JPH0319329A - 金属の埋めこみ方法 - Google Patents
金属の埋めこみ方法Info
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- JPH0319329A JPH0319329A JP15397389A JP15397389A JPH0319329A JP H0319329 A JPH0319329 A JP H0319329A JP 15397389 A JP15397389 A JP 15397389A JP 15397389 A JP15397389 A JP 15397389A JP H0319329 A JPH0319329 A JP H0319329A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体基板上の有機膜開口部に金属を埋め込む
方法に関する。
方法に関する。
（従来の技術）
従来半導体基板上に形威された有機膜開口部に金属を埋
め込む方法として、電解メッキを利用する方法が知られ
ている（村松伸一、特開昭５８−１９７８５７号公報）
。第３図に、電解メッキを利用した有機レジスト開口部
への金属の埋め込み方法を説明するだめの工程断面図を
示す。
め込む方法として、電解メッキを利用する方法が知られ
ている（村松伸一、特開昭５８−１９７８５７号公報）
。第３図に、電解メッキを利用した有機レジスト開口部
への金属の埋め込み方法を説明するだめの工程断面図を
示す。
まず、半導体基板（３１）上に電解メッキ用のカソード
電極利料（３２）を成膜した後、有機膜としてフォトレ
ジスト（３３）を塗布する（第３図（ａ））。しかる後
、フォトリソグラフイ工程により、前記フォトレジスト
にスルーホール（３４）を形成する（第３図（ｂ））。
電極利料（３２）を成膜した後、有機膜としてフォトレ
ジスト（３３）を塗布する（第３図（ａ））。しかる後
、フォトリソグラフイ工程により、前記フォトレジスト
にスルーホール（３４）を形成する（第３図（ｂ））。
しかる後、前記半導体基板（３１）全体をメッキ液（３
６）に浸し前記カソード電極（３２）に負電位を印加し
、一方メッキ液中のアノート電極（３５）に正電位を印
加することにより前記スルーホール部分（３４）に金属
（３７）を析出させる（第３図（Ｃ））。最後に、前記
半導体基板を水洗・乾燥させることにより、レジスト開
口部に金属（３７）が埋め込まれた構造を得る（第３図
（ｄ））。
６）に浸し前記カソード電極（３２）に負電位を印加し
、一方メッキ液中のアノート電極（３５）に正電位を印
加することにより前記スルーホール部分（３４）に金属
（３７）を析出させる（第３図（Ｃ））。最後に、前記
半導体基板を水洗・乾燥させることにより、レジスト開
口部に金属（３７）が埋め込まれた構造を得る（第３図
（ｄ））。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述した製造方法では、基板全体をメッ
キ液に浸す必要があり、メッキ液中に含まれるアルカリ
金属等の陽イオンや塩素イオン等の陰イオンが有機膜中
（ここでは、レジスト（３３））に進入する。これらレ
ジスト内部に進入した不純物イオンは半導体基板を水洗
しても除去することはできない。
キ液に浸す必要があり、メッキ液中に含まれるアルカリ
金属等の陽イオンや塩素イオン等の陰イオンが有機膜中
（ここでは、レジスト（３３））に進入する。これらレ
ジスト内部に進入した不純物イオンは半導体基板を水洗
しても除去することはできない。
本発明の目的は不純物による汚染のない、金属の埋め込
み方法を提供することにある。
み方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、半導体基板上に有機膜を形威する工程と、前
記有機膜上にレジストを塗布する工程と、前記レジスト
をパターニングする工程と、前記レジストをマスクとし
て前記有機膜をパターニングする工程と、金属を真空中
で成膜する工程と、前記有機膜を溶解せずかつ前記レジ
ストのみを溶解するエノチング液を用いて前記レジスト
および前記レジスト上の前記金属を除去することを特徴
とする金属の埋め込み方法である。
記有機膜上にレジストを塗布する工程と、前記レジスト
をパターニングする工程と、前記レジストをマスクとし
て前記有機膜をパターニングする工程と、金属を真空中
で成膜する工程と、前記有機膜を溶解せずかつ前記レジ
ストのみを溶解するエノチング液を用いて前記レジスト
および前記レジスト上の前記金属を除去することを特徴
とする金属の埋め込み方法である。
