JPH03197326A - 酸化物超伝導薄膜の製法 - Google Patents
酸化物超伝導薄膜の製法Info
- Publication number
- JPH03197326A JPH03197326A JP1332750A JP33275089A JPH03197326A JP H03197326 A JPH03197326 A JP H03197326A JP 1332750 A JP1332750 A JP 1332750A JP 33275089 A JP33275089 A JP 33275089A JP H03197326 A JPH03197326 A JP H03197326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- compound
- phase
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＢｉ−（Ｐｂ）−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系酸化
物超伝導薄膜の製法に係り、特に７２０℃以下のプロセ
スのみで、臨界温度８０に以上の高い臨界温度を有する
高品質な酸化物超伝導薄膜の製法に関する。
物超伝導薄膜の製法に係り、特に７２０℃以下のプロセ
スのみで、臨界温度８０に以上の高い臨界温度を有する
高品質な酸化物超伝導薄膜の製法に関する。
従来．Ｂｉ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系酸化物超伝導体の
製法については、ジャパニーズ・ジャーナル・アプライ
ド・フイジイクス２７ 、２ （１９８８年）第Ｌ２０
９頁からＢ２１０頁（Ｊｐｎ、Ｊ、ＡＰＰｌ−Ｐｙｈｓ
２７，２ （１９８８）ｐｐ、Ｂ２０９−Ｂ２１０）に
おいて初めて論じられているｍＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−０系の酸化物超伝導体には、２つの超伝導相が確認さ
れており、これらは８０にの超伝導臨界温度をもつＢ
ｉｔｓ ｒｚｃａｘｃｕｚＯｃ（低臨界温度相）と１１
０にの超伝導臨界温度をもつＢｉｔｓ ｒｚｃａｚｃｕ
ａｏｘ （高臨界温度相）である、工学的に重要なのは
より高い超伝導臨界温度をもつＢ ｉｚＳ ｒｚｃａｚ
ｃｕａＯｘ超伝導相である。しかしながら、これらの酸
化物超伝導体の作製法として常用されている同相反応法
では、出発組成としてＢｉｚＳ ｒｘｃａｚｃｕｓｏｘ
を使用しても、Ｂ ｉｚＳ ｒｚｃａｚｃｕａｏｘの高
臨界温度相は単一相として得ることが困難で、必ず前記
高臨界温度相とＢｉｚＳ ｒｚｃａｌｃｕｚｏｘなる低
臨界温度相の２つから成る混相化合物であった。フィジ
カル・レビュー Ｂ３８，１ （１９８８） ｐＰ’。
製法については、ジャパニーズ・ジャーナル・アプライ
ド・フイジイクス２７ 、２ （１９８８年）第Ｌ２０
９頁からＢ２１０頁（Ｊｐｎ、Ｊ、ＡＰＰｌ−Ｐｙｈｓ
２７，２ （１９８８）ｐｐ、Ｂ２０９−Ｂ２１０）に
おいて初めて論じられているｍＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−０系の酸化物超伝導体には、２つの超伝導相が確認さ
れており、これらは８０にの超伝導臨界温度をもつＢ
ｉｔｓ ｒｚｃａｘｃｕｚＯｃ（低臨界温度相）と１１
０にの超伝導臨界温度をもつＢｉｔｓ ｒｚｃａｚｃｕ
ａｏｘ （高臨界温度相）である、工学的に重要なのは
より高い超伝導臨界温度をもつＢ ｉｚＳ ｒｚｃａｚ
ｃｕａＯｘ超伝導相である。しかしながら、これらの酸
化物超伝導体の作製法として常用されている同相反応法
では、出発組成としてＢｉｚＳ ｒｘｃａｚｃｕｓｏｘ
を使用しても、Ｂ ｉｚＳ ｒｚｃａｚｃｕａｏｘの高
臨界温度相は単一相として得ることが困難で、必ず前記
高臨界温度相とＢｉｚＳ ｒｚｃａｌｃｕｚｏｘなる低
臨界温度相の２つから成る混相化合物であった。フィジ
カル・レビュー Ｂ３８，１ （１９８８） ｐＰ’。
８９３−８９６（Ｒｈｙｓ、Ｒｅｖ、Ｂ ３５． １（
１９８８）ｐｐ、８９３−８９６）によって、鉛元素Ｐ
ｂを出発組成のＢｉｔｓ ｒｚｃａｚｃｕａｏｘに添加
し、ビスマスを鉛で置換すると、前記高臨界温度相の成
長が促進されることが示唆された。そして、ジャパニー
ズ・ジャーナル・アプライド・フイジイクス２７．６（
１９８８）ｐｐＬ１０４１−Ｂｉ０４３゜（Ｊｐｎ、Ｊ
、Ａｐｐｌ、Ｐｙｈｓ ２７ 、６ （１９８８） ｐ
