JPH0353408A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0353408A JPH0353408A JP1187893A JP18789389A JPH0353408A JP H0353408 A JPH0353408 A JP H0353408A JP 1187893 A JP1187893 A JP 1187893A JP 18789389 A JP18789389 A JP 18789389A JP H0353408 A JPH0353408 A JP H0353408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- weight
- composition
- present
- temperature coefficient
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率，絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧が高く、良
好度Ｑにすぐれ、温度係数が小さく、かつ焼成温度変動
の影響を受け難い誘電体磁器組成物に関するものである
。
好度Ｑにすぐれ、温度係数が小さく、かつ焼成温度変動
の影響を受け難い誘電体磁器組成物に関するものである
。
従来の技術
従来から誘電体磁器組成物として下記のような系が知ら
れている。
れている。
・Ｌａｚ０３ ２ＴｉＯ２ ＣａＴｉＯ：＋ ２Ｍｇ
Ｏ−ＴｉＯ２系 ・ＴｉＯｚ Ｂ ａＴｉＯ：＋ Ｂｉ２０．＋
Ｌ ａｚｏ：＋系・ＢａＴｉＯ３系 ・ＳｒＴｉＯ３系 ・ＣａＴｊＯ：＋系 ・Ｍ ｇ Ｔ ｉ ０ ３系 − Ｓ ｒＴ ｉｏ３−ＣａＴ ｉｏ：＋系・Ｓ ｒＴ
ｉｏ３ ＣａＴ ｉｏ．＋ Ｎｂ２０ｓ系発明が解
決しようとする課題 しかし、これらの一つの組底物が高い誘電率、小さい温
度係数、すぐれた良好度Ｑ及び焼成温度変動の影響を受
け難いなどの全てを満足することは不可能である。
Ｏ−ＴｉＯ２系 ・ＴｉＯｚ Ｂ ａＴｉＯ：＋ Ｂｉ２０．＋
Ｌ ａｚｏ：＋系・ＢａＴｉＯ３系 ・ＳｒＴｉＯ３系 ・ＣａＴｊＯ：＋系 ・Ｍ ｇ Ｔ ｉ ０ ３系 − Ｓ ｒＴ ｉｏ３−ＣａＴ ｉｏ：＋系・Ｓ ｒＴ
ｉｏ３ ＣａＴ ｉｏ．＋ Ｎｂ２０ｓ系発明が解
決しようとする課題 しかし、これらの一つの組底物が高い誘電率、小さい温
度係数、すぐれた良好度Ｑ及び焼成温度変動の影響を受
け難いなどの全てを満足することは不可能である。
さらに、Ｂｉ２０：＋を含んでいるものは、積層セラミ
ックコンデンサの内部電極として、Ｐｄを用いることが
できないという課題があった。
ックコンデンサの内部電極として、Ｐｄを用いることが
できないという課題があった。
本発明は誘電率，絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧が高く、良
好度Ｑにすぐれ、温度係数が小さく、かつ焼成温度変動
の影響を受け難い誘電体磁器を得ることを目的とするも
のである。
好度Ｑにすぐれ、温度係数が小さく、かつ焼成温度変動
の影響を受け難い誘電体磁器を得ることを目的とするも
のである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明は、一般式ｘＳｒＯ−
ｙＣａＯ−ｚ［（ＴｉＯ２）＋＋−，，，＋｛Ｚｒ０２
｝ｍ］と表わした時、（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００
、０．０１≦ｍ≦０． ２ ０）、ｘ，ｙ，ｚが以下に
示す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，で囲まれるモル比の範囲を主
成分とする組成物に対し、副成分としてＶ ２ ０ ５
０、１〜５、０重量％を含有することを特徴とする誘電
体磁器組成物を提案するものである。
ｙＣａＯ−ｚ［（ＴｉＯ２）＋＋−，，，＋｛Ｚｒ０２
｝ｍ］と表わした時、（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００
、０．０１≦ｍ≦０． ２ ０）、ｘ，ｙ，ｚが以下に
示す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，で囲まれるモル比の範囲を主
成分とする組成物に対し、副成分としてＶ ２ ０ ５
０、１〜５、０重量％を含有することを特徴とする誘電
体磁器組成物を提案するものである。
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を図
を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域とＣ領域で
は温度係数がー（マイナス）側に大きくなり過ぎて、実
用的でなくなる。
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を図
を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域とＣ領域で
は温度係数がー（マイナス）側に大きくなり過ぎて、実
