JPH03201503A - 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、Ｓ　ｒ（１−ｘ−ｙ）　ＢａＸＣａ、（Ｔ　
ｉ、−ｚ　Ｚ　ｒｔ　）　０３を主成分とする電圧非直
線性抵抗体磁器組成物に関し、特にバリスタ電圧の温度
特性を改善した電圧非直線性抵抗体磁器組成物に関する
。

〔従来の技術〕

従来、各種の電子機器等において発生するノイズ等を吸
収もしくは除去するために、種々のバリスタが使用され
ていた。

このようなバリスタの内、５ｒＴｉ０３を主成分とした
、バリスタ（例えば、特公昭５５−４９４０４号公報参
照）は、バリスタ機能のみならず、コンデンサ機能も有
するので、グロー放電、アーク放電、異常電圧、ノイズ
等の吸収又はバイパス作用を良好に遠戚することができ
る。

（発明が解決しようとする課題〕 上記のような従来のものにおいては次のような欠点があ
った。

（１）　　５ｒＴｉＯｔを主成分としたバリスタは、温
度上昇に伴い、バリスタ電圧が低下していくという現象
が見られる。

このため、周囲温度の上昇あるいは、ノイズ吸収時にお
ける自己発熱等により、バリスタ電圧が低下する。

（２）バリスタが使用される際、常時一定の電圧値〈バ
リスタ電圧以下の電圧）が印加されるのが一般的である
。

このため、温度上昇に伴うバリスタ電圧の低下により、
バリスタ電圧値が常時印加電圧値付近に達すると、バリ
スタに過大な電流が流れたり、最悪の場合には、熱暴走
に至る危険性が有る。

本発明は、上記従来の欠点を解消し、温度上昇時のバリ
スタ電圧を変動させないか、もしくは上昇させるように
して、バリスタの温度特性を改善することを目的とする
。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を遠戚するため、本発明は次のようにしたも
のである。

（１）　　第１番目の発明は、ジルコン酸チタン酸カル
シウムバリウムストロンチウムＳ　ｒ（１−ｘ−ｙ）　
Ｂ　ａＸＣａ、（Ｔ　ｓｌ−、Ｚ　ｒＪ　Ｏ３（但し、
０．１００　＜　Ｘ≦０．９９９、０．００１≦Ｙ≦０
．５００　、０．０１０≦Ｚ≦ｏ、ｓｏｏの範囲の値）
（以下第１ｔ？、分と呼ぶ）　９０〜９９．９８モル％
に対し、酸化ニオブＮｂ２Ｏ３、酸化タンタルＴａｚＯ
６、酸化タングステンＷＯ２、または希土類酸化物Ｒｚ
Ｏｚ（但しＲはインドリウムＹ、ランタンＬ　ａ　％セ
リウムＣｅ　％プラセオジウムＰｒ、ネオジウムＮｄ、
サマリウムＳ　ｍ　ｓユーロピュームＥ　ｕ　ｓガドリ
ニウムＧｄ、テルビウムＴｂ、ディスプロシウムＤｙ１
ホルミウムＨＯ％エルビウムＥｒ、ツリウムＴ　ｍ　％
インテルビウムＹｂ、ルテチウムＬｕから選ばれた少な
くとも１種の金属酸化物（以下、第２ｒｆｆｃ分と呼ぶ
）を０．００１〜５．０００モル％と、金属酸化物をＭ
Ｏの形に換算したもの（但しＭは、Ｍｎ、、Ｃｏ、　Ｎ
ｉ、　Ｃｕｚ　Ｚｎｓ　Ｍｇ、　Ｃａｓ　Ｓｒ、　Ｂａ
、　Ｐｈ）、金属酸化物をＭ“２０３形に換算したもの
（但しＭｏはＦ　８％　Ａ　ｊ２、Ｃｒｓ　Ｓｂｓ　Ｓ
ｉ）、金属酸化物をＭ”０２形に換算したもの（但しＭ
′″はＳ　ｘ　、Ｔ　Ｉ　ＳＺｒ、　Ｓｎ）及びＶ２Ｏ
５からなる群から選択された少なくとも１種以上の金属
酸化物０．００１〜５．０００モル％とを含んでいるこ
とを特徴とする電圧非直線性抵抗体磁器組成物としたも
のである。

