JPH03196626A - 半導体ウェーハ洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の目的 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ローダから受取った半導体ウェーハを洗浄室
で回転せしめつつ洗浄水によって洗浄し乾燥したのちア
ンローダに対し送出してなる半導体ウェーハ洗浄装置に
関し、特に、洗浄室の出口部に対して電極を配設するこ
とにより洗浄済の半導体ウェーハに発生された静電気を
中和してる。

［従来の技術］ 従来、この種の半導体ウェーハ洗浄装置としては、ロー
ダから受取った半導体ウェーハな洗浄室で１枚ずつ回転
保持体に保持して回転せしめつつ洗浄水によって洗浄し
乾燥したのちアンローダに向けて送出してなるものが提
案されていた。

［解決すべき問題点］ しかしながら、従来の半導体ウェーハ洗浄装置では、半
導体ウェーハが回転保持体に保持された状態で回転せし
められつつ洗浄され乾燥されていたので、ｆｉｌ半導体
ウェーハに静電気が発生されてしまう欠点があり、ひい
ては（ｉｉｌ洗浄室からアンローダに向けて送出された
洗浄済の半導体ウェーハにダストかけ着されてしまう欠
点があり、結果的に１ｉｉｉｌ洗浄効果を損う欠点があ
った。

そこで１本発明は、これらの欠点を除去すべく、洗浄室
の出口部に対し１を極を配設して洗浄清の半導体ウェー
ハに発生された静電気を中和してなる半導体ウェーハ洗
浄装置を提供せんとするものである。

（２）発明の構成 Ｅ問題点の解決手段］ 本発明により提供される問題点の解決手段は、［ローダ
から受取った半導体ウェー八を洗浄室で回転せしめつつ
洗浄水によって洗浄し乾燥したのちアンローダに向けて
送出してなる半導体ウェーハ洗浄装置において、洗浄室
の出口部に対して電極を配設することにより洗浄済の半
導体ウェーハに発生された静電気を中和してなることを
特徴とする半導体ウェーハ洗浄装置」 である。

［作用］ 本発明にかかる半導体ウェーハ洗浄装置は、上述のｒ問
題点の解決手段］に明示した構成を有しているので、 （ｉ）洗浄済の半導体ウェーハから静電気な除去する作
用 をなし、ひいては ｆｉｉｌ洗浄済の半導体ウェーハに対しダストが付着す
ることを防止する作用 をなし、結果的に ｆｉｉｉ）洗浄効果を維持する作用 をなす。

［実施例］ 次に、本発明にかかる半導体ウェーハ洗浄装置について
、その好ましい実施例を挙げ、添付図面を参照しつつ、
具体的に説明する。しかしながら、以下に説明する実施
例は、本発明の理解を容易化ないし促進化するために記
載されるものであって、本発明を限定するために記載さ
れるものではない。換言すれば、以下に説明される実施
例において開示される各要素は、本発明の精神ならびに
技術的範囲に属する全ての設計変更ならびに均等物置換
を含むものである。

工匡扛区皿五説里り 第１図は、本発明の半導体ウェーハ洗浄装置の一実施例
を示すための構成図である。

ユ衷施五辺盪風り まず、第１図を参照しつつ、本発明にかかる半導体ウェ
ーハ洗浄装置の一実施例について、その構成を詳細に説
明する。

１０は、本発明にかかる半導体ウェーハ洗浄装置であっ
て、半導体ウェーハ保持体１】Ａに対して保持されてい
る半導体ウェー八Ｍを１枚ずつ取り出し搬送ガイドＪＩ
Ｂの一端部に対して与えるためのローダ！１と、搬送ガ
イド１１８０他端部に入口部が配設されており洗浄水供
給管１２Ａから洗浄水（たとえば純水もしくは炭酸水）
を供給しつつローダ１１から与えられた半導体ウェー八
Ｍを回転保持体１２Ｂで保持して回転せしめることによ
り１枚ずつ洗浄し乾燥するための洗浄室１２と、洗浄室
１２の出口部に対し搬送ガイド＋３Ａを介して配設され
ており洗浄済の半導体ウェーハＭ０を１枚ずつ半導体ウ
ェーハ保持体１３Ｂに保持せしめるためのアンローダ１
３と、搬送ガイド１３Ａの近傍に配置されており洗浄済
の半導体ウェー八Ｍ０に発生された静電気を中和するた
めの電極１４とを備えてなる。

回転保持体１２Ｂは、半導体ウェー八Ｍを真空吸着して
保持している。

電極１４は、洗浄済の半導体ウェーハＭ０が金属ダスト
によって汚染されることを回避するために、金属汚染の
少ない金属（たとえばタングステン）もしくは導電性珪
素によって形成されている。また、電極１４は、適宜の
電源１４＾に接続されている。

