JPH05152297A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH05152297A JPH05152297A JP31093091A JP31093091A JPH05152297A JP H05152297 A JPH05152297 A JP H05152297A JP 31093091 A JP31093091 A JP 31093091A JP 31093091 A JP31093091 A JP 31093091A JP H05152297 A JPH05152297 A JP H05152297A
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- Japan
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- aluminum
- metal layer
- copper
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】銅系配線の耐腐食性を向上し、且つ、エレクト
ロマイグレーションやストレスマイグレーションの発生
を防止し、信頼性が向上した半導体装置及びその製造方
法を提供する。 【構成】半導体基板１上にアルミニウム系金属層３を形
成し、これをパターニングした後、当該アルミニウム系
金属層３上に銅系金属層４を選択的に形成し、この表面
にアルミニウム系金属層５を形成した後、熱処理を行
い、銅系金属層４該銅系金属とアルミニウム系金属との
化合物層６で被覆し、さらにこれをアルミニウム系金属
層３及び５で被覆した配線を有する半導体装置を得る。
ロマイグレーションやストレスマイグレーションの発生
を防止し、信頼性が向上した半導体装置及びその製造方
法を提供する。 【構成】半導体基板１上にアルミニウム系金属層３を形
成し、これをパターニングした後、当該アルミニウム系
金属層３上に銅系金属層４を選択的に形成し、この表面
にアルミニウム系金属層５を形成した後、熱処理を行
い、銅系金属層４該銅系金属とアルミニウム系金属との
化合物層６で被覆し、さらにこれをアルミニウム系金属
層３及び５で被覆した配線を有する半導体装置を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置及びその製
造方法に係り、特に、配線の抵抗を低減し、信頼性を向
上した半導体装置及びその製造方法に関する。
造方法に係り、特に、配線の抵抗を低減し、信頼性を向
上した半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置の配線として、加
工の容易さや、電気抵抗及び基板との接触抵抗等の利点
から、アルミニウム系配線が用いられている。しかしな
がら、近年の半導体装置の高集積化に伴い、アルミニウ
ム系配線よりもさらに低抵抗な配線の要求が高まってい
る。また、アルミニウム系配線は、エレクトロマイグレ
ーションやストレスマイグレーションにより断線を生じ
る等、配線としての信頼性に欠けるという問題があっ
た。
工の容易さや、電気抵抗及び基板との接触抵抗等の利点
から、アルミニウム系配線が用いられている。しかしな
がら、近年の半導体装置の高集積化に伴い、アルミニウ
ム系配線よりもさらに低抵抗な配線の要求が高まってい
る。また、アルミニウム系配線は、エレクトロマイグレ
ーションやストレスマイグレーションにより断線を生じ
る等、配線としての信頼性に欠けるという問題があっ
た。
【０００３】そこで、アルミニウム系配線に代わる配線
として、銅系配線が考案され、その利用が検討されてい
る。この銅系配線は、アルミニウム配線に比較して、耐
エレクトロマイグレーション性や耐ストレスマイグレー
ション性に優れており、配線としての高い信頼性が期待
されている。しかしながら、銅系配線は、シリコンに対
する拡散係数が大きく、コンタクト孔など、シリコンと
の接触部分において相互拡散が生じ、拡散層の接合破壊
を起こすという問題があった。
として、銅系配線が考案され、その利用が検討されてい
る。この銅系配線は、アルミニウム配線に比較して、耐
エレクトロマイグレーション性や耐ストレスマイグレー
ション性に優れており、配線としての高い信頼性が期待
されている。しかしながら、銅系配線は、シリコンに対
する拡散係数が大きく、コンタクト孔など、シリコンと
の接触部分において相互拡散が生じ、拡散層の接合破壊
を起こすという問題があった。
【０００４】そこで、この問題を解決するために、特開
