JPH03194541A - 直接ポジ画像の形成方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は安定性の高い処理液を用いて、直接Iジ画像を
迅速に形成せしめるハロダン化銀写真感光材料およびそ
れを用いた画像形成方法KrJjJするものであり、特
にコンピューターアウトプット用フィルム(、COM用
フィルム)に用いられる写真感光材料およびそれを用い
た画像形成方法に関するものである。
迅速に形成せしめるハロダン化銀写真感光材料およびそ
れを用いた画像形成方法KrJjJするものであり、特
にコンピューターアウトプット用フィルム(、COM用
フィルム)に用いられる写真感光材料およびそれを用い
た画像形成方法に関するものである。
(従来技術)
コンピューターの急速な発展は、今日の情報産業を興隆
にし、膨大な記録をアウトプットする方法の研究が盛ん
に行なわれてきた。この分野では記録材料として、反転
処理適性を有したノ・ログン化銀写真感光材料が甜いら
れている。この反転現像法の処理工程は、第1現像処理
によってネガ像を作り、これを定着処理することなく漂
白処理してネガ像の還元銀な脱銀する。残っている未現
像のハロケ°ン化銀を露光し、第2現像を行ないポジ像
を作成する。この方法は処理工程が枦雑なためフィルム
の仕上り速度が遅く、最大濃度(Dmax)。
にし、膨大な記録をアウトプットする方法の研究が盛ん
に行なわれてきた。この分野では記録材料として、反転
処理適性を有したノ・ログン化銀写真感光材料が甜いら
れている。この反転現像法の処理工程は、第1現像処理
によってネガ像を作り、これを定着処理することなく漂
白処理してネガ像の還元銀な脱銀する。残っている未現
像のハロケ°ン化銀を露光し、第2現像を行ないポジ像
を作成する。この方法は処理工程が枦雑なためフィルム
の仕上り速度が遅く、最大濃度(Dmax)。
最小濃度(Dmin)が変動しやすい。さらに漂白液に
重クロム酸カリ・・・等の強力な酸化剤を使用しなけれ
ばならず公害という点でも問題がある。
重クロム酸カリ・・・等の強力な酸化剤を使用しなけれ
ばならず公害という点でも問題がある。
このような問題点を解決する方法として、反転処理工程
又はネガフィルムを必要とせずに、直接ボッ像を得る写
真法はよく知られている。
又はネガフィルムを必要とせずに、直接ボッ像を得る写
真法はよく知られている。
従来知られている直接ポジハロダン化銀写真感光材料を
用いてポジr#像を作成するために用いられる方法は、
特殊なものを除き、実用的有用さを考慮すると、主とし
て2つのタイプに分けることができる。
用いてポジr#像を作成するために用いられる方法は、
特殊なものを除き、実用的有用さを考慮すると、主とし
て2つのタイプに分けることができる。
1つのタイプは、あらかじめカプラされたハロゲン化銀
乳剤を用い、ンーラリゼーションあるいはバーシェル効
果等を利用して籍光部のカブリ核(潜像)を破壊するこ
とによって現像後直接ボッ画像を得るものである。
乳剤を用い、ンーラリゼーションあるいはバーシェル効
果等を利用して籍光部のカブリ核(潜像)を破壊するこ
とによって現像後直接ボッ画像を得るものである。
もう1つのタイプは、かぶらされていな−・内部潜像型
・・ログン化銀乳剤を用い、画像露光後かぶり処理を施
した後かまたはかぶり処理を施しながら表面現像を行い
直接Iジ画像を得るものである。
・・ログン化銀乳剤を用い、画像露光後かぶり処理を施
した後かまたはかぶり処理を施しながら表面現像を行い
直接Iジ画像を得るものである。
また上記の内部潜像型ハロゲン化銀写真乳剤とは、ハロ
ダン化銀粒子の王として内部に感光核を有し、露光によ
って粒子内部に主として潜像が形成されるようなタイプ
のハロゲン化銀写真乳剤な℃・5゜ この後者のタイプの方法は、NtJ者のタイプの方法に
比較して、一般的に感度が高く、高感度を要求される用
途に適しており、本発明はこの後者のタイプに関するも
のである。
ダン化銀粒子の王として内部に感光核を有し、露光によ
って粒子内部に主として潜像が形成されるようなタイプ
のハロゲン化銀写真乳剤な℃・5゜ この後者のタイプの方法は、NtJ者のタイプの方法に
比較して、一般的に感度が高く、高感度を要求される用
途に適しており、本発明はこの後者のタイプに関するも
のである。
この技術分野においては種々の技術がこれまで&C知ら
れている。例えば、米国特許第2,592,250号、
同第2.466,957号、同第2,497,875号
、同第2,588.982号、同第3.317,322
号(同2,497,875号)、同第3,761,26
6号、同第3.761,276号、同第3.796,5
77号および英国特許第1,151,363号、同第1
.150,553号(同1,011,062号)各明細
書等に記載されているものがその王なものである。
れている。例えば、米国特許第2,592,250号、
同第2.466,957号、同第2,497,875号
、同第2,588.982号、同第3.317,322
号(同2,497,875号)、同第3,761,26
6号、同第3.761,276号、同第3.796,5
77号および英国特許第1,151,363号、同第1
.150,553号(同1,011,062号)各明細
書等に記載されているものがその王なものである。
これら公知の方法を用いると直接ポジ型としては比較的
高感度の写真感光材料を作ることができる。
高感度の写真感光材料を作ることができる。
また、直接ボッ像の形成機構の詳細については例えば、
T、H,ジェームス著「ザ・セオリ・オブ・ザ・フォト
クラクインク・プロセスJ (TheTheory o
f the Photographic Proces
s)第4版第7章182頁〜193頁や米国特許第3,
761.276号等に記載されている。
T、H,ジェームス著「ザ・セオリ・オブ・ザ・フォト
クラクインク・プロセスJ (TheTheory o
f the Photographic Proces
s)第4版第7章182頁〜193頁や米国特許第3,
761.276号等に記載されている。
つまり、最初の像様露光によってハロダン化銀内部に生
じた、いわゆる内部潜像に基因する表面減感作用により
、未露光部のハロダン化銀粒子の表面のみに選択的にカ
プリ核を生成させ、次いで通常の、いわゆる表面現像処
理を施す事によって未露光部に写真像(直接Iジ像)が
形成されると信じられている。
じた、いわゆる内部潜像に基因する表面減感作用により
、未露光部のハロダン化銀粒子の表面のみに選択的にカ
プリ核を生成させ、次いで通常の、いわゆる表面現像処
理を施す事によって未露光部に写真像(直接Iジ像)が
形成されると信じられている。
上記の如く、選択的にカブリ核を生成させる手段として
は、一般に「光かぶり法」と呼ばれる感光層の全面に第
二の露光を与える方法(例えば英国特許第1,151,
363号)と「化学的かぶり法」と呼ばれる造核剤(n
ucleating agent)を用いる方法とが知
られている。この後者の方法については、例えば「リサ
ーチ・ディスクロージャー」(Re5earch Di
sclosure)誌第151巻A15162(I97
6年11月発行)の72〜87頁に記載されている。
は、一般に「光かぶり法」と呼ばれる感光層の全面に第
二の露光を与える方法(例えば英国特許第1,151,
363号)と「化学的かぶり法」と呼ばれる造核剤(n
ucleating agent)を用いる方法とが知
られている。この後者の方法については、例えば「リサ
ーチ・ディスクロージャー」(Re5earch Di
sclosure)誌第151巻A15162(I97
6年11月発行)の72〜87頁に記載されている。
このような方法の中で、従来の化学的かぶり法ではpH
12以上の高−で始めて造核剤の効果が得られるものが
使用され、そのためこの高−条件下では孕気酸化による
現像主薬の劣化が起りやすく、その結果、現像活性が著
しく低下する欠点がある。
12以上の高−で始めて造核剤の効果が得られるものが
使用され、そのためこの高−条件下では孕気酸化による
現像主薬の劣化が起りやすく、その結果、現像活性が著
しく低下する欠点がある。
また現像速度が遅いため処理時間が長くかかり、特に低
岬の現像液を使用するといっそう処理時間がかかるとい
う欠点がある。また−が12以上であっても現像時間が
長(かかるという欠点がある。
岬の現像液を使用するといっそう処理時間がかかるとい
う欠点がある。また−が12以上であっても現像時間が
長(かかるという欠点がある。
一方、光かぶり法の場合には、高p)4条件を要求され
る事がなく、実用上比較的有利である。しかしながら、
広範な写真分野で各種の目的に供するため妃は、種々の
技術的問題点がある。即ち、光かぶり法は、ハロゲン化
銀の光分解によるカブリ核の形成に基づいているので使
用するハロゲン化銀の種類や特性によって、その適性露
光照度や露光量が異る。そのため一定の性能を得るのが
困難であり、更に現像装蟹が複雑でしかも高価なものに
なるという欠点がある。更に現像時間が長いという欠点
がある。
る事がなく、実用上比較的有利である。しかしながら、
広範な写真分野で各種の目的に供するため妃は、種々の
技術的問題点がある。即ち、光かぶり法は、ハロゲン化
銀の光分解によるカブリ核の形成に基づいているので使
用するハロゲン化銀の種類や特性によって、その適性露
光照度や露光量が異る。そのため一定の性能を得るのが
困難であり、更に現像装蟹が複雑でしかも高価なものに
なるという欠点がある。更に現像時間が長いという欠点
がある。
このように従来のかぶり法では共に安定して良好な直接
ポジ画像を得る事が困難であった。この問題を解決する
手段として、ド112以下でも造核作用を発揮する化合
物が特開昭52−69613号、米国特許第3,615
,615号や同第3.850゜638号に提案されてい
るが、これらの造核剤は処理前の感材の保存中にハロゲ
ス化銀に作用して、もしくは造核剤自身が分解して結局
処理後の最大画像#度を低下させる欠点がある。
ポジ画像を得る事が困難であった。この問題を解決する
手段として、ド112以下でも造核作用を発揮する化合
物が特開昭52−69613号、米国特許第3,615
,615号や同第3.850゜638号に提案されてい
るが、これらの造核剤は処理前の感材の保存中にハロゲ
ス化銀に作用して、もしくは造核剤自身が分解して結局
処理後の最大画像#度を低下させる欠点がある。
米国特許第3,227,552号にはハイドロキノン誘
導体を用いて中位濃度の現像速度を上げることが記載さ
れている。しかしこれを用〜・ても現像の速さは十分で
なく、特にpi−112以下の現像液で不十分な現像速
度しか得られなかった。
導体を用いて中位濃度の現像速度を上げることが記載さ
れている。しかしこれを用〜・ても現像の速さは十分で
なく、特にpi−112以下の現像液で不十分な現像速
度しか得られなかった。
まり1liriIH60−170843号Kl!カル&
y酸基やスルホン酸基をもったメルカプト化合物を添加
し、最大画像浸度を上げることなどが記載されている。
y酸基やスルホン酸基をもったメルカプト化合物を添加
し、最大画像浸度を上げることなどが記載されている。
しかし、これらの化合物を添加した効果は小さい。
特開昭55−134848号には造核剤の存在下にテト
ラザインデン系化合物を含有する処理液(p)112.
0)で処理して最小画像濃度を低下させ、再反転ネガ像
の形成を防止することが述べられている。しかし、この
方法では最大画像濃度が高くならず、また現像速度も速
くならない。
ラザインデン系化合物を含有する処理液(p)112.