（２）第２番目の発明は、上記第１番目の発明の磁器組
成に、更に酸化リチウムＬｉｚＯ１酸化カリウムに、Ｏ
１酸化ナトリウムＮａｎｏ、酸化セシウムＣ５ＺＯ１及
び酸化ルビジウムＲｂ２Ｏからなる群から選択された少
なくとも１種の酸化物（以下、第４戒分と呼ぶ）を０．
００１〜２，５モル％とを含んでいることを特徴とする
電圧非直線性抵抗体磁器組成物としたものである。

〔作用〕

本発明は上記のように構成したので、次のような作用が
ある。

（１）第１番目の発明においては、第１威分が磁器の主
成分であり、主にバリスタ電圧の温度特性に寄与し、第
２戒分は、主に半導体化に寄与する金属酸化物であり、
第３戒分は、主に非直線性係数及びバリスタ電圧の温度
特性の改善に寄与する。

したがって、第１、第２、第３戒分を含む磁器＆ｌｌ動
物バリスタを作成すると、バリスタ電圧の温度特性が改
善されるばかりでなく、非直線性係数の改善されたバリ
スタが得られる。

（２）第２番目の発明においては、第４戒分が主として
サージに対するバリスタ電圧、非直線性係数の劣化防止
に寄与する。

したがって、これを付加することにより、バリスタ電圧
の温度特性が改善され、且つ、サージ印加による特性劣
化が少ないバリスタとなる。

〔実施例〕

以下、図面第１図乃至第３図と、第１表乃至第５表に基
づいて、本発明の詳細な説明する。

第１図は、バリスタの断面図、第２図はバリスタ電圧特
性測定回路、第３図はサージ印加回路であり、図中、１
は磁器、２．３は銀（Ａｇ）電極、４はバリスタ、５は
直流定電流源、６は電流計、７は電圧計、８は直流定電
圧電源、９は電圧計、ｌＯは抵抗、１１は単極双投スイ
ッチ、１２はコンデンサ、１３は恒温槽を示す。

＋１１　　第１番目の発明の実施例を、実施例１及び実
施例２に示す。

（実施例１〉 原料として、５ｒＣ０３、ＢａＣ０，、ＣａＣ０，，７
’　ｉ　０　ｚ　、　Ｚ　ｒ　Ｏｔ、Ｎｂｚｏｓ、Ｍｎ
Ｃ０＝を第１表の組成となるようにそれぞれ換算秤量配
合し、ボールミルを用いて１０〜２０時間混合した後、
脱水、乾燥する。

その後、１２００℃で仮焼成、粗粉の後、再びボールミ
ルを用いて１０〜２０時間混合する。その後、再び脱水
、乾燥する。できあがった材料に１０〜１５重量％のポ
リビニールアルコールを有機結合剤として加えて造粒し
、成型圧約２０ｔ／ｅｍｕ”で直径７關、厚さ１＋ｎの
成形棒を作成した。

これらの円板をＮＺ（９５容量％”）＋Ｈｚ（５容積％
）の還元雰囲気中で、約１３５０℃、４時間の坑底を行
い、半導体磁器を得る。次にこれを空気中（又は酸化性
雰囲気中）において１１００℃で３時間の熱処理（再酸
化処理）を行った。

その後、上記磁器の特性を調べるために第１図に示すよ
うに、磁器１の再主面上で、直径５ｍｍに銀（Ａｇ）ペ
ーストを塗布し、６００℃で焼付けることによって、銀
電極２．３を形威し、バリスタ４を完成させた。

この完成したバリスタ４の特性評価を行うために、バリ
スタ電圧■６、非直線性係数α、バリスタ電圧■１の温
度係数ΔＶａｔ、静電容量Ｃ、サージ電圧印加によるｖ
ｌ及びαの変化率ΔＶＩＦ、Δα２を測定した所、第１
表（電気的特性の項）に示す結果が得られた。

上記各特性の測定方法を更に詳しく説明すると、バリス
タ電圧ｖｌは第２図に示したバリスタ電圧特性測定回路
を使用して測定した。

即ち、直流定電流源５とバリスタ４との間に電流計６を
接続し、バリスタ４に並列に電圧計７を接続し、バリス
タ４に１ｍＡの電流りを流し、その時の電圧を測定して
バリスタ電圧Ｖ、とした。

