JPH0319694B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0319694B2 JPH0319694B2 JP55062590A JP6259080A JPH0319694B2 JP H0319694 B2 JPH0319694 B2 JP H0319694B2 JP 55062590 A JP55062590 A JP 55062590A JP 6259080 A JP6259080 A JP 6259080A JP H0319694 B2 JPH0319694 B2 JP H0319694B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- semiconductor
- amorphous
- amorphous semiconductor
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルフアス半導体
（AMORPHOUS SEMICNNDUCTORすなわち
ASという）に対し、電流特にパルス電流を流す
ことによりアモルフアス半導体の有している不対
結合手による再結合中心を介してのキヤリアの再
結合にかかる部所での局部的な急加熱によりこの
不対結合手を活性にし、その近傍の他の不対結合
手または水素等と中和した結合手と結合せしめる
ことにより正常な原子間距離を有しかつその不対
結合手を相殺してしまうというアモルフアス半導
体（AMORPHOUS SEMICONDUCTORすな
わちSASという）の作製方法に関するものであ
る。
（AMORPHOUS SEMICNNDUCTORすなわち
ASという）に対し、電流特にパルス電流を流す
ことによりアモルフアス半導体の有している不対
結合手による再結合中心を介してのキヤリアの再
結合にかかる部所での局部的な急加熱によりこの
不対結合手を活性にし、その近傍の他の不対結合
手または水素等と中和した結合手と結合せしめる
ことにより正常な原子間距離を有しかつその不対
結合手を相殺してしまうというアモルフアス半導
体（AMORPHOUS SEMICONDUCTORすな
わちSASという）の作製方法に関するものであ
る。
本発明は半導体例えば硅素において
Si・＋Si・→Si−Si
Si・＋Si・−Ｈ→Si−Si＋Ｈ・
等の反応を物理的に加電流により発生せしめ、ひ
いては不対結合手の密度を減少せしめることとを
目的としている。
いては不対結合手の密度を減少せしめることとを
目的としている。
従来ASはその原子間距離もランダムでありか
つその結晶学的な配置もランダムであることをも
つて定義されていた。
つその結晶学的な配置もランダムであることをも
つて定義されていた。
またかかるAS中にはそのランダムのため化学
的に他と結合をしていないすなわち不対結合手が
多数存在していた。この不対結合手は再結合中心
となり、キヤリアのライフタイムをきわめて小さ
くしてしまい、キヤリアキラーとして最もその排
除が期待されていた。この不対結合手を除く方法
として最近水素またはハロゲンにより中和するす
なわち半導体が硅素であるとすると、 Si・＋Ｈ→Si−Ｈ Si・＋Ｆ→Si−Ｆ が知られている。これはシラン（SiH4）、四フツ
化硅素（SiF4）またはその混合気体をグロー放電
またはプラズマCVD法により作製された被膜は
再結合中心が水素、ハロゲンの添加がないASが
1020〜1022cm-3を再結合中心の密度を有するのに
対し1017〜1018cm-3と104〜106分の１にまでその
再結合中心の密度を小さくすることができるもの
として注目されている。
的に他と結合をしていないすなわち不対結合手が
多数存在していた。この不対結合手は再結合中心
となり、キヤリアのライフタイムをきわめて小さ
くしてしまい、キヤリアキラーとして最もその排
除が期待されていた。この不対結合手を除く方法
として最近水素またはハロゲンにより中和するす
なわち半導体が硅素であるとすると、 Si・＋Ｈ→Si−Ｈ Si・＋Ｆ→Si−Ｆ が知られている。これはシラン（SiH4）、四フツ
化硅素（SiF4）またはその混合気体をグロー放電
またはプラズマCVD法により作製された被膜は
再結合中心が水素、ハロゲンの添加がないASが