（作用）
本発明の方法では、電解メッキ工程によらず真空中での
金属の或膜（たとえば、真空蒸着等）を用いているため
、有機膜がアルカリ金属イオン等の不純物により汚染さ
れる心配はない。さらに、有機膜上にレジストが塗布さ
れた状態で金属を戒膜しているため、戒膜した金属が直
接有機膜に触れる工程は含まれない。このため、有機膜
中に埋め込むべき金属が進入する恐れもない。
金属の或膜（たとえば、真空蒸着等）を用いているため
、有機膜がアルカリ金属イオン等の不純物により汚染さ
れる心配はない。さらに、有機膜上にレジストが塗布さ
れた状態で金属を戒膜しているため、戒膜した金属が直
接有機膜に触れる工程は含まれない。このため、有機膜
中に埋め込むべき金属が進入する恐れもない。
（実施例）
以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明する。有機
膜として耐熱性の良いポリイミドを用い、半導体基板で
あるシリコン基板上に塗布された前記ポリイミド膜開口
部にＩｎ等の低融点金属を埋め込む場合を例にとって詳
細に説明する。
膜として耐熱性の良いポリイミドを用い、半導体基板で
あるシリコン基板上に塗布された前記ポリイミド膜開口
部にＩｎ等の低融点金属を埋め込む場合を例にとって詳
細に説明する。
まず、シリコン基板（１１）上にポリイミド（１２）を
塗布し、さらに通常の“ボジ型レジスト（１３）を塗布
する（第１図（ａ））。しかる後、フォトレジストをパ
ターニングし（第１図（ｂ））、さらに前記フォトレジ
ストをマスクとして、前記ポリイミド膜（１２）にスル
ーホール（１４）を形或する（第１図（Ｃ））。しかる
のち、真空蒸着装置を用いてＩｎ等の低融点金属（１５
）をシリコン基板全面に蒸着する（第１図（ｄ））。な
お、蒸着する金属はＩｎに限ったものではなく、Ａｕ−
ＳｎまたはＡｕ−Ｉｎ等の合金を蒸着しても良い。最後
に、前記フォトレジストを溶解しかつポリイミドを溶解
しないエッチング液、たとえば酢酸ブチルを用いて選択
的に前記フォトレジスト（１３）を溶解・除去すると同
時にフォトレジスト上のＩｎ（１５）をも除去する（第
１図（ｅ））。以上述べた一連の工程により、ポリイミ
ド膜開口部にＩｎ等の金属を埋め込む。
塗布し、さらに通常の“ボジ型レジスト（１３）を塗布
する（第１図（ａ））。しかる後、フォトレジストをパ
ターニングし（第１図（ｂ））、さらに前記フォトレジ
ストをマスクとして、前記ポリイミド膜（１２）にスル
ーホール（１４）を形或する（第１図（Ｃ））。しかる
のち、真空蒸着装置を用いてＩｎ等の低融点金属（１５
）をシリコン基板全面に蒸着する（第１図（ｄ））。な
お、蒸着する金属はＩｎに限ったものではなく、Ａｕ−
ＳｎまたはＡｕ−Ｉｎ等の合金を蒸着しても良い。最後
に、前記フォトレジストを溶解しかつポリイミドを溶解
しないエッチング液、たとえば酢酸ブチルを用いて選択
的に前記フォトレジスト（１３）を溶解・除去すると同
時にフォトレジスト上のＩｎ（１５）をも除去する（第
１図（ｅ））。以上述べた一連の工程により、ポリイミ
ド膜開口部にＩｎ等の金属を埋め込む。
なお、上述した実施例では、半導体基板上の第１の有機
膜としてポリイミドを用いた場合を示したが、その他の
有機膜さらに有機高分子中にシリコン等の旭機物が含有
された物質も本発明でいう有機膜の範中に属する。
膜としてポリイミドを用いた場合を示したが、その他の
有機膜さらに有機高分子中にシリコン等の旭機物が含有
された物質も本発明でいう有機膜の範中に属する。
さらに、第２図に示したようにレジスト（１３）をマス
クとして有機膜（ｌ２）にスルーホール（１４）を形或
し（第２図（ａ））、さらに前記レジストをマスクとし
て半導体基板（１１）の一部をエッチング（第２図（ｂ
））Ｌてから、金属膜（１５）の蒸着（第２図（Ｃ））
および前記レジスト（１３）を選択的に溶解・除去して
もよい。このようにすることにより、前記半導体基板の
開口部およびその下部の半導体基板の一部に金属が埋め
込まれた構造を得ることもできる（第２図（ｄ））。
クとして有機膜（ｌ２）にスルーホール（１４）を形或
し（第２図（ａ））、さらに前記レジストをマスクとし
て半導体基板（１１）の一部をエッチング（第２図（ｂ
））Ｌてから、金属膜（１５）の蒸着（第２図（Ｃ））
および前記レジスト（１３）を選択的に溶解・除去して
もよい。このようにすることにより、前記半導体基板の
開口部およびその下部の半導体基板の一部に金属が埋め
込まれた構造を得ることもできる（第２図（ｄ））。
（発明の効果）
以上詳述したように、この発明の方法によれば、半導体