ｐＬ１０４１−Ｂｉ０４３．）において．Ｂｉ−Ｓｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０システムで高臨界温度相を単一相とし
て得るための最適な出発組成比、特に鉛の添加量につい
て、さらに最適な熱処理条件について詳細に報告された
。少なくともこのＢｉ−５ ｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０
システムに鉛を添加することによって、明らかに高臨界
温度相の生成は促進された。これらの論文において、鉛
の役割は、鉛がビスマスと置換することにより、高臨界
温度相を安定化させるものであると推定していた。
１９８８）ｐｐ、８９３−８９６）によって、鉛元素Ｐ
ｂを出発組成のＢｉｔｓ ｒｚｃａｚｃｕａｏｘに添加
し、ビスマスを鉛で置換すると、前記高臨界温度相の成
長が促進されることが示唆された。そして、ジャパニー
ズ・ジャーナル・アプライド・フイジイクス２７．６（
１９８８）ｐｐＬ１０４１−Ｂｉ０４３゜（Ｊｐｎ、Ｊ
、Ａｐｐｌ、Ｐｙｈｓ ２７ 、６ （１９８８） ｐ
ｐＬ１０４１−Ｂｉ０４３．）において．Ｂｉ−Ｓｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０システムで高臨界温度相を単一相とし
て得るための最適な出発組成比、特に鉛の添加量につい
て、さらに最適な熱処理条件について詳細に報告された
。少なくともこのＢｉ−５ ｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０
システムに鉛を添加することによって、明らかに高臨界
温度相の生成は促進された。これらの論文において、鉛
の役割は、鉛がビスマスと置換することにより、高臨界
温度相を安定化させるものであると推定していた。
以上のものは１通常の固相反応法によるバルク材料につ
いてであった。これらと同様に薄膜においても、ジャパ
ニーズ・ジャーナル・アプライド・フイジイクス２７，
１１ （１９８８年）ｐｐ。
いてであった。これらと同様に薄膜においても、ジャパ
ニーズ・ジャーナル・アプライド・フイジイクス２７，
１１ （１９８８年）ｐｐ。
Ｌ ２０９１− Ｌ ２０９３ 、 （Ｊｐｎ、Ｊ、
Ａｐｐｌ、Ｐｙｈｓ２７．１１（１９８８）ｐｐ、Ｂ２
０９１−Ｂ２０９３において、１３ｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０に鉛をドープすることにより結晶性が向上し、さ
らに、高臨界温度相の生成が促進され臨界温度が１００
Ｋを越すことが示された。
Ａｐｐｌ、Ｐｙｈｓ２７．１１（１９８８）ｐｐ、Ｂ２
０９１−Ｂ２０９３において、１３ｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０に鉛をドープすることにより結晶性が向上し、さ
らに、高臨界温度相の生成が促進され臨界温度が１００
Ｋを越すことが示された。
上記従来技術は、Ｂ ｉ −Ｐ ｂ −Ｓ ｒ −Ｃａ
−Ｃｕ−０超伝導薄膜の膜質の高品質化及び低温プロ
セス化の点については配慮がされておらず、確かに鉛元
素のドープにより、結晶性は向上し、さらに高臨界温度
相の生成も著しく促進され、はぼ高臨界温度相のみの単
一相のものさえできる。しかし、成膜後に空気中で約り
５０℃×１〜１０時間という高温アニール熱処理が必要
なため、高温熱処理中における鉛元素の膜中からの蒸発
などにより、鉛元素のドープ量のコントロールの難しさ
、高温熱処理による膜の表面荒れなどが生じるという問
題点があった。また、７００℃程度の成膜のみで超伝導
相を結晶化させようとしても、成膜中における鉛元素の
付着率の悪さなどにより、超伝導相の結晶化温度６００
℃以上では鉛元素を膜中にドープすることが難しいとい
う問題があった。
−Ｃｕ−０超伝導薄膜の膜質の高品質化及び低温プロ
セス化の点については配慮がされておらず、確かに鉛元
素のドープにより、結晶性は向上し、さらに高臨界温度
相の生成も著しく促進され、はぼ高臨界温度相のみの単
一相のものさえできる。しかし、成膜後に空気中で約り
５０℃×１〜１０時間という高温アニール熱処理が必要
なため、高温熱処理中における鉛元素の膜中からの蒸発
などにより、鉛元素のドープ量のコントロールの難しさ
、高温熱処理による膜の表面荒れなどが生じるという問
題点があった。また、７００℃程度の成膜のみで超伝導
相を結晶化させようとしても、成膜中における鉛元素の
