JPH0320049A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0320049A JPH0320049A JP15538389A JP15538389A JPH0320049A JP H0320049 A JPH0320049 A JP H0320049A JP 15538389 A JP15538389 A JP 15538389A JP 15538389 A JP15538389 A JP 15538389A JP H0320049 A JPH0320049 A JP H0320049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- semiconductor device
- active layer
- schottky
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 241000948258 Gila Species 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体を用いた高周波帯域のバンドパスフィル
タ特性を有する半導体装置に関するものである。
タ特性を有する半導体装置に関するものである。
従来の技術
マイクロ波帯のバンドパスフィノレタハ、−４’的にイ
ンダクタンスＬとキャパシタンスＣの組ミ合わせで構成
されている。例えば、ＧａＡｓ基板１上に２０Ｆ−ｌＺ
帯のバンドパスフィｐタを構成する場合、第３図に示す
ように・スパイ：）／Ｌ／状の（コイル）Ｌと金属一絶
縁物一金属（ＭＩＭ）構造の（コンデンサ）Ｃを用いる
ことになる。
ンダクタンスＬとキャパシタンスＣの組ミ合わせで構成
されている。例えば、ＧａＡｓ基板１上に２０Ｆ−ｌＺ
帯のバンドパスフィｐタを構成する場合、第３図に示す
ように・スパイ：）／Ｌ／状の（コイル）Ｌと金属一絶
縁物一金属（ＭＩＭ）構造の（コンデンサ）Ｃを用いる
ことになる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、これらのＬ，Ｃで構成するバンドパスフ
ィルタは、共にＧＩＬＡ！！基板上で大きな面積を必要
とする。１た、スパイラル状のＬは、インダクタンス値
に対する直列抵抗を下げることが難しく、高い値を得る
ことが困難であった。
ィルタは、共にＧＩＬＡ！！基板上で大きな面積を必要
とする。１た、スパイラル状のＬは、インダクタンス値
に対する直列抵抗を下げることが難しく、高い値を得る
ことが困難であった。
課題を解決するための手段
以上の問題点を解決するために、本発明の半導体装置で
は半導体基板上に選択的に活性層領域を設け、その活性
層領域の両端にオーミック電極▲，Ｂを形威し、これら
両電極間に２つ以上のショットキー電極Ｇを等間隔に配
列し、これら複数個の？ッットキー電極を接続して１つ
の電極Ｄとして構成する。
は半導体基板上に選択的に活性層領域を設け、その活性
層領域の両端にオーミック電極▲，Ｂを形威し、これら
両電極間に２つ以上のショットキー電極Ｇを等間隔に配
列し、これら複数個の？ッットキー電極を接続して１つ
の電極Ｄとして構成する。
作用
上記のようにして構成された半導体装置の電極▲を接地
し、電極Ｄを入力端子とし、電極Ｂを出力端子として用
いることにより、電極Ｃの間隔および電極Ｂに印加され
た直流電圧に応じた周波数の信号のみを通すバンドバス
フィノレタを実現することを可能とすることとなる。
し、電極Ｄを入力端子とし、電極Ｂを出力端子として用
いることにより、電極Ｃの間隔および電極Ｂに印加され
た直流電圧に応じた周波数の信号のみを通すバンドバス
フィノレタを実現することを可能とすることとなる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例のバンドパスフィルタの構成
を示すものである。第１図において、１は半絶縁性半導
体基板、２はイオン注入された活性層領域、３，４はオ
ー■ツク電極、６は等間隔に配列したショットキー電極
、６ぱ複数個のショットキー電極を接続した入力端子電
極である。
を示すものである。第１図において、１は半絶縁性半導
体基板、２はイオン注入された活性層領域、３，４はオ
ー■ツク電極、６は等間隔に配列したショットキー電極
、６ぱ複数個のショットキー電極を接続した入力端子電
極である。
以上のように構成された半導体装置について、以下にそ
の動作を説明する。１ず、電極端子▲（一方のオーミソ
ク電極３筐たは４）を接地し、電極端子Ｂ（他方のオー
ミノク電極）に直流電圧０，５ Ｖを印加する。本実施
例では、Ａ、Ｂ両電極間隔を６０μ重に、１た、電極Ｃ
（ショットキー電極６）の本数を８本、電極Ｃの長さを
１μｍ，電極Ｃ間の間隔を４μｍとした。この場合、半
導体ｎ型活性層にかかる電界Ｅは１０２ｖ／Ｃ！Ｒとな
る。
の動作を説明する。１ず、電極端子▲（一方のオーミソ