また、電圧Ｖ、の他に、バリスタ４に１０ｍＡの電流１
１゜を流した時の印加電圧ＶＩＯを測定し、これらによ
り非直線性係数αを次式によって求めた。

また、温度変化率ΔＶＩＴは、第２図のバリスタ電圧特
性測定回路において、恒温槽１３を２０℃及び８５℃に
変化させ、２０℃においてバリスタ電圧Ｖｌ（２゜）、
８５℃においてバリスタ電圧ｖＩ１、ｓ）を測定し、次
式（２）より求めた。

Ｖｒ＜ｔｏ＞　　　　　　　　　８５　２０次に、過電
圧の鋭いパルス、即ちサージ電圧が印加された時に、バ
リスタ４の各特性がどのように変化するのかを模擬的に
測定するために、第３図のサージ印加回路を用いる。

この回路は、２ＫＶの直流定電圧電源８と並列に電圧計
９を接続する。そして、直流定電圧電源８に５Ωの抵抗
１０と、単極双投スイ・ノチ１１の接点１１ａとを介し
て２．５μＦのコンデンサ１２を接続し、その接点１１
ｂにバリスタ４を接続する。

このバリスタ４に、コンデンサ１２の充電エネルギーを
５秒間隔で印加することを５回繰り返し、その後バリス
タ、電圧ＶＩＰ及び非直線性係数α２を第２図の回路で
測定して求め、次式（３）、（４）により、バリスタ電
圧の変化率ΔＶＩＦ（％）及び非直線性係数の変化率Δ
α、（％）を求めた。

（但しＶ９、αはサージ印加前のバリスタ電圧及び非直
線性係数） ΔαＰ　　＝　　　　　　　　Ｘ１Ｏｔ）　　（％）　
　−−−−−−−（４１また、各試料の静電容量＜ｎＦ
）は、ＩＫＨｚ、ＤＣＩＶで測定した。

第１表において、試料Ｎｏ、１は、バリスタ電圧の温度
特性（温度変化率）ΔＶＩＴがマイナスであり、試料Ｎ
００７．８．１３．１４．１９は、非直線性係数αが７
未満か、バリスタ電圧の変化率ΔＶＩＰＩＯ％を超える
か、または非直線性係数の変化率Δα、が−１０％を超
えており、本発明の範囲外のものである。

即ち、第１表において、試料Ｎ０８１に示すように、Ｂ
ａのモル分率Ｘが０．１以下であればバリスタ電圧の温
度特性（温度係数ΔＶｌがマイナスとなる。また、Ｂａ
のモル分率Ｘが０．９９９を超えると、試料Ｎｏ、７に
示すように、非直線性係数αが７未満となる。

また、Ｃａのモル分率Ｙが０．００１未満であれば、試
料Ｎ０１８に示すように、非直線性係数αは７未満とな
り、またＣａのモル分率Ｙが０．５を超えると、試料Ｎ
ｏ、１３に示すように、バリスタ電圧の温度係数ΔＶＩ
Ｔがマイナスとなり、更に、バリスタ電圧の変化率ΔＶ
ＩＦや非直線性係数αの変化率Δα、が一１０％を超え
る。

更にＺｒのモル分率Ｚが０．０１未満であれば、試料Ｎ
ｏ、１４に示すように、非直線性係数αは７未満となり
、また、Ｚｒのモル分率Ｚが０．５を超えると、試料Ｎ
０１１９に示すように、バリスタ電圧の変化率ΔＶＩＦ
や非直線性係数αの変化率Δα、が−１０％を超えるも
のとなる。

また、第２表において、第１ｔｃ分に対して、Ｎｂｚ’
ｏｓの含有量が０．００１モル％未満であるか、または
５．０モル％を超えると、試料Ｎｏ、２０やＮｏ。

２７に示すように、非直線性係数αは７未満となり、そ
の変化率Δα、が一１０％を超える。

更に、ＭｎＯの含有量が０．００１モル％未満であるか
、または５．０モル％を超えると、試料Ｎｏ、２８やＮ
０１３６に示すように、非直線性係数αは７未満となり
、バリスタ電圧の変化率ΔＶＩＦや非直線性係数の変化
率Δα、が−ｌＯ％を超える。

