JPH03203012A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 星粟上空紅且立立 この発明は、コンピュータの補助記憶装置である磁気テ
ープ装置・磁気ディスク装置等に用いられる磁気抵抗効
果型再生磁気ヘッドに関し、特に磁気抵抗効果型素子の
端部で発生するバルクハウゼンノイズを低減する技術に
関する。

従」匹旧克術− 従来のバルクハウゼンノイズ低減の例を第４図を参照し
ながら説明する。

フェライト基板３９は全面にＡｌ２Ｏ，・Ｓ　ｉ０２等
（７）絶縁体薄膜３８を蒸着・スパッタリング等で被着
させである。

絶縁体薄膜３８上には磁気検出部の磁気抵抗膜にバイア
ス磁界を与えるＴｉ等の導体薄膜３５とＮｉＦｅ等の磁
気抵抗効果膜３１を蒸着・スパッタリング等で積層し、
細長い矩形の磁気検出部２１とその両端部３３．３４に
接続した電極４０．４１をイオンミリング等でエツチン
グ形成しである。

磁気検出部３２の両端部３３．３４の外側近傍にはＮｉ
Ｐ等の硬磁性体３６．３７をメツキ形成し、一連のヘッ
ド成膜・加工工程の後、外部磁界を印加することにより
、硬磁性体３６，３７を磁気抵抗効果膜３１の長手方向
に磁化しである。磁気検出部３２には定電流源４２から
電極４０．４１を通して一定のセンス電流が流れている
。

外部磁界に対して磁気抵抗効果膜３１の抵抗値が変化す
るので、磁気検出部３２の両端に接続された電極４０．
４１の間には外部磁界に関係した信号電圧が生じる。

コンデンサ４３で信号電圧の直流成分を除去し、プリア
ンプ４４で増幅して検出すべき外部磁界からの信号４５
を得る。

磁気抵抗効果膜３１内は単磁区構造になるように成膜し
てあり、磁気抵抗効果膜３１の両端部３３．３４に不安
定な磁区が発生しないように、磁気抵抗効果膜３１の両
端部３３．３４を長く突き出させたり、磁区形状に沿わ
せた外形にしたりしてバルクハウゼンノイズを低減して
いた。このような具体的な例としては、例えば特開昭６
３−２０４５０６号公報がある。

また、磁気抵抗効果膜３１の両端部３３．３４の外側近
傍に形成した硬磁性体３８．３７によって、磁気抵抗効
果膜３１の両端部３３．３４を硬磁性体３６．３７を結
ぶ方向に縦バイアスし、磁気抵抗効果膜３１の両端部３
３．３４で不安定な磁区が発生しないようにしてバルク
ハウゼンノイズを低減していた。この例としては、例え
ば特開昭６４−１１１２号公報がある。

ところで、上記の従来の磁気抵抗効果膜の両端形状を磁
気抵抗効果膜の磁区に沿う形にする方法は、磁気抵抗効
果膜両端近傍のみを、形状異方性を利用して、単磁区構
造にする方法で、磁気抵抗効果膜の両端部に積極的にバ
イアス磁界を与える方法ではないので、依然としてバル
クハウゼンノイズが発生する余地がある。

また、磁気抵抗効果膜の両端近傍に硬磁性体を形成して
磁気抵抗効果膜に縦バイアス磁界を与える方法は、磁気
抵抗効果膜の両端部領域のみでなく、外部磁界を検出す
る磁気抵抗効果膜の中央部領域にも、影響を与えてしま
う問題があった。

エ　　　、の この発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、上述の問題解決の
ために、磁気抵抗効果膜の両端部に、導体薄膜と軟磁性
体薄膜を順次積層する手段を採用している。

血止 上記の構成によると、磁気抵抗効果による信号検出用の
センス電流によって磁気抵抗効果膜両端部ハ、横バイア
スに励磁され、磁気抵抗効果膜端部の不安定な磁壁がな
くなるので、完全にバルクハウゼンノイズの低減が図れ
る。

災胤豊 以下、この発明について図面を参照して説明する。

第１図はこの発明の一実施例を示す磁気抵抗型ヘッドの
要部斜視図である。

第１図において、フェライト基板９の全面には、Ａｌ２
Ｏ２の絶縁体薄膜８をスパッタリング形成しである。

さらに、絶縁体薄膜８の上には、ＮｌＦｅ等の磁気抵抗
効果膜１とＴｉ等の導電体薄膜５とＣｏＺｒＭｏ等の軟
磁性体薄膜６，７を蒸着・スパッタリング等で順次積層
し、細長い矩形の磁気検出部２とその両端部３，４に接
続した電極１０．１１をイオンミリング等でエツチング
形成しである。