用的でなくなる。
また、Ｂ領域とＤ領域では焼結困難となり、誘電率，良
好度Ｑ，絶縁抵抗が低下する。
好度Ｑ，絶縁抵抗が低下する。
第２図と第３図は主成分中のＴ ｉ Ｏ ２の一部分を
置換するＺｒＯ。の比率ｍの効果を示すグラフであり、
ＺｒＯ２の置換範囲を限定した理由をグラフを参照しな
がら説明する。ここで、Ｔ ｉ Ｏ ２の一部分をＺ
ｒ Ｏ ２で置換することにより、第２図に示すように
絶縁抵抗を増大させ、また第３図に示すように焼成温度
による温度係数変動を小さくする効果を有しているが、
その置換率ｍが０．１未満では置換効果はなく、一方０
．２を超えると焼結困難となり、誘電率，良好度Ｑ，絶
縁抵抗が低下する。
置換するＺｒＯ。の比率ｍの効果を示すグラフであり、
ＺｒＯ２の置換範囲を限定した理由をグラフを参照しな
がら説明する。ここで、Ｔ ｉ Ｏ ２の一部分をＺ
ｒ Ｏ ２で置換することにより、第２図に示すように
絶縁抵抗を増大させ、また第３図に示すように焼成温度
による温度係数変動を小さくする効果を有しているが、
その置換率ｍが０．１未満では置換効果はなく、一方０
．２を超えると焼結困難となり、誘電率，良好度Ｑ，絶
縁抵抗が低下する。
第４図は、主成分に対し、副成分Ｖ２０５含有の効果を
示すグラフであり、Ｖ２０５の含有範囲を限定した理由
をグラフを参照しながら説明する。第４図に示すように
Ｖ２０５を含有することにより、絶縁破壊電圧が増大す
る効果を有しているが、その含有量が主成分に対し０．
１重量％未満では含有効果はなく、一方５．０重量％を
超えると良好度Ｑが低下し、温度係数が−（マイナス）
側に大きくなり実用的でなくなる。
示すグラフであり、Ｖ２０５の含有範囲を限定した理由
をグラフを参照しながら説明する。第４図に示すように
Ｖ２０５を含有することにより、絶縁破壊電圧が増大す
る効果を有しているが、その含有量が主成分に対し０．
１重量％未満では含有効果はなく、一方５．０重量％を
超えると良好度Ｑが低下し、温度係数が−（マイナス）
側に大きくなり実用的でなくなる。
本発明はさらに上記主成分と副成分に対し、マンガン，
クロム，鉄，ニッケル，コバルト及ヒケイ素の酸化物か
らなる群の中から選ばれた少なくとも１種類を、それぞ
れＭ ｎ ０２， Ｃ ｒ ２０３，Ｆｅ○，Ｎｉ○
，Ｃｏｏ及びＳｉＯ２に換算して、上記主成分の０．０
５〜１．００重量％添加せしめた構成とすることができ
る。これらの添加物は磁器の焼結性を向上させる効果を
有しているが、その添加量が１．００重量％を超えると
誘電率が低下する。
クロム，鉄，ニッケル，コバルト及ヒケイ素の酸化物か
らなる群の中から選ばれた少なくとも１種類を、それぞ
れＭ ｎ ０２， Ｃ ｒ ２０３，Ｆｅ○，Ｎｉ○
，Ｃｏｏ及びＳｉＯ２に換算して、上記主成分の０．０
５〜１．００重量％添加せしめた構成とすることができ
る。これらの添加物は磁器の焼結性を向上させる効果を
有しているが、その添加量が１．００重量％を超えると
誘電率が低下する。
作用
本発明の誘電体磁器組成物により、誘電率，絶縁抵抗及
び絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、温度係数が
小さく、かつ焼戊温度変動の影響を受け難い誘電体磁器
組威物を得ることができる。
び絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、温度係数が
小さく、かつ焼戊温度変動の影響を受け難い誘電体磁器
組威物を得ることができる。
実施例
以下、本発明を具体的実施例により説明する。
（実施例１）
出発原料には化学的に高純度のＳｒＣＯ３ＣａＣＯ３．
ＴｉＯｚ，ＺｒＯｚ及びｖ２０５粉末を下記の第１表に
示す組成になるように秤量し、めのうボールを備えたゴ
ム内張りしたボールミルに純水とともに入れ、２０時間
湿式混合した。次いで、この混合物を脱水乾燥後、１１
００℃で２時間仮焼成した。次に、粗粉砕後、再度、め
のうボールを備えたゴム内張りしたボールミルに純水と
ともに入れ、２０時間湿式粉砕を行った。この粉砕物を
脱水乾燥した後、粉末にバインダーとして濃度５％のポ
リビニルアルコール水溶岐を９重量％添加して均質とし
た後、３２メッシュのふるいを通して整粒した。次に、
この整粒粉体を金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔ
ｏｎ／ｃ＋１で直径１５ｍｉ，厚み０．４ｍｎ＋に成形
し、成形物をＺｒｏ２粉を敷いた高純度のアルミナ匣鉢
中に入れ、空気中において下記の第１表に示す温度で２
時間焼成し、第１表に示す配合組成の誘電体磁器を得た
。
ＴｉＯｚ，ＺｒＯｚ及びｖ２０５粉末を下記の第１表に
示す組成になるように秤量し、めのうボールを備えたゴ
ム内張りしたボールミルに純水とともに入れ、２０時間
湿式混合した。次いで、この混合物を脱水乾燥後、１１
００℃で２時間仮焼成した。次に、粗粉砕後、再度、め
のうボールを備えたゴム内張りしたボールミルに純水と
ともに入れ、２０時間湿式粉砕を行った。この粉砕物を
脱水乾燥した後、粉末にバインダーとして濃度５％のポ
リビニルアルコール水溶岐を９重量％添加して均質とし
