JPH03195034A - フィルムキャリアテープ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明はフィルムキャリアテープに関し、特に基板等へ
の実装後不良解析が容易に実施できるフィルムキャリア
テープに関する。

［従来の技術Ｊ 集積回路等のリード数の多い半導体装置ではテープ状の
フィルムキャリアによる自動ボンディング技術は、量産
上有利な点が多く広く用いられている。

従来のフィルムキャリアテープは第３図に示すように、
搬送及び位置決め用のスプロケットホール２と半導体チ
ップが入る開孔部であるデバイスホール３を有するポリ
イミド等の絶縁フィルムをベースフィルム１とし、この
ベースフィルムＩ上に銅等の金属箔を接着し、金属箔を
エツチング等により所望の形状の配線リードと電気選別
のための選別パッド５とを形成し、このリードと半導体
チップ９の電極端子であるバンプとを熱圧着法または共
晶法等によりインナーリードボンディング（以下ＩＬＢ
という）する。この状態で選別パッド５を利用して電気
選別やバイアス試験を実施し、次にリードを所望の長さ
に切断する。リード数が多い場合には、リード先端の基
板あるいはリードフレーム等とボンディング（アウター
リードボンディング；ＯＬＥという）する部分がばらけ
るのを防止するため、ベースフィルム１をリード切断個
所に近い所まで残す方法が用いられることが多い。

この方法ではベースフィルム１に第３図に示すＯＬＥホ
ール４を設け、その上にリードがとおされ、良品のチッ
プのみＯＬＥホール４内で波線で示したＯＬＢ用切断位
置で、金型等により切断する。このようにすると、ＯＬ
Ｅはリード数と無関係に一度にできるので、量産性の点
で有利である。

［発明が解決しようとする課題］ 上述した従来のフィルムキャリアテープの場合、選別パ
ッド５はＯＬＢリードを形成するための開孔部であるＯ
ＬＢホール４の外側の領域に形成する必要がある。この
領域に選別パッド５を設けることにより半導体チップ９
及びＩＬＢ部（デバイホール３内にあるリード部分をい
う）からＯＬＢリードまでのフィルムキャリアテープ上
のパターンのショートやオーブン等の欠陥も電気的にチ
エツクすることができる。しかしながら、このＩＬＢ後
電気選別して、リードを切断しプリント基板やリードフ
レームにＯＬＢを行なった後、あるいは製品として使用
中に種々の原因から不良事故が発生しても、パタンの不
良か、半導体チップ９そのものの不良か否かの判定、あ
るいは不良モード等の追求はできないので、不良原因を
しることは非常に困難であるという欠点がある。

すなわち、ＯＬＨされたプリント基板等より、不良解析
するためにフィルムキャリアテプをリペア等の技術によ
り剥離しても、フィルムキャリアテープ上には、選別パ
ッド５が無くなっており、８０μ〜１５０μという細い
線幅で形成されたパターンのみ残っているので、プロブ
等を当て電気的特性チエツクを行なうことは困難である
。また、半導体チップのバンブ上にプローブ等を接触さ
せ不良解析する方法も考えられるが、このバンブ上には
フィルムキャリアのリードがすでにＩＬＢされており、
また製品によってはエポキシ等の樹脂で保護処理がされ
ており、不良解析を行なうには多くの工数が必要であり
、しかも確実に行なうことが困難となっている。

このように、フィルムキャリアテープ方式では、−旦Ｉ
ＬＢがなされた後でリード切断がなされると選別パッド
が消失するので、不良原因を検討することが極めて困難
である。本発明の目的は、上記の欠点を除去したフィル
ムキャリアテープを提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明のフィルムキャリアテープは、外部との接続を行
なうアウターリードボンディング用リードと、半導体チ
ップとの接続を行なうインナーボンディング用リードと
の間の配線リードに、通常のアウターリード先端に設け
る選別用パッドの他に、それぞれ不良解析用パッドを、
ベースフィルムの上面または下面もしくは両面に設ける
ようにしている。

〔作　　用　　Ｊ インナーリードボンディング（ＩＬＢ）してから、フィ
ルムキャリアテープを半導体チップごとに接続した状態
でも、不良解析用パッドに外部からアクセスできるので
、チップの不良解析等を行なうことができる。