磁気検出部２に位置する導体薄膜５の中央部上側は、選
択エツチングによって軟磁性体薄膜を除き磁気抵抗効果
膜の両端部と両電極１０．１１のみ軟磁性体薄膜６，７
を形成しである。

磁気検出部２には定電流源１２から電極１０゜１１を通
して一定のセンス電流が流れている。

また、両電極ｉｏ、ｔｔは直流信号を除去するコンデン
サ１３を介してプリアンプ１４に接続されている。

第１図の媒体摺動面から見た平面図を第２図に示す。

第２図の構造の膜形成面には、全面に０２０３等の絶縁
体薄膜８と、ＮｆＦｅ等の軟磁性体薄膜エフと、Ａｊ２
０．等の絶縁体薄膜１８が順次積層してあり、絶縁体薄
膜１８の表面は研磨により平坦に加工され、接着層１９
によって絶縁体薄膜１８の全面に、フェライト等の保護
板２０が接着されてあり、フェライト基板９と軟磁性体
薄膜１７は両シールド板を形成している。

第３図に第１図の磁気抵抗効果膜１と軟磁性体薄膜６，
７の磁化分布を示す。

磁気抵抗効果膜１と軟磁性体薄膜６，７は成膜時に誘導
磁界によって磁気検出部２の長手方向が磁化容易軸にな
るように異方性がつけられている。

センス電流は磁気検出部２では、磁気抵抗効果膜１と導
体薄膜５に分流し、導体薄膜５を流れる電流は磁気抵抗
効果膜１に磁気バイアスを与える。

一方、磁気抵抗効果膜１の両端部３，４では、センス電
流が磁気抵抗効果膜１と導体薄膜５と軟磁性体薄膜６，
７に分流し、導体薄膜５を流れる電流は、磁気抵抗効果
膜１と軟磁性体薄膜６，７が両側にあることによって、
お互いに強い磁化を誘起し、磁気抵抗効果膜１軟磁性体
薄膜６，７に強い磁気バイアスを与える。

すなわち、磁気抵抗効果膜の中央部である磁気検出部２
では、成膜時に付けられた磁化容易軸の異方性とセンス
電流２８によって動作磁界２１に磁気バイアスされると
ともに、磁気抵抗効果膜の両端部３，４では強いセンス
電流の効果によって、磁気抵抗効果膜側は飽和磁界２２
．２３に磁気バイアスされ、軟磁性体薄膜側は磁界２２
．２３と逆向きの磁界２４．２５に磁気バイアスされて
いる。

両電極部１０．１１では成膜時に付けられた異方性によ
る軸の向きとセンス電流によって生じる磁界の向きが同
じになるので、安定な磁区状態になる。

また、磁気抵抗効果膜の両端部３，４と両電極ｔｏ、ｉ
ｔの接続部は、センス電流の流れる断面積が小さいので
電流密度が大きくなり、より安定な磁区状態になる。

ここで、磁気抵抗効果膜１の飽和磁束密度Ｂｓ１、膜厚
ｔ１と軟磁性体薄膜３，４の飽和磁束密度Ｂ　ｓ　２　
＋膜厚ｔ２との関係は、ＢＳｌ・ｔ１≦Ｂｓ２・ｔ２が
望ましい。

本実施例では、シールド型磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
例を示したが、その他にヨーク型磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにも適用できる。

金晩空妨果 以上説明したように、この発明は磁気抵抗効果膜の両端
部と両電極に、導体薄膜と軟磁性体薄膜とを積層させて
、センス電流の効果を利用して積極的に磁化を与えると
いう比較的簡単な構造で、磁気検出部である磁気抵抗効
果膜の中央部には影響を与えずに、磁気抵抗効果膜の両
端部と両電極部を安定な磁区に保持でき、磁区の変動に
起因するバルクハウゼンノイズを完全に低減できる。

また、マルチトラックヘッドの場合には、隣接トラック
へ悪影響を及ぼさない磁気ヘッドを形成できる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの
要部斜視図、第２図は第１図ヘッドの媒体摺動面から見
た断面図、第３図は第１図ヘッドの磁性体膜内の磁化分
布を示す概念図、第４図は従来の磁気抵抗効果型ヘッド
の要部斜視図である。 １．３１・・・・・・磁気抵抗効果膜、５．３５・・・
・・・導体薄膜、 ６．７・・・・・・軟磁性体薄膜、 ８．３８・・・・・・絶縁体薄膜、

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 磁気抵抗効果膜の両端部に、磁気抵抗効果素子端部にバ
   イアス磁界を与えるための、導体薄膜と軟磁性薄膜を順
   次積層したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。