0)で処理して最小画像濃度を低下させ、再反転ネガ像
の形成を防止することが述べられている。しかし、この
方法では最大画像濃度が高くならず、また現像速度も速
くならない。
また特公昭45−12709号には光かぶり法で直接ポ
ジ画像を形成する感材にかぶり防止剤としてトリアゾリ
ン−チオン、テトラゾリン−チオン系化合物を添加する
ことが記載されている。しかし、これらの方法でも高い
最大画像濃度と、速い現像速度を達成することができな
かった。
ジ画像を形成する感材にかぶり防止剤としてトリアゾリ
ン−チオン、テトラゾリン−チオン系化合物を添加する
ことが記載されている。しかし、これらの方法でも高い
最大画像濃度と、速い現像速度を達成することができな
かった。
このように、Mlい最大画像濃度と低い最小画像濃度を
有する直接ポジ画像を短時間で得る技術は今まで罠なか
った。
有する直接ポジ画像を短時間で得る技術は今まで罠なか
った。
また、一般に感度の高い直接ポジ乳剤はど高照度露光に
於る再反転ネガ像の発生が多くでるという問題があり、
特にCOM用フィルムはCRT短露光での高感度が要求
され高照度露光での再反転ネガ像の防止は重要である。
於る再反転ネガ像の発生が多くでるという問題があり、
特にCOM用フィルムはCRT短露光での高感度が要求
され高照度露光での再反転ネガ像の防止は重要である。
特願昭61−136949号、同61−153481号
、に前記問題点を解決する技術が記載されているがこの
方法でも、再反転ネガ像の防止という点では不充分であ
った。
、に前記問題点を解決する技術が記載されているがこの
方法でも、再反転ネガ像の防止という点では不充分であ
った。
又、特願昭63−51288号にも前記問題点を解決す
る技術が開示されているが残色性、処理タフネス、生感
材保存性において必ずしも充分ではなかった。
る技術が開示されているが残色性、処理タフネス、生感
材保存性において必ずしも充分ではなかった。
(本発明の目的)
従って本発明の目的は、第1に予めかぶらされていない
内部潜像型ハロゲン化銀写真感光材料を、造核剤の存在
下に現像処理し、高いDmaxと低いDminを有する
直接ポジ画像を迅速且つ安定に形成する方法を提供する
ことにある。
内部潜像型ハロゲン化銀写真感光材料を、造核剤の存在
下に現像処理し、高いDmaxと低いDminを有する
直接ポジ画像を迅速且つ安定に形成する方法を提供する
ことにある。
第2は、内部潜像型ハロゲン化銀乳剤と造核剤による反
転性を利用したコムフィルム用直接ポジハロゲン化銀写
真感光材料を提供することにある。
転性を利用したコムフィルム用直接ポジハロゲン化銀写
真感光材料を提供することにある。
第3は、高照度露光における再反転ネガ像の発生の少な
い直接ポジハロゲン化銀写真感光材料を提供することに
ある。
い直接ポジハロゲン化銀写真感光材料を提供することに
ある。
第4は、現像液のpHが変動してもDmax、 Dmi
nの変動が少ない直接ポジ画像を形成する方法を提供す
ることにある。
nの変動が少ない直接ポジ画像を形成する方法を提供す
ることにある。
第5は、感光材料を長期間保存した場合にDmax。
Dminの変動が少ない直接ポジハロゲン化銀写真感光
材料を提供することにある。
材料を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明のこれらの目的は、予め被らされていない内部潜
像型ハロゲン化銀からなる感光層を少なくとも1層有す
る感光材料を画像露光後、造核剤の存在下で現像処理し
て直接ポジ画像を形成する方法に於て、該感光層中に下
記一般式(+)で表わされる増感色素を含有することを
特徴とする直接ポジ画像の形成方法により達成された。
像型ハロゲン化銀からなる感光層を少なくとも1層有す
る感光材料を画像露光後、造核剤の存在下で現像処理し
て直接ポジ画像を形成する方法に於て、該感光層中に下
記一般式(+)で表わされる増感色素を含有することを
特徴とする直接ポジ画像の形成方法により達成された。
(I)
式中、n−2,3,4
Z=ベンゼン環を形成するに必要な原子群M=1価のカ
チオン(たとえばNa、K)Zが形成するベンゼン環は
、アルコキシ基、ハロゲン原子等の置換基を有していて
もよい。
チオン(たとえばNa、K)Zが形成するベンゼン環は
、アルコキシ基、ハロゲン原子等の置換基を有していて
もよい。
上記、一般式(I)で表わされる好ましい増悪色素の具
体例を下記に示す。
体例を下記に示す。
−1
−3
−4
本発明の増感色素の添加量はハロゲン化銀1モル当りl
Xl0−’モルからI X 10”モルの範囲であり、
好ましくはlXl0−’から1×10−1モルの範囲で
あるが、当然のことながら最適添加量は、使用するハロ
ゲン化銀の粒子サイズ、粒子の晶相(結晶面)及びハロ
ゲン組成などによって大きく異る。
Xl0−’モルからI X 10”モルの範囲であり、
好ましくはlXl0−’から1×10−1モルの範囲で
あるが、当然のことながら最適添加量は、使用するハロ
ゲン化銀の粒子サイズ、粒子の晶相(結晶面)及びハロ
ゲン組成などによって大きく異る。
本発明の増感色素の添加時期は、使用するハロゲン化銀
の粒子形成途中でも良いし、粒子形成完了後でもかまわ
ない、さらに、シェル表面の化学増感前でも良いし、化
学増感後でもかまわない。
の粒子形成途中でも良いし、粒子形成完了後でもかまわ
ない、さらに、シェル表面の化学増感前でも良いし、化
学増感後でもかまわない。
本発明の増感色素を使用する層は、乳剤層に使用するの
が最も好ましいが、他の層に使用してもかまわない。
が最も好ましいが、他の層に使用してもかまわない。
本発明の「造核剤」とは、予めかぶらされてない内部潜
像型ハロゲン化乳剤を表面現像処理する際に作用して直
接ポジ像を形成する働きをする物5OsHN(CHs)
3 OsNa 質である。
像型ハロゲン化乳剤を表面現像処理する際に作用して直
接ポジ像を形成する働きをする物5OsHN(CHs)
3 OsNa 質である。
また、「造核促進剤」とは、前記の造核剤としての多能
は実質的にないが、造核剤の作用を促進して直接ポジ画
像の最大濃度を高める及び/または一定の直接Iジ画像
濃度を得るに必要な現像時間を速める働きをする物質で
ある。
は実質的にないが、造核剤の作用を促進して直接ポジ画
像の最大濃度を高める及び/または一定の直接Iジ画像
濃度を得るに必要な現像時間を速める働きをする物質で
ある。
本発明に用いうる造核剤としては、従来より、内潜型ハ
ロゲン化銀を造核する目的で開発された化合物す\てが
適用できる。造核剤は2!11類以上組合せて使用して
もよい。更に詳しく説明すると、造核剤としては、例え
ば「リサーチ・ディスクロージャーJ (Re5ear
ch Disclosure)誌A22゜534(I9
83年1月発行 50〜54頁)に記載されている物が
あり、これらはヒドラジン系化合物と四級複素環化合物
及びその他の化合物の三つに大別される。
ロゲン化銀を造核する目的で開発された化合物す\てが
適用できる。造核剤は2!11類以上組合せて使用して
もよい。更に詳しく説明すると、造核剤としては、例え
ば「リサーチ・ディスクロージャーJ (Re5ear
ch Disclosure)誌A22゜534(I9
83年1月発行 50〜54頁)に記載されている物が
あり、これらはヒドラジン系化合物と四級複素環化合物
及びその他の化合物の三つに大別される。
まずヒドラジン系化合物としては、例えば前記のリサー
チ・ディスクロージャー誌A15,162(I976年
11月発行 76〜77頁)及び同誌屋23,510(
I983年11月発行 346〜352頁)K記載され
ているものがあげられる。
チ・ディスクロージャー誌A15,162(I976年
11月発行 76〜77頁)及び同誌屋23,510(
I983年11月発行 346〜352頁)K記載され
ているものがあげられる。
更に具体的には下記の特許明細書に記載のものを挙げる
事ができる。まずノ・ロダン化銀吸着基を有するヒドラ
ゾン系造核剤の例としては、例えば、米国特許第4;0
30,925号、同第4,080,207号、1M31
E4,031,127号、同IK3.718,470号
、同第4.269,929号、同11i:4,276.
364号、同第4,278,748号、同第4,385
,108号、同第4.459,347号、英@特許第2
.011.3918号、特開昭54−74.729号、
同55−163.533号、同55−74,536号、
及び同60−179,734号などに記載のものがあげ
られる。
事ができる。まずノ・ロダン化銀吸着基を有するヒドラ
ゾン系造核剤の例としては、例えば、米国特許第4;0
30,925号、同第4,080,207号、1M31
E4,031,127号、同IK3.718,470号
、同第4.269,929号、同11i:4,276.
364号、同第4,278,748号、同第4,385
,108号、同第4.459,347号、英@特許第2
.011.3918号、特開昭54−74.729号、
同55−163.533号、同55−74,536号、
及び同60−179,734号などに記載のものがあげ
られる。
その他のヒドラジン系造核剤としては、例えば特開昭5
7−86.829号、米国特許第4.560゜638号
、同第4,478号、さらには同2,563゜785号
及び同2,588,982号に記載の化合物があげられ
る。
7−86.829号、米国特許第4.560゜638号
、同第4,478号、さらには同2,563゜785号
及び同2,588,982号に記載の化合物があげられ
る。
次に四級複素環系化合物としては、例えば前記のリサー
チ・ディスクロージャー誌422,534や特公昭49
−38,164号、同52−19,452号、同52−
47,326号、特開昭52−69゜613号、同52
−3.426号、同55−138゜742号、同60−
11,837号、米国特許第4゜306.016号、及
び「リサーチ・ディスクロージャー」#墓23,213
(I983年8月発行267〜270頁)などに記載の
ものがあげられる。
チ・ディスクロージャー誌422,534や特公昭49
−38,164号、同52−19,452号、同52−
47,326号、特開昭52−69゜613号、同52
−3.426号、同55−138゜742号、同60−
11,837号、米国特許第4゜306.016号、及
び「リサーチ・ディスクロージャー」#墓23,213
(I983年8月発行267〜270頁)などに記載の
ものがあげられる。
本発明に有用な造核剤は、好ましくは下記の一般式[N
−1)や(N−1t)で表わされる化合物である。
−1)や(N−1t)で表わされる化合物である。
一般式(N−1)
式中、zlは5ないし6員の複素環を形成するに必要な
非金属原子群を表わす。この複素環には更に芳香環又は
複素環が縮合していてもよい。R1は脂肪族基であり、
Xは=C−又は−N−である。
非金属原子群を表わす。この複素環には更に芳香環又は
複素環が縮合していてもよい。R1は脂肪族基であり、
Xは=C−又は−N−である。
1
Qは4ないし12員の非芳香族炭化水素環、又は非芳香
族複素環を形成するに必要な非金属原子群を表わす。但
し、R1、z lの置換基及びQの置換基のうち、少な
くとも一つはアルキニル基な含む。
族複素環を形成するに必要な非金属原子群を表わす。但
し、R1、z lの置換基及びQの置換基のうち、少な
くとも一つはアルキニル基な含む。
さらKRl、zl、及びQのうち少な(とも一つは、ハ
ロゲン化銀への吸着促進基を有してもよい、Yは電荷バ
ランスのための対イオンであり、nは電荷バランスをと
るに必要な数である。
ロゲン化銀への吸着促進基を有してもよい、Yは電荷バ
ランスのための対イオンであり、nは電荷バランスをと
るに必要な数である。
前記一般式(N−1)で表わされる造核剤について更に
詳しく説明すると、zlで完成される複素環は、例えば
キノリニウム、ベンズイミダゾリウム、ぜリジウム、チ
アゾリウム、セレナゾリウム、イミダゾリウム、テトラ
ゾリウム、インドレニウム、ピロリニウム、フエナンス
リジニウム、インキノリニウム、及びナフトピリジウム
核があげられる。zlは置換基で蓋換されていてもよ(
、その置換基としては、アルキル基、アルケニル基、ア
ラルキル基、アリール基、アルキニル基、ヒドロキシ基
、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、ア
ミノ基、アルキニル基(アリールチオ基、アシルオキシ
基、アシルアミノ基、スルホニル基、スルホニルオキシ
基、スルホニルアミノ基、カル−キシル基、アシル基、
カルバモイル基、スルファモイル基、スルホ基、シアノ
基、ウレイド基、ウレタン基、炭酸エステル基、ヒドラ
ジン基、ヒドラゾン基、またはイミノ基などがあげられ
る。zl の置換基としては、例えば上記置換基の中か
ら少なくとも1個選ばれるが、2個以上の場合は同じで
も異なっていてもよい。また上記置換基はこれらの置換
基でさらに置換されていてもよい。
詳しく説明すると、zlで完成される複素環は、例えば
キノリニウム、ベンズイミダゾリウム、ぜリジウム、チ
アゾリウム、セレナゾリウム、イミダゾリウム、テトラ
ゾリウム、インドレニウム、ピロリニウム、フエナンス
リジニウム、インキノリニウム、及びナフトピリジウム
核があげられる。zlは置換基で蓋換されていてもよ(
、その置換基としては、アルキル基、アルケニル基、ア
ラルキル基、アリール基、アルキニル基、ヒドロキシ基
、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、ア
ミノ基、アルキニル基(アリールチオ基、アシルオキシ
基、アシルアミノ基、スルホニル基、スルホニルオキシ
基、スルホニルアミノ基、カル−キシル基、アシル基、
カルバモイル基、スルファモイル基、スルホ基、シアノ
基、ウレイド基、ウレタン基、炭酸エステル基、ヒドラ
ジン基、ヒドラゾン基、またはイミノ基などがあげられ
る。zl の置換基としては、例えば上記置換基の中か
ら少なくとも1個選ばれるが、2個以上の場合は同じで
も異なっていてもよい。また上記置換基はこれらの置換
基でさらに置換されていてもよい。
更にZlの置換基として、適幽な連結基L1を介してZ
で完成される複素環四級アンモニウム基を有してもよ
い。この場合はいわゆるグイマーの捨゛造を取る。
で完成される複素環四級アンモニウム基を有してもよ
い。この場合はいわゆるグイマーの捨゛造を取る。
zl で完成される複素環基核として好ましくは、キノ
リニウム、ベンズイミダゾリウム、ピリジニウム、アク
リジニウム、フエナンスリジニウム、ナフトピリジニウ
ム及びインキノリニウム核があげられる。更に好ましく
は、キノリニウム、ナンドピリジニウム、ベンズイミダ
ゾリウム核であり、鏝も好ましくはキノリニウム核であ
る。
リニウム、ベンズイミダゾリウム、ピリジニウム、アク
リジニウム、フエナンスリジニウム、ナフトピリジニウ
ム及びインキノリニウム核があげられる。更に好ましく
は、キノリニウム、ナンドピリジニウム、ベンズイミダ
ゾリウム核であり、鏝も好ましくはキノリニウム核であ
る。
R1の脂肪族基は、好ましくは炭素数1〜18個のfM