た後、３２メッシュのふるいを通して整粒した。次に、
この整粒粉体を金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔ
ｏｎ／ｃ＋１で直径１５ｍｉ，厚み０．４ｍｎ＋に成形
し、成形物をＺｒｏ２粉を敷いた高純度のアルミナ匣鉢
中に入れ、空気中において下記の第１表に示す温度で２
時間焼成し、第１表に示す配合組成の誘電体磁器を得た
。
これらの試料の電気特性は、試料の両面に銀電極を焼き
付け、誘電率，良好度Ｑ，温度係数はＹＨＰ社製デジタ
ルＬＣＲメータモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２
０℃、測定電圧１． Ｑ Ｖｒｍｓ，測定周波数Ｉ Ｍ
Ｉ｛ｚによる測定で求めた。なお、温度係数は２０℃
における容量値を基準とし、次式により求めた。
付け、誘電率，良好度Ｑ，温度係数はＹＨＰ社製デジタ
ルＬＣＲメータモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２
０℃、測定電圧１． Ｑ Ｖｒｍｓ，測定周波数Ｉ Ｍ
Ｉ｛ｚによる測定で求めた。なお、温度係数は２０℃
における容量値を基準とし、次式により求めた。
温度係数＝（Ｃｓｓ℃− Ｃ２０℃） ／（Ｃ２ｏｔＸ
６ ５）ｘ １ ０６（ｐｐｍ／℃） また、絶縁抵抗は横河ヒューレットバソカード社製ＨＲ
メータモデル４３２９Ａを使用し、測定電圧Ｄ．Ｃ．５
０Ｖ，測定時間Ｉ分間による測定で求めた。さらに、絶
縁破壊電圧は菊水電子工業■高電圧電源ＰＨ３３５Ｋ−
３形を使用し、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求めた絶
縁破壊電圧を素子厚みで除算し、単位長さ当たりの絶縁
破壊電圧値とした。
６ ５）ｘ １ ０６（ｐｐｍ／℃） また、絶縁抵抗は横河ヒューレットバソカード社製ＨＲ
メータモデル４３２９Ａを使用し、測定電圧Ｄ．Ｃ．５
０Ｖ，測定時間Ｉ分間による測定で求めた。さらに、絶
縁破壊電圧は菊水電子工業■高電圧電源ＰＨ３３５Ｋ−
３形を使用し、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求めた絶
縁破壊電圧を素子厚みで除算し、単位長さ当たりの絶縁
破壊電圧値とした。
試験条件及び結果を第１表に併せて示す。
（以 下 余 白）
？実施例２）
出発原料には化学的に高純度のＳｒＣＯ：＋，ＣａＣＯ
：＋，ＴｉＯ■，Ｚ ｒｏ２．Ｎｂ２０ｓ，ＭｎＯ２，
Ｃｒ２Ｏ３，ＦｅＯ，ＮｉＯ，ＣｏＯ及びＳｉｎ：粉末
を下記の第２表に示す組成になるように秤量し、それ以
後は実施例１の場合と同様に処理して第２表に示す配合
組成の誘電体磁器を得た。
：＋，ＴｉＯ■，Ｚ ｒｏ２．Ｎｂ２０ｓ，ＭｎＯ２，
Ｃｒ２Ｏ３，ＦｅＯ，ＮｉＯ，ＣｏＯ及びＳｉｎ：粉末
を下記の第２表に示す組成になるように秤量し、それ以
後は実施例１の場合と同様に処理して第２表に示す配合
組成の誘電体磁器を得た。
これらの試料の試験方法は、実施例１と同一であり、試
験条件及び結果を第２表に併せて示す。
験条件及び結果を第２表に併せて示す。
（以 下 余 白）
なお、これらの実施例における誘電体磁器組成物の製造
方法では、Ｓ ｒ ０３， Ｃ ａ Ｃ Ｏ：＋，
ＴｉＯ２，Ｚ ｒ０２．Ｖ２０Ｓを使用し、試料を作製
したが、この方法に限定されるものではなく、所望の組
或比になるように、ＳｒＴｉＯ３，ＣａＴｉＯ：＋Ｃａ
ＺｒＣ）３などの化合物を使用して試料を作製しても実
施例と同程度の特性を得ることができる。
方法では、Ｓ ｒ ０３， Ｃ ａ Ｃ Ｏ：＋，
ＴｉＯ２，Ｚ ｒ０２．Ｖ２０Ｓを使用し、試料を作製
したが、この方法に限定されるものではなく、所望の組
或比になるように、ＳｒＴｉＯ３，ＣａＴｉＯ：＋Ｃａ
ＺｒＣ）３などの化合物を使用して試料を作製しても実
施例と同程度の特性を得ることができる。
また、実施例２において、ＭｎＯ．Ｃｒ２０：＋，Ｆｅ
ｄ，Ｎｉｐ，Ｃｏｏ及びＳｉＯ２を使用し試料を作製し
たが、この方法に限定されるものではな＜、Ｍｎ （Ｃ
Ｏ３）２．Ｍｎ （ＯＨ）＜ などの炭酸塩，水酸化物
を使用して試料を作製しても実施例と同程度の特性を得
ることができる。
ｄ，Ｎｉｐ，Ｃｏｏ及びＳｉＯ２を使用し試料を作製し
たが、この方法に限定されるものではな＜、Ｍｎ （Ｃ
Ｏ３）２．Ｍｎ （ＯＨ）＜ などの炭酸塩，水酸化物
を使用して試料を作製しても実施例と同程度の特性を得
ることができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電率．絶縁抵抗及び絶
縁破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、温度係数が小さ
く、かつ焼或温度変動の影響を受け難い誘電体磁器を得
ることができる。
縁破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、温度係数が小さ
く、かつ焼或温度変動の影響を受け難い誘電体磁器を得
ることができる。
マタ、マンガン，クロム，鉄，ニッケル，コバルト及び
ケイ素の酸化物の添加により焼成温度を低下させること
