JPH03196150A - 密着露光用フォトマスク - Google Patents
密着露光用フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH03196150A JPH03196150A JP1339292A JP33929289A JPH03196150A JP H03196150 A JPH03196150 A JP H03196150A JP 1339292 A JP1339292 A JP 1339292A JP 33929289 A JP33929289 A JP 33929289A JP H03196150 A JPH03196150 A JP H03196150A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- photomask
- contact exposure
- resist
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、レジストが塗布されたウェハに密着して用い
られる密着露光用フォトマスクに関する。
られる密着露光用フォトマスクに関する。
〈従来の技術〉
従来の密着露光用フォトマスクについて第２図を参照し
つつ説明する。
つつ説明する。
密着露光用フォトマスク３０は、レジスト２０が塗布さ
れたウェハ１０に密着されて用いられる。
れたウェハ１０に密着されて用いられる。
密着露光用フォトマスク３０の密着は、次のようにして
行われる。
行われる。
表面１１にレジスト２０が塗布されたウェハ１０はウェ
ハチャック４０に、密着露光用フォトマスク３０はマス
クプレートホルダ５０にそれぞれ保持されている（第２
図（ａ）参照）。ウェハ１０と密着露光用フォトマスク
３０との間の空間には、Ｎ２ガスが充填されている。
ハチャック４０に、密着露光用フォトマスク３０はマス
クプレートホルダ５０にそれぞれ保持されている（第２
図（ａ）参照）。ウェハ１０と密着露光用フォトマスク
３０との間の空間には、Ｎ２ガスが充填されている。
この状態から、前記Ｎ２ガスを排気して、ウェハ１０と
密着露光用フォトマスク３０との間を高真空にして、密
着露光用フォトマスク３０を中心からウェハ１０に密着
させていく。
密着露光用フォトマスク３０との間を高真空にして、密
着露光用フォトマスク３０を中心からウェハ１０に密着
させていく。
さらに、ウェハ１０に密着露光用フォトマスク３０を密
着させた後、ウェハチャック４０の背面側からＮｔガス
を僅かに供給することによってウェハｌＯと密着露光用
フォトマスク３０との密着性を向上させるようにしてい
る。
着させた後、ウェハチャック４０の背面側からＮｔガス
を僅かに供給することによってウェハｌＯと密着露光用
フォトマスク３０との密着性を向上させるようにしてい
る。
この後に、レジスト２０の露光、現像を行う。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上述した従来の密着露光用フォトマスク
には以下のような問題点がある。
には以下のような問題点がある。
レジスト２０は、回転しているウェハ１０に滴下して塗
布されるので、ウェハｌＯの外周部１２で盛土部２１を
形成する傾向がある。レジスト２０がウェハ１０の外周
部１２で盛り上がっていれば、外周部１２におけるウェ
ハ１０と密着露光用フォトマスク３０との密着性は悪化
する（第２図（ｂ）参照）。このため、ウェハ１０の外
周部１２における解像度は低下して後工程で欠陥が発生
しやすくなる。
布されるので、ウェハｌＯの外周部１２で盛土部２１を
形成する傾向がある。レジスト２０がウェハ１０の外周
部１２で盛り上がっていれば、外周部１２におけるウェ
ハ１０と密着露光用フォトマスク３０との密着性は悪化
する（第２図（ｂ）参照）。このため、ウェハ１０の外
周部１２における解像度は低下して後工程で欠陥が発生
しやすくなる。
本発明上記事情に鑑みて創案されたもので、ウェハに完
全に密着することができる密着露光用フォトマスクを提
供することを目的としている。
全に密着することができる密着露光用フォトマスクを提
供することを目的としている。
〈課題を解決するための手段〉
本発明に係る密着露光用フォトマスクは、レジストが塗
布されたウェハに密着されるものであって、前記ウェハ
の外周部に相当する部分に凹溝が形成されている。
布されたウェハに密着されるものであって、前記ウェハ
の外周部に相当する部分に凹溝が形成されている。
〈作用〉
密着露光用フォトマスクはウェハに密着される。
密着露光用フォトマスクに形成された凹溝には、ウェハ
の外周部に形成されたレジストの盛土部が収まる。
の外周部に形成されたレジストの盛土部が収まる。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例に係る密着露光用フォトマス
クを用いた密着露光を示す説明図である。
クを用いた密着露光を示す説明図である。
なお、従来のものと路間−の部品等には同一の符号を付
して説明を行う。
して説明を行う。
本実施例に係る密着露光用フォトマスク３０は、レジス
ト２０が塗布されたウェハ１０に密着されるものであっ
て、前記ウェハ１０の外周部１２に相当する部分に凹溝
３１が形成されている。この凹溝３１は、ウェハ１０の
外周部１２に形成されるレジスト２０の盛土部２１より
若干大きい寸法にて形成されなければならない。なぜな
らば、ウェハ１０に密着露光用フォトマスク３０を密着
させた場合に、ウェハ１０に形成された盛土部２１が完
全に凹溝３１の内部に収まらなければならないからであ
る。
ト２０が塗布されたウェハ１０に密着されるものであっ
て、前記ウェハ１０の外周部１２に相当する部分に凹溝
３１が形成されている。この凹溝３１は、ウェハ１０の