會換アルキル基およびアルキル部分の炭素数が1〜18
個の置換アルキル基である。置換基としては、zlのき
換基として述べたものがあげられる。
會換アルキル基およびアルキル部分の炭素数が1〜18
個の置換アルキル基である。置換基としては、zlのき
換基として述べたものがあげられる。
R1として好ましくはアルキニル基であり、特にプロ・
ぐルギル基が最も好ましい。
ぐルギル基が最も好ましい。
Qは4ないし12員の非芳香族炭化水素環又は非芳香族
複素環を形成するに必要な原子群である。
複素環を形成するに必要な原子群である。
これらの環はzl の置換基で述べた基でさらに1換さ
れていてもよい。
れていてもよい。
非芳香族炭化水素環としては、Xが炭素原子である場合
であって、例えばシクロペンタン、シクロヘキサン、シ
クロヘキセン、シクロヘプタン、インゲン、テトラリン
等の環があげられる。
であって、例えばシクロペンタン、シクロヘキサン、シ
クロヘキセン、シクロヘプタン、インゲン、テトラリン
等の環があげられる。
非芳香族複素環としては、ペテロ原子として窒素、酸素
、硫黄、セレンなどを含むものであって、例えば、Xが
炭素原子である場合は、テトラヒドロフラン、テトラヒ
ドロピラン、ブチロラクトン、ピロリドン、テトラヒド
ロチオフェン等の環があげられる。またXが窒素原子で
ある場合は、例えばピロリジノ、ビイリジン、ピリドン
、ビイリジン、ノぞ−ヒドロチア・シン、テトラヒドロ
キノリン、インドリン等の環があげられる。
、硫黄、セレンなどを含むものであって、例えば、Xが
炭素原子である場合は、テトラヒドロフラン、テトラヒ
ドロピラン、ブチロラクトン、ピロリドン、テトラヒド
ロチオフェン等の環があげられる。またXが窒素原子で
ある場合は、例えばピロリジノ、ビイリジン、ピリドン
、ビイリジン、ノぞ−ヒドロチア・シン、テトラヒドロ
キノリン、インドリン等の環があげられる。
Qで形成される環核として好ましいのは、Xが炭素原子
の場合であり、特にシクロペンタン、シクロヘキサン、
シクロヘプタン、シクロヘキセン、インダン、テトラヒ
ドロピラン、テトラヒドロチオフェン等である。
の場合であり、特にシクロペンタン、シクロヘキサン、
シクロヘプタン、シクロヘキセン、インダン、テトラヒ
ドロピラン、テトラヒドロチオフェン等である。
R1、Zlの置換基、及びQの置換基のうち、少なくと
もひとつが該当するアルキニル基としては、これまです
でに一部は述べられているが、更に詳しく説明すると、
好ましくは炭素数2〜18個のもので、例えばニチニル
基、グロノ!ルギル基、2−フチニル基、1−メテルブ
ロノクルギル基、1゜1−ジメチルプロノやルギル基、
3−ブチニル基、4−ペンチニル基などである。
もひとつが該当するアルキニル基としては、これまです
でに一部は述べられているが、更に詳しく説明すると、
好ましくは炭素数2〜18個のもので、例えばニチニル
基、グロノ!ルギル基、2−フチニル基、1−メテルブ
ロノクルギル基、1゜1−ジメチルプロノやルギル基、
3−ブチニル基、4−ペンチニル基などである。
更にこれらは、21 の置換基として述べた基で置換さ
れていてもよい。これらアルキニル基としては、プロパ
ルギル基が好ましく、特にR1がプロパルギル基である
場合が最も好ましい。
れていてもよい。これらアルキニル基としては、プロパ
ルギル基が好ましく、特にR1がプロパルギル基である
場合が最も好ましい。
R1、Q及びzlの置換基の有し得る・・ログン化銀へ
の吸着促進基としては、X’+L’+で表わされるもの
が好ましい。
の吸着促進基としては、X’+L’+で表わされるもの
が好ましい。
ここでXlはハロゲン化銀への吸着促進基であり、Ll
は二価の連結基である。mは0又はlでる。X で表わ
されるハロゲン化銀への吸着促進基の好ましい例として
は、チオアミド基、メルカプト基または5ないし6員の
含窒素へテロ環基があげられる。
は二価の連結基である。mは0又はlでる。X で表わ
されるハロゲン化銀への吸着促進基の好ましい例として
は、チオアミド基、メルカプト基または5ないし6員の
含窒素へテロ環基があげられる。
これらはZl の置換基として述べたもので置換されて
いてもよい。チオアミド基としては好ましくは非環式チ
オアミド基(例えばチオウレタン基、チオウレイド°基
など)である。
いてもよい。チオアミド基としては好ましくは非環式チ
オアミド基(例えばチオウレタン基、チオウレイド°基
など)である。
X のメルカプト基としては、特にヘテoBJメルカフ
)基(例えば5−メルカプトテトラゾール、3−メルカ
プト−1,2,4−トリアゾール)、2−メルカプト1
,3.4−チアジアゾール、2−メルカプト−1,3,
4−オキサジアゾールなど)が好ましい。
)基(例えば5−メルカプトテトラゾール、3−メルカ
プト−1,2,4−トリアゾール)、2−メルカプト1
,3.4−チアジアゾール、2−メルカプト−1,3,
4−オキサジアゾールなど)が好ましい。
Xlで表わされる5ないし6員の含窒素複素環としては
、窒素、酸素、硫黄及び炭素の組合せからなるもので、
好ましくはイミノ銀を生成するもので例えばベンゾトリ
アゾールやアミノチアゾールがあげられる。
、窒素、酸素、硫黄及び炭素の組合せからなるもので、
好ましくはイミノ銀を生成するもので例えばベンゾトリ
アゾールやアミノチアゾールがあげられる。
Ll で表わされる二価の連結基としては、C1N、S
、Oのうち少な(とも1株を含む原子又は原子団である
。具体的には、例えばアルキレン基、7にケ:−L/ン
基、アルキニレン基、アリーレン基−O−−3−−NH
−−N=、−c o −−so□−(これらの基は置換
基をもっていてもよい)、等の単独またはこれらの組合
せからなるものである。
、Oのうち少な(とも1株を含む原子又は原子団である
。具体的には、例えばアルキレン基、7にケ:−L/ン
基、アルキニレン基、アリーレン基−O−−3−−NH
−−N=、−c o −−so□−(これらの基は置換
基をもっていてもよい)、等の単独またはこれらの組合
せからなるものである。
キレン←CNH−1−(アリーレン÷S O2NH−1
などが好ましい。
などが好ましい。
電荷バランスのための対イオンYとしては、例えば、臭
素イオン、塩素イオン、沃素イオン、p−トルエンスル
ホン酸イオン、エチルスルホン酸イオン、過塩素酸イオ
ン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、チオシアン
イオン、BF4−イオン、PF6−イオンなどがあげら
れる。
素イオン、塩素イオン、沃素イオン、p−トルエンスル
ホン酸イオン、エチルスルホン酸イオン、過塩素酸イオ
ン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、チオシアン
イオン、BF4−イオン、PF6−イオンなどがあげら
れる。
一般式(N−1)で示される化合物のうち、好ましくは
ハロゲン化銀への吸着促進基を有するものであり、特に
、吸着促進基X としてチオアミド基、アゾール基又は
へテロ環メルカプト基である場合がさらに好ましい。こ
れらの化合物例およびその合成法は、例えば!!f!願
昭62−17,984及び同特許に引用された特許又は
文献に記載されている。
ハロゲン化銀への吸着促進基を有するものであり、特に
、吸着促進基X としてチオアミド基、アゾール基又は
へテロ環メルカプト基である場合がさらに好ましい。こ
れらの化合物例およびその合成法は、例えば!!f!願
昭62−17,984及び同特許に引用された特許又は
文献に記載されている。
一般式(N−1)で表わされる化合物の具体例を以下に
あげるが、本発明はこれらに限定されるわけではな(・
。
あげるが、本発明はこれらに限定されるわけではな(・
。
(N−1
)
(N−I−5)
(N−1
−2)
CH2C=CH
(N−1−6)
CH2C=CH
(Ni
3
)
CH2C=CH
(N−1−7)
CH2C=CH
(N−1
4
)
CH2C=CH
CH2C−cH
(N−1
9
)
(N−1
)
(N−1
2)
(N−[
20
)
CH2CECH
(N−1
)
(N−18−
1
)
(N−1
)
(N1
)
(N−1
2
)
(N−1
23
)
(N−1
24
)
R
(、:1−12(、UM
↑
CH2C7cH
以上述べた化合物は、例えばリサーチ・ディスクロージ
ャー(Re5earch Disclosure )
誌扁22,534(I983年1月発行、50〜54頁
)に引用された特許、及び米国特許館4,471゜04
4号等に記載された方法及びその類似の方法で合成でき
る。
ャー(Re5earch Disclosure )
誌扁22,534(I983年1月発行、50〜54頁
)に引用された特許、及び米国特許館4,471゜04
4号等に記載された方法及びその類似の方法で合成でき
る。
一般式(N−■)
(式中、R21は脂肪族基、芳香族基、又はへテロ環基
を表わし;R22は水素原子、アルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又
はアミノ基を表わし:Gはカルブニル基、スルホニル基
、スルホキシ基、ホスホリル基、又はイミノメチレン基
(HN=C,)を表わし、R23及びR24は共に水素
原子か、ある(・は一方が水素原子で他方がアルキルス
ルホニル基、アリールスルホニル基又はアシル基のどれ
かひとつを表わす。ただしG、R2,、R24およびヒ
ドラジン窒素を含めた形でヒドラゾン構造(”;N−N
=()を形成してもよい。また以上述べた基は可能な場
合は置換基で置換されていてもよい。)一般式(N−1
f)において、R21で表される脂脂族基は直鎖、分岐
または環状のアルキル基、アルケニル基またはアルキニ
ル基である。
を表わし;R22は水素原子、アルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又
はアミノ基を表わし:Gはカルブニル基、スルホニル基
、スルホキシ基、ホスホリル基、又はイミノメチレン基
(HN=C,)を表わし、R23及びR24は共に水素
原子か、ある(・は一方が水素原子で他方がアルキルス
ルホニル基、アリールスルホニル基又はアシル基のどれ
かひとつを表わす。ただしG、R2,、R24およびヒ
ドラジン窒素を含めた形でヒドラゾン構造(”;N−N
=()を形成してもよい。また以上述べた基は可能な場
合は置換基で置換されていてもよい。)一般式(N−1
f)において、R21で表される脂脂族基は直鎖、分岐
または環状のアルキル基、アルケニル基またはアルキニ
ル基である。
R2,で表わされる芳香族基としては、単環又は2環の
アリール基であり、例えばフェニル基、ナフチル基があ
げられる。
アリール基であり、例えばフェニル基、ナフチル基があ
げられる。
R2,のヘテロ環としては、N、0、又はS原子のうち
少なくともひとつを含む3〜10員の飽和もしくは不飽
和のへテロ環であり、これらは単環であってもよいし、
さらに他の芳香環もしくはヘテロ環と縮合環を形成して
もよい。ヘテロ環として好ましくは、5ないし6員の芳
香族へテロ環基であり、例えばピリジル基、キノリニル
基、イミダゾリル基、ペンズイミグゾリル基などがあげ
られる。
少なくともひとつを含む3〜10員の飽和もしくは不飽
和のへテロ環であり、これらは単環であってもよいし、
さらに他の芳香環もしくはヘテロ環と縮合環を形成して
もよい。ヘテロ環として好ましくは、5ないし6員の芳
香族へテロ環基であり、例えばピリジル基、キノリニル
基、イミダゾリル基、ペンズイミグゾリル基などがあげ
られる。
R2,は置換基で置換されていてもよい。置換基として
は、例えば以下のものがあげられる。これらの基は更に
置換されていてもよい。
は、例えば以下のものがあげられる。これらの基は更に
置換されていてもよい。
例えばアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アル
キルもしくはアリール基、置換アミノ基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、ウレイド基、ウレタン基、ア
リールオキシ基、スルファモイル基、カルバモイル基、
アリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホ
ニル基、スルフィニル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子
、シアノ基、スルホ基やカルゲキシル基などである。
キルもしくはアリール基、置換アミノ基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、ウレイド基、ウレタン基、ア
リールオキシ基、スルファモイル基、カルバモイル基、
アリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホ
ニル基、スルフィニル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子
、シアノ基、スルホ基やカルゲキシル基などである。
これらの基は可能なときは互いに連結して環を形成して
もよい。
もよい。
R21として好ましいのは、芳香族基、芳香族へテロ環
又はアリール置換メチル基であり、更に好ましくはアリ
ール基である。
又はアリール置換メチル基であり、更に好ましくはアリ
ール基である。
R2□で表わされる基のうち好ましいものは、・Gがカ
ルボニル基の場合には、水素原子、アルキル基(例えば
メチル基、トリフルオロメチル基、3−ヒドロキシベン
ジル基、3−メタンスルホンアミドフェニル基など)、
アラルキル基(例えばO−ヒドロキシベンジル基など)
、アリール基(例エバフェニル&、3.5−ジクロロフ
ェニル基、O−メタンスルホンアミドフェニル基、4−
メタンスルホニルフェニル基など)などであり、特に水
素原子が好ましい。
ルボニル基の場合には、水素原子、アルキル基(例えば
メチル基、トリフルオロメチル基、3−ヒドロキシベン
ジル基、3−メタンスルホンアミドフェニル基など)、
アラルキル基(例えばO−ヒドロキシベンジル基など)
、アリール基(例エバフェニル&、3.5−ジクロロフ
ェニル基、O−メタンスルホンアミドフェニル基、4−
メタンスルホニルフェニル基など)などであり、特に水
素原子が好ましい。
またGがスルホニル基の場合には、R22はアルキル基
(例えばメチル基など)、アラルキル基(例えば◎−ヒ
yロキシフェニルメチル基ナト)、アリール基(例えば
フェニル基など)または置換アミン基(例えばジメチル
アミノ基など)などが好ましい。
(例えばメチル基など)、アラルキル基(例えば◎−ヒ
yロキシフェニルメチル基ナト)、アリール基(例えば
フェニル基など)または置換アミン基(例えばジメチル
アミノ基など)などが好ましい。
R2□の置換基としては、R2,に関して列挙した置換
基が適用できる他、例えばアシル基、アシルオキシ基、
アルキルもしくはアリールオキシカルボニル基、アルケ
ニル基、アルキニル基ヤニトロ基なども適用できる。
基が適用できる他、例えばアシル基、アシルオキシ基、
アルキルもしくはアリールオキシカルボニル基、アルケ