1020〜1022cm-3を再結合中心の密度を有するのに
対し1017〜1018cm-3と104〜106分の１にまでその
再結合中心の密度を小さくすることができるもの
として注目されている。
しかしかかる程度の密度は半導体としては十分
でなく、そのため光電変換装置特に太陽電池を作
ろうとした時その光−電気変換効率は２〜４％と
なつてしまつた。本発明はかかる再結合中心の密
度を1013〜1016cm-3とさらにその1/102〜1/104と
してさらに理想的な半導体に近づけたものであ
り、その結果電子、ホールの移動度もASの300Å
とCSの106μｍの中間状態の１〜50μｍの値を得る
ことができた。以下にその実施例を図面に従つて
説明する。
でなく、そのため光電変換装置特に太陽電池を作
ろうとした時その光−電気変換効率は２〜４％と
なつてしまつた。本発明はかかる再結合中心の密
度を1013〜1016cm-3とさらにその1/102〜1/104と
してさらに理想的な半導体に近づけたものであ
り、その結果電子、ホールの移動度もASの300Å
とCSの106μｍの中間状態の１〜50μｍの値を得る
ことができた。以下にその実施例を図面に従つて
説明する。
実施例 １
第１図Ａは基板４上に導体または半導体の電極
３（Ｍという）、半導体１（ＳすなわちASをい
う）、導体または半導体の対抗電極２（以下Ｍと
いう）の構成をさせたMSM構造のたて断面図を
示している。
３（Ｍという）、半導体１（ＳすなわちASをい
う）、導体または半導体の対抗電極２（以下Ｍと
いう）の構成をさせたMSM構造のたて断面図を
示している。
図面において半導体は１はまずシラン
（SiH4）、SiF4、SiH2Cl2等の硅化物気体をグロー
放電法またはプラズマCVD法により0.1〜10μｍ
特に１〜2μｍの厚さに形成した。そして400〜
600℃の温度で加熱しかつその雰囲気をH2とHe
との混合状態でプラズマ化した。また結晶化温度
の630〜700℃に対し50〜100℃低い温度にて被膜
形成してもよい。
（SiH4）、SiF4、SiH2Cl2等の硅化物気体をグロー
放電法またはプラズマCVD法により0.1〜10μｍ
特に１〜2μｍの厚さに形成した。そして400〜
600℃の温度で加熱しかつその雰囲気をH2とHe
との混合状態でプラズマ化した。また結晶化温度
の630〜700℃に対し50〜100℃低い温度にて被膜
形成してもよい。
さらにこの半導体を形成する工程の前後にて金
属または不純物を多量にドープされた半導体によ
る電極３，２を真空蒸着法またはプラズマCVD
または減圧CVD法により形成させて第１図Ａの
構造を得た。
属または不純物を多量にドープされた半導体によ
る電極３，２を真空蒸着法またはプラズマCVD
または減圧CVD法により形成させて第１図Ａの
構造を得た。
さらにこの２つの電極に対し電流時にパルス電
流を102〜107A／cm2の範囲にて〜100秒特に0.1〜
２秒間加えた。電極が半導体あつては一方をP+
型または他方をN+型とし、そこに順方向に電流
を加えた。
流を102〜107A／cm2の範囲にて〜100秒特に0.1〜
２秒間加えた。電極が半導体あつては一方をP+
型または他方をN+型とし、そこに順方向に電流
を加えた。
この電流は102〜105PFのキヤパシタに電荷を
充電しそれを放電して電極３，２間に複数回引加
する方法を用いてもよい。
充電しそれを放電して電極３，２間に複数回引加
する方法を用いてもよい。
すると第２図に示される如きエネルギバンド図
において伝導帯８を流れる電子５と価電子帯９を
流れるホール６とは再結合中心７，７1を介して
互いに再結合する。しかしこの時エネルギバンド
巾に従つたェネルギを熱として放出しこの中心線
またはその局部的な近傍は昇温し、この熱により
再結合中心は熱エネルギーを得ることになる。こ
の熱エネルギが不対結合手同志を結合せしめるの
に十分なエネルギである時はそれにより２つの不
対結合手が互いに結合しかつその原子間距離は２
つの原子にとつて最も安定な状態すなわち硅素に
あつては1.9Å〜2.85Å、2.34ű20Å、特に2.3
〜2.5Åを有するようになる。
において伝導帯８を流れる電子５と価電子帯９を
流れるホール６とは再結合中心７，７1を介して
互いに再結合する。しかしこの時エネルギバンド
巾に従つたェネルギを熱として放出しこの中心線
