JPH03206643A - 半導体素子の分離方法 - Google Patents
半導体素子の分離方法Info
- Publication number
- JPH03206643A JPH03206643A JP2001901A JP190190A JPH03206643A JP H03206643 A JPH03206643 A JP H03206643A JP 2001901 A JP2001901 A JP 2001901A JP 190190 A JP190190 A JP 190190A JP H03206643 A JPH03206643 A JP H03206643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- tape
- picked
- ultraviolet rays
- irradiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7412—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H10P72/7414—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子の分離方法に関する。
近年、複数個整列して形成された半導体素子（以下ペレ
ットと称す）を個々のベレットに分割して取り出す際に
は、切断時にベレットの飛び散りゃ裏面汚れを防ぐ為に
、強い接着強度を有し、ビックアップ時にペレット吸着
ミスが生じないように、その接着強度が紫外線（ＵＶ）
により低下する紫外線硬化型接着性テーブ（以下ＵＶテ
ープと称す）が使用されるようになった．このＵＶテー
ブを使用したペレット分離方法は、第３図（ａ）に示す
ように一生面に素子が形成されたウエハー裏面をＵＶテ
ープ７に貼り付け、個々のベレット２に完全切断した後
、ＵＶ照射を行ない、吸着コレットとＵＶテープの裏面
からの突き上げ棒の上下動作により、ベレットをビック
アップさせるのが一般的であり、このペレット分離方法
におけるＵＶ照射には、第３図（ｂ）に示すようにビッ
クアップ工程前に照射のために１工程を設けてテープ裏
面からｌウェハー全体に照射する方法（以下全体照射法
と称す〉と、第３図（Ｃ）に示すようにピックアップ工
程でテープ裏面からウェハーの一部分を照射する方法（
以下、スポット照射法と称す）の２つの方法がある。
ットと称す）を個々のベレットに分割して取り出す際に
は、切断時にベレットの飛び散りゃ裏面汚れを防ぐ為に
、強い接着強度を有し、ビックアップ時にペレット吸着
ミスが生じないように、その接着強度が紫外線（ＵＶ）
により低下する紫外線硬化型接着性テーブ（以下ＵＶテ
ープと称す）が使用されるようになった．このＵＶテー
ブを使用したペレット分離方法は、第３図（ａ）に示す
ように一生面に素子が形成されたウエハー裏面をＵＶテ
ープ７に貼り付け、個々のベレット２に完全切断した後
、ＵＶ照射を行ない、吸着コレットとＵＶテープの裏面
からの突き上げ棒の上下動作により、ベレットをビック
アップさせるのが一般的であり、このペレット分離方法
におけるＵＶ照射には、第３図（ｂ）に示すようにビッ
クアップ工程前に照射のために１工程を設けてテープ裏
面からｌウェハー全体に照射する方法（以下全体照射法
と称す〉と、第３図（Ｃ）に示すようにピックアップ工
程でテープ裏面からウェハーの一部分を照射する方法（
以下、スポット照射法と称す）の２つの方法がある。
上述した従来のベレット分離工程におけるＵＶ照射方法
では、いずれもウェハーまたはペレット全体にＵＶが照
射され、接着層が硬化する為、ベレットの保持力が殆ん
どなくなり、特にペレットが小さくなる程、突き上げ棒
でのビックアップ時に周囲のベレットが剥がれ、剥がれ
たベレットによりキズ、カケ不良や誤認識等が発生し、
また切断後にベレット間の接着層上に残っているシリコ
ンクズがビックアップ時にベレット表面に飛び散り、ペ
レットキズによる外観不良やＬＦＴ不良が発生し、ベレ
ッタイズや選別の歩留を低下させるという欠点があった
．その対策として、Ｕｖ照射条件の照度や光量により、