ニル基、アルキニル基ヤニトロ基なども適用できる。
これらの置換基は更にこれらの置換基で置換されていて
もよい。また可能な場合は、これらの基が互いに連結し
て環を形成してもよい。
もよい。また可能な場合は、これらの基が互いに連結し
て環を形成してもよい。
R21又はR2□、なかでもR21は、カプラーなどの
耐拡散基、いわゆるパラスト基を含むのが好ましい。こ
のパラスト基は炭素原子数8以上で、アルキル基、フェ
ニル基、エーテル基、アミド基、ウレイド基、ウレタン
基、スルホンアミド基、チオエーテル基などの一つ以上
の組合せからなるものである。
耐拡散基、いわゆるパラスト基を含むのが好ましい。こ
のパラスト基は炭素原子数8以上で、アルキル基、フェ
ニル基、エーテル基、アミド基、ウレイド基、ウレタン
基、スルホンアミド基、チオエーテル基などの一つ以上
の組合せからなるものである。
R21又はR22は、一般式(N−It)で表わされる
化合物がハロゲン化銀粒子の表面に吸着するのを促進す
る基X 2−+ L 2−72を有していてもよし・。
化合物がハロゲン化銀粒子の表面に吸着するのを促進す
る基X 2−+ L 2−72を有していてもよし・。
ここでX社一般式[N−1:)のXlと同じ意味を表わ
し、好ましくはチオアミド基(チオセミカルパッド及び
その置換体を除く)、メルカプト基、または5な℃・し
6員の含窒素へテロ環基である。
し、好ましくはチオアミド基(チオセミカルパッド及び
その置換体を除く)、メルカプト基、または5な℃・し
6員の含窒素へテロ環基である。
L2は二価の連結基を表わし、一般式(N−1)のLl
と同じ意味を表わす。m2はOまたは1である。
と同じ意味を表わす。m2はOまたは1である。
更に好ましいx2は、環状のチオアミド基(すなわちメ
ルカプト置換含窒素へテロ環で、例えば2−メルカプト
チアノアゾール基、3−メルカフトー1.2.41リア
ゾール基、5−メルカプトテトラゾール基、2−メルカ
プト−1,3,4−オキサノアゾール基、2−メルカプ
トベンズオキサゾール基など)、又は含窒素へテロ環基
(例エバ、ペン/トリアゾール基、ベンズイミダゾール
基、イングゾール基など)の場合である。
ルカプト置換含窒素へテロ環で、例えば2−メルカプト
チアノアゾール基、3−メルカフトー1.2.41リア
ゾール基、5−メルカプトテトラゾール基、2−メルカ
プト−1,3,4−オキサノアゾール基、2−メルカプ
トベンズオキサゾール基など)、又は含窒素へテロ環基
(例エバ、ペン/トリアゾール基、ベンズイミダゾール
基、イングゾール基など)の場合である。
R23、R24としては水素原子が最も好ましい。
一般式(Nil)のGとしてはカルビニル基が最も好ま
しい。
しい。
また一般式(N−It)としては、ハロゲン化銀への吸
着基を有するものがより好ましい。特に好ましいハロゲ
ン化銀への吸着基は、先の一般式(N−1)で述べたメ
ルカプト基、環状チオアミド基や含窒素へテロ環基であ
る。
着基を有するものがより好ましい。特に好ましいハロゲ
ン化銀への吸着基は、先の一般式(N−1)で述べたメ
ルカプト基、環状チオアミド基や含窒素へテロ環基であ
る。
一般式(N−11)で示される化合物の具体例を以下に
示す。ただし本発明は以下の化合物に駆足されるもので
はない。
示す。ただし本発明は以下の化合物に駆足されるもので
はない。
(N−It−1)
(N−m−6)
(N−It−7)
(N−n−4
)
(N−11−8)
(N−U
5
)
(N−n−1)
H3
(N−11−10
)
(N−11−14)
(N−II−
)
(N−I[−15)
(N−n−12)
H
(N−n−
q甘
)
(N−11−16)
(N−11−17)
otcns
(N−n−18)
■
本発明で用いられる一般式(N−11)で表わされる化
合物の合成法は、例えばリサーチ・ディスクロージャー
(Research Disclosure)誌N11
l 5゜162 (I976年11月 76〜77頁)
、同誌22,534 (I983年1月 50〜54頁
)及び同誌Na23.510 (I983年11月 3
46〜352頁)に記載されている特許や米国特許第4
.080,207号、同第4.269,924号、同第
4,276.364号、などを参照すればよい。
合物の合成法は、例えばリサーチ・ディスクロージャー
(Research Disclosure)誌N11
l 5゜162 (I976年11月 76〜77頁)
、同誌22,534 (I983年1月 50〜54頁
)及び同誌Na23.510 (I983年11月 3
46〜352頁)に記載されている特許や米国特許第4
.080,207号、同第4.269,924号、同第
4,276.364号、などを参照すればよい。
本発明において一般式(N−1)及び(N−11)で表
わされる化合物を写真感光材料に含有せしめるには、い
づれの層でもよいがハロゲン化銀乳剤層に含有せしめる
のが好ましい、この使用量に特に制限はないが、ハロゲ
ン化銀乳剤層中の111モル当り約lXl0−”モルか
ら約lXl0−”モルの範囲が有用で、好ましくは銀1
モル当りI X 10−’モルからlXl0弓モルであ
る。
わされる化合物を写真感光材料に含有せしめるには、い
づれの層でもよいがハロゲン化銀乳剤層に含有せしめる
のが好ましい、この使用量に特に制限はないが、ハロゲ
ン化銀乳剤層中の111モル当り約lXl0−”モルか
ら約lXl0−”モルの範囲が有用で、好ましくは銀1
モル当りI X 10−’モルからlXl0弓モルであ
る。
本発明の造核促進剤の効果を更に高めるため、下記化合
物を組合せ使用することが好ましい。
物を組合せ使用することが好ましい。
ハイドロキノン類、(たとえば米国特許3,227.5
52号、4,279,987号記載の化合物);クロマ
ンI!(たとえば米国特許4.268.621号、特開
昭54−103031号、リサーチディスクロージャー
18264号(I979年)記載の化合物、);キノン
類(たとえばリサーチディスクロージャー21206号
(I981年)記載の化合物;アミン類(たとえば米国
特許4150993号や特開昭58−174757号記
載の化合物);酸化側1[(たとえば特開昭60−26
0039号、リサーチディスクロージャー16936号
(I978年)記載の化合物);カテ:J −ルt14
CkトエLi特開昭55−21013号や同55−6
5944号、記載の化合物);現像時に造核剤を放出す
る化合物(たとえば特開昭60−107029号記載の
化合物);チオ尿素!!W(たとえば特開昭60−95
533号記載の化合物);スピロビスインダン類(たと
えば特開昭55−65944号記載の化合物)。
52号、4,279,987号記載の化合物);クロマ
ンI!(たとえば米国特許4.268.621号、特開
昭54−103031号、リサーチディスクロージャー
18264号(I979年)記載の化合物、);キノン
類(たとえばリサーチディスクロージャー21206号
(I981年)記載の化合物;アミン類(たとえば米国
特許4150993号や特開昭58−174757号記
載の化合物);酸化側1[(たとえば特開昭60−26
0039号、リサーチディスクロージャー16936号
(I978年)記載の化合物);カテ:J −ルt14
CkトエLi特開昭55−21013号や同55−6
5944号、記載の化合物);現像時に造核剤を放出す
る化合物(たとえば特開昭60−107029号記載の
化合物);チオ尿素!!W(たとえば特開昭60−95
533号記載の化合物);スピロビスインダン類(たと
えば特開昭55−65944号記載の化合物)。
なお、本発明においては、前記一般式(N−1)で表わ
される造核剤を使用することが好ましい。
される造核剤を使用することが好ましい。
本発明に於ては造核促進剤を併用することが好ましい。
本発明に有用な造核促進剤は下記の一般式(n)で表わ
される。
される。
一般式(It)
A f−+Y I R) 。
式中、Aはハロゲン化銀に吸着する基を表わす。
ハロゲン化銀に吸着する基としては複素環に結合するメ
ルカプト基を有する化合物、イミノ銀生成可能な複素環
化合物またはメルカプト基を有する炭化水素化合物があ
げられる。
ルカプト基を有する化合物、イミノ銀生成可能な複素環
化合物またはメルカプト基を有する炭化水素化合物があ
げられる。
複素環に結合するメルカプト化合物の例としては例えば
置換または無置換のメルカプトアゾール類(例えば5−
メルカプトテトラゾール類、3−メルカプト−1,2,
4−4リアゾール類、2−メルカプトイミダゾール類、
2−メルカプト−1゜3.4−チアジアゾール類、5−
メルカプト−1゜2.4−チアジアゾール類、2−メル
カプト−1゜3.4−オキサジアゾール類、2−メルカ
プト−1,3,4−セレナノアゾール類、2−メルカプ
トオキサゾール類、2−メルカプトチアゾール類、2−
メルカプトベンズオキサゾール類、2−メルカプトベン
ズチアゾール類、2−メルカプトベンズチアゾール類、
等)、置換または無置換のメルカプトピリミジン類(例
えば、2−メルカプトピリミジン類、等)等があげられ
る。
置換または無置換のメルカプトアゾール類(例えば5−
メルカプトテトラゾール類、3−メルカプト−1,2,
4−4リアゾール類、2−メルカプトイミダゾール類、
2−メルカプト−1゜3.4−チアジアゾール類、5−
メルカプト−1゜2.4−チアジアゾール類、2−メル
カプト−1゜3.4−オキサジアゾール類、2−メルカ
プト−1,3,4−セレナノアゾール類、2−メルカプ
トオキサゾール類、2−メルカプトチアゾール類、2−
メルカプトベンズオキサゾール類、2−メルカプトベン
ズチアゾール類、2−メルカプトベンズチアゾール類、
等)、置換または無置換のメルカプトピリミジン類(例
えば、2−メルカプトピリミジン類、等)等があげられ
る。
イミノ銀を形成可能な襲素環化合物としては例えばそれ
ぞれ置換または無置換のインダゾール類、ベンズイミダ
ゾール類、ベンゾトリアゾール類、ベンズオキサゾール
類、ベンズチアゾール類、イミダゾール類、チアゾール
類、オキサゾール類、トリアゾール類、テトラゾール類
、アザインデン類、ピラゾール類、インドール類等があ
げられる。
ぞれ置換または無置換のインダゾール類、ベンズイミダ
ゾール類、ベンゾトリアゾール類、ベンズオキサゾール
類、ベンズチアゾール類、イミダゾール類、チアゾール
類、オキサゾール類、トリアゾール類、テトラゾール類
、アザインデン類、ピラゾール類、インドール類等があ
げられる。
メルカプト基を有する炭化水素化合物としては例えばア
ルキルメルカプタン類、アリールメルカプタン類、アル
ケニルメルカプタン類、アラルキルメルカプタン類等が
あげられる。
ルキルメルカプタン類、アリールメルカプタン類、アル
ケニルメルカプタン類、アラルキルメルカプタン類等が
あげられる。
Yは水素原子、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原
子から選ばれる原子または原子群よりなる2価の連結基
を表わす。2価の連結基としては例これらの連結基はA
または後述する複素環との間に直鎖または分岐のアルキ
レン基(例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基
、ブチレン基、ヘキシレン基、1−メチルエチレン基、
等)、マたは置換または無置換の7リーレン基(フェニ
レン基、ナフチレン基等)を介して結合されていてもよ
い。
子から選ばれる原子または原子群よりなる2価の連結基
を表わす。2価の連結基としては例これらの連結基はA
または後述する複素環との間に直鎖または分岐のアルキ
レン基(例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基
、ブチレン基、ヘキシレン基、1−メチルエチレン基、
等)、マたは置換または無置換の7リーレン基(フェニ
レン基、ナフチレン基等)を介して結合されていてもよ
い。
R4、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R
7およびR1゜は水素原子、それぞれ置換もしくは無置
換のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、n−ブチル基、等)、置換もしくは無置換のアリ
ール基(例えば、フェニル基、2−メチルフェニル基、
等)、置換もしくは無置換のアルケニル基(例えば、プ
ロペニル基、1−メチルビニル基、等)、または置換も
しくは無置換のアラルキル基(例えば、インジル基、フ
ェネチル基、等)を表わす。
7およびR1゜は水素原子、それぞれ置換もしくは無置
換のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、n−ブチル基、等)、置換もしくは無置換のアリ
ール基(例えば、フェニル基、2−メチルフェニル基、
等)、置換もしくは無置換のアルケニル基(例えば、プ
ロペニル基、1−メチルビニル基、等)、または置換も
しくは無置換のアラルキル基(例えば、インジル基、フ
ェネチル基、等)を表わす。
Rはチオエーテル基、アミノ基(@の形も含む)、アン
モニウム基、エーテル基またはへテロ環基(塩の形も含
む)を少くとも一つ含む有機基を表わす。このような有
様・基としてはそれぞれ置換または無置換のアルキル基
、アルケニルi、アラルキル基またはアリール基から選
ばれる基と前記の基とが合体したものがあげられるが、
これらの基の組合せであってもよい。例えばジメチルア
ミンエチル基、アミノエチル基、ジエチルアミノエチル
基、ジグチルアミノエチル基、ジメチルアミノプロピル
基の塩酸塩、ジメチルアミノエチルチオエチル基、4−
ジメチルアミノフェニル基、4−ジメチルアミノベンジ
ル基、メチルチオエチル基、エチルチオプロピル基、4
−メチルチオ−3−シアノフェニル基、メチルチオメチ
ル基、トリメチルアンモニオエチル基、メトキシエチル
基、メトキシエトキシエトキシエチル基、メトキシエチ
ルチオエチル基、3,4−ジメトキシフェニル基、3−
クロル−4−メトキシフェニル基、モルホリノエチル基
、l−イミグゾリルエチル基、モルホリノエチルチオエ
チル基、ピロリジノエチル基、ピリジルメチル基、2−
ピリジルメチル基、2−(l−イミダゾリル)エチルチ
オエチル基、ピラゾリルエチル基、トリアゾリルエチル
基、メトキシエトキシエトキシエトキシカルボニルアミ
ノエチル基等があげられる。nは0またはlを表わし、
mは1または2を表わす。
モニウム基、エーテル基またはへテロ環基(塩の形も含
む)を少くとも一つ含む有機基を表わす。このような有
様・基としてはそれぞれ置換または無置換のアルキル基
、アルケニルi、アラルキル基またはアリール基から選
ばれる基と前記の基とが合体したものがあげられるが、
これらの基の組合せであってもよい。例えばジメチルア
ミンエチル基、アミノエチル基、ジエチルアミノエチル
基、ジグチルアミノエチル基、ジメチルアミノプロピル
基の塩酸塩、ジメチルアミノエチルチオエチル基、4−
ジメチルアミノフェニル基、4−ジメチルアミノベンジ
ル基、メチルチオエチル基、エチルチオプロピル基、4