平１−２３１３５１号公報に開示されているように、銅
系配線とシリコンとの接触部分に、チタンやジルコニウ
ムからなる拡散防止メタルを形成する方法が知られてい
る。
平１−２３１３５１号公報に開示されているように、銅
系配線とシリコンとの接触部分に、チタンやジルコニウ
ムからなる拡散防止メタルを形成する方法が知られてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１−２３１３５１号公報に開示されている従来例は、高
抵抗なチタンやジルコニウムを拡散防止メタルとして使
用しているため、配線抵抗が高くなり、また、シリコン
基板とオーミック接続がとりにくいという等の問題があ
った。
１−２３１３５１号公報に開示されている従来例は、高
抵抗なチタンやジルコニウムを拡散防止メタルとして使
用しているため、配線抵抗が高くなり、また、シリコン
基板とオーミック接続がとりにくいという等の問題があ
った。
【０００６】また、前記拡散防止メタル上の銅系配線の
耐エレクトロマイグレーション性や耐ストレスマイグレ
ーション性は、当該拡散防止メタルを敷かない銅系配線
に比べ優位性がなく、さらに、加工性が悪いという問題
があった。さらに、銅系配線は、アルミニウム系配線に
比べ耐腐食性に劣るため、加工時のガスの選択が難し
く、また、配線腐食により信頼性が低下するという問題
もあった。そして、銅系配線に前記拡散防止メタルを敷
いた場合には、チタンやジルコニウムとの接触による化
学電池効果により、腐食がさらに促進されるという問題
があった。
耐エレクトロマイグレーション性や耐ストレスマイグレ
ーション性は、当該拡散防止メタルを敷かない銅系配線
に比べ優位性がなく、さらに、加工性が悪いという問題
があった。さらに、銅系配線は、アルミニウム系配線に
比べ耐腐食性に劣るため、加工時のガスの選択が難し
く、また、配線腐食により信頼性が低下するという問題
もあった。そして、銅系配線に前記拡散防止メタルを敷
いた場合には、チタンやジルコニウムとの接触による化
学電池効果により、腐食がさらに促進されるという問題
があった。
【０００７】本発明は、このような問題を解決すること
を課題とするものであり、銅系配線の耐腐食性を向上
し、且つ、エレクトロマイグレーションやストレスマイ
グレーションの発生を防止し、信頼性が向上した半導体
装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
を課題とするものであり、銅系配線の耐腐食性を向上
し、且つ、エレクトロマイグレーションやストレスマイ
グレーションの発生を防止し、信頼性が向上した半導体
装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、半導体基板上に配線を形成した半導体装
置において、前記配線は、銅系金属層を該銅系金属とア
ルミニウム系金属との化合物からなる層で被覆し、さら
にこれを当該アルミニウム系金属層で被覆した五層構造
からなることを特徴とする半導体装置を提供するもので
ある。
に、本発明は、半導体基板上に配線を形成した半導体装
置において、前記配線は、銅系金属層を該銅系金属とア
ルミニウム系金属との化合物からなる層で被覆し、さら
にこれを当該アルミニウム系金属層で被覆した五層構造
からなることを特徴とする半導体装置を提供するもので
ある。
【０００９】そして、半導体基板上にアルミニウム系金
属層を形成する第１工程と、当該アルミニウム系金属層
をパターニングする第２工程と、当該アルミニウム系金
属層上に銅系金属層を選択的に形成する第３工程と、当
該銅系金属層表面にアルミニウム系金属層を形成する第
４工程と、熱処理を行う第５工程と、を備えたことを特
徴とする半導体装置の製造方法を提供するものである。
属層を形成する第１工程と、当該アルミニウム系金属層
をパターニングする第２工程と、当該アルミニウム系金
属層上に銅系金属層を選択的に形成する第３工程と、当
該銅系金属層表面にアルミニウム系金属層を形成する第
４工程と、熱処理を行う第５工程と、を備えたことを特
徴とする半導体装置の製造方法を提供するものである。
【００１０】
【作用】請求項１記載の発明によれば、半導体装置の配
線構造を、銅系金属層を該銅系金属とアルミニウム系金
属との化合物からなる層で被覆し、さらにこれを当該ア
ルミニウム系金属層で被覆した五層構造としたことで、
配線抵抗の大部分を低抵抗な銅系金属によって与えるこ
とができるため、低抵抗配線を得ることができる。そし
て、銅系金属層が半導体基板（Ｓｉ基板）に直接接触す