付着率の悪さなどにより、超伝導相の結晶化温度６００
℃以上では鉛元素を膜中にドープすることが難しいとい
う問題があった。
本発明の目的は、 Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ −Ｃｕ−
０超伝導薄膜を７００℃以下の低温プロセスのみで、結
晶性にずれ、８０に以上の超伝導薄膜の高品質なものを
得ることにある。
０超伝導薄膜を７００℃以下の低温プロセスのみで、結
晶性にずれ、８０に以上の超伝導薄膜の高品質なものを
得ることにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、従来のように成膜プロセスとして単一の成
膜条件下における一つの成膜プロセスのみで、膜を形成
するのではなく、鉛（Ｐｂ）元素を含む化合物の薄膜を
形成する前プロセスと、これに続いてＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ
−Ｃｕ−０の超伝導相を結晶化させながら薄膜を形成す
る後プロセスの二つを含むようなプロセスで、酸化物超
伝導薄膜を形成することにより達成される。
膜条件下における一つの成膜プロセスのみで、膜を形成
するのではなく、鉛（Ｐｂ）元素を含む化合物の薄膜を
形成する前プロセスと、これに続いてＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ
−Ｃｕ−０の超伝導相を結晶化させながら薄膜を形成す
る後プロセスの二つを含むようなプロセスで、酸化物超
伝導薄膜を形成することにより達成される。
前プロセスとして基板上に形成されたＰｂを含む化合物
の薄膜の上に、これに続＜Ｂｉ−Ｓｒ −Ｃａ−Ｃｕ−
０薄膜を形成する後プロセスにおいて、鉛元素は前記基
板上に形成されたＰｂ化合物により、基板側のＰｂ化合
物により供給されるので、超伝導相の結晶化プロセスと
もなる後プロセスでの膜形成過程において、充分に所望
量の鉛元素がドープされることになる。このとき、前記
鉛元素の供給はＰｂの拡散あるいは蒸発などにより行わ
れて、膜厚が薄い場合にはＰｂのドープ量はほぼ均一に
なる。
の薄膜の上に、これに続＜Ｂｉ−Ｓｒ −Ｃａ−Ｃｕ−
０薄膜を形成する後プロセスにおいて、鉛元素は前記基
板上に形成されたＰｂ化合物により、基板側のＰｂ化合
物により供給されるので、超伝導相の結晶化プロセスと
もなる後プロセスでの膜形成過程において、充分に所望
量の鉛元素がドープされることになる。このとき、前記
鉛元素の供給はＰｂの拡散あるいは蒸発などにより行わ
れて、膜厚が薄い場合にはＰｂのドープ量はほぼ均一に
なる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
薄膜の形成方法としてはスパッタリング法を用いる。タ
ーゲットは次のプロセスで作製する。
ーゲットは次のプロセスで作製する。
Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ，５ｒＣＯａ、ＣａＣ０ａ及びＣｕ
Ｏを所望の組成比で混合し、約り００℃×１２時間空気
中で仮焼する。この仮焼粉末を所望の大きさのベレット
状にプレス成形し、これを約り００℃×１２時間で焼結
する。この焼結体をスパッタリングのターゲットとする
。これは、単一ターゲットによるスパッタリングの場合
であるが、複数の組成の違うターゲットを用いた複数タ
ーゲットのスパッタリングでもできる。スパッタリング
は直流あるいは高周波スパッタのどちらでもよい。
Ｏを所望の組成比で混合し、約り００℃×１２時間空気
中で仮焼する。この仮焼粉末を所望の大きさのベレット
状にプレス成形し、これを約り００℃×１２時間で焼結
する。この焼結体をスパッタリングのターゲットとする
。これは、単一ターゲットによるスパッタリングの場合
であるが、複数の組成の違うターゲットを用いた複数タ
ーゲットのスパッタリングでもできる。スパッタリング
は直流あるいは高周波スパッタのどちらでもよい。
例えば、ターゲットの組成比として、
Ｂｉ５Ｐｂｚｓｒｚｃａｚｃｕａ、ｓｏｘ のものを用
意する。基板として単結晶ＭｇＯの（１００）面を使用
する。先ず、第１プロセスとして純酸素０．３Ｔｏｒｒ
中で、基板温度５８０℃程度で、直流スパッタ電圧１８
０Ｖ、直流スパッタ電流５００ｍＡ程度で約５分間成膜
する。続いて第２プロセスとして基板温度を７００℃と
して約２０分間成膜し、第３プロセスとしてスパッタに
よる成膜後、室温まで急冷（クエンチ）する。こうして
、目的とする結晶化薄膜を製作する。前記、第１プロセ