−メチルチオ−3−シアノフェニル基、メチルチオメチ
ル基、トリメチルアンモニオエチル基、メトキシエチル
基、メトキシエトキシエトキシエチル基、メトキシエチ
ルチオエチル基、3,4−ジメトキシフェニル基、3−
クロル−4−メトキシフェニル基、モルホリノエチル基
、l−イミグゾリルエチル基、モルホリノエチルチオエ
チル基、ピロリジノエチル基、ピリジルメチル基、2−
ピリジルメチル基、2−(l−イミダゾリル)エチルチ
オエチル基、ピラゾリルエチル基、トリアゾリルエチル
基、メトキシエトキシエトキシエトキシカルボニルアミ
ノエチル基等があげられる。nは0またはlを表わし、
mは1または2を表わす。
一般式(n)で表わされる化合物の内、好ましい化合物
は下記一般式(m)〜(■)で表わされる。
は下記一般式(m)〜(■)で表わされる。
一般式(III)
一般式(Ll)中、Qは好ましくは炭素原子、窒素原子
、酸素原子、硫黄原子およびセレン原子の少な(とも一
種の原子から構成される5又は6員の複素環を形成する
のに必要な原子群を表わす。
、酸素原子、硫黄原子およびセレン原子の少な(とも一
種の原子から構成される5又は6員の複素環を形成する
のに必要な原子群を表わす。
またこの複素環は炭素芳香環または複素芳香環で縮合し
ていてもよい。
ていてもよい。
り素環としては例えばテトラゾール類、トリアゾール類
、イミダゾール類、チアジアゾール類、オキサジアゾー
ル類、セレナジアゾール類、オキサゾール類、チアゾー
ル類、ベンズオキサゾール類、ベンズチアゾール類、ベ
ンズイミダゾール類、ピリはジン類等があげられる。
、イミダゾール類、チアジアゾール類、オキサジアゾー
ル類、セレナジアゾール類、オキサゾール類、チアゾー
ル類、ベンズオキサゾール類、ベンズチアゾール類、ベ
ンズイミダゾール類、ピリはジン類等があげられる。
Mは水素原子、アルカリ金属原子(例えばナトリウム原
子、カリウム原子、等)、アンモニウム基(例えば、ト
リメチルアンモニウム基、ジメチルベンジルアンモニウ
ム基、等)、アルカリ条件下でM=Hまたはアルカリ金
属原子となりうる基(例えば、アセチル基、シアノエチ
ル基、メタンスルホニルエチル基、等)を表わす。
子、カリウム原子、等)、アンモニウム基(例えば、ト
リメチルアンモニウム基、ジメチルベンジルアンモニウ
ム基、等)、アルカリ条件下でM=Hまたはアルカリ金
属原子となりうる基(例えば、アセチル基、シアノエチ
ル基、メタンスルホニルエチル基、等)を表わす。
また、これらの複素環はニトロ基、ハロゲン原子(例え
ば塩素原子、臭素原子等)、メルカプト基、シアノ基、
それぞれ置換もしくは無置換のアルキル基(例えば、メ
チル基、エチル基、プロピル基、t−ブチル基、シアノ
エチル基、等)、アリール基(例えばフェニル基、4−
メタンスルホンアミドフェニル基、4−メチルフェニル
g、 3゜4−ジクロルフェニル基、ナフチル基、等)
、アルケニル基(例えばアリル基、等)、アラルキル基
(例えばベンジル基、4−メチルフェニル基、フェネチ
ル基、等)、スルホニル基(例えばメタンスルホニル基
、エタンスルホニルM、P−)ルエンスルホニル基、等
)、カルバモイル基(例エバ無fl 換カルバモイル基
、メチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基、等
)、スルファモイル基(例えば無置換スルファモイル基
、メチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル&
、等)、カルボンアミド基(例えばアセトアミド基、ベ
ンズアミド基、等)、スルホンアミド基(例えばメタン
スルホンアミド基、ベンゼンスルホンアミド基、p−)
ルエンスルホンアミドJE、等)、7ンルオキシ基(例
えばアセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、等)、ス
ルホニルオキ7基(例えばメタンスルホニルオキシ基、
等)、ウレイド基(例えば無置換のウレイド基、メチル
ウレイド°基、エチルウレイド基、フェニルウレイド基
、等)、チオウレイド基(例えば無置換のチオウレイド
基、メチルチオウレイド基、等)、アシル基(例えばア
セチル基、ベンゾイル基、等)、オキシカルビニル基(
例エバメトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基
、等)、オキシカルボニルアミノ基(例えばメトキシカ
ルボニルアミノ基、フェノキシカルビニルアミノ基、2
−エチルヘキシルオキシルカルボニルアミノ基、等)、
カルピン酸またはその壇、スルホン酸またはその塩、ヒ
ドロキシル基などで置換されていてもよいが、カルピン
酸またはその塩、スルホン酸またはその塩、ヒドロキシ
ル基で置換されない方が造核促進効果の点で好ましい。
ば塩素原子、臭素原子等)、メルカプト基、シアノ基、
それぞれ置換もしくは無置換のアルキル基(例えば、メ
チル基、エチル基、プロピル基、t−ブチル基、シアノ
エチル基、等)、アリール基(例えばフェニル基、4−
メタンスルホンアミドフェニル基、4−メチルフェニル
g、 3゜4−ジクロルフェニル基、ナフチル基、等)
、アルケニル基(例えばアリル基、等)、アラルキル基
(例えばベンジル基、4−メチルフェニル基、フェネチ
ル基、等)、スルホニル基(例えばメタンスルホニル基
、エタンスルホニルM、P−)ルエンスルホニル基、等
)、カルバモイル基(例エバ無fl 換カルバモイル基
、メチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基、等
)、スルファモイル基(例えば無置換スルファモイル基
、メチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル&
、等)、カルボンアミド基(例えばアセトアミド基、ベ
ンズアミド基、等)、スルホンアミド基(例えばメタン
スルホンアミド基、ベンゼンスルホンアミド基、p−)
ルエンスルホンアミドJE、等)、7ンルオキシ基(例
えばアセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、等)、ス
ルホニルオキ7基(例えばメタンスルホニルオキシ基、
等)、ウレイド基(例えば無置換のウレイド基、メチル
ウレイド°基、エチルウレイド基、フェニルウレイド基
、等)、チオウレイド基(例えば無置換のチオウレイド
基、メチルチオウレイド基、等)、アシル基(例えばア
セチル基、ベンゾイル基、等)、オキシカルビニル基(
例エバメトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基
、等)、オキシカルボニルアミノ基(例えばメトキシカ
ルボニルアミノ基、フェノキシカルビニルアミノ基、2
−エチルヘキシルオキシルカルボニルアミノ基、等)、
カルピン酸またはその壇、スルホン酸またはその塩、ヒ
ドロキシル基などで置換されていてもよいが、カルピン
酸またはその塩、スルホン酸またはその塩、ヒドロキシ
ル基で置換されない方が造核促進効果の点で好ましい。
Qで表わされる複素環として好まし〜・ものはテトラゾ
ール類、トリアゾール類、イミダゾール類、チアノアゾ
ール類、オキサノアゾール類、があげられる。
ール類、トリアゾール類、イミダゾール類、チアノアゾ
ール類、オキサノアゾール類、があげられる。
Y% RSm、nは、それぞれ一般式i)のそれと同義
である。
である。
一般式(IV)
式中、YSR,m、n、Mは一般式([)のそれらと同
義であり、Q′はイミノ銀と形成可能な5又は6員の禅
素環を形成するのに必要な原子群を表わす。好ましくは
炭素、窒素、酸素、硫黄、セレンから選ばれる5又は6
員の複素環を形成するに必要な原子群を表わす。また、
この複素環は炭素芳香環または複素芳香環として縮合し
ていてもよい。Q′ によって形成される複素環として
は、例えばインダゾール類、ベンズイミダゾール類、ベ
ンゾトリアゾール類、ベンズオキサゾール類、ベンズチ
アゾール類、イミダゾール類、チアゾール類、オキサゾ
ール類、トリアゾール類、テトラゾール類、テトラアザ
インデン類、トリアザインデン類、・シアザインデン類
、ピラゾール類、インドール類等があげられる。
義であり、Q′はイミノ銀と形成可能な5又は6員の禅
素環を形成するのに必要な原子群を表わす。好ましくは
炭素、窒素、酸素、硫黄、セレンから選ばれる5又は6
員の複素環を形成するに必要な原子群を表わす。また、
この複素環は炭素芳香環または複素芳香環として縮合し
ていてもよい。Q′ によって形成される複素環として
は、例えばインダゾール類、ベンズイミダゾール類、ベ
ンゾトリアゾール類、ベンズオキサゾール類、ベンズチ
アゾール類、イミダゾール類、チアゾール類、オキサゾ
ール類、トリアゾール類、テトラゾール類、テトラアザ
インデン類、トリアザインデン類、・シアザインデン類
、ピラゾール類、インドール類等があげられる。
式中、M% R,Y% rlは一般式(III)のそ
れと同義である。Xは酸素原子、硫黄原子またはセレン
原子を表わすが、硫黄原子が好ましい。
れと同義である。Xは酸素原子、硫黄原子またはセレン
原子を表わすが、硫黄原子が好ましい。
一般式(Vl)
8″
式中、R′は水素原子、へログン原子(例えば、塩素原
子、臭素原子、等)、ニトロ基、メルカプト基、無置換
アミン基、それぞれ置換もしくは無置換のアルキル基(
例えばメチル基、エチル基、等)、アルケニル基(例え
ば、プロペニル基、1−メチルビニル基、等)、アラル
キル基(例えば、ベンジル基、7エネチル基、等)、ア
リール基(例えばフェニル基、2−メチルフェニル基、
等)、または+Y七7Rを表わす。
子、臭素原子、等)、ニトロ基、メルカプト基、無置換
アミン基、それぞれ置換もしくは無置換のアルキル基(
例えばメチル基、エチル基、等)、アルケニル基(例え
ば、プロペニル基、1−メチルビニル基、等)、アラル
キル基(例えば、ベンジル基、7エネチル基、等)、ア
リール基(例えばフェニル基、2−メチルフェニル基、
等)、または+Y七7Rを表わす。
R” は水素原子、無置換アミノ基または(Y、)−
Rを表わし、R′とR“が÷Y←Rを表わすときは互い
に同じであっても異って(・てもよい。
Rを表わし、R′とR“が÷Y←Rを表わすときは互い
に同じであっても異って(・てもよい。
ただしR(R“の5ち少(とも1つは+Y←−Rを表わ
す。
す。
M、R,Y、nはそれぞれ前記一般式(I)のそれぞれ
と同義である。
と同義である。
一般式(■)
式中R″′は+Y←Rを表わす。ただし、M、R。
Ysnにそれぞれ前記一般式(III)のそれぞれと同
義である。
義である。
一般式(■)
ニル基、1−メチルビニル基、等)、アラルキル基(例
えば、ベンジル基、7エネチル基、等)またはアリール
基(例えばフェニル基、2−メチルフェニル基、等)を
表わす。
えば、ベンジル基、7エネチル基、等)またはアリール
基(例えばフェニル基、2−メチルフェニル基、等)を
表わす。
M、 R///はそれぞれ前記一般式(■)のそれぞれ
と同義である。
と同義である。
以下に本発明の一般式(n)〜(■)で表わされる具体
的化合物を示すが、本発明の化合物はこれに限定される
ものではない。
的化合物を示すが、本発明の化合物はこれに限定される
ものではない。
−1
式中、R11及びR+ 2は水素原子、ハロゲン原子(
例えば、塙素原子、臭素原子、等)、置換もしくは無置
換のアミノ基(例えば、無置換アミノ基、メチルアミノ
基、等)、ニトロ基、それぞれ置換もしくは無置換のア
ルキル基(例えばメチル基、エチル基、等)、アルケニ
ル基(例えば、プロ41−2 1−3 1−7 t−4 1−8 R −5 1−9 f−10 −20 ■ 1 ■ 7 ■ 本発明で用いられる造核促進剤は、ベリヒテ・デア・ド
イツチェン・ヘミツシエン・グゼルシャフ ト (Be
richte der Deutschen C
hemischenGesellschaft) 28
.77(I895)、特開昭50−37436号、同5
1−3231号、米国特許3,295,976号、米国
特許3,376.310号、ペリヒテ・デア・ドイツチ
ェン・ヘミツシエン・rゼルシャフト(Berheht
e derDeutschen Chemischen
Ge5ellschaft)22.568(I889
)、同29.2483(I896)、・クヤーナル・オ
プ・ケミカル・ンサイアティ(J、 Chem、 So
c、 ) 1932.1806、ジャーナル・オプ・ジ
・アメリカン・ケミカル・ソサイアテイ(J、 Am、
Chem、 Soc、 ) 71.4000(I94
9)、米国特許2,585,388号、同2゜541.
924号、アドバンシイズ・イン・ヘテロサイクリック
・ケミストリー(Advances 1nHeter
ocyclic Chemistry) 9% 16
5 (I968)、オーガニック・シンセシス(Org
anicSynthesis) IV、569(I96
3)、ジャーナル・オプ・ジ・アメリカン・ケミカル・
ンサイアテイ(J、 Am、 Chem、 Soe、
) 45.2390(I923)、ヘミシエ・ペリヒテ
(ChemischsBsri chte)9.465
(I876)、特公昭40−28496号、特開昭50
−89034号、米国特許3,106,467号、同3
,420,670号、同2,271,229号、同3,
137,578号、同3゜148.066号、同3,5
11,663号、同3.06Q、028号、同3,27
1,154号、同3,251,691号、同3.598
.599号、同3.148,066号、特公昭43−4
135号、米国特許3.615゜616号、同3.42
0,664号、同3.071,465号、同2,444
,605号、同2,444,606号、同2,444,
607号、同2,935.404号、特廊昭62−14
5932号等に記載された方法で合成できる。
例えば、塙素原子、臭素原子、等)、置換もしくは無置
換のアミノ基(例えば、無置換アミノ基、メチルアミノ
基、等)、ニトロ基、それぞれ置換もしくは無置換のア
ルキル基(例えばメチル基、エチル基、等)、アルケニ
ル基(例えば、プロ41−2 1−3 1−7 t−4 1−8 R −5 1−9 f−10 −20 ■ 1 ■ 7 ■ 本発明で用いられる造核促進剤は、ベリヒテ・デア・ド
イツチェン・ヘミツシエン・グゼルシャフ ト (Be
richte der Deutschen C
hemischenGesellschaft) 28
.77(I895)、特開昭50−37436号、同5
1−3231号、米国特許3,295,976号、米国
特許3,376.310号、ペリヒテ・デア・ドイツチ
ェン・ヘミツシエン・rゼルシャフト(Berheht
e derDeutschen Chemischen
Ge5ellschaft)22.568(I889
)、同29.2483(I896)、・クヤーナル・オ
プ・ケミカル・ンサイアティ(J、 Chem、 So
c、 ) 1932.1806、ジャーナル・オプ・ジ
・アメリカン・ケミカル・ソサイアテイ(J、 Am、
Chem、 Soc、 ) 71.4000(I94
9)、米国特許2,585,388号、同2゜541.
