JPS6095950A - 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 - Google Patents

半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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JPS6095950A
JPS6095950A JP58203875A JP20387583A JPS6095950A JP S6095950 A JPS6095950 A JP S6095950A JP 58203875 A JP58203875 A JP 58203875A JP 20387583 A JP20387583 A JP 20387583A JP S6095950 A JPS6095950 A JP S6095950A
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JP
Japan
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wire
bonding
added
small
corrosion resistance
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JP58203875A
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JPH0320065B2 (ja
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Shozo Hayashi
林　正蔵
Shinji Shirakawa
白川　信次
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Tanaka Denshi Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Denshi Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体素子のチップ電極と基板あるいはリード
フレームとの接続に使用゛するソイ（７ボンデイング用
の０．０２〜０．５ＩｌｌＩＩｌφＡＲ線に関する。
一般にボンディング用線は線引き加工時およびボンディ
ング作業時における断線を防ぐために所定の引張り強度
を必要とするとともにボンディング時における高温軟化
を防止してボール形状の安定、ネック切れの防止、潰れ
１１］の一定化及びボンディング性の接着強度（ボンデ
ィング強度）を維持覆ることを要件とされ、また樹脂モ
ールドする場合のように腐食性雰囲気に線がさらされる
場合には耐食性も重要な条件となる。
しかるに高純度ＡＲは軟かすぎて所定の引張り強度が得
られないために、高純度へχに各種の元素を添加“する
ことにより機械的強度を改善することが考えられている
が、添加元素の種類、添加量によっては、所定の引張り
強度が得られず、引張り強度が得られたとしても硬１ぎ
てチップ割れの原因どなったり、添加元素の偏析にＪ：
り引張り強度、ボンディング強度が均一化せず、品質に
バラツキがでる結果となる。
本発明は断る事情に鑑み案出されたもので、実験結果よ
り添加元素の種類とその添加量によってボンディング性
に優れＩこ適正な引張り強１腹及びボンディング強度を
確保覆るとともに耐食性を改善し、しかも品質を均一化
するボンディング用Ａλ線を提供せんとするもので、断
る本発明ＡＲ線は、高純度ＡＲ（９９，９％以上）に、
０．５〜２．Ｑｗｔ％Ｍｌｌを含有させるとともに０．
００１〜０．３ｗｔ％Ｆｅ　、０．００１〜Ｑ、３ｗｔ
％Ｎｉ　、０．００１〜Ｑ、３ｗｔ％ＣＯからなる群よ
り選択された少なくとも一元素を０．００１〜Ｑ、３ｗ
ｔ％含有せしめたことを要旨とする。
上記ＡＲは９９．９％以上の高純度のものを用い、マグ
ネシウム（Ｍ（＋　）は／ｌの引張り強度を高める。
ａ（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（ＣＯ）は
周期律表の鉄族元素であって、その添加によってＡＲの
引張り強度を高めるとともに、耐食性の改善に有用であ
る。
上記１”ｅ、Ｎｉ、ｃｏはその一種又は二種以上を添加
づるが、二種以上を添加する場合でも含有聞を０．００
１〜Ｑ、３ｗｔ％とする。
ＭｇがＱ、５ｗｔ％未満、ｒ：ｅ、Ｎｉ、Ｇｏの一種又
は二種以上がｏ、ｏｏ１ｗｔ％未満であっては所定の引
張り強度が得られず線引き加工が不可能であるとともに
耐食性に劣る。
とくにＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏが不足の場合は所定の耐食性が
御られない。
又、Ｍｇが２．Ｑｗｔ％、Ｆｅ　、　Ｎｉ　、ＣＯが０
．３ｗｔ％を越える場合は硬くなりづぎてもろくなり、
チップ割れを起したり、あるいは組成に偏析を生じて機
械的強度がバラ（＝Ｊいて品質の安定化を図れない。
以下に実施例を示づ。
各試料はへχ合金を溶解１ｍし、線引き加工により直径
０．０３ｍ１Ｒφの極細線ボンディングＡχ線としたも
のである。
各試料の添加元素及びぞの添加量は次表（１）に示１通
りであって、その試１３１Ｎ０．１５はＦｅ　、　Ｎｉ
　、　ｃｏの何れをも添加させない比較量である。
尚、本発明において、残部゛に不可避なる不純物を含む
ものである。
（添加ｍ中位ｗｔ％） 上記各試料をもって機械的性質、及び、耐食性を測定し
た結果を表（２）に示１゜ 表（２） の試料であってもボンディング強度にバラツキがみられ
た。
尚、熱処理は３５０℃Ｘ３０分である。
又、耐食性は高温、高圧、高湿度下（１２０℃、２気圧
、湿度９０％以上、１００時間）における腐食の度合を
三ランクに区別し腐食度合いの大きいものから少ないも
のへ順に×、０１◎とした。
上記表（２）から知れるように、本発明実部品の範囲（
試料Ｎｏ、１〜１０）にあって、熱処理俊の硬さが適正
状態（２５〜５０　Ｖ　ＨＮ　）にあり、且つ引張り強
度が確保できるとともにボンディング強度が必要強度（
３ｇ以上）を確保され、しかも耐食性に優れることが確
認できた。従って本発明実部品は線引き加工中に断線し
たり、ボンディング作業中に断線を起したりすることが
ないとともにチップ割れを防ぎ、しかも品質を高品質安
定に維持することができ、ポールボンディング熱Ｊ］＝
着法、超音波接合法の何れに使用してもボンディング特
竹大なるＡλ線を提供し得る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 高純度ＡＲに、０．５〜２．０ｗｔ％のマグネシウム（
    ＭＯ）を含有させるとともに ０．００１〜０．３ｗｔ％の鉄（Ｆｅ　）、０．００１
    〜　Ｑ、３ｗｔ％のニッケル＜Ｎ＋　＞、０．００１〜
    Ｑ、３ｗｔ％のコバルト（ＣＯ）からなる群より選択さ
    れた少くとも一元素を０．００１〜ｏ、３ｗｔ％含有せ
    しめた半導体素子のボンディング用ＡＸ線。
JP58203875A 1983-10-31 1983-10-31 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 Granted JPS6095950A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58203875A JPS6095950A (ja) 1983-10-31 1983-10-31 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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JP58203875A JPS6095950A (ja) 1983-10-31 1983-10-31 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6095950A true JPS6095950A (ja) 1985-05-29
JPH0320065B2 JPH0320065B2 (ja) 1991-03-18

Family

ID=16481158

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JP58203875A Granted JPS6095950A (ja) 1983-10-31 1983-10-31 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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JP (1) JPS6095950A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198851A (ja) * 1984-03-23 1985-10-08 Hitachi Ltd 半導体用高耐食高硬度ボール付アルミニウム合金ワイヤ
JPS62218537A (ja) * 1986-03-19 1987-09-25 Nippon Light Metal Co Ltd アルミニウム細線

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198851A (ja) * 1984-03-23 1985-10-08 Hitachi Ltd 半導体用高耐食高硬度ボール付アルミニウム合金ワイヤ
JPS62218537A (ja) * 1986-03-19 1987-09-25 Nippon Light Metal Co Ltd アルミニウム細線

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JPH0320065B2 (ja) 1991-03-18

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