スは。
意する。基板として単結晶ＭｇＯの（１００）面を使用
する。先ず、第１プロセスとして純酸素０．３Ｔｏｒｒ
中で、基板温度５８０℃程度で、直流スパッタ電圧１８
０Ｖ、直流スパッタ電流５００ｍＡ程度で約５分間成膜
する。続いて第２プロセスとして基板温度を７００℃と
して約２０分間成膜し、第３プロセスとしてスパッタに
よる成膜後、室温まで急冷（クエンチ）する。こうして
、目的とする結晶化薄膜を製作する。前記、第１プロセ
スは。
鉛を含む下地薄膜の低温成膜プロセスで、基板温度は２
００〜６００℃程度に選ぶ、こうして作製した薄膜の組
成比は、Ｘ線マイクロアナライザによる組成分析の結果
、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．９：１：２：２
：３．２でターゲットの組成比とほぼ等しく、また鉛も
充分に膜中に入っていることが分った。このような第１
プロセスに続いて実施する第２プロセスでは、基板温度
が約７００℃と高いため、結晶化成膜中には鉛はほとん
ど付着しないが、第１プロセスで成膜した膜から、拡散
あるいは蒸発により第２プロセスでの形成中の膜の中に
供給されるので、この第２プロセスの成膜時の膜中に鉛
がドープされることになる。
００〜６００℃程度に選ぶ、こうして作製した薄膜の組
成比は、Ｘ線マイクロアナライザによる組成分析の結果
、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．９：１：２：２
：３．２でターゲットの組成比とほぼ等しく、また鉛も
充分に膜中に入っていることが分った。このような第１
プロセスに続いて実施する第２プロセスでは、基板温度
が約７００℃と高いため、結晶化成膜中には鉛はほとん
ど付着しないが、第１プロセスで成膜した膜から、拡散
あるいは蒸発により第２プロセスでの形成中の膜の中に
供給されるので、この第２プロセスの成膜時の膜中に鉛
がドープされることになる。
こうして、第２プロセス中に結晶化超伝導相が成長する
。第２プロセスの成膜終了後、すぐに純酸素を２００〜
７６０ Ｔｏｒｒ、スパッタ雰囲気中に導入し、室温ま
で急冷（クエンチ）する、こうして、超伝導相の結晶は
安定に成膜することができる。
。第２プロセスの成膜終了後、すぐに純酸素を２００〜
７６０ Ｔｏｒｒ、スパッタ雰囲気中に導入し、室温ま
で急冷（クエンチ）する、こうして、超伝導相の結晶は
安定に成膜することができる。
このように作製した超伝導薄膜の超伝導特性は第２プロ
セスの基板温度に非常に敏感であり、そのわずかな差に
より、８０に超伝導相となったり、１１０に超伝導相に
なったりする。第２図に示すように、基板温度（Ｔｓ）
が７００℃では零抵抗温度は１００Ｋ以上が得られるが
Ｔｓが６６０℃では零抵抗温度は７５にであった。これ
に、第３図に示すＸ線回折像より前者に１１０に超伝導
相単相で、後者が８０に超伝導相単相であることが分か
る。また、Ｔｓ＝７００℃で形成した薄膜の組成比はＢ
ｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．７： ０．１５ ：
２ ：１．９ ： ２．８ であり、鉛を含み、かつ
ほぼ１１０に超伝導相の組成比に近いことも分った。一
方、Ｔｓ＝６６０℃で形成した薄膜の組成比はＢｉ：Ｐ
ｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝＝１．９： ０．２ ： ２
：１．５ ： ２．４ であり、はぼ８０に超伝導相の
組成比になっていることが分った。
セスの基板温度に非常に敏感であり、そのわずかな差に
より、８０に超伝導相となったり、１１０に超伝導相に
なったりする。第２図に示すように、基板温度（Ｔｓ）
が７００℃では零抵抗温度は１００Ｋ以上が得られるが
Ｔｓが６６０℃では零抵抗温度は７５にであった。これ
に、第３図に示すＸ線回折像より前者に１１０に超伝導
相単相で、後者が８０に超伝導相単相であることが分か
る。また、Ｔｓ＝７００℃で形成した薄膜の組成比はＢ
ｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．７： ０．１５ ：
２ ：１．９ ： ２．８ であり、鉛を含み、かつ
ほぼ１１０に超伝導相の組成比に近いことも分った。一
方、Ｔｓ＝６６０℃で形成した薄膜の組成比はＢｉ：Ｐ
ｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝＝１．９： ０．２ ： ２