またはその局部的な近傍は昇温し、この熱により
再結合中心は熱エネルギーを得ることになる。こ
の熱エネルギが不対結合手同志を結合せしめるの
に十分なエネルギである時はそれにより２つの不
対結合手が互いに結合しかつその原子間距離は２
つの原子にとつて最も安定な状態すなわち硅素に
あつては1.9Å〜2.85Å、2.34ű20Å、特に2.3
〜2.5Åを有するようになる。
またひとつの不対結合手と中和原子すなわちSi
−Ｈとの結合エネルギよりも熱エネルギが大きく
なると Si・＋Si−Ｈ→Si−Si＋Ｈ・ で示されるようになり、この活性水素は他のそれ
らと活性でない不対結合手と結合して中和化を下
式の如くに Ｈ・＋Si・→Si−Ｈ 実施させる。その結果この過電流により２重に再
結合中心を相殺・中和させることができることが
わかる。
−Ｈとの結合エネルギよりも熱エネルギが大きく
なると Si・＋Si−Ｈ→Si−Si＋Ｈ・ で示されるようになり、この活性水素は他のそれ
らと活性でない不対結合手と結合して中和化を下
式の如くに Ｈ・＋Si・→Si−Ｈ 実施させる。その結果この過電流により２重に再
結合中心を相殺・中和させることができることが
わかる。
またこの相殺・中和がおきると、この部分での
再結合がなくなり、その部分の温度は下がり電子
およびホールは他の再結合中心を介して互いに同
様の 再結合→発熱→結合手の励起→結合手の中和の
工程を経る。そのため電流を流すことにより、半
導体の原子配置は必ずしもダイアモンド構造を有
さず不定であるがその距離は最も安定な状態すな
わち原子間距離は結晶状態の距離（2.34Å）と同
様の2.34A＋0.2、−0.04Aであり概略均質の一定に
なることが判明した。
再結合がなくなり、その部分の温度は下がり電子
およびホールは他の再結合中心を介して互いに同
様の 再結合→発熱→結合手の励起→結合手の中和の
工程を経る。そのため電流を流すことにより、半
導体の原子配置は必ずしもダイアモンド構造を有
さず不定であるがその距離は最も安定な状態すな
わち原子間距離は結晶状態の距離（2.34Å）と同
様の2.34A＋0.2、−0.04Aであり概略均質の一定に
なることが判明した。
第３図はたて軸が再結合中心の密度の相対値で
あり、初期を１と規定したものである。さらにこ
の電流を印加する場合、真性のアモルフアス硅素
においては10-8〜10-12cm-1の伝導度を有し、
このきわめて低い電導度は電流を流すのに必ずし
も十分でない。このため本発明においては、真性
半導体に対してはキセノンランプにより103LX以
上の強さの光照射を行い、その電子・ホール対を
作りそれを利用して伝導度を10-1〜10-6cm-1ま
で向上せしめた。
あり、初期を１と規定したものである。さらにこ
の電流を印加する場合、真性のアモルフアス硅素
においては10-8〜10-12cm-1の伝導度を有し、
このきわめて低い電導度は電流を流すのに必ずし
も十分でない。このため本発明においては、真性
半導体に対してはキセノンランプにより103LX以
上の強さの光照射を行い、その電子・ホール対を
作りそれを利用して伝導度を10-1〜10-6cm-1ま
で向上せしめた。
そしてさらに２つの電極に電圧を印加して102
〜５×107Acm-2の範囲の電流を流した。またこ
の電流密度は第３図において電流を103A／cm2
（１０）、104A／cm（１１）、105A／cm2（１２）、
106A／cm2（１３）と所定の時間流したものであ
る。この電流はDC電流であつてもまた10ns〜１
ｍｓのパルス巾の電流の総量であつてもよい。パ
ルス巾の場合は102〜104 pＦのキヤパシタを100〜
104V充電してそれを放電させる方法をくりかえ
してもよい。
〜５×107Acm-2の範囲の電流を流した。またこ
の電流密度は第３図において電流を103A／cm2
（１０）、104A／cm（１１）、105A／cm2（１２）、
106A／cm2（１３）と所定の時間流したものであ
る。この電流はDC電流であつてもまた10ns〜１
ｍｓのパルス巾の電流の総量であつてもよい。パ
ルス巾の場合は102〜104 pＦのキヤパシタを100〜
104V充電してそれを放電させる方法をくりかえ
してもよい。
またこの第３図において、基板温度を室温より
200℃、300℃とすると第３図の室温のグラフ１