924号、アドバンシイズ・イン・ヘテロサイクリック
・ケミストリー(Advances 1nHeter
ocyclic Chemistry) 9% 16
5 (I968)、オーガニック・シンセシス(Org
anicSynthesis) IV、569(I96
3)、ジャーナル・オプ・ジ・アメリカン・ケミカル・
ンサイアテイ(J、 Am、 Chem、 Soe、
) 45.2390(I923)、ヘミシエ・ペリヒテ
(ChemischsBsri chte)9.465
(I876)、特公昭40−28496号、特開昭50
−89034号、米国特許3,106,467号、同3
,420,670号、同2,271,229号、同3,
137,578号、同3゜148.066号、同3,5
11,663号、同3.06Q、028号、同3,27
1,154号、同3,251,691号、同3.598
.599号、同3.148,066号、特公昭43−4
135号、米国特許3.615゜616号、同3.42
0,664号、同3.071,465号、同2,444
,605号、同2,444,606号、同2,444,
607号、同2,935.404号、特廊昭62−14
5932号等に記載された方法で合成できる。
造核促進剤は、感光材料中或いは処理液中に含有させる
ことができるが、感材中なかでも内部潜像型ハロゲン化
銀乳剤層やその他の親水性コロイド層(中間層や保護層
など)中に含有させるのが好ましい。特に好ましいのは
I・ログン化銀乳剤中又はその隣接層である。
ことができるが、感材中なかでも内部潜像型ハロゲン化
銀乳剤層やその他の親水性コロイド層(中間層や保護層
など)中に含有させるのが好ましい。特に好ましいのは
I・ログン化銀乳剤中又はその隣接層である。
造核促進剤の添加量はハロダン化銀1そル当り10−6
〜10−2モルが好ましく、更に好ましくは10−5〜
10−2モルである。
〜10−2モルが好ましく、更に好ましくは10−5〜
10−2モルである。
また、造核促進剤を処理液、即ち現像液あるいは七〇前
浴に添加する場合にはその1を当り10−8〜10−3
モルが好ましく、更に好ましくは10−7〜1O−4モ
ルである。
浴に添加する場合にはその1を当り10−8〜10−3
モルが好ましく、更に好ましくは10−7〜1O−4モ
ルである。
本発明に用いる予めかぶらされてない内部潜像型ハロゲ
ン化銀乳剤はハロゲン化銀粒子の表面が予めかぶらされ
てなく、しかも潜像を主として粒子内部に形成するハロ
ダン化銀を含有する乳剤であるが、更に具体的には、ハ
ロゲン化銀乳剤を透明支持体上に一定量塗布し、これに
0,01ないし10秒の固定された時間で露光を与え下
記現像液A(内部型現像液)中で、20℃で6分間現像
したとき通常の写真濃度測定方法によって測られる最大
濃度が、上記と同量塗布して同様にして露光したハロゲ
ン化銀乳剤を下記現像液B(表面型現像液)中で18℃
で5分間現像した場合に得られる最大濃度の、少くとも
5倍大きい濃度を有するものが好ましく、より好ましく
は少な(とも10倍大きい濃度を有するものである。
ン化銀乳剤はハロゲン化銀粒子の表面が予めかぶらされ
てなく、しかも潜像を主として粒子内部に形成するハロ
ダン化銀を含有する乳剤であるが、更に具体的には、ハ
ロゲン化銀乳剤を透明支持体上に一定量塗布し、これに
0,01ないし10秒の固定された時間で露光を与え下
記現像液A(内部型現像液)中で、20℃で6分間現像
したとき通常の写真濃度測定方法によって測られる最大
濃度が、上記と同量塗布して同様にして露光したハロゲ
ン化銀乳剤を下記現像液B(表面型現像液)中で18℃
で5分間現像した場合に得られる最大濃度の、少くとも
5倍大きい濃度を有するものが好ましく、より好ましく
は少な(とも10倍大きい濃度を有するものである。
表面現像液
メトール
t−アスコルビン酸
N*BO□’ 4H20
Br
水を加えて
内部現像液A
メトール 2I
亜硫酸ソーダ(無水) 90gハイドロキノン
8g炭酸ソーダ(−水塩)
s2.BKB r 5
.9KI O,5p水を
加えて 1を同温型乳剤の具体例
としては例えば、英国特許第1011062号、米国特
許筒2.592.250号、および、同2,456,9
43号に明細書に記載2.5g 10.9 1 1 t されているコンバージョン型ハロゲン化銀乳pHヤコア
/シェルWノ・ログン化銀乳剤を挙げる事ができ、該コ
ア/シェル型ハロrン化銀乳剤としては、特開昭47−
32813号、同47−32814号、同52−134
721号、同52−156614号、同53−6022
2号、同53−66218号、同53−66727号、
同55−127549号、同57−136641号、同
58−70221号、同59−208540号、同59
−216136号、同60−107641号、同60−
247237号、同61−2148号、同61−313
7号、特公昭56−18939号、同58−1412号
、同58−1415号、同58−6935号、同58−
108528号、特願昭61−36424号、米国特許
3206313号、同3317322号、同37612
66号、同3761276号、同3850637号、同
3923513号、同4035185号、同43954
78号、同4504570号、ヨーロッノ#特許001
7148号、リサーチディスクロー誌RD 16345
号(I977年11月)などに記載の乳剤が挙げられる
。
8g炭酸ソーダ(−水塩)
s2.BKB r 5
.9KI O,5p水を
加えて 1を同温型乳剤の具体例
としては例えば、英国特許第1011062号、米国特
許筒2.592.250号、および、同2,456,9
43号に明細書に記載2.5g 10.9 1 1 t されているコンバージョン型ハロゲン化銀乳pHヤコア
/シェルWノ・ログン化銀乳剤を挙げる事ができ、該コ
ア/シェル型ハロrン化銀乳剤としては、特開昭47−
32813号、同47−32814号、同52−134
721号、同52−156614号、同53−6022
2号、同53−66218号、同53−66727号、
同55−127549号、同57−136641号、同
58−70221号、同59−208540号、同59
−216136号、同60−107641号、同60−
247237号、同61−2148号、同61−313
7号、特公昭56−18939号、同58−1412号
、同58−1415号、同58−6935号、同58−
108528号、特願昭61−36424号、米国特許
3206313号、同3317322号、同37612
66号、同3761276号、同3850637号、同
3923513号、同4035185号、同43954
78号、同4504570号、ヨーロッノ#特許001
7148号、リサーチディスクロー誌RD 16345
号(I977年11月)などに記載の乳剤が挙げられる
。
ハロゲン化銀の組成としては、塩化銀、臭化銀のはかK
、混合ハロゲン化銀、例えば塩臭化銀、塩沃臭化銀、沃
臭化銀などが代表的である。本発明に好ましく使用され
るハロゲン化銀は沃化銀を含まないか含んでも3チモル
以下の塩(沃)臭化銀、(沃)塩化銀または(沃)臭化
銀である。
、混合ハロゲン化銀、例えば塩臭化銀、塩沃臭化銀、沃
臭化銀などが代表的である。本発明に好ましく使用され
るハロゲン化銀は沃化銀を含まないか含んでも3チモル
以下の塩(沃)臭化銀、(沃)塩化銀または(沃)臭化
銀である。
ハロゲン化銀粒子の平均粒子サイズ(球状もしくは球に
近い粒子の場合は粒子直径を、立方体粒子の場合は、稜
長をそれぞれ粒子サイズとし投影面積にもとず(平均で
あられす)は、2μ以下で0.1μ以上が好ましいが、
特に好ましし・のは1μ以下015μ以上である。粒子
サイズ分布は狭くても広くてもいずれでもよいが、粒状
性や鮮鋭度等の改良のために粒子数あるいは重量で平均
粒子サイズの±40チ以内(より好ましくは±30%以
内、最も好ましくは±20チ以内)K全粒子の90%以
上、特に95%以上が入るような粒子サイズ分布の狭い
、いわゆる「単分散」ハロゲン化銀乳剤を本発明に使用
するのが好ましい。また感光材料が目標とする階調を満
足させるために、実質的に同一の感色性を有する乳剤層
において粒子サイズの異なる2種以上の単分散ハロゲン
化銀乳剤もしくは同一サイズで感度の異なる複数の粒子
を同一1に混合または別膚に重層塗布することができる
。さらに2種類以上の多分散ハロゲン化銀乳剤あるいは
単分散乳剤と多分散乳剤との組合わせを混合あるいは重
層して使用することもできる。
近い粒子の場合は粒子直径を、立方体粒子の場合は、稜
長をそれぞれ粒子サイズとし投影面積にもとず(平均で
あられす)は、2μ以下で0.1μ以上が好ましいが、
特に好ましし・のは1μ以下015μ以上である。粒子
サイズ分布は狭くても広くてもいずれでもよいが、粒状
性や鮮鋭度等の改良のために粒子数あるいは重量で平均
粒子サイズの±40チ以内(より好ましくは±30%以
内、最も好ましくは±20チ以内)K全粒子の90%以
上、特に95%以上が入るような粒子サイズ分布の狭い
、いわゆる「単分散」ハロゲン化銀乳剤を本発明に使用
するのが好ましい。また感光材料が目標とする階調を満
足させるために、実質的に同一の感色性を有する乳剤層
において粒子サイズの異なる2種以上の単分散ハロゲン
化銀乳剤もしくは同一サイズで感度の異なる複数の粒子
を同一1に混合または別膚に重層塗布することができる
。さらに2種類以上の多分散ハロゲン化銀乳剤あるいは
単分散乳剤と多分散乳剤との組合わせを混合あるいは重
層して使用することもできる。
本発明に使用するハロゲン化銀粒子の形は立方体、八面
体、十二面体、十四面体の様な規則的(regular
)な結晶体を有するものでもよく、また球状などのよ5
な変則的(irrsgular)な結晶形をもつもので
もよく、またはこれらの結晶形の複合形をもつものでも
よい。また平板状粒子でもよ(、特に長さ/厚みの比の
値が5以上と(に8以上の平板粒子が、粒子の全投影面
積の50%以上を占める乳剤を用いてもよい。これら種
々の結晶形の混合から成る乳剤であってもよい。
体、十二面体、十四面体の様な規則的(regular
)な結晶体を有するものでもよく、また球状などのよ5
な変則的(irrsgular)な結晶形をもつもので
もよく、またはこれらの結晶形の複合形をもつものでも
よい。また平板状粒子でもよ(、特に長さ/厚みの比の
値が5以上と(に8以上の平板粒子が、粒子の全投影面
積の50%以上を占める乳剤を用いてもよい。これら種
々の結晶形の混合から成る乳剤であってもよい。
本発明に用いられるハロゲン化銀乳剤は、ハロゲン化銀
溶剤の存在下で調製することができる。
溶剤の存在下で調製することができる。
ハロゲン化銀溶剤としては、米国特許第3.271゜1
57号、同第3,531,289号、同第3.574゜
628号、特開昭54−1019号、同54−1589
17号等忙記載された有機チオエーテル類、特開昭53
−82408号、同55−77737号、同55−29
82号に記載されたチオ尿素誘導体である。
57号、同第3,531,289号、同第3.574゜
628号、特開昭54−1019号、同54−1589
17号等忙記載された有機チオエーテル類、特開昭53
−82408号、同55−77737号、同55−29
82号に記載されたチオ尿素誘導体である。
本発明に使用する・・ログン化銀乳剤は、粒子内部また
は表面に硫黄もしくはセレン増感、還元増感、貴金属増
感などの単独もしくは併用により化学増感することがで
きる。
は表面に硫黄もしくはセレン増感、還元増感、貴金属増
感などの単独もしくは併用により化学増感することがで
きる。
本発明に用いられる感光材料には、感度上昇を目的とし
て本発明の増感色素以外に特開昭55−52050号第
45頁〜53頁に記載された増感色素(例えばシアニン
色素、メロシアニン色素など。)を添加することができ
る。
て本発明の増感色素以外に特開昭55−52050号第
45頁〜53頁に記載された増感色素(例えばシアニン
色素、メロシアニン色素など。)を添加することができ
る。
これらの増感色素は単独に用いてもよいが、それらの組
合せを用いてもよく、増感色素の組合せは特K、強色増
感の目的でしばしば用いられる。
合せを用いてもよく、増感色素の組合せは特K、強色増
感の目的でしばしば用いられる。
増感色素とともに、それ自身分光増感作用をもたない色
素あるいは可視光を実質的に吸収しない物質であって、
強色増感を示す物質を乳剤中に含んでもよい。
素あるいは可視光を実質的に吸収しない物質であって、
強色増感を示す物質を乳剤中に含んでもよい。
有用な増感色素、強色増感を示す色素の組合せ及び強色
増感を示す物質は前述の他にリサーチ・ディスクロージ
ャ(Re5earch Disclosure) 17
6巻17643(I978年12月発行)第23頁■の
A−J項に記載されている。
増感を示す物質は前述の他にリサーチ・ディスクロージ
ャ(Re5earch Disclosure) 17
6巻17643(I978年12月発行)第23頁■の
A−J項に記載されている。
ここで、増感色素等は、写真乳剤の製造工程のいかなる
工程に添加させて用いることもできるし、製造後塗布直
前までのいかなる段階に添加することもできる。前者の
例としては、粒子形成時、物理熟成時化学熟成時がある
。
工程に添加させて用いることもできるし、製造後塗布直
前までのいかなる段階に添加することもできる。前者の
例としては、粒子形成時、物理熟成時化学熟成時がある
。
本発明の乳剤層又は、その他の親水性コロイド層に、フ
ィルター染料として、あるいはイラジェーション防止そ
の他、種々の目的で、水溶性染料を含有してもよい。フ
ィルター染料としては、写真感度をさらに低めるための
染料あるいはセーフライト元に対する安全性を高めるた
めの、主として350nm〜600nmの領域に実質的
な光吸収をもつ染料が用いられる。
ィルター染料として、あるいはイラジェーション防止そ
の他、種々の目的で、水溶性染料を含有してもよい。フ
ィルター染料としては、写真感度をさらに低めるための
染料あるいはセーフライト元に対する安全性を高めるた
めの、主として350nm〜600nmの領域に実質的
な光吸収をもつ染料が用いられる。
これらの染料は、目的に応じて乳剤層に添加するか、あ
るいはハロゲン化銀乳剤層の上部、即ち、支持体に関し
てハロゲン化銀乳剤層より遠くの非感光性親水性コロイ
ド層に媒染剤とともに添加して固定して用いるのが好ま
しい。
るいはハロゲン化銀乳剤層の上部、即ち、支持体に関し
てハロゲン化銀乳剤層より遠くの非感光性親水性コロイ
ド層に媒染剤とともに添加して固定して用いるのが好ま
しい。
染料のモル吸光係数により異なるが、通常10−2g/
m2〜I Ji’ / m2の範囲で添加される。好ま
しくは50■〜500 Tn9 / m2である。
m2〜I Ji’ / m2の範囲で添加される。好ま
しくは50■〜500 Tn9 / m2である。
染料の具体例は特願昭61、−209169号に詳しく
記載されている。
記載されている。
本発明の感光材料には、感光材料の製造工程、保存中あ
るいは写真処理中のカプリを防止しあるいは写真性能を
安に化させる目的で、種々の化合物を含有させることが
できる。すなわちアゾール類たとえばベンゾチアゾリウ
ム塩、ニトロインダゾール類、クロロペンズイミタソー
ル類、7” cy モーeンズイミダゾール類、メルカ
プトチアゾール類、メルカプトベンゾチアゾール類、メ
ルカプトチアジアゾール類、アミノトリアゾール類、ベ
ンゾチアゾール類、ニトロベンゾトリアゾール類、など
;メルカプトピリミジン類;メルカプトトリアノン類;
たとえばオキサゾリンチオンのようなチオケト化合物:
アザインデン類、たとえばトリアデインガン類、テトラ
アゾインデン類(4Iに4−ヒドロキシメチル(I,3
,am、7)テトラザインデン類)、ペンタアザインデ
ン類など;ベンゼンチオスルフォン酸、ベンゼンスルフ
ィン酸、ベンゼンスルフオン酸アミド等のようなカプリ
防止剤または安定剤として知られた多くの化合物を加え
ることができる。
るいは写真処理中のカプリを防止しあるいは写真性能を
安に化させる目的で、種々の化合物を含有させることが
できる。すなわちアゾール類たとえばベンゾチアゾリウ
ム塩、ニトロインダゾール類、クロロペンズイミタソー
ル類、7” cy モーeンズイミダゾール類、メルカ
プトチアゾール類、メルカプトベンゾチアゾール類、メ
ルカプトチアジアゾール類、アミノトリアゾール類、ベ
ンゾチアゾール類、ニトロベンゾトリアゾール類、など
;メルカプトピリミジン類;メルカプトトリアノン類;
たとえばオキサゾリンチオンのようなチオケト化合物:
アザインデン類、たとえばトリアデインガン類、テトラ
アゾインデン類(4Iに4−ヒドロキシメチル(I,3
,am、7)テトラザインデン類)、ペンタアザインデ
ン類など;ベンゼンチオスルフォン酸、ベンゼンスルフ
ィン酸、ベンゼンスルフオン酸アミド等のようなカプリ
防止剤または安定剤として知られた多くの化合物を加え
ることができる。
本発明の写真感光材料の写真乳剤層には感度上昇、コン