従って、第１表及び第２表に示したように、第１戒分（
Ｓｒ（１−ｘ−ｙ）　ＢａｘＣａｙ）（ＴＬ−ｔＺｒｔ
）　０ｘ（０，１００＜　Ｘ≦　０．９９９　、　０．
００１≦Ｙ≦　０．５００　、　０゜０１≦Ｚ≦０．５
００）　（式中ｘ、ｙ、ｚは、その成分のモル分率）９
９〜９９．９９８モル％に対し、半導体化に寄与する第
２戒分０．００１〜５．０００モル％と、第３成分０．
００１〜５．ｏｏｏモル％とからなる磁器Ｕ酸物でバリ
スタを構成すれば、バリスタ電圧の温度係数ΔＶＩＴが
プラスまたはＯとなり、非直線性係数αは、７以上の優
れたものとなる。

また、サージ電圧印加により、バリスタ電圧の変化率Δ
ＶＩＦの絶対値が１０％以下の小さなものとなり、サー
ジ電圧印加による非直線性係数の変化率Δα、の絶対値
が１０％以下の小さなものとなる。

以下余白 （実施例２〉 本発明において、第２成分をＮｂ、Ｏ，以外のもの、即
ち、Ｔａ２Ｏ６、ＷＯ３、Ｌ　ａ　ｚ　Ｏｘ、ＣｅＯ，
、Ｎ　ｄ　２０３、Ｐｒ６０＋＋、Ｙ２Ｏ３、Ｅ　ｕ　
ｔ　Ｏ３、ＥｒｚＯ＋、Ｄｙ、ｏ３、Ｇ　ｄ　ｚ　Ｏ３
、Ｔ　ｂ　ｔ　０３、Ｈｏ、０３、Ｔｌ１１２０３、Ｙ
　ｂ　ｚ　Ｏ３、Ｌｕｚ０３及びＳｍ、０２の内の少な
くとも１種の金属酸化物に代えても、上記同様の良好な
効果が得られることを確かめるために、出発原料として
、ＳｒＣＯ３、ＢａＣ０，、Ｃａ　ＣＯ：ｌ、ＴｉＯ２
、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２０５、ＨＯ３、Ｌ　ａ
　２０３、Ｃｅｏｚ、Ｎｄ２Ｏ２、Ｐｒ６０＋＋、ｙｚ
ｏ＊、Ｅｕ、０３、Ｅｒ、Ｏ，、Ｄ３１ｆＯ’ｉ、Ｃｄ
ｔ○５、Ｔｂ、０３、ＨＯ２０３、Ｔ＋＊、Ｏ，、Ｙ　
ｂ　ｚ　Ｏ３、Ｌ　ｕ　ｔ　Ｏ３、Ｓ　ｓ　ｚ　Ｏ３及
び、Ｃ。

Ｏ，Ｃｒ２Ｏ３、ＳｒＣＯ３、Ｎ　ｉ　ＯＸＦ　ｅ　２
０３、ＭｎＣ０１，５ｂｚｏ、、Ｂ　ａ　ＣＯｓ、Ｂ　
ｉ　ｔ　Ｏｓ、Ｃａ　ＣＯ３、Ｙ２Ｏ５、Ｔｉ１ｔ、Ｐ
ｂＯ，Ｓｉｎｇ、ＺｎＯ，ＺｒＯ，、Ｍｇ、ＣＯ，、Ｓ
　ｎ　Ｏｚ、ＡＩｌ！Ｏｎを最終焼成時に、第３表及び
第４表のＭｉ戒となるように、それぞれ換算秤量配合し
、実施例１と同じ方法でバリスタを作り、同一方法で特
性測定を行った。その結果を第３表及び第４表（電気特
性の項）に示す。