２，１３がそれぞれ104A／cm2の低い電流密度に
おいて得ることができた。
200℃、300℃とすると第３図の室温のグラフ１
２，１３がそれぞれ104A／cm2の低い電流密度に
おいて得ることができた。
電流を加えるとさらに光照射によるフオトキヤ
リアを発生させることおよび加熱により熱励起を
助長することは実用上むりなく電流を加えるため
にきわめて有効であつた。
リアを発生させることおよび加熱により熱励起を
助長することは実用上むりなく電流を加えるため
にきわめて有効であつた。
この電流密度はこの面積における平均電流を意
味する。その電極下の局部的に流れる領域の電流
密度を意味するためその面積が１mm以下の小面積
のみでなく103cm2の如き大面積にも適用が可能で
ある。
味する。その電極下の局部的に流れる領域の電流
密度を意味するためその面積が１mm以下の小面積
のみでなく103cm2の如き大面積にも適用が可能で
ある。
この第３図はアモルフアス硅素の場合であるが
Ge、GexSi1-x（０＜ｘ＜１）、SiC1-x（０＜ｘ＜
１）、Si1N4-x（０＜ｘ＜４）、SiO2-x（０＜ｘ＜２）
の如き化合物または混合物であつても同様に実施
可能であり本発明のいう半導体とは電流を流しう
る制限における半絶縁体をも含むことはいうまで
もない。
Ge、GexSi1-x（０＜ｘ＜１）、SiC1-x（０＜ｘ＜
１）、Si1N4-x（０＜ｘ＜４）、SiO2-x（０＜ｘ＜２）
の如き化合物または混合物であつても同様に実施
可能であり本発明のいう半導体とは電流を流しう
る制限における半絶縁体をも含むことはいうまで
もない。
また半導体は真性であるのみならずＢ、Ｐ、
As等の不純物が1016〜1020cm-3濃度に添加された
Ｐ型、Ｎ型であつてもまたそれらが1021cm-3〜10
モル％の濃度に添加されたＰまたはＮ型の半導体
であつてもよいことはいうまでもない。
As等の不純物が1016〜1020cm-3濃度に添加された
Ｐ型、Ｎ型であつてもまたそれらが1021cm-3〜10
モル％の濃度に添加されたＰまたはＮ型の半導体
であつてもよいことはいうまでもない。
実施例 ２
第１図Ｂは他の構造の実施例を示す。
実施例１は照射される光が電極３または２によ
り、しや閉されてしまう欠点を持つていた。
り、しや閉されてしまう欠点を持つていた。
第１図Ｂは電極２，３の間の半導体１の部分に
その上部より光照射等にXeランプによる光照射
を行うべくしたものである。本実施例においては
非単結晶半導体の膜厚を2000Å〜3μｍとし、ま
たその巾１〜10mm、厚さ10〜100mmとして実施し
た。
その上部より光照射等にXeランプによる光照射
を行うべくしたものである。本実施例においては
非単結晶半導体の膜厚を2000Å〜3μｍとし、ま
たその巾１〜10mm、厚さ10〜100mmとして実施し
た。
電流密度は102〜５×106A／cm2であり、漸次そ
の電流値を増加させていつた。かくして光照射の
効果を十分生かしたため、実施例１に比べて1/2
〜1/3の電流密度にて同様に再結合中心の密度を
１／１０5〜1/104にすることができた。
の電流値を増加させていつた。かくして光照射の
効果を十分生かしたため、実施例１に比べて1/2
〜1/3の電流密度にて同様に再結合中心の密度を
１／１０5〜1/104にすることができた。
加熱を300℃以上、結晶化温度以下で行う場合
は再結合中心の密度を、減少させるための時間を
１／２〜1/10にすることができ、、また、電流密度を
10〜105A／cm2とさらに100℃上るごとに1/3程度
に低くすることができた。
は再結合中心の密度を、減少させるための時間を
１／２〜1/10にすることができ、、また、電流密度を
10〜105A／cm2とさらに100℃上るごとに1/3程度
に低くすることができた。
しかしこの場合水素と中和結合してある半導体
の結合手も切れてしまい、逆に新たに熱を発生し
た再結合中心を作つてしまうため、この後に再度
不対結合手に対して水素または水素とヘリユーム
との混合ガス（H25〜20％、He80〜95％）を１
〜100MHzまたは１〜10GHzにてプラズマ化し、
かかる雰囲気にてプラズマアニールをすることが
好ましかつた。そのため再結合中心の密度を400
〜600℃にて1015〜1017cm-3としてさらに水素化中