トラスト上昇、または現像促進の目的で、たとえばポリ
アルキレンオキシドまたはそのエーテル、エステル、ア
ミンなどの誘導体、チオエーテル化合物、チオモル7オ
リン類、四級アンモニウム塩化合物、ウレタン誘導体、
尿素誘導体、インダゾール誘導体、やジヒドロキシベン
ゼン類や3−ピラゾリドン類等の現像主薬を含んでも良
い。
トラスト上昇、または現像促進の目的で、たとえばポリ
アルキレンオキシドまたはそのエーテル、エステル、ア
ミンなどの誘導体、チオエーテル化合物、チオモル7オ
リン類、四級アンモニウム塩化合物、ウレタン誘導体、
尿素誘導体、インダゾール誘導体、やジヒドロキシベン
ゼン類や3−ピラゾリドン類等の現像主薬を含んでも良
い。
なかでもジヒドロキシベンゼン類(ハイドロキノン、2
−メチルハイドロキノン、カテコールなと)や3−ピラ
ゾリドン類(I−フェニル−3−ピラゾリドン、1−フ
ェニル−4−メチル−4−ヒドロキシメチル−3−ピラ
ゾリドンなど)が好ましく、通常5I!/m2以下で用
いられる。ジヒドロキシベンゼン類の場合は、0.01
〜19/m2がより好ましく、3−ピラゾリドン類の場
合は、0.O1〜0.2 i / m かより好まし
い。
−メチルハイドロキノン、カテコールなと)や3−ピラ
ゾリドン類(I−フェニル−3−ピラゾリドン、1−フ
ェニル−4−メチル−4−ヒドロキシメチル−3−ピラ
ゾリドンなど)が好ましく、通常5I!/m2以下で用
いられる。ジヒドロキシベンゼン類の場合は、0.01
〜19/m2がより好ましく、3−ピラゾリドン類の場
合は、0.O1〜0.2 i / m かより好まし
い。
本発明の写真乳剤及び非感光性の親水性コロイドには無
機または有機の硬膜剤を含有してよい。
機または有機の硬膜剤を含有してよい。
例えば活性ビニル化合物(I,3,5−)リアクリロイ
ル−へキサヒドロ−3−トリアジン、ビス(ビニルスル
ホニル)メチルエーテル、N 、 N’−メチレンビス
−〔β−(ビニルスルホニル)グロピオンアミド〕など
)、活性ハロゲン化物(2゜4−ジクロル−6−ヒドロ
キシ−3−トリアノンナト)、ムコハロゲン酸類(ムコ
クロル酸ナト)、N−カルバモイルピリゾニウム塩類(
(I−モルホリ)カルボニル−3−ピリジニオ)メタン
スルホナートなど)、ハロアミジニウム塩類(I−(I
−クロロ−1−ピリジノメチレン)ピロリノニウム、2
−ナフタレンスルホナートなど)を単独または組合せて
用いることができる。なかでも、特開昭53−4122
0、同53−57257、同59−162546、同6
0−80846に記載の活性ビニル化合物および米国特
許3,325,287号に記載の活性ハロゲン化物が好
ましい。
ル−へキサヒドロ−3−トリアジン、ビス(ビニルスル
ホニル)メチルエーテル、N 、 N’−メチレンビス
−〔β−(ビニルスルホニル)グロピオンアミド〕など
)、活性ハロゲン化物(2゜4−ジクロル−6−ヒドロ
キシ−3−トリアノンナト)、ムコハロゲン酸類(ムコ
クロル酸ナト)、N−カルバモイルピリゾニウム塩類(
(I−モルホリ)カルボニル−3−ピリジニオ)メタン
スルホナートなど)、ハロアミジニウム塩類(I−(I
−クロロ−1−ピリジノメチレン)ピロリノニウム、2
−ナフタレンスルホナートなど)を単独または組合せて
用いることができる。なかでも、特開昭53−4122
0、同53−57257、同59−162546、同6
0−80846に記載の活性ビニル化合物および米国特
許3,325,287号に記載の活性ハロゲン化物が好
ましい。
本発明を用いて作られる感光材料の写真乳剤層または他
の親水性コロイド層には塗布助剤、帯電防止、スベリ性
改良、乳化分散、接着防止及び写真特性改良(例えば、
現像促進、硬調化、増感)等積々の目的で、種々の界面
活性剤を含んでもよ例エバサポニン(ステロイド系)、
アルキレンオキサイド誘導体(例えばポリエチレングリ
コール、ポリエチレングリコール/ポリプロピレングリ
コ−AJii合物、ポリエチレングリコールアルキルエ
ーテル類又はポリエチレングリコールアルキルアリール
エーテル類、ポリエチレングリコールエステルIt、/
!Jエチレングリコールソルビタンエスチル類、?リア
ルキレングリコールアルキルアミン又はアミド類、シリ
コーンのポリエチレンオキサイド付加物類)、グリシド
ール誘導体(例えばアルケニルコハク酸ポリグリセリド
、アルキルフェノールノリグリセリド)、多価アルコー
ルの脂肪酸エステル類、糖のアルキルエステル類などの
非イオン性界面活性剤:アルキルカルビン酸塩、アルキ
ルスルフォン歎塩、アルキルベンゼンスルフォン酸塩、
アルキルナフタレンスルフォン酸塩、アルキル硫酸エス
テル類、アルキルリン酸エステル類、N−アシル−N−
アルキルタウリン類、スルホコハク酸エステル類、スル
ホアルキルポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ル類、1”)オキシエチレンアルキルリン酸エステル類
などのような、カルボキシ基、スルホ基、ホスホ基、硫
酸エステル基、リン酸エステル基等の酸性基を含むアニ
オン界面活性剤ニアミノ酸類、アミノアルキルスルホン
酸類、アミノアルキル硫酸又はリン酸エステル類、アル
キルベタイン類、アミンオキシド類などの両性界面活性
剤:アルキルアミン塩類、脂肪族あるいは芳香族第4級
アンモニウム塩類、ピリジニウム、イミダゾリウムなど
の覆素環第4級アンモニウム塩類、及び脂肪族又は複素
環を含むホスホニウム又はスルホニウム塩類などのカチ
オン界面活性剤を用いることができる。
の親水性コロイド層には塗布助剤、帯電防止、スベリ性
改良、乳化分散、接着防止及び写真特性改良(例えば、
現像促進、硬調化、増感)等積々の目的で、種々の界面
活性剤を含んでもよ例エバサポニン(ステロイド系)、
アルキレンオキサイド誘導体(例えばポリエチレングリ
コール、ポリエチレングリコール/ポリプロピレングリ
コ−AJii合物、ポリエチレングリコールアルキルエ
ーテル類又はポリエチレングリコールアルキルアリール
エーテル類、ポリエチレングリコールエステルIt、/
!Jエチレングリコールソルビタンエスチル類、?リア
ルキレングリコールアルキルアミン又はアミド類、シリ
コーンのポリエチレンオキサイド付加物類)、グリシド
ール誘導体(例えばアルケニルコハク酸ポリグリセリド
、アルキルフェノールノリグリセリド)、多価アルコー
ルの脂肪酸エステル類、糖のアルキルエステル類などの
非イオン性界面活性剤:アルキルカルビン酸塩、アルキ
ルスルフォン歎塩、アルキルベンゼンスルフォン酸塩、
アルキルナフタレンスルフォン酸塩、アルキル硫酸エス
テル類、アルキルリン酸エステル類、N−アシル−N−
アルキルタウリン類、スルホコハク酸エステル類、スル
ホアルキルポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ル類、1”)オキシエチレンアルキルリン酸エステル類
などのような、カルボキシ基、スルホ基、ホスホ基、硫
酸エステル基、リン酸エステル基等の酸性基を含むアニ
オン界面活性剤ニアミノ酸類、アミノアルキルスルホン
酸類、アミノアルキル硫酸又はリン酸エステル類、アル
キルベタイン類、アミンオキシド類などの両性界面活性
剤:アルキルアミン塩類、脂肪族あるいは芳香族第4級
アンモニウム塩類、ピリジニウム、イミダゾリウムなど
の覆素環第4級アンモニウム塩類、及び脂肪族又は複素
環を含むホスホニウム又はスルホニウム塩類などのカチ
オン界面活性剤を用いることができる。
また、蕾電防止のためには特開昭60−80849号な
どに記載された含フッ素系界面活性剤を用いることが好
ましい。
どに記載された含フッ素系界面活性剤を用いることが好
ましい。
本発明の写真感光材料には写真乳剤層その他の親水性コ
ロイド層に接着防止の目的でシリカ、酸化マグネシウム
、硫酸バリウムストロンチウム、ポリメチルメタクリレ
ート等のマット剤を含むことができる。
ロイド層に接着防止の目的でシリカ、酸化マグネシウム
、硫酸バリウムストロンチウム、ポリメチルメタクリレ
ート等のマット剤を含むことができる。
本発明で用いられる感光材料には膜物性改良目的で水不
溶または離溶性合成ポリマーの分散物を含むことができ
る。たとえばアルキル(メタ)アクリレート、アルコキ
シアクリル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)
アクリレート、などの単独もしくは組合わせ、またはこ
れらとアクリル酸、メタアクリル酸、などの組合せを単
量体成分とするポリマーを用いることができる。
溶または離溶性合成ポリマーの分散物を含むことができ
る。たとえばアルキル(メタ)アクリレート、アルコキ
シアクリル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)
アクリレート、などの単独もしくは組合わせ、またはこ
れらとアクリル酸、メタアクリル酸、などの組合せを単
量体成分とするポリマーを用いることができる。
写真乳剤の結合剤または保護コロイドとしては、ゼラチ
ンを用いるのが有利であるが、それ以外の親水性コロイ
ドも用いることができる。たとえばゼラチン誘導体、ゼ
ラチンと他の高分子とのグラフトポリマー、アルブミン
、カゼイン等の蛋白質;ヒドロキシエチルセルロース、
カル?キシメチルセルロース、セルロース硫酸エステル
類等の如きセルロース誘導体、アルギン酸ソーダ、澱粉
誘導体などの糖誘導体、ポリビニルアルコール、ぼりビ
ニルアルコール部分アセタール、&1J−N−ビニルピ
ロリトス、Iリアクリル厳、ポリメタクリル酸、ポリア
クリルアミド、ポリビニルイミダゾール、Iリビニルピ
ラゾール等の単一あるいは共重合体の如き多種の合成親
水性高分子物質を用いることができる。
ンを用いるのが有利であるが、それ以外の親水性コロイ
ドも用いることができる。たとえばゼラチン誘導体、ゼ
ラチンと他の高分子とのグラフトポリマー、アルブミン
、カゼイン等の蛋白質;ヒドロキシエチルセルロース、
カル?キシメチルセルロース、セルロース硫酸エステル
類等の如きセルロース誘導体、アルギン酸ソーダ、澱粉
誘導体などの糖誘導体、ポリビニルアルコール、ぼりビ
ニルアルコール部分アセタール、&1J−N−ビニルピ
ロリトス、Iリアクリル厳、ポリメタクリル酸、ポリア
クリルアミド、ポリビニルイミダゾール、Iリビニルピ
ラゾール等の単一あるいは共重合体の如き多種の合成親
水性高分子物質を用いることができる。
ゼラチンとしては石炭処理ゼラチンのほか、醍処理ゼラ
チンを用いてもよく、ゼラチン加水分解物、ゼラチン酵
素分解物も用いることができる。
チンを用いてもよく、ゼラチン加水分解物、ゼラチン酵
素分解物も用いることができる。
本発明で用いられるハロゲン化銀乳剤層には、アルキル
アクリレートの如きポリマーラテックスを含有せしめる
ことができる。
アクリレートの如きポリマーラテックスを含有せしめる
ことができる。
本発明の感光材料の支持体としてはセルローストリアセ
テート、セルロースジアセテート、ニトロセルロニス、
ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレートなどを用い
うる。特にC0Mフィルムはアンチスタチック性にすぐ
れていることが重要であり導電性のよい支持体が好まし
い。
テート、セルロースジアセテート、ニトロセルロニス、
ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレートなどを用い
うる。特にC0Mフィルムはアンチスタチック性にすぐ
れていることが重要であり導電性のよい支持体が好まし
い。
本発明の感光材料を現像するには、知られている種々の
現像主薬を用いることができる。すなわちポリヒドロキ
シベンゼン類、たとえばハイドロキノン、2−クロロハ
イドロキノン、2−メチルハイドロキノン、カテコール
、ピロガロールなど;アミノフェノール類、たとえばp
−アミノフェノール、N−メチル−p−アミンフェノー
ル、2゜4−ノアミノフェノールなど;3−ピラゾリド
ン類、例えば1−フェニル−3−ピラゾリドン類、1−
フェニル−4,4−ジメチル−3−ピラゾリドン、1−
フェニル−4−メチル−4−ヒドロキシメチル−3−ピ
ラゾリドン、5,5−ツメチル−1−フェニル−3−ピ
ラゾリドン等;アスコルビン酸類などの、単独又は組合
せを用いることができる。具体的には、特願昭56−1
54116号明細書に記載されている現像液などが使用
できる。
現像主薬を用いることができる。すなわちポリヒドロキ
シベンゼン類、たとえばハイドロキノン、2−クロロハ
イドロキノン、2−メチルハイドロキノン、カテコール
、ピロガロールなど;アミノフェノール類、たとえばp
−アミノフェノール、N−メチル−p−アミンフェノー
ル、2゜4−ノアミノフェノールなど;3−ピラゾリド
ン類、例えば1−フェニル−3−ピラゾリドン類、1−
フェニル−4,4−ジメチル−3−ピラゾリドン、1−
フェニル−4−メチル−4−ヒドロキシメチル−3−ピ
ラゾリドン、5,5−ツメチル−1−フェニル−3−ピ
ラゾリドン等;アスコルビン酸類などの、単独又は組合
せを用いることができる。具体的には、特願昭56−1
54116号明細書に記載されている現像液などが使用
できる。
又、色素形成カプラーの存在下に色素像を得るには、芳
香族−級アミン現像主薬、好ましくはp−フ二二レンジ
アミン系の現像主薬を用いることができる。その具体例
は、4−アミノ−3−メチル−NIN−ジメチルアニリ
ンハイドロクロライド、N、N−ジエチル−p−フェニ
レンジアミン、3−メチル−4−アミノ−N−エチル−
N−β−(メタン−スルホアミド)エチルアニリン、3
−メチル−4−アミノ−N−エチル−N−(β−スルホ
エチル)アニリン、3−エトキシ−4−アミ/−N−工
fルーN−(β−スルホエチル)アニリン、4−アミノ
−N−エチル−N−(β−ヒドロキシエチル)アニリン
である。このような現像薬は、アルカリ性処理組成物(
処理要素)の中に含ませてもよいし、感光要素の適当な
層に含ませてもよい。
香族−級アミン現像主薬、好ましくはp−フ二二レンジ
アミン系の現像主薬を用いることができる。その具体例
は、4−アミノ−3−メチル−NIN−ジメチルアニリ
ンハイドロクロライド、N、N−ジエチル−p−フェニ
レンジアミン、3−メチル−4−アミノ−N−エチル−
N−β−(メタン−スルホアミド)エチルアニリン、3
−メチル−4−アミノ−N−エチル−N−(β−スルホ
エチル)アニリン、3−エトキシ−4−アミ/−N−工
fルーN−(β−スルホエチル)アニリン、4−アミノ
−N−エチル−N−(β−ヒドロキシエチル)アニリン
である。このような現像薬は、アルカリ性処理組成物(
処理要素)の中に含ませてもよいし、感光要素の適当な
層に含ませてもよい。
本発明においてDRR化合物を用いる場合、これをクロ
ス酸化できるものであれば、どのようなハロダン化銀現
像薬でも使用することができる。
ス酸化できるものであれば、どのようなハロダン化銀現
像薬でも使用することができる。
現像液には保恒剤として、亜硫駿ナトリウム、亜硫酸カ
リウム、アルコルビン酸、レダクトン類(たとえばビイ
リジノヘキソースレダクトン)などを含んでよい。
リウム、アルコルビン酸、レダクトン類(たとえばビイ
リジノヘキソースレダクトン)などを含んでよい。
本発明の感光材料は、表面現像液を用いて現像すること
Kより直接ポジ画像を得ることができる。
Kより直接ポジ画像を得ることができる。
表面現像液はそれによる現像過程が実質的K、ハロゲン
化銀粒子の表面にある潜像又はカプリ核によって誘起さ
れるものである。ハロダン化銀溶解剤を現像液に含まな
いことが好ましいけれども、ハロゲン化銀粒子の表面現
像中心圧よる現像が完結するまでに内部潜像が実質的に
寄与しない限り、ハロゲン化銀溶解剤(たとえば亜硫酸
塩)を含んでもよい。
化銀粒子の表面にある潜像又はカプリ核によって誘起さ
れるものである。ハロダン化銀溶解剤を現像液に含まな
いことが好ましいけれども、ハロゲン化銀粒子の表面現
像中心圧よる現像が完結するまでに内部潜像が実質的に
寄与しない限り、ハロゲン化銀溶解剤(たとえば亜硫酸
塩)を含んでもよい。
現像液にはアルカリ剤及び緩衝剤として水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
リン酸3ナトリウム、メタホウ酸ナトリウム等を含んで
よい。これらの薬剤の含有量は、現像液の声を10〜1
2、好ましくは11゜5以下、より好ましくは1O00
〜11.0とするように選ぶ。
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
リン酸3ナトリウム、メタホウ酸ナトリウム等を含んで
よい。これらの薬剤の含有量は、現像液の声を10〜1
2、好ましくは11゜5以下、より好ましくは1O00
〜11.0とするように選ぶ。
現像液にはベンジルアルコールなどの発色現像促進剤を
含んでもよい。現像液にはまた直接デジ画像の最小濃度
をより低くするために、たとえばペンダイミグゾール類
、たとえば5−ニトロベンズイミダゾール;ベンゾトリ