ク電極３筐たは４）を接地し、電極端子Ｂ（他方のオー
ミノク電極）に直流電圧０，５ Ｖを印加する。本実施
例では、Ａ、Ｂ両電極間隔を６０μ重に、１た、電極Ｃ
（ショットキー電極６）の本数を８本、電極Ｃの長さを
１μｍ，電極Ｃ間の間隔を４μｍとした。この場合、半
導体ｎ型活性層にかかる電界Ｅは１０２ｖ／Ｃ！Ｒとな
る。
この時活性層を走行する電子の速度は、約１×１０６Ｃ
！ｌ１／！ｌＩＯＣとなる。従って、１つの電極Ｃ１
から隣りの電極Ｃｚｔで電子が走行するのに、５Ｘ１０
−１０秒かかる。この時間は、２Ｇｌ−１，，の信号の
１波長に要する時間と一致する。従って、例えば入力端
子Ｄ（６）に１．５Ｇ此から２．５ Ｇｌ−ＩＺの信号
を入力すると、各電極Ｃで電子の走行速度と位相の合っ
た２ Ｇ Ｈｚの信号のみが、出力側に伝達され、それ
以外の周波数或分は、各電極Ｃで互いに打ち消し合い出
力側に出てこなくなる。このようにして構戊された半導
体装置の信号伝達特性を第２図に示す。
！ｌ１／！ｌＩＯＣとなる。従って、１つの電極Ｃ１
から隣りの電極Ｃｚｔで電子が走行するのに、５Ｘ１０
−１０秒かかる。この時間は、２Ｇｌ−１，，の信号の
１波長に要する時間と一致する。従って、例えば入力端
子Ｄ（６）に１．５Ｇ此から２．５ Ｇｌ−ＩＺの信号
を入力すると、各電極Ｃで電子の走行速度と位相の合っ
た２ Ｇ Ｈｚの信号のみが、出力側に伝達され、それ
以外の周波数或分は、各電極Ｃで互いに打ち消し合い出
力側に出てこなくなる。このようにして構戊された半導
体装置の信号伝達特性を第２図に示す。
以上のように、本実施例にふ・いては、小型で選択性の
良いマイクロ波帯のバンドパスフィノレタの作製を可能
ならしめる。
良いマイクロ波帯のバンドパスフィノレタの作製を可能
ならしめる。
なお、本実施例では、電極Ｃをシヲットキー接合電極で
構成した場合で示したが、ｐ −ｎ接合、あるいは、Ｍ
ＩＳ接合で構戊してもよい。
構成した場合で示したが、ｐ −ｎ接合、あるいは、Ｍ
ＩＳ接合で構戊してもよい。
発明の効果
以上のように本発明は、半導体基板上に選択的に活性層
領域を設け、その活性層領域の両端にオーミック電極Ａ
，Ｂを形或し、これら両電極間に２つ以上のンヨットキ
ー電極Ｃを等間隔に配列し、これら複数個のショットキ
ー電極を接続して１つの電極Ｄとして構成することによ
り、マイクロ波帯の小型のバンドパスフィノレタ特性を
有する半導体装置を提供することができ、その実用的効
果は大なるものがある。
領域を設け、その活性層領域の両端にオーミック電極Ａ
，Ｂを形或し、これら両電極間に２つ以上のンヨットキ
ー電極Ｃを等間隔に配列し、これら複数個のショットキ
ー電極を接続して１つの電極Ｄとして構成することによ
り、マイクロ波帯の小型のバンドパスフィノレタ特性を
有する半導体装置を提供することができ、その実用的効
果は大なるものがある。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の千而構
成図、第２図は本発明の実施例に釦ける半導体装置のバ
ンドパスフィルタ特性図、第３図は従来のＬ，Ｃを用い
てＧａＡｇ基板上に構吠したバンドパスフィｐタのパタ
ーン図である。 １・・・・・・半絶縁性ＧＩＬＡｓ基板、２・・・・・
・活性領域、３，４・・・・・・オーミック電極Ａ，Ｂ
，５・・・・・・ショットキー電極Ｃ、６・・・・・入
力端子、７・・・・・・ＭＩＭコンデンサ、８・・・・
・・スパイラルコイノレ。
成図、第２図は本発明の実施例に釦ける半導体装置のバ
ンドパスフィルタ特性図、第３図は従来のＬ，Ｃを用い
てＧａＡｇ基板上に構吠したバンドパスフィｐタのパタ
ーン図である。 １・・・・・・半絶縁性ＧＩＬＡｓ基板、２・・・・・
・活性領域、３，４・・・・・・オーミック電極Ａ，Ｂ
，５・・・・・・ショットキー電極Ｃ、６・・・・・入
力端子、７・・・・・・ＭＩＭコンデンサ、８・・・・
・・スパイラルコイノレ。
Claims (3)
- （１）半導体基板上に選択的に活性層領域を設け、その
活性層領域の両端にオーミック電極Ａ、Ｂを形成し、こ
れら両電極間に２つ以上のショットキー電極Ｃを等間隔
に配列し、これら複数個のショットキー電極を接続して
１つの電極を構成したことを特徴とする半導体装置。 - （２）電極Ｃをｐ−ｎ接合で構成したことを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。 - （３）電極Ｃを金属−絶縁膜−半導体（ＭＩＳ）接合で
構成したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155383A JP2702781B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155383A JP2702781B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320049A true JPH0320049A (ja) | 1991-01-29 |