第３表より、第２１ｙ、分をＮｂ２Ｏ，以外Ｔａ、Ｏ，
、ＷＯ３、Ｌａ、０３、ＣｅＯ２、Ｎ　ｄ　ｔ　Ｏ：ｌ
、Ｐｒ６０１．、Ｙ、Ｏ，、ＥＬ１２０３、Ｅｒ２Ｏ３
、Ｄｙ２Ｏ３、ＧｄｔＯ３、’ｒｂｚｏａ、ＨｏｔＯ，
、Ｔｍ、Ｏ５、Ｙｂ、０３、Ｌ　ｕ　ｚ　Ｏｓ及び５Ｉ
１１２０３の内の少なくとも１種の金属酸化物に代えて
も、バリスタ電圧の温度係数ΔＶａｔがプラスまたは０
になり、非直線性係数αは７以上になり、またバリスタ
電圧の変化率Δ■１Ｆ及び非直線性係数αの変化率Δα
、の絶対値が１０％以下になることがわかる。

さらに第４表から、第３成分をＭｎＯ以外のもの、即ち
、Ｃ００ＳＣｒｚＯ，，５ｒＣ０３、Ｎ　ｉＯ％Ｆｅｚ
Ｏ，，、ｓｂ、ｏ３、Ｂａ　ＣＯｚ、Ｂｉ２Ｏ３、Ｃａ
ＣＯ２、Ｙ２Ｏ６、Ｔ　Ｓ　Ｏ□、ＰｂＯ１ＳｉＯ２、
ＺｎＯ。

ＺｒＯ２、ＭＨＣＯ３、ＳｎＯ，、Ａｌ２Ｏ，の少なく
とも１種の酸化物に代えても、その添加量が上記の限定
範囲内であれば、上記同様の良好な結果が得られること
が確認できた。

（２）第２番目の発明の実施例を、実施例３に示す。

（実施例３） 出発原料として、５ｒＣＯｓ、ＢａＣ０，、ＣａＣ０１
、Ｔｉｅ、、Ｚ　ｒ　Ｏｔ、Ｎ　ｂ　ｚ　Ｏｓ、ＷＯｌ
、Ｌａ２Ｏ２、Ｃｅ　Ｏｚ、Ｎａ２Ｏ，、ｐ　ｒ＆　Ｏ
ｒ　＋、Ｙ、０１、ＥｒｚＯ：＋、Ｓｍ、Ｏ，及びＣｏ
　ＯＳＮ　ｉ　Ｏ、Ｍ　ｎ　ＣＯｓ、５ｂｘＯ：＋、Ｂ
ｉ２Ｏ３、ｐｂｏ、Ｓ　ｉ　Ｏｚ、Ｍ　ｇ　ＣＯ３、Ａ
ｌ１ｔＯ，及びＬｉｚＯ，ＮａｚＯｌＫ　ｔ　Ｏ％　Ｃ
Ｓｔ　Ｏ％　Ｒｂ　Ｏを、最終焼成時に第５表の組成と
なるように、それぞれ換算秤量配合し、前記実施例１と
同じ方法でバリスタを作り同一方法で特性測定を行った
。その結果を第５表（電気特性の項）に示す。

第５表の試料Ｎｏ、８３に示すように、第４戒分が０．
００１モル％未満の場合は、そのバリスタ電圧の変化率
ΔＶＩＦ及び非直線性係数の変化率Δα、の絶対値が２
％を超えており、第４戒分を添加しない第１．２．３．
４表の場合より特別便れているとは認められないため、
第４成分を添加した効果が認められない。

また、試料Ｎｏ、９２に示すように、第４戒分が２．５
モル％を超える場合は、その非直線性係数αが７未満と
小さく、しかもバリスタ電圧の変化率Δ■１Ｆ及び非直
線性係数の変化率Δα、の絶対値が２％を超えるため、
本発明の範囲外である。

従って、第５表に示す如く、第４威分を特許請求の範囲
第２項に示した範囲内の添加量で加えれば、バリスタ電
圧の温度係１＆（変化率ΔＶａｔ）がプラスまたは０に
なり、非直線性係数αは７以上の優れたものとなる。

しかも、バリスタ電圧の変化率ΔＶｌ？及び非直線性係
数αの変化率Δα、の絶対値が２％以下の小さなものと
なり、上記第１発明のものよりも優れた耐サージ性を有
することがわかる。

