JPS6095955A - 半導体素子のボンデイング用Al線 - Google Patents
半導体素子のボンデイング用Al線Info
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- JPS6095955A JPS6095955A JP58203880A JP20388083A JPS6095955A JP S6095955 A JPS6095955 A JP S6095955A JP 58203880 A JP58203880 A JP 58203880A JP 20388083 A JP20388083 A JP 20388083A JP S6095955 A JPS6095955 A JP S6095955A
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- JP
- Japan
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- wire
- bonding
- added
- tensile strength
- small
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子のチップ電極と基板あるいはリード
フレームとの接続に使用するワイヤボンディング用の0
.02〜0.5輪−φAX線にl][lする。
フレームとの接続に使用するワイヤボンディング用の0
.02〜0.5輪−φAX線にl][lする。
一般にボンディング用線は線引き加工時およびボンディ
ング作業時における断線を防ぐために所定の引張り強度
を必要とするとともにボンディング時におけるatii
軟化を防止してボール形状の安定、ネック切れの防止、
潰れ巾の一定化及びボンディング侵の接着強度(ボンデ
ィング強度)を維持することを要件とされ、また樹脂モ
ールド覆る場合のように腐食性雰囲気に線がさらされる
場合には耐食性も重要な条件となる。
ング作業時における断線を防ぐために所定の引張り強度
を必要とするとともにボンディング時におけるatii
軟化を防止してボール形状の安定、ネック切れの防止、
潰れ巾の一定化及びボンディング侵の接着強度(ボンデ
ィング強度)を維持することを要件とされ、また樹脂モ
ールド覆る場合のように腐食性雰囲気に線がさらされる
場合には耐食性も重要な条件となる。
しかるに高純度ARは軟か1ぎて所定の引張り強度が得
られないために、73純度八χに各種の元素を添加する
ことにより機械的強度を改善することが考えられている
が、添加元素の種類、添加mによつCは、所定の引張り
強度が得られず、引張り強度が得られ/jとしても硬1
ぎてチップ割れの原因となったり、添加元素の偏析によ
り引張り強度、ボンディング強度が均一化せず、品!q
にバラツキがでる結果となる。
られないために、73純度八χに各種の元素を添加する
ことにより機械的強度を改善することが考えられている
が、添加元素の種類、添加mによつCは、所定の引張り
強度が得られず、引張り強度が得られ/jとしても硬1
ぎてチップ割れの原因となったり、添加元素の偏析によ
り引張り強度、ボンディング強度が均一化せず、品!q
にバラツキがでる結果となる。
本発明は断る事情に鑑み案出され!ζもので、実験結果
より添加元素の種類とその添加mによってボンディング
性に優れた適正な引張り強度及びボンディング強度を確
保するとともに耐食性を改善し、しかも品質を均一化づ
るボンデイング用Aχ線を提供せんとするもので、斯る
本発明AR線は、高11!痩/1(99,9%以上)に
、0.5〜2.Owt%MOを含有させるとともに0.
01〜0.4wt%Cu、0.01〜1、□wt%Ag
、0.005〜0.2wt%Auからなる群より選択さ
れた少なくとも一元素を0.01〜1.Qwt%含有せ
しめたことを要旨とする。
より添加元素の種類とその添加mによってボンディング
性に優れた適正な引張り強度及びボンディング強度を確
保するとともに耐食性を改善し、しかも品質を均一化づ
るボンデイング用Aχ線を提供せんとするもので、斯る
本発明AR線は、高11!痩/1(99,9%以上)に
、0.5〜2.Owt%MOを含有させるとともに0.
01〜0.4wt%Cu、0.01〜1、□wt%Ag
、0.005〜0.2wt%Auからなる群より選択さ
れた少なくとも一元素を0.01〜1.Qwt%含有せ
しめたことを要旨とする。
上記へχは99.9%以上の高純度のものを用い、マグ
ネシウム(M(+ )は/lの引張り強度を高める。
ネシウム(M(+ )は/lの引張り強度を高める。
銅(CLI)、銀(A(] >及び金(All )は周
期律表の銅族元素であって、その添加によってARの引
張り強度を高めるとともに、耐食性の改善に有用である
。
期律表の銅族元素であって、その添加によってARの引
張り強度を高めるとともに、耐食性の改善に有用である
。
上記Cu 、Ao 、 Auはその一種又は二種以上を
添加するが、二種以上を添加する場合でも含有量を0.
01〜1.Qwt%とする。
添加するが、二種以上を添加する場合でも含有量を0.
