JPS6237972A - 金属電極形成方法 - Google Patents
金属電極形成方法Info
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- JPS6237972A JPS6237972A JP17795985A JP17795985A JPS6237972A JP S6237972 A JPS6237972 A JP S6237972A JP 17795985 A JP17795985 A JP 17795985A JP 17795985 A JP17795985 A JP 17795985A JP S6237972 A JPS6237972 A JP S6237972A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、金属電極形成方法、特にショットキー障壁形
ゲート構造電界効果トランジスタ（以下、ＭＥＳＦＥＴ
と略称する）における低ゲート抵抗電極の形成に有効な
金属電極形成方法に関するものである。
ゲート構造電界効果トランジスタ（以下、ＭＥＳＦＥＴ
と略称する）における低ゲート抵抗電極の形成に有効な
金属電極形成方法に関するものである。
２７、
従来の技術
従来、この種の低ゲート抵抗電極形成方法は、第２図ａ
−ｅの工程順断面図に示すような構成であった。すな
わち、従来例を順次説明すると、第２図ａに示すように
、ＧａＡｓ活性層１上に低感度ポジ形レジスト２、その
上に高感度ポジ形レジスト３を塗布し、第２図すに示す
ように、電子ビーム４を用いてゲートパターンを露光す
る。第２図Ｃに示すように、現像によって開口断面丁字
形のレジスト開口部５を得る。ここで、下方のレジスト
２に比べ、上方のレジスト３のパターン幅が広くなるの
は、上方のレジスト３が高感度であるため溶解速度が下
方のレジスト２に比べ大きくなるからである。次に、第
２図ｄのように、ゲート電極用の金属６を蒸着し、最後
に、第２図ｅに示すように、レジスト２，３を除去して
リフトオフにより丁字形の断面形状をもつ低ゲート抵抗
電極７を得る。
−ｅの工程順断面図に示すような構成であった。すな
わち、従来例を順次説明すると、第２図ａに示すように
、ＧａＡｓ活性層１上に低感度ポジ形レジスト２、その
上に高感度ポジ形レジスト３を塗布し、第２図すに示す
ように、電子ビーム４を用いてゲートパターンを露光す
る。第２図Ｃに示すように、現像によって開口断面丁字
形のレジスト開口部５を得る。ここで、下方のレジスト
２に比べ、上方のレジスト３のパターン幅が広くなるの
は、上方のレジスト３が高感度であるため溶解速度が下
方のレジスト２に比べ大きくなるからである。次に、第
２図ｄのように、ゲート電極用の金属６を蒸着し、最後
に、第２図ｅに示すように、レジスト２，３を除去して
リフトオフにより丁字形の断面形状をもつ低ゲート抵抗
電極７を得る。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、ゲート電極の径大な上面側
電極幅および径小々下面側電極幅のパターン幅制御が難
しいという問題点があった。その理由は、レジストの開
口部断面形状が丁字形となる２種類のレジストの組み合
せと、露光、現像の制御が難しいからである。さらに、
リフトオフが難しいという問題点もあった。そのために
、再現よくゲート電極を形成することができなかった。
電極幅および径小々下面側電極幅のパターン幅制御が難
しいという問題点があった。その理由は、レジストの開
口部断面形状が丁字形となる２種類のレジストの組み合
せと、露光、現像の制御が難しいからである。さらに、
リフトオフが難しいという問題点もあった。そのために
、再現よくゲート電極を形成することができなかった。
また、形成したゲート電極は、上面部が下面部より大き
い構造であるために物理的強度が不足しており、ゲート
電極が破損し易いという問題点があった。本発明は、こ
のような問題点を解決するもので、高精度のパターン幅
制御が可能々再現性のよい物理的強度が充分な低ゲート
抵抗電極の製作を目的としている。
い構造であるために物理的強度が不足しており、ゲート
電極が破損し易いという問題点があった。本発明は、こ
のような問題点を解決するもので、高精度のパターン幅
制御が可能々再現性のよい物理的強度が充分な低ゲート
抵抗電極の製作を目的としている。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために、本発明は、半導体基板上
の絶縁膜に、レジストマスクを介して、断面逆台形の開
口部を形成する工程、前記半導体基板に、前記開口を通
じて、食刻凹部を形成する工程、全面に電極用金属を蒸
着形成する工程、前記レジストマスクと共に同上の前記
電極用金属をリフトオフによって除去し、金属電極を前
記半導体基板の食刻四部および前記絶縁膜の断面逆台形
開口部に被覆形成する工程をそなえた金属電極形成方法
である。
の絶縁膜に、レジストマスクを介して、断面逆台形の開
口部を形成する工程、前記半導体基板に、前記開口を通
じて、食刻凹部を形成する工程、全面に電極用金属を蒸
着形成する工程、前記レジストマスクと共に同上の前記
電極用金属をリフトオフによって除去し、金属電極を前
記半導体基板の食刻四部および前記絶縁膜の断面逆台形
開口部に被覆形成する工程をそなえた金属電極形成方法
である。
作 用
この構成により、高精度のパターン幅制御が可能であり
、再現性がよく、しかも充分な物理的強度を持つ低ゲー
