JPH0347578B2 - - Google Patents

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JPH0347578B2
JPH0347578B2 JP58203872A JP20387283A JPH0347578B2 JP H0347578 B2 JPH0347578 B2 JP H0347578B2 JP 58203872 A JP58203872 A JP 58203872A JP 20387283 A JP20387283 A JP 20387283A JP H0347578 B2 JPH0347578 B2 JP H0347578B2
Authority
JP
Japan
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wire
bonding
strength
tensile strength
added
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP58203872A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6095947A (ja
Inventor
Yasuo Fukui
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Denshi Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Denshi Kogyo KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Tanaka Denshi Kogyo KK filed Critical Tanaka Denshi Kogyo KK
Priority to JP58203872A priority Critical patent/JPS6095947A/ja
Publication of JPS6095947A publication Critical patent/JPS6095947A/ja
Publication of JPH0347578B2 publication Critical patent/JPH0347578B2/ja
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H—ELECTRICITY
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    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]

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  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子のボンデイング用Al線、
詳しくは線径が0.1〜0.5mmφのボンデイング用Al
線の改良に関する。 従来、パワートランジスタ、サイリスタ等の高
出力の半導体素子の配線用リード線として線径が
0.1〜0.5mmφ、一般的には0.2〜0.3mmφの高純度
Al線が使用されている。 しかるに高純度Al線は軟かすぎて所定の引張
り強度が得られないために、線引き加工時および
ボンデイング作業時において断線する不具合があ
り、この引張り強度を改善するために高純度Al
に各種の元素を添加することが考えられている。 しかしながら、ボンデイング用Al線は引張り
強度を大きくして硬くなりすぎた場合には、ボン
デイング時において、チツプ割れを起したり、潰
れ巾の不安定、ネツク切れの原因となり、あるい
は添加元素の偏折によつてボンデイング強度がバ
ラ付いて品質の安定が得られないなどボンデイン
グ特性の低下をきたす不具合がある。 しかして本発明は多くの実験結果よりボンデイ
ング特性に最適な機械的特性、詳しくは熱処理
（350℃、30分）後におけるAl線の引張り強度が
4.5〜8.5Kg／mm2であることを知り、該強度が得ら
れる添加元素及びその添加量（含有量）を求めた
ものである。 又、上記引張り強度を改善する添加元素は一種
単体の場合には最適強度を得るために多量を添加
しなければならず、例えばシリコン単体の場合は
0.016〜0.038wt％、マグネシウム単体の場合は
0.01〜0.025wt％、であつて好ましくない。 本発明は斯る従来事情に鑑み、二種の選択した
元素を添加させることにより、その相乗効果によ
つて少ない添加量でボンデイング特性に優れた
Al線を提供せんとするものであり、高純度Alに
0.0015〜0.005wt％Siと0.0015〜0.005wt％Mgとを
添加し、両者の含有量を0.003〜0.008wt％ならし
めたことを特徴とする。 上記Alは99.99％以上の高純度のものを用い、
Si及びMgは夫々Alの引張り強度を高める。 Siの添加量が0.0015wt％未満では、Al線の引
張り強度が適正強度（4.5〜8.5Kg／mm2）に至ら
ず、0.005wt％を越えた場合には、上記適正強度
を越えてAl線が硬くなり過ぎチツプ割れやボン
デイング強度のバラ付きが生ずるなど、ボンデイ
ング特性が低下する。 そして、Mgの添加量が0.0015wt％未満では、
Al線の引張り強度が適正強度（4.5〜8.5Kg／mm2）
に至らず、0.005wt％を越えた場合には、上記適
正強度を越えてAl線が硬くなり過ぎチツプ割れ
やボンデイング強度のバラ付きが生ずるなど、ボ
ンデイング特性が低下する。 更に、Si及びMgの合計の添加量が0.003wt％未
満では、Al線の引張り強度が適正強度（4.5〜8.5
Kg／mm2）に至らず、0.008wt％を越える場合には、
上記適正強度を越えてAl線が硬くなり過ぎチツ
プ割れやボンデイング強度のバラ付きが生ずるな
ど、ボンデイング特性が低下する。 以下に実施例を示す。 各試料はAl合金を溶解鋳造し、線引き加工に
より直径0.2mmφのAl線としたものである。 各試料の添加元素及びその添加量とその熱処理
（350℃、30分）後の引張り強度と次表に示す。各
試料には残部に不可避なる不純物を含むものであ
る。
【表】 この結果から、Siの含有量を0.0015〜0.005wt
％とし、Mgの含有量を0.0015〜0.005wt％とし、
SiとMgの合計の含有量を0.003〜0.008wt％とす
ることにより、Al線の引張り強度が適正強度
（4.5〜8.5Kg／mm2）になることが理解される。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 線径が0.1〜0.5mmφのボンデイング用Al線で
    あつて、高純度Alに0.0015〜0.005wt％のシリコ
    ン（Si）と0.0015〜0.005wt％のマグネシウム
    （Mg）とを添加し、両者の含有量が0.003〜
    0.008wt％であることを特徴とする半導体素子の
    ボンデイング用Al線。
JP58203872A 1983-10-31 1983-10-31 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 Granted JPS6095947A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58203872A JPS6095947A (ja) 1983-10-31 1983-10-31 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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JP58203872A JPS6095947A (ja) 1983-10-31 1983-10-31 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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JPS6095947A JPS6095947A (ja) 1985-05-29
JPH0347578B2 true JPH0347578B2 (ja) 1991-07-19

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JP58203872A Granted JPS6095947A (ja) 1983-10-31 1983-10-31 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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JP3510039B2 (ja) * 1996-03-15 2004-03-22 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
US6703707B1 (en) 1999-11-24 2004-03-09 Denso Corporation Semiconductor device having radiation structure
US6693350B2 (en) 1999-11-24 2004-02-17 Denso Corporation Semiconductor device having radiation structure and method for manufacturing semiconductor device having radiation structure
JP4479121B2 (ja) 2001-04-25 2010-06-09 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
WO2025028382A1 (ja) * 2023-07-31 2025-02-06 田中電子工業株式会社 アルミニウム配線材及びその製造方法

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