ができる。
ケイ素の酸化物の添加により焼成温度を低下させること
ができる。
さらに、得られた誘電体磁器は高誘電率であるため、素
体をきわめて小形にすることができ、回路の微小化に有
効であり、特に薄板状にして積層セラミノクコンデンサ
，ハイブリッド微小回路などの用途に適している。
体をきわめて小形にすることができ、回路の微小化に有
効であり、特に薄板状にして積層セラミノクコンデンサ
，ハイブリッド微小回路などの用途に適している。
第１図は本発明に係わる主戊分の組成範囲を説明する三
元図、第２図は本発明に係わる副成分として１重量％Ｖ
２０５を含有し、主成分の一般式ｘ ＳｒＯ−ｙＣａＯ
−ｚ［（ＴｉＯ２）（１−ｍ）ｚ−１’（ＺｒＯ２）Ｉ
ＩＩ］と表わした時、ｘ＝０．３０，ｙ＝０．１９，ｚ
＝０ ５１とし、ＺｒＯ２の置換率ｍを０．２５まで変
化させた時の特性の変化を示すグラフ、第３図は本発明
に係わる副成分として１重量％Ｖ ２ ０ ｓを含有し
、主成分の一般式 ｘ ＳｒＯ−ｙＣａＯ−ｚ［（Ｔｉｏ２）＋＋−ｍ＋−
（ＺｒＯ２）ｍ］と表わした時、ｘ＝０．３０．ｙ＝０
．１９，ｚ ＝０．５１とし、ＺｒＯ２の置換率ｍを０
．２５まで変化させ、さらに焼成温度を１３４０〜１３
８０℃まで変化させた時の温度特性の変化を示すグラフ
、第４図は本発明に係わる主成分の一般式ｘ ＳｒＯ
− ｙ ＣａＯ−ｚ ［（ＴｉＯ ２）＋
＋−ｍ＋ ・（ＺｒＯ ２）ｍコと表わした時、ｘ
−０−３０，ｙ＝０．１９，ｚＯ．５１とし、副成分Ｖ
２ ０ ｓの含有量を１５．０重量％まで変化させた
時の特性の変化を示すグラフである。
元図、第２図は本発明に係わる副成分として１重量％Ｖ
２０５を含有し、主成分の一般式ｘ ＳｒＯ−ｙＣａＯ
−ｚ［（ＴｉＯ２）（１−ｍ）ｚ−１’（ＺｒＯ２）Ｉ
ＩＩ］と表わした時、ｘ＝０．３０，ｙ＝０．１９，ｚ
＝０ ５１とし、ＺｒＯ２の置換率ｍを０．２５まで変
化させた時の特性の変化を示すグラフ、第３図は本発明
に係わる副成分として１重量％Ｖ ２ ０ ｓを含有し
、主成分の一般式 ｘ ＳｒＯ−ｙＣａＯ−ｚ［（Ｔｉｏ２）＋＋−ｍ＋−
（ＺｒＯ２）ｍ］と表わした時、ｘ＝０．３０．ｙ＝０
．１９，ｚ ＝０．５１とし、ＺｒＯ２の置換率ｍを０
．２５まで変化させ、さらに焼成温度を１３４０〜１３
８０℃まで変化させた時の温度特性の変化を示すグラフ
、第４図は本発明に係わる主成分の一般式ｘ ＳｒＯ
− ｙ ＣａＯ−ｚ ［（ＴｉＯ ２）＋
＋−ｍ＋ ・（ＺｒＯ ２）ｍコと表わした時、ｘ
−０−３０，ｙ＝０．１９，ｚＯ．５１とし、副成分Ｖ
２ ０ ｓの含有量を１５．０重量％まで変化させた
時の特性の変化を示すグラフである。
Claims (2)
- （１）一般式 ｘＳｒＯ−ｙＣａＯ−ｚ［（ＴｉＯ＿２）＿（＿１＿−
＿ｍ＿）・（ＺｒＯ＿２）ｍ］と表わした時（ただし、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００、０．０１≦ｍ≦０．２０）、ｘ
，ｙ，ｚが以下に表わす各点ａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれる
モル比の範囲を主成分とする組成物に対し、副成分とし
てＶ＿２Ｏ＿５０．１〜５．０重量％を含有することを
特徴とする誘電体磁器組成物。 - （２）マンガン，クロム，鉄，ニッケル，コバルト及び
ケイ素の酸化物からなる群の中から選ばれた少なくとも
１種を、それぞれＭｎＯ＿２，Ｃｒ＿２Ｏ＿３，ＦｅＯ
，ＮｉＯ，ＣｏＯ及びＳｉＯ＿２に換算して、主成分の
０．０５〜１．００重量％添加含有したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187893A JPH0353408A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187893A JPH0353408A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353408A true JPH0353408A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16214040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1187893A Pending JPH0353408A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353408A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350639A (en) * | 1991-09-10 | 1994-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic for use in microwave device, a microwave dielectric ceramic resonator dielectric ceramics |
| EP1125904A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-22 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
| US6962888B2 (en) * | 2000-06-29 | 2005-11-08 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP1187893A patent/JPH0353408A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350639A (en) * | 1991-09-10 | 1994-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic for use in microwave device, a microwave dielectric ceramic resonator dielectric ceramics |
| EP1125904A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-22 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
| US6933256B2 (en) | 2000-02-09 | 2005-08-23 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing same |
| US6962888B2 (en) * | 2000-06-29 | 2005-11-08 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05314817A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3368602B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH0353408A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3143922B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2676778B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0329208A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2568567B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3064518B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0353407A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04188506A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2568565B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2568566B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62243207A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62252904A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2615636B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62243208A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH03237057A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
| JPS63193403A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63174204A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62145603A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0815010B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH05205523A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS61239503A (ja) | 温度補償用誘電体磁器組成物 | |
| JPS63174209A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63193401A (ja) | 誘電体磁器組成物 |