ト抵抗電極を形成することができる０ 実施例 第１図ａ〜ｈば、本発明の一実施例によるＭＥＳＦＥＴ
における低ゲート抵抗電極形成方法を示人の厚さに成長
させ、その上にポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ
）レジスト１ｏを厚さ５０００人、スピンコード方法に
よって塗布する。ＰＭＡレジスト１０を１７０℃で２０
分間ベーキングし５、、−。
、再現性がよく、しかも充分な物理的強度を持つ低ゲー
ト抵抗電極を形成することができる０ 実施例 第１図ａ〜ｈば、本発明の一実施例によるＭＥＳＦＥＴ
における低ゲート抵抗電極形成方法を示人の厚さに成長
させ、その上にポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ
）レジスト１ｏを厚さ５０００人、スピンコード方法に
よって塗布する。ＰＭＡレジスト１０を１７０℃で２０
分間ベーキングし５、、−。
た後、第１図すに示すように、電子ビーム露光によって
露光量６４μｃ／ｃｎｉでゲートパターンを描画し、現
像液のメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）による４分
間の現像によってレジストゲートパターンを得る。ＰＭ
ＭＡレジスト１０をマスクとして、第１図Ｃに示すよう
にＨＦとＮＨ４Ｆとの混合液によりＳ １０２膜９をウ
ェットエツチングし、Ｓ ｉ ０２膜９の下面側の開口
幅が、ＰＭＭＡレジスト１ｏの開ロバターンと同じ幅に
なるようにする。
露光量６４μｃ／ｃｎｉでゲートパターンを描画し、現
像液のメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）による４分
間の現像によってレジストゲートパターンを得る。ＰＭ
ＭＡレジスト１０をマスクとして、第１図Ｃに示すよう
にＨＦとＮＨ４Ｆとの混合液によりＳ １０２膜９をウ
ェットエツチングし、Ｓ ｉ ０２膜９の下面側の開口
幅が、ＰＭＭＡレジスト１ｏの開ロバターンと同じ幅に
なるようにする。
第１図ｄに示すように紫外光によってＳｉＯ２膜上面側
の開口幅よりやや小さい幅をマスクによって一括露光し
、ＭＩＢＫＴＰＭＭＡＬ／シスト１ｏを再度４分間現像
し、第１図ｅに示すように、←開口拡張されたレジスト
開口部を得る。次に硫酸：過酸化水素：水−８：１：１
の混合液でＧａＡｓ活性層８を開口部から等方性エッチ
し、同開口部基板に食刻凹部（リセス）を形成すること
により第１図ｆに示す断面形状を得ることができる。そ
の後、第１図ｑに示すようにゲート金属のアルミニウム
膜（Ａｌ）１１を蒸着し、最後に、第１図ｈ６１、７ に示すようにＰＭＭＡレジスト１０をトリクロルエチレ
ンのボイルによって除去すること、いわゆる、リフトオ
フ技法で、ＳｉＯ２膜９の逆台形開口部に支持された低
ゲート抵抗電極１２を形成することができる。
の開口幅よりやや小さい幅をマスクによって一括露光し
、ＭＩＢＫＴＰＭＭＡＬ／シスト１ｏを再度４分間現像
し、第１図ｅに示すように、←開口拡張されたレジスト
開口部を得る。次に硫酸：過酸化水素：水−８：１：１
の混合液でＧａＡｓ活性層８を開口部から等方性エッチ
し、同開口部基板に食刻凹部（リセス）を形成すること
により第１図ｆに示す断面形状を得ることができる。そ
の後、第１図ｑに示すようにゲート金属のアルミニウム
膜（Ａｌ）１１を蒸着し、最後に、第１図ｈ６１、７ に示すようにＰＭＭＡレジスト１０をトリクロルエチレ
ンのボイルによって除去すること、いわゆる、リフトオ
フ技法で、ＳｉＯ２膜９の逆台形開口部に支持された低
ゲート抵抗電極１２を形成することができる。
以上のように本実施例によれば、低ゲート抵抗電極の下
面側のパターン幅は、はじめに形成した絶縁膜の下面側
の開口幅により決定される。また、低ゲート抵抗電極上
面側のパターン幅は、２回目のリングラフィ工程により
決定される。従って上面側および下面側のパターン幅を
独立に、精度。
面側のパターン幅は、はじめに形成した絶縁膜の下面側
の開口幅により決定される。また、低ゲート抵抗電極上
面側のパターン幅は、２回目のリングラフィ工程により
決定される。従って上面側および下面側のパターン幅を
独立に、精度。
再現性よく制御することができる。さらに低ゲート抵抗
電極は、絶縁性薄膜により支持されているので充分な物
理的強度を持っている。しかも、ゲート電極の上面部と
接触する絶縁性薄膜は、ＧａＡｓ活性層のリセスエッチ
ングにより直接Ｇ ａ Ａ ｓ活性層と接触しない。従
って容量の増加を最小限におさえることができる。
電極は、絶縁性薄膜により支持されているので充分な物
理的強度を持っている。しかも、ゲート電極の上面部と
接触する絶縁性薄膜は、ＧａＡｓ活性層のリセスエッチ
ングにより直接Ｇ ａ Ａ ｓ活性層と接触しない。従
って容量の増加を最小限におさえることができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、高精度のパターン幅制御
が可能であり、再現性がよく、しかも充分な物理的強度
を持つ、低ゲート抵抗電極を形成することができる。
が可能であり、再現性がよく、しかも充分な物理的強度
を持つ、低ゲート抵抗電極を形成することができる。
第１図 は、本発明の一実施例によるＭＥＳＦＥＴ
における低ゲート抵抗電極形成方法を示す工程順断面図
、第２図は従来法による低ゲート抵抗電極形成方法を示
す工程順断面図である。 １・・・・・・Ｇ ａ Ａ ｓ活性層、２・・・・・・