ることがないため、当該シリコン中に銅が拡散すること
がない。さらに、絶縁膜（ＳｉＯ2 膜）上において、当
該絶縁膜と接触するアルミニウム系金属層中のアルミニ
ウムが、当該絶縁膜を還元し、該絶縁膜からシリコンが
析出しても、前記銅系配線に悪影響を与えることはな
い。そして、さらに前記銅系金属層の周りをアルミニウ
ム系金属層で被覆したことで、当該銅系金属が腐食する
のを防止することもできる。また、前記絶縁膜とアルミ
ニウム系金属層は、密着性が良好であるため、配線の密
着性を向上することができ、さらに、前記基板とのオー
ミック接続を確保することもできる。そして、銅系金属
層とアルミニウム系金属層との間に、当該銅系金属とア
ルミニウム系金属との化合物層を形成したことで、粒界
三重点をピンニングして、耐エレクトロマイグレーショ
ン性及び耐ストレスマイグレーション性を向上すること
ができる。
線構造を、銅系金属層を該銅系金属とアルミニウム系金
属との化合物からなる層で被覆し、さらにこれを当該ア
ルミニウム系金属層で被覆した五層構造としたことで、
配線抵抗の大部分を低抵抗な銅系金属によって与えるこ
とができるため、低抵抗配線を得ることができる。そし
て、銅系金属層が半導体基板（Ｓｉ基板）に直接接触す
ることがないため、当該シリコン中に銅が拡散すること
がない。さらに、絶縁膜（ＳｉＯ2 膜）上において、当
該絶縁膜と接触するアルミニウム系金属層中のアルミニ
ウムが、当該絶縁膜を還元し、該絶縁膜からシリコンが
析出しても、前記銅系配線に悪影響を与えることはな
い。そして、さらに前記銅系金属層の周りをアルミニウ
ム系金属層で被覆したことで、当該銅系金属が腐食する
のを防止することもできる。また、前記絶縁膜とアルミ
ニウム系金属層は、密着性が良好であるため、配線の密
着性を向上することができ、さらに、前記基板とのオー
ミック接続を確保することもできる。そして、銅系金属
層とアルミニウム系金属層との間に、当該銅系金属とア
ルミニウム系金属との化合物層を形成したことで、粒界
三重点をピンニングして、耐エレクトロマイグレーショ
ン性及び耐ストレスマイグレーション性を向上すること
ができる。
【００１１】そして、請求項２記載の発明によれば、半
導体基板上にアルミニウム系金属層を形成してこれをパ
ターニングし、このパターニング後のアルミニウム系金
属層上に銅系金属層を選択的に形成することで、簡単に
銅系金属層をパターニングすることができる。さらに、
前記銅系金属層の表面にアルミニウム系金属層を形成す
ることで、当該銅系金属層をアルミニウム系金属層で被
覆することができる。また、これを熱処理することで、
前記銅系金属層とアルミニウム系金属層との界面に、両
者の化合物層を形成することができる。
導体基板上にアルミニウム系金属層を形成してこれをパ
ターニングし、このパターニング後のアルミニウム系金
属層上に銅系金属層を選択的に形成することで、簡単に
銅系金属層をパターニングすることができる。さらに、
前記銅系金属層の表面にアルミニウム系金属層を形成す
ることで、当該銅系金属層をアルミニウム系金属層で被
覆することができる。また、これを熱処理することで、
前記銅系金属層とアルミニウム系金属層との界面に、両
者の化合物層を形成することができる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明に係る実施例について、図面を
参照して説明する。図１ないし図５は、本発明に係る半
導体装置の製造工程を示す一部断面図である。図１に示
す工程では、半導体基板１上にシリコン酸化膜２を形成
し、公知の方法でコンタクト孔を形成する。その後、ア
ルミニウム系金属としてアルミニウムを用い、スパッタ
リング法によりアルミニウム系金属層３を５００Å程度
の膜厚で形成する。
参照して説明する。図１ないし図５は、本発明に係る半
導体装置の製造工程を示す一部断面図である。図１に示
す工程では、半導体基板１上にシリコン酸化膜２を形成
し、公知の方法でコンタクト孔を形成する。その後、ア
ルミニウム系金属としてアルミニウムを用い、スパッタ
リング法によりアルミニウム系金属層３を５００Å程度
の膜厚で形成する。
【００１３】次に、図２に示す工程では、図１に示す工
程で得たアルミニウム系金属層３を写真食刻によりパタ
ーニングし、配線パターンを形成する。このアルミニウ
ム系金属層３は、次の工程で行う銅系金属の選択成長の
下地となると共に、拡散防止メタルの役割を果たす。次
いで、図３に示す工程では、図２に示す工程で得た半導
体基板１を、反応炉内温度が２００〜３５０℃程度のＣ
ＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）装置に装入し、当該ＣＶＤ装置内にソースガス
として、Ｃｕ（Ｈｆａ）2 （ヘキサフロルアセチルアセ
トネイト銅）、及びＨ2 （水素）を導入し、銅からなる
銅系金属層４を３０００Å程度の膜厚で、前記アルミニ
ウム系金属層３上に選択的に形成する。
程で得たアルミニウム系金属層３を写真食刻によりパタ
ーニングし、配線パターンを形成する。このアルミニウ
ム系金属層３は、次の工程で行う銅系金属の選択成長の
下地となると共に、拡散防止メタルの役割を果たす。次
いで、図３に示す工程では、図２に示す工程で得た半導
体基板１を、反応炉内温度が２００〜３５０℃程度のＣ
ＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）装置に装入し、当該ＣＶＤ装置内にソースガス
として、Ｃｕ（Ｈｆａ）2 （ヘキサフロルアセチルアセ
トネイト銅）、及びＨ2 （水素）を導入し、銅からなる
銅系金属層４を３０００Å程度の膜厚で、前記アルミニ
ウム系金属層３上に選択的に形成する。
【００１４】次に、図４に示す工程では、図３に示す工
程で得た半導体基板１を、反応炉内温度が２００〜２５
０℃程度のＣＶＤ装置に移動し、当該ＣＶＤ装置内にソ
ースガスとして、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムハイ
ドライド）、及びＨ2 を導入し、アルミニウムからなる
アルミニウム系金属層５を５００Å程度の膜厚で、前記
銅系金属層４の表面に選択的に形成し、当該銅系金属層
４をアルミニウム系金属層５で被覆する。
程で得た半導体基板１を、反応炉内温度が２００〜２５
０℃程度のＣＶＤ装置に移動し、当該ＣＶＤ装置内にソ
ースガスとして、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムハイ
ドライド）、及びＨ2 を導入し、アルミニウムからなる
アルミニウム系金属層５を５００Å程度の膜厚で、前記
銅系金属層４の表面に選択的に形成し、当該銅系金属層
４をアルミニウム系金属層５で被覆する。
【００１５】次いで、図５に示す工程では、図４に示す
工程で得た半導体基板１を、フォーミングガス雰囲気，
温度４００℃程度の電気炉で、約３０分間熱処理を行
う。この熱処理により、銅系金属層４とアルミニウム系
金属層３及び５との界面に、銅系金属層４とアルミニウ
ム系金属層３及び５との化合物層６が形成される。その
後、必要に応じて素子を形成し、半導体装置を完成す
る。
工程で得た半導体基板１を、フォーミングガス雰囲気，
温度４００℃程度の電気炉で、約３０分間熱処理を行
う。この熱処理により、銅系金属層４とアルミニウム系
金属層３及び５との界面に、銅系金属層４とアルミニウ
ム系金属層３及び５との化合物層６が形成される。その
後、必要に応じて素子を形成し、半導体装置を完成す
る。
【００１６】尚、図１ないし図５に示す工程を繰り返す
ことで、多層配線構造を有する半導体装置を形成するこ
とができる。以上の工程により製造した半導体装置の配
線は、従来の銅系配線に比較し、半導体基板１上に接合
破壊を起こさずに形成することが可能である。また、銅
の加工工程を必要としないため、銅の加工性の悪さを考
慮する必要がなく、低抵抗な配線を簡単に製造すること
ができる。
ことで、多層配線構造を有する半導体装置を形成するこ
とができる。以上の工程により製造した半導体装置の配
線は、従来の銅系配線に比較し、半導体基板１上に接合
破壊を起こさずに形成することが可能である。また、銅
の加工工程を必要としないため、銅の加工性の悪さを考
慮する必要がなく、低抵抗な配線を簡単に製造すること
ができる。
【００１７】また、本発明に係る配線の配線抵抗を調査
したところ、従来のアルミニウム配線の配線寿命に比較
し、３０％程度減少することができた。さらに、本発明
に係る配線の配線寿命を調査したところ、従来のアルミ
ニウム配線の配線寿命に比較し、数十倍〜１００倍向上
することができた。尚、本実施例では、純粋なアルミニ
ウムを使用してアルミニウム系金属層３及び５を形成し
たが、これに限らず、アルミニウム−シリコン、アルミ
ニウム−銅等、他のアルミニウム系合金を使用してもよ
い。また、本実施例では、アルミニウム系金属層３及び
５を５００Å程度の膜厚で形成したが、これに限らず、
アルミニウム系金属層３及び５の膜厚は、３００〜２０
００Å程度とすることが好適である。
したところ、従来のアルミニウム配線の配線寿命に比較