和により1013〜1015cm-3に下げることができた。
の結合手も切れてしまい、逆に新たに熱を発生し
た再結合中心を作つてしまうため、この後に再度
不対結合手に対して水素または水素とヘリユーム
との混合ガス（H25〜20％、He80〜95％）を１
〜100MHzまたは１〜10GHzにてプラズマ化し、
かかる雰囲気にてプラズマアニールをすることが
好ましかつた。そのため再結合中心の密度を400
〜600℃にて1015〜1017cm-3としてさらに水素化中
和により1013〜1015cm-3に下げることができた。
実施例２においてこれら以外は実施例１と同様
にした。かくしてキヤリア移動度がASである硅
素においては約300Å程度しかなかつたが、１〜
50μｍと103倍にもなつた。
にした。かくしてキヤリア移動度がASである硅
素においては約300Å程度しかなかつたが、１〜
50μｍと103倍にもなつた。
実施例 ３
第４図は本願発明の他の実施例を示したもので
あり、光電変換装置に本願発明のアモルフアス半
導体を適用したものである。
あり、光電変換装置に本願発明のアモルフアス半
導体を適用したものである。
第４図Ａは基板４上に第１の電極２４，M1電
流特にトンネル電流を流しうる絶縁または半絶縁
膜２３，I1、セミアモルフアス半導体２０、第２
の電流を流しうる絶縁または半絶縁膜２１，I2、
くし型または格子型の第２の電極M2よりなるM1
−I1−SA−I2−M2のダブルMIS型構造を有する
光電変換装置である。I1，I2はグロー放電または
プラズマCVD法により窒化硅素を10〜40Åの厚
さに形成し、M1を仕事関数が4.0eV以上の白金、
クロム、ニツケル、金またはITO等の透明電極よ
りなり、他の第２の電極M2は逆に仕事関数が
4.0eV以下のマグネシウム、アルミニユームまた
はアルカリ金属、アルカリ土類金属により実施
し、２つの電極を相補とした。
流特にトンネル電流を流しうる絶縁または半絶縁
膜２３，I1、セミアモルフアス半導体２０、第２
の電流を流しうる絶縁または半絶縁膜２１，I2、
くし型または格子型の第２の電極M2よりなるM1
−I1−SA−I2−M2のダブルMIS型構造を有する
光電変換装置である。I1，I2はグロー放電または
プラズマCVD法により窒化硅素を10〜40Åの厚
さに形成し、M1を仕事関数が4.0eV以上の白金、
クロム、ニツケル、金またはITO等の透明電極よ
りなり、他の第２の電極M2は逆に仕事関数が
4.0eV以下のマグネシウム、アルミニユームまた
はアルカリ金属、アルカリ土類金属により実施
し、２つの電極を相補とした。
半導体２０は実施例１または２により再結合中
心の密度を減少させたものである。その結果変換
効率は７〜10％にまで飛躍的に向上させることが
できた。この際電流は２つの電極に対し順方向に
流し、図面においては上面より光照射または／お
よび赤外線照射を行つた。
心の密度を減少させたものである。その結果変換
効率は７〜10％にまで飛躍的に向上させることが
できた。この際電流は２つの電極に対し順方向に
流し、図面においては上面より光照射または／お
よび赤外線照射を行つた。
第４図Ｂは基板４上に第１の電極２４、半導体
２０、第２の電極２１よりなり、２つの電極と半
導体とはオーム接触をさせたものである。半導体
２０はP+型層２７、真性半導体２６、N+型半導
体２３よりなるPIN接合を有している。さらに第
４図Ａと同様に順方向にパルス電流を流した。
２０、第２の電極２１よりなり、２つの電極と半
導体とはオーム接触をさせたものである。半導体
２０はP+型層２７、真性半導体２６、N+型半導
体２３よりなるPIN接合を有している。さらに第
４図Ａと同様に順方向にパルス電流を流した。
かくしてPIN型の太陽電池をおいても６〜10％
の変換効率得ることができた。
の変換効率得ることができた。
この第４図Ａ，Ｂにおいてその半導体２０の厚
さは１〜5μｍの薄さであり単結晶200〜300μｍを
格子歪による直接遷移のため必要とせず、かつそ
のキヤリアの分散距離が100〜500Åというアモル
フアス硅素と異なり１〜50μｍを有しているため
変換効率が３〜５倍にまで向上させることができ
たものと推定された。
さは１〜5μｍの薄さであり単結晶200〜300μｍを
格子歪による直接遷移のため必要とせず、かつそ