低感度ポジ形レジスト、３・・・・・・高感度ポジ形レ
ジスト、４・・・・・・電子ビーム、６・・・・・・断
面Ｔ字形レジスト開ロバターン、６・・・・・・ゲート
金属、７・・・・・・丁字形ゲート電極、８・・・・・
・Ｇ ａ Ａ ｓ活性層、９・・・・・・ＳｉＯ２膜、
１０・旧・・ＰＭＭＡレジスト、１１・・・・・・Ａ１
１１２・山・・低ゲート抵抗電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名歌
における低ゲート抵抗電極形成方法を示す工程順断面図
、第２図は従来法による低ゲート抵抗電極形成方法を示
す工程順断面図である。 １・・・・・・Ｇ ａ Ａ ｓ活性層、２・・・・・・
低感度ポジ形レジスト、３・・・・・・高感度ポジ形レ
ジスト、４・・・・・・電子ビーム、６・・・・・・断
面Ｔ字形レジスト開ロバターン、６・・・・・・ゲート
金属、７・・・・・・丁字形ゲート電極、８・・・・・
・Ｇ ａ Ａ ｓ活性層、９・・・・・・ＳｉＯ２膜、
１０・旧・・ＰＭＭＡレジスト、１１・・・・・・Ａ１
１１２・山・・低ゲート抵抗電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名歌
Claims (1)
- （１）半導体基板上の絶縁膜に、レジストマスクを介し
て、断面逆台形の開口部を形成する工程、前記半導体基
板に、前記開口を通じて、食刻凹部を形成する工程、全
面に電極用金属を蒸着形成する工程、前記レジストマス
クと共に同上の前記電極用金属をリフトオフによって除
去し、金属電極を前記半導体基板の食刻凹部および前記
絶縁膜の断面逆台形開口部に被覆形成する工程をそなえ
た金属電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17795985A JPS6237972A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 金属電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17795985A JPS6237972A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 金属電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237972A true JPS6237972A (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=16040071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17795985A Pending JPS6237972A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 金属電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6237972A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63263770A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-31 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ及びその製造方法 |
| CN103721363A (zh) * | 2014-01-27 | 2014-04-16 | 济南同日数控设备有限公司 | 一种外置式消防多媒介快速接头 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211785A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Sanyo Electric Co Ltd | Electrode formation of semiconductor device |
| JPS6074579A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP17795985A patent/JPS6237972A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211785A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Sanyo Electric Co Ltd | Electrode formation of semiconductor device |
| JPS6074579A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63263770A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-31 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ及びその製造方法 |
| CN103721363A (zh) * | 2014-01-27 | 2014-04-16 | 济南同日数控设备有限公司 | 一种外置式消防多媒介快速接头 |
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