し、３０％程度減少することができた。さらに、本発明
に係る配線の配線寿命を調査したところ、従来のアルミ
ニウム配線の配線寿命に比較し、数十倍〜１００倍向上
することができた。尚、本実施例では、純粋なアルミニ
ウムを使用してアルミニウム系金属層３及び５を形成し
たが、これに限らず、アルミニウム−シリコン、アルミ
ニウム−銅等、他のアルミニウム系合金を使用してもよ
い。また、本実施例では、アルミニウム系金属層３及び
５を５００Å程度の膜厚で形成したが、これに限らず、
アルミニウム系金属層３及び５の膜厚は、３００〜２０
００Å程度とすることが好適である。
【００１８】そして、本実施例では、純粋な銅を使用し
て銅系金属層４を形成したが、これに限らず、スズやチ
タン等をドーピングした銅等、他の銅系金属を使用して
もよい。また、本実施例では、銅系金属層４を３０００
Å程度の膜厚で形成したが、これに限らず、銅系金属層
４の膜厚は、２０００〜６０００Å程度とすることが好
適である。
て銅系金属層４を形成したが、これに限らず、スズやチ
タン等をドーピングした銅等、他の銅系金属を使用して
もよい。また、本実施例では、銅系金属層４を３０００
Å程度の膜厚で形成したが、これに限らず、銅系金属層
４の膜厚は、２０００〜６０００Å程度とすることが好
適である。
【００１９】また、アルミニウム系金属層３と、銅系金
属層４と、アルミニウム系金属層５との膜厚比は、アル
ミニウム系金属層３：銅系金属層４：アルミニウム系金
属層５＝１：３：１〜１：１０：１の範囲とすることが
好適である。そして、図４に示す工程では、アルミニウ
ム系金属層をＣＶＤ法により形成したが、これに限ら
ず、スパッタリング法等、他の方法により形成してもよ
い。そして、本工程では、アルミニウム系金属層を銅系
金属層上に選択的に形成し、当該銅系金属層表面をアル
ミニウム系金属層で被覆したが、これに限らず、アルミ
ニウム系金属層を全面に堆積した後、写真食刻工程によ
りパターニングする等、他の方法で、銅系金属層表面を
アルミニウム系金属層で被覆してもよい。
属層４と、アルミニウム系金属層５との膜厚比は、アル
ミニウム系金属層３：銅系金属層４：アルミニウム系金
属層５＝１：３：１〜１：１０：１の範囲とすることが
好適である。そして、図４に示す工程では、アルミニウ
ム系金属層をＣＶＤ法により形成したが、これに限ら
ず、スパッタリング法等、他の方法により形成してもよ
い。そして、本工程では、アルミニウム系金属層を銅系
金属層上に選択的に形成し、当該銅系金属層表面をアル
ミニウム系金属層で被覆したが、これに限らず、アルミ
ニウム系金属層を全面に堆積した後、写真食刻工程によ
りパターニングする等、他の方法で、銅系金属層表面を
アルミニウム系金属層で被覆してもよい。
【００２０】また、図５に示す工程では、４００℃程度
の温度で熱処理を行ったが、これに限らず、当該熱処理
の温度は、３５０〜４５０℃程度であればよい。また、
前記熱処理をフォーミングガス雰囲気で行ったが、Ｎ2
（窒素）、Ｈ2 雰囲気で行ってもよい。
の温度で熱処理を行ったが、これに限らず、当該熱処理
の温度は、３５０〜４５０℃程度であればよい。また、
前記熱処理をフォーミングガス雰囲気で行ったが、Ｎ2
（窒素）、Ｈ2 雰囲気で行ってもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、半導体装置の配線を、銅系金属層を該銅系
金属とアルミニウム系金属との化合物からなる層で被覆
し、さらにこれを当該アルミニウム系金属層で被覆した
五層構造としたことで、配線抵抗の大部分を低抵抗な銅
系金属によって与えることができる。また、前記銅系金
属層は、半導体基板や絶縁膜に直接接触することがない
ため、シリコン中に銅が拡散したり、前記銅系配線が腐
食する等の悪影響を受けることはない。さらに、前記絶
縁膜とアルミニウム系金属層は、密着性が良好であるた
め、配線の密着性を向上することができる。また、前記
基板とのオーミック接続を確保することもできる。そし
て、銅系金属層とアルミニウム系金属層との間に、当該
銅系金属とアルミニウム系金属との化合物層を形成した
ことで、粒界三重点をピンニングして、耐エレクトロマ
イグレーション性及び耐ストレスマイグレーション性を
向上することができる。従って、低抵抗で信頼性の高い
配線を有する半導体装置を提供することができる。
明によれば、半導体装置の配線を、銅系金属層を該銅系
金属とアルミニウム系金属との化合物からなる層で被覆
し、さらにこれを当該アルミニウム系金属層で被覆した
五層構造としたことで、配線抵抗の大部分を低抵抗な銅
