JPH03200370A - 画像読取装置 - Google Patents
画像読取装置Info
- Publication number
- JPH03200370A JPH03200370A JP1342026A JP34202689A JPH03200370A JP H03200370 A JPH03200370 A JP H03200370A JP 1342026 A JP1342026 A JP 1342026A JP 34202689 A JP34202689 A JP 34202689A JP H03200370 A JPH03200370 A JP H03200370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoconductor
- image reading
- silicon powder
- reading device
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリなどの画像を読み取るための画
像読取装置に関する。
像読取装置に関する。
従来の技術
近年、ツブクシミリなどの画像読取装置の開発が活発化
しており、この装置には原稿からの反射光を集束性ロッ
ドレンズアレイを通して検知する形式の密着型、さらに
装置の薄型化を目指し、集束性ロッドレンズアレイを使
わずに優れた光量伝達率を達成する形式の完全密着型が
検討されている。しかし、この完全密着型は物理的な接
触による受光素子の破壊および集束性ロッドレンズアレ
イを用いていないため焦点深度が浅いなどといった問題
を数多く有している。
しており、この装置には原稿からの反射光を集束性ロッ
ドレンズアレイを通して検知する形式の密着型、さらに
装置の薄型化を目指し、集束性ロッドレンズアレイを使
わずに優れた光量伝達率を達成する形式の完全密着型が
検討されている。しかし、この完全密着型は物理的な接
触による受光素子の破壊および集束性ロッドレンズアレ
イを用いていないため焦点深度が浅いなどといった問題
を数多く有している。
以下に、第３図にもとづき従来の密着型画像読取装置に
ついて説明する。
ついて説明する。
図に示すように密着型画像読取装置は、画像情報の光電
変換を行う受光素子７へ集束性ロッドレンズアレイ８を
通して原稿９に対して４６°の位置に配置された発光源
１ｏからの光の反射光が画像情報として入力されるよう
になっている。
変換を行う受光素子７へ集束性ロッドレンズアレイ８を
通して原稿９に対して４６°の位置に配置された発光源
１ｏからの光の反射光が画像情報として入力されるよう
になっている。
以上のように構成されい密着型画像読取装置の関連動作
について以下に説明する。
について以下に説明する。
原稿９がａの方向に移動すると同時に発光源１゜から原
稿９に対し４６°の角度で光が原稿９に入射し、その原
稿面での反射光のうち散乱光、この中でも集束性ロッド
レンズアレイ８の開口角内に散乱する光だけが集束性ロ
ッドレンズアレイ８を通過し、集束性ロッドレンズアレ
イ８によって原稿９の画像情報は受光素子７上で正立等
倍像を結び、受光素子７により光電変換がおこなわれて
電気信号となシ、リード線を通して信号処理回路へ送ら
れる。従来、この画像読取装置に使用されている光導電
体としては、ＣｄＳ 、アモルファスシリコンおよび
Ｓ ｅ −Ａ ｓ −Ｔ ｅなどがあげられる。
稿９に対し４６°の角度で光が原稿９に入射し、その原
稿面での反射光のうち散乱光、この中でも集束性ロッド
レンズアレイ８の開口角内に散乱する光だけが集束性ロ
ッドレンズアレイ８を通過し、集束性ロッドレンズアレ
イ８によって原稿９の画像情報は受光素子７上で正立等
倍像を結び、受光素子７により光電変換がおこなわれて
電気信号となシ、リード線を通して信号処理回路へ送ら
れる。従来、この画像読取装置に使用されている光導電
体としては、ＣｄＳ 、アモルファスシリコンおよび
Ｓ ｅ −Ａ ｓ −Ｔ ｅなどがあげられる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記材料にはそれぞれに問題を含んでい
る。たとえば、Ｓｅ系およびＣｄＳ 系においては、
本質的に人体に対して有害な材料であり、製造上の完全
対策および市販後の廃棄に関しては回収が必要である。