01〜1.Qwt%とする。
Muが0.5wt%未満、Cu 、Ao SAuの一種
又は二種以上が0.01wt%未満であっては所定の引
張り強度が得られず線引き加工が不可能であるとともに
耐食性に劣る。
又は二種以上が0.01wt%未満であっては所定の引
張り強度が得られず線引き加工が不可能であるとともに
耐食性に劣る。
とくにCu 、All 、Auが不足の場合は所定の耐
食性が得られない。
食性が得られない。
又、M(lが2.Qwt%、CI’、 Ag、Allが
1.0wt%を越える場合は硬くなりづぎてもろくなり
、チップ割れを起したり、あるいは組成に偏析を生じて
機械的強度がバラ4=1いて品質の安定化を図れない。
1.0wt%を越える場合は硬くなりづぎてもろくなり
、チップ割れを起したり、あるいは組成に偏析を生じて
機械的強度がバラ4=1いて品質の安定化を図れない。
以下に実施例を示す。
各試料はΔλ合金を溶解鋳造し、線引き加1により直径
0.03mmφの極細線ボンディングへλ線としたもの
である。
0.03mmφの極細線ボンディングへλ線としたもの
である。
各試料の添加元素及びその添加量は次表(1)に示す通
りであっC1その試$31N0.15はOLI 、 A
(1、Allの何れをも添加さけない比較量である。
りであっC1その試$31N0.15はOLI 、 A
(1、Allの何れをも添加さけない比較量である。
尚、本発明において、残部に不可避なる不純物を含むも
のである。
のである。
表(1)
(添加量単位W【%)
上記各試料をもって機械的性質、及び、耐食性を測定し
た結果を表(2)に示す。
た結果を表(2)に示す。
表(−2)
試料N0.11〜14は硬く(脆く、チップ割れを起し
てボンディング強僚の測定下”J a尚、熱処理は35
0℃×30分である。
てボンディング強僚の測定下”J a尚、熱処理は35
0℃×30分である。
又、耐食性は高温、高圧、高湿度下(120℃、2気圧
、湿度90%以」:、100時間)における腐食の度合
を三ランクに区別し腐食度合いの大きいものから少ない
ものへ順に×、○、◎とした。
、湿度90%以」:、100時間)における腐食の度合
を三ランクに区別し腐食度合いの大きいものから少ない
ものへ順に×、○、◎とした。
上記表(2)から知れるように、本発明実施量の範囲(
試料N0.1〜10)にあって、熱処理後の硬さが適正
状態(25〜50 V I−I N )にあり、且つ引
張り強度が確保できるとともにボンディング強度が必要
強度(3u以上)を確保され、しかも耐食性に優れるこ
とが確認できた。従って本発明実施量は線引き加工中に
断線したり、ボンディング作業中に断線を起したりする
ことがないとともにチップ割れを防ぎ、しかも品質を高
品質安定に維持覆ることができ、ポールボンディング熱
圧着法、超音波接合法の伺1に使用してもボンディング
特性大なるA1線を提供し得る。
試料N0.1〜10)にあって、熱処理後の硬さが適正
状態(25〜50 V I−I N )にあり、且つ引
張り強度が確保できるとともにボンディング強度が必要
強度(3u以上)を確保され、しかも耐食性に優れるこ
とが確認できた。従って本発明実施量は線引き加工中に
断線したり、ボンディング作業中に断線を起したりする
ことがないとともにチップ割れを防ぎ、しかも品質を高
品質安定に維持覆ることができ、ポールボンディング熱
圧着法、超音波接合法の伺1に使用してもボンディング
特性大なるA1線を提供し得る。
Claims (1)
- ^純度ARに、0.5〜2.0wt%のマグネシウム(
M(1)を含有させるとともに0.01〜0.4wt%
の銅(CI ) 、0.01〜1.Owt%の銀(Ac
1 ) 、0.005〜0.2wt%の金(AU )か
らなる群より選択された少くとも一元素を0.01〜1
.0wt%含有せしめた半導体素子のボンディング用A
l線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203880A JPS6095955A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体素子のボンデイング用Al線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203880A JPS6095955A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体素子のボンデイング用Al線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095955A true JPS6095955A (ja) | 1985-05-29 |
Family
ID=16481243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58203880A Pending JPS6095955A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体素子のボンデイング用Al線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095955A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198851A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体用高耐食高硬度ボール付アルミニウム合金ワイヤ |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP58203880A patent/JPS6095955A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198851A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体用高耐食高硬度ボール付アルミニウム合金ワイヤ |
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