のキヤリアの分散距離が100〜500Åというアモル
フアス硅素と異なり１〜50μｍを有しているため
変換効率が３〜５倍にまで向上させることができ
たものと推定された。
光電変換装置はかかるダブルMIS型またはPIN
型と限らず多量PNPN…PN構造、シヨツトキ構
造、シングルMIS構造の変形の構造であつてもよ
い。
型と限らず多量PNPN…PN構造、シヨツトキ構
造、シングルMIS構造の変形の構造であつてもよ
い。
本発明においては半導体としては硅素を中心と
して記した。しかし硅素に酸素、窒素、炭素を添
加してSiO2-x（０＜Ｘ＜２）、Si3N4-x（０＜Ｘ＜
４）、SiC2（０＜Ｘ＜１）であつてもBP、GaAs、
GaAIAsInP等の化合物半導体であつても同様で
あることはいうまでもない。
して記した。しかし硅素に酸素、窒素、炭素を添
加してSiO2-x（０＜Ｘ＜２）、Si3N4-x（０＜Ｘ＜
４）、SiC2（０＜Ｘ＜１）であつてもBP、GaAs、
GaAIAsInP等の化合物半導体であつても同様で
あることはいうまでもない。
本発明はその応用として光電変換装置について
述べてきたが半導体集積回路、絶縁ゲイト型電界
効果トランジスタ等のIC、LSI、VLSIに対して
も本発明のアモルフアス半導体を適用することが
できる。またコピー機器等の複写機または光メモ
リに適用することができる。
述べてきたが半導体集積回路、絶縁ゲイト型電界
効果トランジスタ等のIC、LSI、VLSIに対して
も本発明のアモルフアス半導体を適用することが
できる。またコピー機器等の複写機または光メモ
リに適用することができる。
第１図は本発明の実施例の２つの断面図であ
る。第２図は本発明の理論を説明するためのエネ
ルギバンド図である。第３図は本発明で得られた
アモルフアス半導体の再結合中心反応の減少を示
す。第４図は本発明を応用した光電変換装置の実
施例を示す。
る。第２図は本発明の理論を説明するためのエネ
ルギバンド図である。第３図は本発明で得られた
アモルフアス半導体の再結合中心反応の減少を示
す。第４図は本発明を応用した光電変換装置の実
施例を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アモルフアス（無定形）構造を有する珪素を
主成分とする半導体に電流を流すことにより不対
結合手または中和された結合手の密度を減少させ
ることを特徴とするアモルフアス半導体作製方
法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、アモルフア
ス半導体がＰ型、Ｉ型またはＮ型の導電型を有す
ることを特徴としたアモルフアス半導体作製方
法。 ３ 特許請求の範囲第１項において、電流がパル
ス電流であることを特徴とするアモルフアス半導
体作製方法。 ４ 特許請求の範囲第１項において、電流を流す
前に結晶化温度よりも低い温度に加熱することを
特徴とするアモルフアス半導体作製方法。 ５ 特許請求の範囲第３項において、パルス電流
は100秒以内の時間、室温〜600℃の温度にて加え
ることを特徴としたアモルフアス半導体作製方
法。 ６ 特許請求の範囲第１項において、電流を流す
ことと並行して光照射を行うことにより光アニー
ルまたは光励起によりキヤリアを発生をせしめる
ことを特徴とするアモルフアス半導体作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6259080A JPS56158419A (en) | 1980-05-12 | 1980-05-12 | Semiamorphous semiconductor and manufacture therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6259080A JPS56158419A (en) | 1980-05-12 | 1980-05-12 | Semiamorphous semiconductor and manufacture therefor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56158419A JPS56158419A (en) | 1981-12-07 |