系金属によって与えることができる。また、前記銅系金
属層は、半導体基板や絶縁膜に直接接触することがない
ため、シリコン中に銅が拡散したり、前記銅系配線が腐
食する等の悪影響を受けることはない。さらに、前記絶
縁膜とアルミニウム系金属層は、密着性が良好であるた
め、配線の密着性を向上することができる。また、前記
基板とのオーミック接続を確保することもできる。そし
て、銅系金属層とアルミニウム系金属層との間に、当該
銅系金属とアルミニウム系金属との化合物層を形成した
ことで、粒界三重点をピンニングして、耐エレクトロマ
イグレーション性及び耐ストレスマイグレーション性を
向上することができる。従って、低抵抗で信頼性の高い
配線を有する半導体装置を提供することができる。
【００２２】そして、請求項２記載の発明によれば、加
工性が悪い銅系配線を簡単にパターニング（加工）する
ことができ、且つ、低抵抗で信頼性の高い配線を有する
半導体装置を製造することができる。
工性が悪い銅系配線を簡単にパターニング（加工）する
ことができ、且つ、低抵抗で信頼性の高い配線を有する
半導体装置を製造することができる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を
示す一部断面図である。
示す一部断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を
示す一部断面図である。
示す一部断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を
示す一部断面図である。
示す一部断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を
示す一部断面図である。
示す一部断面図である。
【図５】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を
示す一部断面図である。
示す一部断面図である。
１ 半導体基板 ２ シリコン酸化膜 ３ アルミニウム系金属層 ４ 銅系金属層 ５ アルミニウム系金属層 ６ 化合物層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 浩 千葉県千葉市川崎町１番地 川崎製鉄株式 会社技術研究本部内 (72)発明者 太田 与洋 千葉県千葉市川崎町１番地 川崎製鉄株式 会社技術研究本部内
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に配線を形成した半導体装
置において、 前記配線は、銅系金属層を該銅系金属とアルミニウム系
金属との化合物からなる層で被覆し、さらにこれを当該
アルミニウム系金属層で被覆した五層構造からなること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体基板上にアルミニウム系金属層を
形成する第１工程と、当該アルミニウム系金属層をパタ
ーニングする第２工程と、当該アルミニウム系金属層上
に銅系金属層を選択的に形成する第３工程と、当該銅系
金属層表面にアルミニウム系金属層を形成する第４工程
と、熱処理を行う第５工程と、を備えたことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31093091A JPH05152297A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31093091A JPH05152297A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152297A true JPH05152297A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18011098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31093091A Pending JPH05152297A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152297A (ja) |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP31093091A patent/JPH05152297A/ja active Pending
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