| JP2702781B2 JP2702781B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=15604749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1155383A Expired - Lifetime JP2702781B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2702781B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57136371A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-23 | Matsushita Electronics Corp | Insulated gate field effect transistor |
| JPS6346779A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH01161774A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP1155383A patent/JP2702781B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57136371A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-23 | Matsushita Electronics Corp | Insulated gate field effect transistor |
| JPS6346779A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH01161774A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2702781B2 (ja) | 1998-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2505135B2 (ja) | Ｌｃフィルタ | |
| US5357227A (en) | Laminated high-frequency low-pass filter | |
| US5194836A (en) | Thin film, microwave frequency manifolded filter bank | |
| JPH0481891B2 (ja) | ||
| US4013982A (en) | Piezoelectric crystal unit | |
| KR940006976Y1 (ko) | 사다리형 세라믹 필터 | |
| US4893098A (en) | 90 Degree broadband MMIC hybrid | |
| US5278529A (en) | Broadband microstrip filter apparatus having inteleaved resonator sections | |
| JPH0542173B2 (ja) | ||
| JPH0153521B2 (ja) | ||
| EP0595623A1 (en) | Dielectric filter | |
| JP2702781B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2718984B2 (ja) | 共振器及びその共振器を用いたフィルタ | |
| DE2356726A1 (de) | Frequenzkonstanter sinuswellenoszillator | |
| JPH066105A (ja) | バンドパスフィルタ | |
| JPH0734521B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH071842B2 (ja) | リング型マイクロストリツプ線路共振回路 | |
| JPS6251803A (ja) | マイクロ波フイルタ | |
| JPS62110301A (ja) | 同調形帯域通過フイルタ | |
| DE3750940T2 (de) | Wandler. | |
| JPS62179201A (ja) | ストリツプ線路共振器 | |
| US4207535A (en) | Two-pole, fixed-tuned monolithic crystal frequency discriminator | |
| JPH0478202B2 (ja) | ||
| JPH0135523B2 (ja) | ||
| JPS607525Y2 (ja) | ストリツプ線路フイルタ |