側孔9をそれぞれ囲むように配置され
た上下一対のリング14,15と、両リング1
4,15の中間に介在された放熱フイン9とより
なり、上記すべての部材が重合状態に接合され
て、各プレート6の下側孔8と、環状連結壁7の
下端部と、下部リング14とによつて液状冷媒4
および半導体素子30が収められるタンク部2が
形成され、各プレート6の上側孔9と、環状連結
壁7の上端部と、上部リング15とによつて空気
溜め部10が形成されるとともに、タンク部2お
よび空気溜め部10の中間に、両者に連なりかつ
内部フイン11が収められたガス状冷媒凝縮部4
0と、放熱フイン19が存在せしめられた通風間
隙部29とよりなる放熱部3が形成されている半
導体素子冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8487887U JPH0319228Y2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8487887U JPH0319228Y2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62197862U JPS62197862U (ja) | 1987-12-16 |
| JPH0319228Y2 true JPH0319228Y2 (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=30939772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8487887U Expired JPH0319228Y2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319228Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP8487887U patent/JPH0319228Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62197862U (ja) | 1987-12-16 |
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