ユ！族且Ω庄里り 更に、第１図を参照しつつ１本発明にかかる半導体ウェ
ーハ洗浄装置の一実施例について、その作用を詳細に説
明する。

本発明にかかる半導体ウェーハ洗浄装置厘では、半導体
ウェーハ保持体１１Ａを矢印Ａ方向に移動せしめつつ、
ローダ１１によって半導体ウェー八Ｍが半導体ウェーハ
保持体１１Ａから１枚ずつ搬送ガイドＩＩＢに与えられ
る。

搬送ガイドＩＩＢは、半導体ウェー八Ｍを洗浄室１２に
向けて周知の要領で移送する。

洗浄室１２では、半導体ウェーハＭを回転保持体１２Ｂ
で吸着保持し矢印Ｘ方向に向けて回転しつつ、洗浄水供
給管１２Ａから洗浄水（たとλば純水もしくは炭酸水）
を供給することにより洗浄し乾燥する。

洗浄室１２において洗浄された半導体ウェーハＭ（以下
Ｍ”と記す）は、搬送ガイド１３Ａに与えられる。この
とき、洗浄室１２の出口部外側に電極１４が配置されて
いるので、洗浄済の半導体ウェーハＭ°は、静電気を除
去される。

洗浄済の半導体ウェーハＭ°は、そののち、搬送ガイド
＋３Ａによってアンローダ１３に与えられる。

アンローダ１３では、半導体ウェーハ保持体１３Ｂを矢
印Ｂ方向に移動せしめつつ、洗浄済の半導体ウェーハＭ
０が半導体ウェーハ保持体１３Ｂに対し１枚ずつ保持せ
しめられる。

ユ且体刑上 加えて、本発明にかかる半導体ウェーハ洗浄装置につい
て、−層理解を深めるために、具体的な数値などを挙げ
て説明する。

！狙困 電極（ここでは導電性珪素）に対し電源から５０Ｈｚで
２０ＫＶの電圧を与えた状態で、ローダより洗浄室に対
し直径が５インチの半導体ウェーハ（ここではシリコン
ウェーハ）を１枚ずつ供給し、洗浄供給管から純水を供
給しつつ洗浄し乾燥せしめたのち、搬送ガイドを介して
アンローダに向けて送出した。半導体ウェーハは、全部
で２５枚洗浄された。

この結果、アンローダに与えられた洗浄済の半導体ウェ
ーハは、静電気の帯電圧が全て１００■以下となってお
り、０．３ｕｍｕ上の径をもつダスｊ・が平均６．２個
除去されていた。ちなみに、洗浄済の半導体ウェーハに
は、金属ダストの付着が見られなかった。

土較掴 電極に対し電源から電圧を印加することなく、実施例と
同一の洗浄作業を反復した。

この結果、アンローダに与えられた洗浄済の半導体ウェ
ーハは、静電気の帯電圧が全て３．０〜４．０ＫＶとな
っており、０．３ｕｍ以上の径をもつダストが平均５．
３ｇ除去されていた。ちなみに、洗浄済の半導体ウェー
ハには、金属ダストの付着が見られなかった。

釘　と　　−との　１ 実施例は、比較例に比べ、０３μｍ以上の径をもつダス
トを半導体ウェーハ１枚あたり平均（１，９個除去でき
た。

（３）発明の効果 上述より明らかなように、本発明にかかる半導体ウェー
ハ洗浄装置は、上述の［問題点の解決手段ｊに明示した
構成を有しているので、（ｉｌ洗浄済の半導体ウェーハ
から静電気を除去できる効果 を有し、ひいては （ｉｉｌ洗浄済の半導体ウェーハに対しダストが付着す
ることを防止できる効果 を有し、結果的に （ｉｉｉｌ　ｉｌ浄効果を維持できる効果を有するヵ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明にかかる半導体ウェーハ洗浄装置の一
実施例を示すための構成図である。 １０・・・・・・・・・・・　・半導体ウェーハ洗浄装
置１１・・　・・・・・・　・　・　・ローダ１１Ａ・
・・・　・・・・・・半導体ウェーハ保持体１１Ｂ・・
・・・・・・・・・搬送ガイド１２・・・・・・・・・
・・・・・・・洗浄室１２＾・・・・・・・・・・・洗
浄水供給管１２Ｂ・・・・・・・・・・・・回転保持体
１３・・・・・・・・・・・・・・・・アンローダ１３
Ａ・・・・・・・・・・・搬送ガイド１３Ｂ・・・・・
・・・・・・・半導体ウェーハ保持体１４・・・・・・
・・・・・・・・・・電極１４Ａ・・・・・・・・・・
電源

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ローダから受取った半導体ウェーハを洗浄室で回転せし
   めつつ洗浄水によって洗浄し乾燥したのちアンローダに
   向けて送出してなる半導体ウェーハ洗浄装置において、
   洗浄室の出口部に対して電極を配設することにより洗浄
   済の半導体ウェーハに発生された静電気を中和してなる
   ことを特徴とする半導体ウェーハ洗浄装置。