| JPH0319694B2 true JPH0319694B2 (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=13204680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6259080A Granted JPS56158419A (en) | 1980-05-12 | 1980-05-12 | Semiamorphous semiconductor and manufacture therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56158419A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62119978A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質太陽電池素子 |
| JP2708864B2 (ja) * | 1989-03-22 | 1998-02-04 | 富士電機 株式会社 | 非晶質半導体の生成方法 |
-
1980
- 1980-05-12 JP JP6259080A patent/JPS56158419A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56158419A (en) | 1981-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3468670B2 (ja) | 太陽電池セルおよびその製造方法 | |
| US20100258164A1 (en) | Photovoltaic force device | |
| KR20100080601A (ko) | 헤테로접합을 포함하는 광기전 장치 | |
| JPH0338756B2 (ja) | ||
| KR20160064692A (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| JPH02201972A (ja) | 太陽電池 | |
| JPS6230714B2 (ja) | ||
| JPH0319694B2 (ja) | ||
| US20050073019A1 (en) | Silicon light-receiving device | |
| JPH0526354B2 (ja) | ||
| US4000505A (en) | Thin oxide MOS solar cells | |
| JPH05102504A (ja) | 光起電力素子 | |
| Mizrah et al. | Indium—Tin—Oxide—Silicon heterojunction photovoltaic devices | |
| JP2896793B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH0424878B2 (ja) | ||
| Maeda et al. | Infrared-Photovoltaic Responses of Ion-Beam Synthesized β-FeSi2/n-Si Heterojunctions | |
| JPH044757B2 (ja) | ||
| JPS6331950B2 (ja) | ||
| JP3150681B2 (ja) | 薄膜非晶質半導体装置 | |
| Dai | High efficiency N-type silicon solar cells | |
| JPH0554272B2 (ja) | ||
| TW201201383A (en) | Solar cell | |
| JPH04211130A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| Smith et al. | Reverse current‐voltage characteristics of indium tin oxide/silicon solar cells under illumination | |
| JP2735889B2 (ja) | 水素化アモルファスシリコン膜の形成方法及び光起電力装置の形成方法 |