外周部１２に形成されるレジスト２０の盛土部２１より
若干大きい寸法にて形成されなければならない。なぜな
らば、ウェハ１０に密着露光用フォトマスク３０を密着
させた場合に、ウェハ１０に形成された盛土部２１が完
全に凹溝３１の内部に収まらなければならないからであ
る。
表面１１にレジスト２０が塗布されたウェハ１０はウェ
ハチャック４０に、密着露光用フォトマスク３０はマス
クプレートホルダ５０にそれぞれ保持されており、両者
の間の空間にはＮ２ガスが充填されている。
ハチャック４０に、密着露光用フォトマスク３０はマス
クプレートホルダ５０にそれぞれ保持されており、両者
の間の空間にはＮ２ガスが充填されている。
この状態から、前記Ｎ、ガスを排気して両者の間の空間
を高真空にして、密着露光用フォトマスク３０を中心部
からウェハ１０に密着させていく。すなわち、両者の間
の空間を真空にすれば密着露光用フォトマスク３０はウ
ェハ１０側に撓み、この状ｉで、ウェハ１０と密着露光
用フォトマスク３０とを徐々に接近させれば、ウェハ１
０の中心から外側に向かって密着露光用フォトマスク３
０が密着するようになる。
を高真空にして、密着露光用フォトマスク３０を中心部
からウェハ１０に密着させていく。すなわち、両者の間
の空間を真空にすれば密着露光用フォトマスク３０はウ
ェハ１０側に撓み、この状ｉで、ウェハ１０と密着露光
用フォトマスク３０とを徐々に接近させれば、ウェハ１
０の中心から外側に向かって密着露光用フォトマスク３
０が密着するようになる。
ウェハ１０に密着した密着露光用フォトマスク３０の凹
溝３１には、ウェハ１０に形成された盛上部２１が嵌ま
り込む。従って、盛上部２１に起因する密着露光用フォ
トマスク３０の密着不良、特にウエノＸ１０の外周部１
２における密着不良は発生しない。
溝３１には、ウェハ１０に形成された盛上部２１が嵌ま
り込む。従って、盛上部２１に起因する密着露光用フォ
トマスク３０の密着不良、特にウエノＸ１０の外周部１
２における密着不良は発生しない。
そして、ウェハ１０に密着露光用フォトマスク３０を密
着させた後、ウェハ１０の背面側からＮ２ガスを僅かに
供給することによってウェハ１０と密着露光用フォトマ
スク３０との密着性を向上させる。
着させた後、ウェハ１０の背面側からＮ２ガスを僅かに
供給することによってウェハ１０と密着露光用フォトマ
スク３０との密着性を向上させる。
〈発明の効果〉
本発明に係る密着露光用フォトマスクは、レジストが塗
布されたウェハに密着される密着露光用フォトマスクで
あって、前記ウェハの外周部に相当する部分に凹溝が形
成されている。従って、ウェハの外周部に形成されるレ
ジストの盛上部は凹溝に収まって、盛上部はウェハと密
着露光用フォトマスクとの密着に何らの影響も与えない
。このため、後工程における欠陥発生を減少させ、歩留
りを向上させることができる。
布されたウェハに密着される密着露光用フォトマスクで
あって、前記ウェハの外周部に相当する部分に凹溝が形
成されている。従って、ウェハの外周部に形成されるレ
ジストの盛上部は凹溝に収まって、盛上部はウェハと密
着露光用フォトマスクとの密着に何らの影響も与えない
。このため、後工程における欠陥発生を減少させ、歩留
りを向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例に係る密着露光用フォトマス
クを用いた密着露光を示す説明図、第２図は従来の密着
露光用フォトマスクを用いた密着露光を示す説明図であ
る。 １０・・・ウェハ、１２・・・ （ウェハの）外周部、
２０・・・レジスト、３０・・・密着露光用フォトマス
ク、３１・・・凹溝。
クを用いた密着露光を示す説明図、第２図は従来の密着
露光用フォトマスクを用いた密着露光を示す説明図であ
る。 １０・・・ウェハ、１２・・・ （ウェハの）外周部、
２０・・・レジスト、３０・・・密着露光用フォトマス
ク、３１・・・凹溝。
Claims (1)
- （１）レジストが塗布されたウエハに密着される密着露
光用フォトマスクにおいて、前記ウエハの外周部に相当
する部分に凹溝が形成されていることを特徴とする密着
露光用フォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1339292A JPH03196150A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 密着露光用フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1339292A JPH03196150A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 密着露光用フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03196150A true JPH03196150A (ja) | 1991-08-27 |
Family
ID=18326077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1339292A Pending JPH03196150A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 密着露光用フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03196150A (ja) |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP1339292A patent/JPH03196150A/ja active Pending
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