：１．５ ： ２．４ であり、はぼ８０に超伝導相の
組成比になっていることが分った。
以上の実施例における成膜パラメータ（基板温度、スパ
ッタ雰囲気、スパッタ電圧、スパッタ電流、成膜速度、
ターゲット組成比等）により、形成された薄膜の超伝導
特性は大きく変わることは言うまでもない、ただ、本製
作プロセスにより。
ッタ雰囲気、スパッタ電圧、スパッタ電流、成膜速度、
ターゲット組成比等）により、形成された薄膜の超伝導
特性は大きく変わることは言うまでもない、ただ、本製
作プロセスにより。
このプロセス中に６２０℃以上の基板温度を有するプロ
セスがあっても、膜中に鉛をドープできるという特徴が
ある。
セスがあっても、膜中に鉛をドープできるという特徴が
ある。
本発明によれば、結晶化温度６００〜７２０℃の基板温
度においても、膜中に鉛をドープすることができ、零抵
抗温度１００Ｋを越える超伝導薄膜を得ることができる
効果がある。
度においても、膜中に鉛をドープすることができ、零抵
抗温度１００Ｋを越える超伝導薄膜を得ることができる
効果がある。
Claims (4)
- １．Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超伝
導薄膜の製法において、基板上にＰｂを含む化合物の薄
膜を形成する前過程と、前記Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−Ｏの超伝導相を結晶化しながら成膜する後過程の
２つの成膜過程を含むプロセスから成ることを特徴とす
る酸化物超伝導薄膜の製法。 - ２．前記Ｐｂを含む化合物としてＰｂＯ，Ｐｂ＿２Ｏ＿
３などの鉛酸化物のどれか、あるいはその複数の混相化
合物を用いることを特徴とする請求項１記載の酸化物超
伝導薄膜の製法。 - ３．前記Ｐｂを含む化合物としてＢｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−Ｏ化合物を選びその膜形成を６２０℃以下の
プロセスで行い、この前過程の成膜過程に続いて同じ化
合物あるいは、Ｐｂを含まないＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−Ｏ化合物を、６００℃〜７２０℃の高温度で成膜し，
結晶化させる後過程から成ることを特徴とする請求項１
記載の酸化物超伝導薄膜の製法。 - ４．薄膜の形成法として、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−Ｏ化合物ターゲットを用いたスパッタリング法を適
用し、前ステップ成膜過程時の基板温度を６００℃以下
の低温度に設定し、後ステップ成膜過程時の基板温度を
６００℃〜７２０℃の高温度に設定し、超伝導相を結晶
化させることを特徴とする請求項１記載の酸化物超伝導
薄膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1332750A JPH03197326A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 酸化物超伝導薄膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1332750A JPH03197326A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 酸化物超伝導薄膜の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03197326A true JPH03197326A (ja) | 1991-08-28 |
Family
ID=18258438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1332750A Pending JPH03197326A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 酸化物超伝導薄膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03197326A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04139008A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-13 