る。たとえば、Ｓｅ系およびＣｄＳ 系においては、
本質的に人体に対して有害な材料であり、製造上の完全
対策および市販後の廃棄に関しては回収が必要である。
さらにＳｅ系では結晶化温度が６６° と低いため結晶
化する可能性が高く、残像などの問題が起こりやすい。
化する可能性が高く、残像などの問題が起こりやすい。
またアモルファスシリコンは、光吸収係数が高く薄膜化
が可能で、さらに大面積に適しているため期待される材
料であるが、現状では膜の形成速度が遅く、また歩留り
も悪い。
が可能で、さらに大面積に適しているため期待される材
料であるが、現状では膜の形成速度が遅く、また歩留り
も悪い。
本発明は上記課題に留意し、無公害で製造しやすい特性
の優れた画像読取装置を提供しようとするものである。
の優れた画像読取装置を提供しようとするものである。
課題を解決するだめの手段
本発明は上記問題点を解決するために、無公害でキャリ
ア移動度が大きく、簡便な膜形成が可能な単結晶シリコ
ン粉末を分散させた樹脂膜により光導電体を形成し、光
電変換された情報を出力するための端子を構成した画像
読取装置である。
ア移動度が大きく、簡便な膜形成が可能な単結晶シリコ
ン粉末を分散させた樹脂膜により光導電体を形成し、光
電変換された情報を出力するための端子を構成した画像
読取装置である。
作 用
上記構成の本発明の画像読取装置は、光導電体材料に、
容易に入手できる単結晶シリコン粉末を用い、適合した
バインダーを用いて、基板上に塗布することにより、高
感度で応答速度の優れた光導電体が形成できるので、こ
れに電気信号を取り出す端子を構成することにより、画
像読取装置として機能するものである。
容易に入手できる単結晶シリコン粉末を用い、適合した
バインダーを用いて、基板上に塗布することにより、高
感度で応答速度の優れた光導電体が形成できるので、こ
れに電気信号を取り出す端子を構成することにより、画
像読取装置として機能するものである。
実施例
以下に本発明の実施例を図面によシ詳述する。
単結晶シリコン粉末は、フォトダイオードなどの受光素
子の製造時に形状不良などの物理的な要因で不良となっ
た単結晶シリコンチップを集めて、ミルなどによシ粉砕
した後、分級（１〜３μｍ）して得たものである。この
単結晶シリコン粉末２重量部と結着剤としてのフッ素樹
脂２重量部をフレオン６０重量部に均一に分散した。つ
いでこの混合物をゆっ〈シ撹拌しながらフレオンを加え
、固形分濃度２重量パーセントの光導電体層形成液を調
整した。この液を第１図に示すガラス板上にブレーナ型
アルミ電極パターン３１４を有ｆる基板上にディッピン
グにより塗布し、３６０℃の恒温層中で１時間乾燥した
。このようにして得られた光導電体のＳＮ比（明電流／
暗電流）および光応答速度（立ち上がり時間、立ち下が
シ時間）を、第３図の画像読取装置の構成で発光源１０
に波長５７０ ｎｍ 、 １０００ ｌｕｘのＬＥＤを
用いて測定した結果、ＳＮ比２０ｏ光応答速度３ｍｓ
と優れた特性を示した。なお、光電変換が行える部分
として光電変換部１があシ、光電変換ができない光遮断
部２にわかれておシ、電極パターン３は個別電極、電極
パターン４は共通電極である。
子の製造時に形状不良などの物理的な要因で不良となっ
た単結晶シリコンチップを集めて、ミルなどによシ粉砕
した後、分級（１〜３μｍ）して得たものである。この
単結晶シリコン粉末２重量部と結着剤としてのフッ素樹
脂２重量部をフレオン６０重量部に均一に分散した。つ
いでこの混合物をゆっ〈シ撹拌しながらフレオンを加え
、固形分濃度２重量パーセントの光導電体層形成液を調
整した。この液を第１図に示すガラス板上にブレーナ型
アルミ電極パターン３１４を有ｆる基板上にディッピン
グにより塗布し、３６０℃の恒温層中で１時間乾燥した
。このようにして得られた光導電体のＳＮ比（明電流／
暗電流）および光応答速度（立ち上がり時間、立ち下が
シ時間）を、第３図の画像読取装置の構成で発光源１０
に波長５７０ ｎｍ 、 １０００ ｌｕｘのＬＥＤを
用いて測定した結果、ＳＮ比２０ｏ光応答速度３ｍｓ
と優れた特性を示した。なお、光電変換が行える部分
として光電変換部１があシ、光電変換ができない光遮断
部２にわかれておシ、電極パターン３は個別電極、電極
パターン４は共通電極である。
さらに本発明の他の実施例について図面によυ詳述する
。