【実施例］ 以下、図面を参照して、本発明の実施例につき説明する
。第１図は本発明の一実施例の部分的な正面図である。

ＩＬＢリード７とＯＬＢリード８との間のフィルムキャ
リア上面の領域において、それぞれのＩＬＢリード７に
つらなるリード上に選別パッド５以外に不良解析用パッ
ド１０を設けている。この不良解析用パッド１０はＩＬ
Ｂリード７に対して接続されているので、ＩＬＢ後の一
般に行なう電気的選別用のパッドとしても、使用するこ
とが可能であるが、ＯＬＢリード８のオーブン等の欠陥
はチエツクできないので、あくまでもＯＬＢ後の不良解
析用として使用するものである。具体的には、例えばＯ
ＬＥホール４内に位置するＯＬＥノード８のリード間ピ
ッチが５００ＬＬのとき選別パッド５の寸法は４００μ
〜４５０ｕＯで不良解析用パッド１０の寸法は３００μ
〜４００μＯとすることができるので、通常の治具を使
用できる。

なお、不良解析用パッドＩＯを設ける位置は、なるべく
ＯＬＢホール４の近くにもっていって、相互の間隔がと
れるようにする。

次に、さらにピン数が増加し、例えば４００〜ｌ口００
ピンを形成するものにおいては、ＯＬＥリード８のピッ
チが３００〜４００μピツチとなり、選別パッド５の寸
法は２５０〜３００ｕ口　　となる。

このような寸法、ピッチとなる場合はＩＬＢリード７と
ＯＬＢリード８の間のフィルムキャリア上面の領域に、
それぞれのＩＬＢリード７に対して接続された不良解析
用パッド１０を設けることは設計上不可能であり、設け
たとしても１００〜１５０μＯとなるため、不良解析用
パッドとして安定して、確実に信頼性を確保した評価は
困難となる。そこで、多数ビンの半導体装置の場合には
、第２図に示すように、スルホール１１を介してテープ
の裏面に不良解析用パッドを設けておけば、フィルムキ
ャリアテープ上面のＩＬＢリード７とＯＬＢリード８を
結ぶ配線パターン線幅が例えば１００〜１５０ｇｍであ
っても、　１５０〜２００μφのスルーホール１１を介
して選別パッド５と同じような大きさの２５０〜３００
μＯの不良解析用パッド１０を形成することができる。

このようにスルーホールを介してテープの裏面に不良解
析用パッドを形成するとき、テープの裏面にはＩＬＢと
ＯＬＢリードを結線するためのパターンが存在しないた
めに寸法的には比較的内きいパッドが形成することが可
能になる。この実施例は大型コンピュータ等に用いる多
ビンＩＣに適用すると、信頼度向上に特に有用である。

なお、不良解析用パッドは、場合によっては上面と下面
との両方に設けることも可能である。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明は、フィルムキャリアテープ
のＩＬＢとＯＬＢリードの間のフィルムキャリアテープ
の上面又は下面もしくは両面にそれぞれのＩＬＢリード
に接続された不良解析用パッドを設けることによりＯＬ
Ｂ作業後、又は製品として実使用中に不良が発生した場
合、このフィルムキャリアテープを使用したＩＣの不良
、良品の判定及び不良だとしたときにどのような電気的
不良であるのかを容易にかつ確実に評価が可能で、かつ
、さらにＩＣの設計及び製造プロセス設計へのすみやか
なフィードバックをも可能とする効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図はそれぞれ本発明の実施例の部分正面図
、第３図は従来例の部分正面図である。 ■・・・ベースフィルム、３・・−デバイスホール、４
−・・ＯＬＢホール、　５−・・選別パッド、７−・・
ＩＬＢリード、　　８−・ＯＬＢリード、９・・・半導
体チップ、 １０・・・不良解析用パッド、 １１・・・スルーホール。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ベースフィルム上に所定の配線パターンを形成するフィ
   ルムキャリアテープにおいて、外部との接続を行なうア
   ウターリードボンディング用リードと、半導体チップと
   の接続を行なうインナーボンディング用リードとの間の
   配線リードに、通常のアウターリード先端に設ける選別
   用パッドの他に、それぞれ不良解析用パッドを、ベース
   フィルムの上面または下面もしくは両面に設けたことを
   特徴とするフィルムキャリアテープ。