接着力を調整していたが、テープの特性として第４図に
示すようにＵＶ照射で接着力を低下させる場合、一定以
上の照度が必要でテープＢのように照度を変えても接着
力が一定のものがあることや、第５図のように所定値以
上の照度であれば光量（時間）を変えても接着力が変わ
らない等、照射条件でコントロールすることは困難であ
った。また条件変更による接着力不安定の為にベレット
のピックアップミスが発生し、コレットキズやカケを引
き起こすばかりでなく、完全に接着剤が硬化していない
為に接着剤がペレット裏面に転移してしまい、Ａｕ−Ｓ
ｉダイボンディングのヌレ性や信頼性へ影響する等の問
題もあった。
では、いずれもウェハーまたはペレット全体にＵＶが照
射され、接着層が硬化する為、ベレットの保持力が殆ん
どなくなり、特にペレットが小さくなる程、突き上げ棒
でのビックアップ時に周囲のベレットが剥がれ、剥がれ
たベレットによりキズ、カケ不良や誤認識等が発生し、
また切断後にベレット間の接着層上に残っているシリコ
ンクズがビックアップ時にベレット表面に飛び散り、ペ
レットキズによる外観不良やＬＦＴ不良が発生し、ベレ
ッタイズや選別の歩留を低下させるという欠点があった
．その対策として、Ｕｖ照射条件の照度や光量により、
接着力を調整していたが、テープの特性として第４図に
示すようにＵＶ照射で接着力を低下させる場合、一定以
上の照度が必要でテープＢのように照度を変えても接着
力が一定のものがあることや、第５図のように所定値以
上の照度であれば光量（時間）を変えても接着力が変わ
らない等、照射条件でコントロールすることは困難であ
った。また条件変更による接着力不安定の為にベレット
のピックアップミスが発生し、コレットキズやカケを引
き起こすばかりでなく、完全に接着剤が硬化していない
為に接着剤がペレット裏面に転移してしまい、Ａｕ−Ｓ
ｉダイボンディングのヌレ性や信頼性へ影響する等の問
題もあった。
本発明の半導体ペレットの分離方法は、ＵＶテープ上で
完全に切断されたベレットをビックアップする工程でマ
スク等の使用によってペレット外周より１００〜１５０
μｍ内部のみに紫外線をＵＶテープ裏面からベレット単
位でスポット照射し、コレットや突き上げ棒によって個
々のペレットに分離することを特徴とする。
完全に切断されたベレットをビックアップする工程でマ
スク等の使用によってペレット外周より１００〜１５０
μｍ内部のみに紫外線をＵＶテープ裏面からベレット単
位でスポット照射し、コレットや突き上げ棒によって個
々のペレットに分離することを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を説明するための
断面図、第１図（ｂ）はその上面図である．接着性ＵＶ
テープ７上で個々の完全切断されたベレット２を裏面か
ら吸着する吸着ノズル５の上面にベレット寸法８より１
００〜１５０μ小さいマスク４を取り付け、ノズル上面
全体でテープを均一に吸着させながらテープ裏面からＵ
Ｖ３をスポット照射し、その後、数本の突き上げ棒６で
ペレットを押し上げ、吸着コレット１によりベレットを
吸着させビックアップを行なう。
断面図、第１図（ｂ）はその上面図である．接着性ＵＶ
テープ７上で個々の完全切断されたベレット２を裏面か
ら吸着する吸着ノズル５の上面にベレット寸法８より１
００〜１５０μ小さいマスク４を取り付け、ノズル上面
全体でテープを均一に吸着させながらテープ裏面からＵ
Ｖ３をスポット照射し、その後、数本の突き上げ棒６で
ペレットを押し上げ、吸着コレット１によりベレットを
吸着させビックアップを行なう。
なお、この際吸着ノズルはＵＶ照射の際の排気ダクトを
兼ねることも可能である。また、コレットの種類や突き
上げ棒の数等の変更も可能であることは言うまでもない
。
兼ねることも可能である。また、コレットの種類や突き
上げ棒の数等の変更も可能であることは言うまでもない
。
第２図（ａ）は本発明の第２の実施例を説明するための
断面図、第２図（ｂ）はその上面図である．この実施例
は、マスクは使用せずに吸着ノズル５′自体の開口部９
をベレットの外周から１００〜１５０μｍ小さくするこ
とによりＵＶ照射範囲をコントロールし、第１の実施例
