JPH0320042A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0320042A JPH0320042A JP15543089A JP15543089A JPH0320042A JP H0320042 A JPH0320042 A JP H0320042A JP 15543089 A JP15543089 A JP 15543089A JP 15543089 A JP15543089 A JP 15543089A JP H0320042 A JPH0320042 A JP H0320042A
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- JP
- Japan
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- impurity elements
- deposited
- wire bonding
- impurity
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- Pending
Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置に関するものである。
従来の技術
従来の技術の一例を第２図に示す。
第２図（ａ）はＡｌ膜１形成時の断面図であシ、第２図
（ロ）は、半導体装置製造終了後の断面図を示したもの
である。
（ロ）は、半導体装置製造終了後の断面図を示したもの
である。
従来は、＄１４やＣｕ ５等の不純物元素を含むＡｊ７
１をスバッタ蒸着した、一層のみで形威されたＡｌ膜
１を使用していたため、蒸着後の熱処理工程等により、
Ａｌ膜１表面側でＳｉ ４濃度が高くなっていた。
１をスバッタ蒸着した、一層のみで形威されたＡｌ膜
１を使用していたため、蒸着後の熱処理工程等により、
Ａｌ膜１表面側でＳｉ ４濃度が高くなっていた。
発明が解決しようとする課題
従来のようなＡＩ膜の場合、Ａｌ膜形成後の製造工程に
おける熱処理等によってＡｌ膜中の不純物元素が表面側
に移動するため、ワイヤーボンド時に、ワイヤーとＡｌ
との接着性が悪〈なシ、ワイヤーボンドはずれ不良が発
生しやすいという問題があった。
おける熱処理等によってＡｌ膜中の不純物元素が表面側
に移動するため、ワイヤーボンド時に、ワイヤーとＡｌ
との接着性が悪〈なシ、ワイヤーボンドはずれ不良が発
生しやすいという問題があった。
課題を解決するための手段
本発明は、上記の問題を解決するため、Ｃｕや８１等の
不純物元素を含んだＡｌ 膜の上に、これらの不純物を
含まないＡｌ膜を形成させるようにしたものである。
不純物元素を含んだＡｌ 膜の上に、これらの不純物を
含まないＡｌ膜を形成させるようにしたものである。
作 用
本発明の構造をもつＡｌ膜にする事により、Ａｌ蒸着後
に熱処理等を経ても、Ａｌ膜表面側の不純物元素濃度が
低い半導体装置を製造する事ができる。
に熱処理等を経ても、Ａｌ膜表面側の不純物元素濃度が
低い半導体装置を製造する事ができる。
実施例
本発明のＡｌ膜１の構造の一例を第１図に示す。
第１図（−）は、Ａｌ膜１蒸着時の断面図、第１図（ｂ
）は、蒸着後の熱処理工程等を経た半導体製造工程終了
後の断面図である。以下に本発明のＡｌ膜１を形戒する
方法の一例を記す。
）は、蒸着後の熱処理工程等を経た半導体製造工程終了
後の断面図である。以下に本発明のＡｌ膜１を形戒する
方法の一例を記す。
製造工程途中にかいて、８１基板２上に層間絶縁膜３が
形戊されている。その上に、まず、Ｓｉ４やＣｕ ５等
の不純物元素を含んだＡｌ膜１をスパッタ蒸着する。そ
して、エッチングによＦ）ＡＩ膜１をパターンシングし
た後、４５０℃３０分の熱処理を行ない、Ｓｉ基板２等
とＡｌ膜とのコンタクトをとる。次に、Ｓｉ ４やＣｕ
５等の不純物元素を含まないＡｌ膜１をスバッタ蒸着し
、同様に、エッチングと熱処理を行なう。この時は、２
層のＡｌ膜がコンタクトすればよいので、できるだけ低
いｄ度での熱処理がよく、本実施例では３６０ｔＥ３０
分で行なった。
形戊されている。その上に、まず、Ｓｉ４やＣｕ ５等
の不純物元素を含んだＡｌ膜１をスパッタ蒸着する。そ
して、エッチングによＦ）ＡＩ膜１をパターンシングし
た後、４５０℃３０分の熱処理を行ない、Ｓｉ基板２等
とＡｌ膜とのコンタクトをとる。次に、Ｓｉ ４やＣｕ
５等の不純物元素を含まないＡｌ膜１をスバッタ蒸着し
、同様に、エッチングと熱処理を行なう。この時は、２
層のＡｌ膜がコンタクトすればよいので、できるだけ低
いｄ度での熱処理がよく、本実施例では３６０ｔＥ３０
分で行なった。
このようにして形成したＡｌ膜１中の不純物元素の分布
は、半導体製造工程中の熱処理等でＡｌ膜１表面側に移
動するが、その量は従来の技術、つまシ、Ｓｉ ４やＣ
ｕ ５等の不純物元素を含むＡｌ膜１一層の場合に比べ
、非常に少ない。
は、半導体製造工程中の熱処理等でＡｌ膜１表面側に移
動するが、その量は従来の技術、つまシ、Ｓｉ ４やＣ
ｕ ５等の不純物元素を含むＡｌ膜１一層の場合に比べ
、非常に少ない。
なお、本実施例に示した方法は一例であシ、熱処理の時
間や温度、又、どの段階で実施するか等については、半
導体装置ごとに選択すればよい。
間や温度、又、どの段階で実施するか等については、半
導体装置ごとに選択すればよい。
発明の効果
本発明のように、ｓｉやＣｕ等の不純物等を含むＡｌ膜
上に、これらの不純物を含１ないＡｌ膜を形成する事に
より、Ａｌ膜表面側に、これらの不純物が、集中分布す
るのを防ぐ事ができ、ワイヤーボンド時に、ワイヤーと
パッドのＡｌとの接着性がよくなる。
上に、これらの不純物を含１ないＡｌ膜を形成する事に
より、Ａｌ膜表面側に、これらの不純物が、集中分布す
るのを防ぐ事ができ、ワイヤーボンド時に、ワイヤーと
パッドのＡｌとの接着性がよくなる。
第１図に本発明に釦けるＡｌ膜構造の一例を示した断面
図、第２図は従来の構造の一例を示した断面図である。
図、第２図は従来の構造の一例を示した断面図である。
Claims (1)
- 配線材料として用いられているＡｌのうち、ＳｉやＣｕ
等の不純物元素を含むＡｌ膜において、これらの不純物
元素を含むＡｌ膜の上に、不純物元素を含まないＡｌ膜
を形成する事により、Ａｌパッド部表面側のＳｉの濃度
が低くなるようにした半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15543089A JPH0320042A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15543089A JPH0320042A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320042A true JPH0320042A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15605847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15543089A Pending JPH0320042A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320042A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100649029B1 (ko) * | 2005-04-27 | 2006-11-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15543089A patent/JPH0320042A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100649029B1 (ko) * | 2005-04-27 | 2006-11-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
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