基板上に形威された有機膜開口部に、前記有機膜中ヘの
アルカリイオン等の不純物混入を心配する必要もなく、
金属を埋め込むことが可能となる。さらに、有機膜とし
てポリイミド等の耐熱性の良い有機材料を用い、本発明
による方法により耐熱性有機膜開口部にＩｎ等の低融点
金属またはＡｕ−Ｉｎ等の低融点合金を埋め込めば、耐
熱性有機膜面内に低融点金属（または、合金）プールを
形或することができるといった特徴もある。
基板上に形威された有機膜開口部に、前記有機膜中ヘの
アルカリイオン等の不純物混入を心配する必要もなく、
金属を埋め込むことが可能となる。さらに、有機膜とし
てポリイミド等の耐熱性の良い有機材料を用い、本発明
による方法により耐熱性有機膜開口部にＩｎ等の低融点
金属またはＡｕ−Ｉｎ等の低融点合金を埋め込めば、耐
熱性有機膜面内に低融点金属（または、合金）プールを
形或することができるといった特徴もある。
第１図及び第２図はこの発明に係る実施例を説明するた
めの製造工程断面図、第３図は従来例を説明するための
断面工程図である。 １１・・・シリコン基板、１２．・・ポリイミド、１３
・・・ボジ型レジスト、１４・・・スルーホール、１５
・・・Ｉｎ、３１・・・半導体基板、３２．．・電解メ
ノキ用カソード電極、３３・・・レジスト、３４・・・
スルーホール、 ３５・・・電解メノキ用アノード電極、３６・・・メッ
キ液、３７・・・電解析出金属
めの製造工程断面図、第３図は従来例を説明するための
断面工程図である。 １１・・・シリコン基板、１２．・・ポリイミド、１３
・・・ボジ型レジスト、１４・・・スルーホール、１５
・・・Ｉｎ、３１・・・半導体基板、３２．．・電解メ
ノキ用カソード電極、３３・・・レジスト、３４・・・
スルーホール、 ３５・・・電解メノキ用アノード電極、３６・・・メッ
キ液、３７・・・電解析出金属
Claims (1)
- 半導体基板上に有機膜を形成する工程と、前記有機膜上
にレジストを塗布する工程と、前記レジストをパターニ
ングする工程と、前記レジストをマスクとして前記有機
膜をパターニングする工程と、金属を真空中で成膜する
工程と、前記有機膜を溶解せずかつ前記レジストのみを
溶解するエッチング液を用いて前記レジストおよび前記
レジスト上の前記金属を除去することを特徴とする金属
の埋めこみ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15397389A JPH0319329A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 金属の埋めこみ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15397389A JPH0319329A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 金属の埋めこみ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319329A true JPH0319329A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15574127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15397389A Pending JPH0319329A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 金属の埋めこみ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319329A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7011488B2 (en) | 2000-09-04 | 2006-03-14 | Komatsu Ltd. | Slide arm for working machine |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15397389A patent/JPH0319329A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7011488B2 (en) | 2000-09-04 | 2006-03-14 | Komatsu Ltd. | Slide arm for working machine |
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