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 酸化物超電導体の製造方法 |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP1332750A patent/JPH03197326A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04139008A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-13 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 酸化物超電導体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5196398A (en) | Process for producing thallium type superconducting thin film | |
| JPH03197326A (ja) | 酸化物超伝導薄膜の製法 | |
| EP0344406B1 (en) | Tl-based copper oxide superconductor | |
| US5354921A (en) | Single crystalline fibrous superconductive composition and process for preparing the same | |
| US5240904A (en) | Process for preparing a-axis oriented superconducting oxide thin films | |
| JPH02175613A (ja) | 酸化物超伝導薄膜の作製方法 | |
| JP4011130B2 (ja) | 酸化物超電導線材の製造方法 | |
| JP3181642B2 (ja) | 酸化物超電導線材の製造方法 | |
| EP0389086B1 (en) | Single crystalline fibrous superconductive composition and process for preparing the same | |
| JP2741277B2 (ja) | 薄膜超電導体およびその製造方法 | |
| JPH02252618A (ja) | Ｂｉ系超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH05170448A (ja) | セラミックス薄膜の製造方法 | |
| JPH01105416A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
| EP0559198A2 (en) | Method of preparing oxide superconducting thin film | |
| JPH03275504A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜およびその製造方法 | |
| JP2765138B2 (ja) | 高品質酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| JPS63236794A (ja) | 酸化物超伝導薄膜の作製方法 | |
| JPH0483714A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
| JPH02167827A (ja) | 薄膜超電導体 | |
| JPH03205308A (ja) | 酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH0517147A (ja) | 鉛を含む複合酸化物薄膜の製造方法 | |
| JPH02148618A (ja) | 酸化物超電導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0246611A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
| JPS63276824A (ja) | 高温超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH07106904B2 (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 |