。
前述の実施例と同様な方法で調整した光導電体層形成液
を、第２図に示すガラス板上にディッピングにより乾燥
後の膜厚が１μｍになるように塗布し、３５０℃の恒温
層中で１時間乾燥した。さらに、この上部にインジュウ
ム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明電極６を形成し、さら
に個別電極６を形成し、サンドウィッチ型の光導電体１
を形成した。このようにして得られた光導電体のＳＮ比
（明電流／暗電流）および光応答速度（立ち上がり時間
、立ち下がり時間）を、第３図の画像読取装置の構成で
発光源１０に波長５７０ ｎｍ 、 １０００１ｕｘの
ＬＥＤを用いて測定した結果、ＳＮ比１００光応答速度
１ｍｓ と優れた特性を示した。なお、光電変換が行
える部分は光電変換部１となっている。
を、第２図に示すガラス板上にディッピングにより乾燥
後の膜厚が１μｍになるように塗布し、３５０℃の恒温
層中で１時間乾燥した。さらに、この上部にインジュウ
ム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明電極６を形成し、さら
に個別電極６を形成し、サンドウィッチ型の光導電体１
を形成した。このようにして得られた光導電体のＳＮ比
（明電流／暗電流）および光応答速度（立ち上がり時間
、立ち下がり時間）を、第３図の画像読取装置の構成で
発光源１０に波長５７０ ｎｍ 、 １０００１ｕｘの
ＬＥＤを用いて測定した結果、ＳＮ比１００光応答速度
１ｍｓ と優れた特性を示した。なお、光電変換が行
える部分は光電変換部１となっている。
発明の効果
以上の実施例の説明よシ明らかなように本発明は、光導
電体に単結晶シリコン粉末を分散させた樹脂膜を用いる
ことによシ、無公害で特性に優れた画像読取装置を安価
に提供できるものである。
電体に単結晶シリコン粉末を分散させた樹脂膜を用いる
ことによシ、無公害で特性に優れた画像読取装置を安価
に提供できるものである。
第１図は本発明の一実施例における光導電体の平面図、
第２図は本発明の他の実施例における光導電体の平面図
、第３図は従来の密着型画像読取装置の側面図である。 １・・・・・・光電変換部、２・・・・・・光遮断部、
３．６・・・・・・個別電極、４，６・・・・・・共通
電極。
第２図は本発明の他の実施例における光導電体の平面図
、第３図は従来の密着型画像読取装置の側面図である。 １・・・・・・光電変換部、２・・・・・・光遮断部、
３．６・・・・・・個別電極、４，６・・・・・・共通
電極。
Claims (2)
- （１）絶縁基体上に個別電極、共通電極および光導電体
から成る受光素子を形成し、この光導電体が単結晶シリ
コンの粉末から成る画像読取装置。 - （２）光導電体が単結晶シリコン粉末を分散させた樹脂
膜により形成された請求項１記載の画像読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342026A JPH03200370A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342026A JPH03200370A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 画像読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03200370A true JPH03200370A (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=18350607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1342026A Pending JPH03200370A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03200370A (ja) |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP1342026A patent/JPH03200370A/ja active Pending
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