アシーA類、たとえばベンゾトリアゾール、5−メチル
−ベンゾトリアゾール等、通常カプリ防止剤として用い
られる化合物を含むことが有利である。
含んでもよい。現像液にはまた直接デジ画像の最小濃度
をより低くするために、たとえばペンダイミグゾール類
、たとえば5−ニトロベンズイミダゾール;ベンゾトリ
アシーA類、たとえばベンゾトリアゾール、5−メチル
−ベンゾトリアゾール等、通常カプリ防止剤として用い
られる化合物を含むことが有利である。
マイクロフィルム及びコムフィルムの分野では、処理の
部品化、とくに反転処理の部品化、迅速化及び無公害化
(ノンブリーチ化)が重要な課題となって来ている0本
発明の一般式(夏)で表わされる増感色素は、これらの
最近のマイクロフィルムの処理に対する要求に対しても
、極めて優れた写真感光材料を提供できる。以下に実施
例を上げて本発明を例証するが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。
部品化、とくに反転処理の部品化、迅速化及び無公害化
(ノンブリーチ化)が重要な課題となって来ている0本
発明の一般式(夏)で表わされる増感色素は、これらの
最近のマイクロフィルムの処理に対する要求に対しても
、極めて優れた写真感光材料を提供できる。以下に実施
例を上げて本発明を例証するが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。
(実施例1)
1、本発明に使用する原乳剤の調製
下記の方法により原乳剤を調製した。この原乳剤は、い
わゆる、粒子内部及び粒子表面の両方ともに強く化学増
感されたコア/シェル型の内部潜像型乳剤であり、造核
剤との併用により、マイクロフィルム用の汎用処理液を
用いて、−度の現像で直接ポジ像が得られるものである
。
わゆる、粒子内部及び粒子表面の両方ともに強く化学増
感されたコア/シェル型の内部潜像型乳剤であり、造核
剤との併用により、マイクロフィルム用の汎用処理液を
用いて、−度の現像で直接ポジ像が得られるものである
。
〈原乳剤の調製〉
溶液1 75°C
溶液If 35°C
)8液[[135°C
溶液■ 室温
良く撹拌した溶液Iに、溶液■と溶液■とを、5分間時
に添加し、平均粒径が0.10μmの八面体粒子を形成
させた時点で■液、■液の添加を一時停止し、銀1モル
当り、チオ硫酸ナトリウムと塩化金酸四水塩とをそれぞ
れ115■ずつ添加し、引続き75°Cで60分間化学
増感処理を施した。こうして得た化学増感したコア粒子
に再び溶液■と溶液■との同時添加を続行させ、■液の
添加再開5分後に溶液■を5分間かけて添加し混合液の
PAg値が7.50になるように■液の添加速度を調節
しながら、75°Cで40分かけて■液を全量添加した
。こうして、最終的に平均粒径028μmの立方体コア
/シェル乳剤を得た。
に添加し、平均粒径が0.10μmの八面体粒子を形成
させた時点で■液、■液の添加を一時停止し、銀1モル
当り、チオ硫酸ナトリウムと塩化金酸四水塩とをそれぞ
れ115■ずつ添加し、引続き75°Cで60分間化学
増感処理を施した。こうして得た化学増感したコア粒子
に再び溶液■と溶液■との同時添加を続行させ、■液の
添加再開5分後に溶液■を5分間かけて添加し混合液の
PAg値が7.50になるように■液の添加速度を調節
しながら、75°Cで40分かけて■液を全量添加した
。こうして、最終的に平均粒径028μmの立方体コア
/シェル乳剤を得た。
引続き沈降法により、水洗脱塩後、不活性ゼラチンlo
ogを含む水溶液に分散させた。この乳剤にハロゲン化
銀1モル当り、チオ硫酸ナトリウムと塩化金酸四水塩と
をそれぞれ、3.4Mずつ添加し、pH7,0、pAg
8.9 (各40°Cで測定)に調節してから、75゛
Cで60分間化学熟成した。こうして、表面が強く化学
増感された内部潜像型立方体コア/シェル型乳剤を得た
。
ogを含む水溶液に分散させた。この乳剤にハロゲン化
銀1モル当り、チオ硫酸ナトリウムと塩化金酸四水塩と
をそれぞれ、3.4Mずつ添加し、pH7,0、pAg
8.9 (各40°Cで測定)に調節してから、75゛
Cで60分間化学熟成した。こうして、表面が強く化学
増感された内部潜像型立方体コア/シェル型乳剤を得た
。
2、試験塗布物の調製
上記原乳剤を用いて、く表1〉に従い、試験塗布物を作
成した。
成した。
これらの塗布試料は、分光増感色素、造核剤、造核促進
剤の種類を除いては、すべて同一条件で作成した0層構
成及び各層の組成は下記の通りである。
剤の種類を除いては、すべて同一条件で作成した0層構
成及び各層の組成は下記の通りである。
層 構 成 膜 厚(μm)ボタシウム
塩 1.3−ジビニルスルホニル −2−プロパツール 0■ 1、<乳剤層〉 ハロゲン化銀乳剤(銀量として) 5.0 G 1700■/ボ !、<保護層〉 不活性ゼラチン コロイダルシリカ 流動パラフィン 硫酸バリウムストロンチウム (平均粒径1.5μm) プロキセル N−パーフルオロオフタンス ルホニルーN−プロピルグ リシン 塗布量■/ポ 1300■/ポ 49 0 2 4゜ 5−メチルベンゾトリアゾ− ル ドデシルベンゼンスルホン酸 ナトリウム 13−ジビニルスルホニル 2−プロパツール ポリスチレンスルホン酸ナト リウム [1,<バック導電層〉 4.1 6 5 Snow/Sb (9/1重量比、 平均粒径0.25μm) 不活性ゼラチン プロキセル ドデシルベンゼンスルホン酸 ナトリウム ジヘキシルーα−スルホンサ クシナートナトリウム ポリスチレンスルホン酸ナト リウム V、 <バンク染料層〉 不活性ゼラチン 染料(■ ) 硫酸バリウム−ストロンチウ ム(平均粒径1. 5μm) 流動パラフィン N−パーフルオロオフタンス ルホニルーN−プロビルグ 300■/ボ 70 0 0 塗布量mg/イ 580 2 0 0 リシンボタシウム ドデシルベンゼンスルホン酸 ソーダ 9ジヘキシル
ーα−スルホンサ クシナトリウム 34ポリスチレ
ンスルホン酸ナト リウム 4プロキセル
5ハイドロキノン
504−メチル−4−ヒドロキシ メチル−1−フェニル−3 一ピラゾリドン 50II1.
<支持体〉 両面に下塗りを有するポリエチレンテレフタレートフィ
ルム(I75μ厚) (CHz) 5sO3e CzH5分光増感色
素 ■ ◎ 直接反転現像処理 現像処理は、米国Datagraphix社製Auto
COMカメラプロセッサーを用いて、下表の条件で行っ
た。
塩 1.3−ジビニルスルホニル −2−プロパツール 0■ 1、<乳剤層〉 ハロゲン化銀乳剤(銀量として) 5.0 G 1700■/ボ !、<保護層〉 不活性ゼラチン コロイダルシリカ 流動パラフィン 硫酸バリウムストロンチウム (平均粒径1.5μm) プロキセル N−パーフルオロオフタンス ルホニルーN−プロピルグ リシン 塗布量■/ポ 1300■/ポ 49 0 2 4゜ 5−メチルベンゾトリアゾ− ル ドデシルベンゼンスルホン酸 ナトリウム 13−ジビニルスルホニル 2−プロパツール ポリスチレンスルホン酸ナト リウム [1,<バック導電層〉 4.1 6 5 Snow/Sb (9/1重量比、 平均粒径0.25μm) 不活性ゼラチン プロキセル ドデシルベンゼンスルホン酸 ナトリウム ジヘキシルーα−スルホンサ クシナートナトリウム ポリスチレンスルホン酸ナト リウム V、 <バンク染料層〉 不活性ゼラチン 染料(■ ) 硫酸バリウム−ストロンチウ ム(平均粒径1. 5μm) 流動パラフィン N−パーフルオロオフタンス ルホニルーN−プロビルグ 300■/ボ 70 0 0 塗布量mg/イ 580 2 0 0 リシンボタシウム ドデシルベンゼンスルホン酸 ソーダ 9ジヘキシル
ーα−スルホンサ クシナトリウム 34ポリスチレ
ンスルホン酸ナト リウム 4プロキセル
5ハイドロキノン
504−メチル−4−ヒドロキシ メチル−1−フェニル−3 一ピラゾリドン 50II1.
<支持体〉 両面に下塗りを有するポリエチレンテレフタレートフィ
ルム(I75μ厚) (CHz) 5sO3e CzH5分光増感色
素 ■ ◎ 直接反転現像処理 現像処理は、米国Datagraphix社製Auto
COMカメラプロセッサーを用いて、下表の条件で行っ
た。
03Na
3)塗布試料の露光・現像方法と性能評価■ 像様露光
像様露光は米国E、 G、 &G、社製MARK−■キ
セノンフラッシュ怒光計を用いて連続濃度ウェッジを介
して1O−3秒間、安全灯下で乳剤塗布面から行った。
セノンフラッシュ怒光計を用いて連続濃度ウェッジを介
して1O−3秒間、安全灯下で乳剤塗布面から行った。
米国ALTA社製Datagraphix AutoP
osChew、Kit なお、上表の現像工程1及び2のImageActiv
ator 1及びImage Activator 2
を米国Eastman Kodak社製Prosper
Plus Developerに変えて行っても全く
同様の結果を得た。
osChew、Kit なお、上表の現像工程1及び2のImageActiv
ator 1及びImage Activator 2
を米国Eastman Kodak社製Prosper
Plus Developerに変えて行っても全く
同様の結果を得た。
O現像処理後の残色、処理タフネス及び生感材保存性の
評価 i、処理後の残色 処理後の黄色残色は、高露光(ハイライト)域(Dwi
n部)のマクベス濃度計Bフィルター透過濃度で評価し
た。即ち、89度が高い程、黄色残色の大きいことを示
す。
評価 i、処理後の残色 処理後の黄色残色は、高露光(ハイライト)域(Dwi
n部)のマクベス濃度計Bフィルター透過濃度で評価し
た。即ち、89度が高い程、黄色残色の大きいことを示
す。
ii、処理タフネス
処理タフネスは各々の塗布試料を連続して2000フイ
ツシユ(I05閣X 120mサイズ、2000枚)連
続処理した時のDwax値及びΔDmax(I枚目と2
000枚目のDwax差)で評価した。
ツシユ(I05閣X 120mサイズ、2000枚)連
続処理した時のDwax値及びΔDmax(I枚目と2
000枚目のDwax差)で評価した。
iii 、生感材保存性
生感材の耐久性(shelf−1ife)は温度40°
C1相対湿度80%RH下で3日間強制経時させた感材
と、室温、相対湿度50%RH保存の感材とを同条件で
露光・現像した時の写真特性とくにDwax及びD+w
ax低下(ΔDmax )で評価した。
C1相対湿度80%RH下で3日間強制経時させた感材
と、室温、相対湿度50%RH保存の感材とを同条件で
露光・現像した時の写真特性とくにDwax及びD+w
ax低下(ΔDmax )で評価した。
以上の結果は第二表の一覧表に示した。
第二表の結果から明らかなように、本発明の増感色素を
使用すると、造核促進剤を併用する場合(試料番号7〜
8)はもちろんのこと、造核促進剤を併用しない場合(
試料番号3〜6)でも、本発明の目的、即ち■黄色残色
の減少、■処理タフネスの向上、及び■生感材保存性(
shelf−1ife)の向上が達成できた。
使用すると、造核促進剤を併用する場合(試料番号7〜
8)はもちろんのこと、造核促進剤を併用しない場合(
試料番号3〜6)でも、本発明の目的、即ち■黄色残色
の減少、■処理タフネスの向上、及び■生感材保存性(
shelf−1ife)の向上が達成できた。
実施例2
第三表に記載のとうり、造核剤の種類と添加量のみを異
にして、その他は全く同様にして、10種類の試料(試
料番号11〜20)を作製した。
にして、その他は全く同様にして、10種類の試料(試
料番号11〜20)を作製した。
実施例1の場合と全く同様にして、黄色残色性、処理タ
フネス及び生感材保存性を試験した結果、実施例1の結
果(第二表)と全く類似の結果が、得られた。即ち、造
核剤の種類を異にした場合でも、本発明の増感色素を使
用すると、造核促進剤の併用の有無にかかわらず本発明
の目的が達成できることがわかった。
フネス及び生感材保存性を試験した結果、実施例1の結
果(第二表)と全く類似の結果が、得られた。即ち、造
核剤の種類を異にした場合でも、本発明の増感色素を使
用すると、造核促進剤の併用の有無にかかわらず本発明
の目的が達成できることがわかった。
を
補正命令の日付
自発
事件の表示
発明の名称
補正をする者
事件との関係
平成/年特願第
直接ポジ画儂の形成方法
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)予め被らされていない内部潜像型ハロゲン化銀から
なる感光層を少なくとも1層有する感光材料を画像露光
後、造核剤の存在下で現像処理して直接ポジ画像を形成
する方法に於て、該感光層中に下記一般式( I )で表
わされる増感色素を含有することを特徴とする直接ポジ
画像の形成方法。 ( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、n=2、3、4 Z=ベンゼン環を形成するに必要な原子群 M=1価のカチオン 2)下記一般式(II)で表わされる化合物を含有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の直接ポジ画
像の形成方法。 一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Aはハロゲン化銀に吸着する基を表わし、Yは水
素原子、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子から
選ばれた原子または原子群よりなる2価の連結基を表わ
し、Rはチオエーテル基、アミノ基、アンモニウム基、
エーテル基またはヘテロ環基を少くとも一つ含む有機基
を表わす。nは0または1を表わし、mは1または2を
表わす。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1334535A JP2654703B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 直接ポジ画像の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1334535A JP2654703B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 直接ポジ画像の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03194541A true JPH03194541A (ja) | 1991-08-26 |
| JP2654703B2 JP2654703B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=18278492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1334535A Expired - Fee Related JP2654703B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 直接ポジ画像の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2654703B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254451A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 直接ポジカラ−画像形成方法 |
| JPH0193739A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 直接ポジカラー画像形成方法 |
| JPH01118837A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 直接ポジ画像形成方法 |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP1334535A patent/JP2654703B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254451A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 直接ポジカラ−画像形成方法 |
| JPH0193739A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 直接ポジカラー画像形成方法 |
| JPH01118837A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 直接ポジ画像形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2654703B2 (ja) | 1997-09-17 |
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