以下余白 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば次のような効果が
ある。

（１）　　第１番目の発明では、温度上昇に伴って、バ
リスタ電圧が低下するという、従来の５ｒＴｉ０３を主
成分とするバリスタの欠点を解消しているだけでなく、
バリスタ電圧を上昇、あるいは変動のない温度特性を有
する優れた電圧非直線性抵抗体磁器組成物が得られる。

（２）第２番目の発明では、第１番目の発明よりも、サ
ージ電圧を印加した時のバリスタ電圧の変化率ΔＶＩＦ
及び非直線性係数αの変化率Δα２の非・常に小さい、
即ち、耐サージ性の優れた電圧非直線性抵抗体磁器組成
物が得られる。

ｌ・−・磁器　　　　　２・ ４−・・・バリスタ ６・・・−電流計 ８−・直流定電圧電源 １０−・抵抗 １２・・・・・コンデンサ ３−・銀電極 ５・−・・直流定電流源 ７−・−電圧計 ９−電圧計 １−単極双投スイッチ ３−・−恒温槽

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）（Ｓｒ（１−ｘ−ｙ）Ｂａ＿ｘＣａ＿ｙ）（Ｔｉ
   ＿１＿−＿ｚＺｒ＿ｚ）Ｏ＿３（但し、０．１００＜Ｘ
   ≦０．９９９，０．００１≦Ｙ≦０．５００，０．０１
   ≦Ｚ≦０．５００の範囲の値）（式中Ｘ、Ｙ、Ｚは、そ
   の成分のモル分率）９０〜９９．９９８モル％に対しＮ
   ｂ＿２Ｏ＿５、Ｔａ＿２Ｏ＿５、ＷＯ＿３、または希土
   類酸化物Ｒ＿２Ｏ＿３（但しＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ
   、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、
   Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択された少なくとも１種）から
   なる群から選択された少なくとも１種以上の金属酸化物
   をそれぞれの形に換算して０．００１〜５．０００モル
   ％と、金属酸化物をＭＯの形に換算したもの（但しＭは
   Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
   ａ、Ｐｂ）、金属酸化物をＭ’＿２Ｏ＿３形に換算した
   もの（但しＭ’はＦｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｂ、Ｂｉ）、金
   属酸化物をＭ”Ｏ＿２形に換算したもの（但しＭ”はＳ
   ｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ）、及びＶ＿２Ｏ＿５からなる群
   から選択された少なくとも１種以上の金属酸化物０．０
   ０１〜５．０００モル％とを含んでいることを特徴とす
   る電圧非直線性抵抗体磁器組成物。
2. （２）（Ｓｒ（１−ｘ−ｙ）Ｂａ＿ｘＣａ＿ｙ）（Ｔｉ
   ＿１＿−＿ｚＺｒ＿ｚ）Ｏ＿３（但し、０．１００＜Ｘ
   ≦０．９９９，０．００１≦Ｙ≦０．５００，０．０１
   ≦Ｚ≦０．５００の範囲の値）（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚは、
   その成分のモル分率）８７．５〜９９．９９７モル％に
   対しＮｂ＿２Ｏ＿５、Ｔａ＿２Ｏ＿５、ＷＯ＿３、また
   は希土類酸化物Ｒ＿２Ｏ＿３（但しＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ
   、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、
   Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択された少なくとも一種
   ）からなる群から選択された少なくとも一種以上の金属
   酸化物をそれぞれの形に換算して０．００１〜５．００
   ０モル％と、金属酸化物をＭＯの形に換算したもの（但
   しＭは、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、
   Ｓｒ、Ｂａ、Ｐｂ）、金属酸化物をＭ’＿２Ｏ＿３形に
   換算したもの（但しＭ’はＦｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｂ、Ｂ
   ｉ）、金属酸化物をＭ”Ｏ＿２形に換算したもの（但し
   Ｍ”はＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ）、及びＶ＿２Ｏ＿５か
   らなる群から選択された少なくとも１種以上の金属酸化
   物０．００１〜５．０００モル％と、Ｌｉ＿２Ｏ、Ｋ＿
   ２Ｏ、Ｎａ＿２Ｏ、Ｃｓ＿２Ｏ、及びＲｂ＿２Ｏからな
   る群から選択された少なくとも１種の酸化物０．００１
   〜２．５モル％とを含んでいることを特徴とする電圧非
   直線性抵抗体磁器組成物。