と同様にペレットを分離する方法であり、ベレット寸法
対応のノズル作戒によりマスク管理が不要となり交換も
容易となる利点がある。
断面図、第２図（ｂ）はその上面図である．この実施例
は、マスクは使用せずに吸着ノズル５′自体の開口部９
をベレットの外周から１００〜１５０μｍ小さくするこ
とによりＵＶ照射範囲をコントロールし、第１の実施例
と同様にペレットを分離する方法であり、ベレット寸法
対応のノズル作戒によりマスク管理が不要となり交換も
容易となる利点がある。
以上説明したように本発明は、ＵＶテーブを使用したベ
レット分離方法におけるＵＶ照射として、ベレットの外
周から１００〜１５０μｍ内部をベレット裏面からベレ
ット毎に紫外線をスポット照射することにより、ベレッ
ト外周部がＵＶ照射後保持されているので、ベレット剥
れ（特に小ペレット）によるキズ、カケ不良や誤認識の
発生がなくなり、また、通常１００μｍ程度発生するダ
イシング時の裏面チッピングが貼り付いている部分の接
着力が低下していないので切断後のベレット間のシリコ
ンクズが接着層から飛び散ることもなく、それにより、
外観不良，ＬＦＴ不良等が低減されベレッタイズ歩留，
選別歩留を向上させることが出来たく約１％）。またＵ
Ｖ条件により接着力をコントロールする必要がなくなっ
たため、ビックアップミスによる作業性の低下がなくな
り、安定した作業により調整のための工数低減や装置の
稼働率が向上し、さらに、接着層の完全硬化により、接
着剤のペレット裏面への転移の心配もな（、Ａｕ−ＳＬ
ダイボンディングの歩留（ヌレ性〉低下や信頼性上の問
題もなくなった。
レット分離方法におけるＵＶ照射として、ベレットの外
周から１００〜１５０μｍ内部をベレット裏面からベレ
ット毎に紫外線をスポット照射することにより、ベレッ
ト外周部がＵＶ照射後保持されているので、ベレット剥
れ（特に小ペレット）によるキズ、カケ不良や誤認識の
発生がなくなり、また、通常１００μｍ程度発生するダ
イシング時の裏面チッピングが貼り付いている部分の接
着力が低下していないので切断後のベレット間のシリコ
ンクズが接着層から飛び散ることもなく、それにより、
外観不良，ＬＦＴ不良等が低減されベレッタイズ歩留，
選別歩留を向上させることが出来たく約１％）。またＵ
Ｖ条件により接着力をコントロールする必要がなくなっ
たため、ビックアップミスによる作業性の低下がなくな
り、安定した作業により調整のための工数低減や装置の
稼働率が向上し、さらに、接着層の完全硬化により、接
着剤のペレット裏面への転移の心配もな（、Ａｕ−ＳＬ
ダイボンディングの歩留（ヌレ性〉低下や信頼性上の問
題もなくなった。
第１図（ａ）は、本発明の第１の実施例を説明するため
の断面図、第１図（ｂ）はその上面図、第２図（ａ）は
本発明の第２の実施例を説明するための断面図、第２図
（ｂ）はその上面図、第３図（ａ）．（ｂ），（ｃ）は
従来例を説明するための断面図、第４図は照度と接着力
の関係を示す図、第５図は光量と接着力の関係を示した
図である。 １・・・吸着コレット、２・・・ペレット、３．３′・
・・ＵＶ、４・・・マスク、５．５′・・・吸着ノズル
、６・・・突き上げ棒、７・・・ＵＶテープ、８・・・
ペレット寸法、９・・・ノズル開口部、１０・・・テー
プ固定用フレーム
の断面図、第１図（ｂ）はその上面図、第２図（ａ）は
本発明の第２の実施例を説明するための断面図、第２図
（ｂ）はその上面図、第３図（ａ）．（ｂ），（ｃ）は
従来例を説明するための断面図、第４図は照度と接着力
の関係を示す図、第５図は光量と接着力の関係を示した
図である。 １・・・吸着コレット、２・・・ペレット、３．３′・
・・ＵＶ、４・・・マスク、５．５′・・・吸着ノズル
、６・・・突き上げ棒、７・・・ＵＶテープ、８・・・
ペレット寸法、９・・・ノズル開口部、１０・・・テー
プ固定用フレーム
Claims (1)
- 紫外線により接着強度が変化する紫外線硬化型接着性
テープ上で完全切断された半導体素子を前記テープ上の
素子と相対する下面から、紫外線を照射し、突き上げ棒
と吸着コレットの上下動作により前記テープから剥離せ
しめ取り出す工程において、前記紫外線の照射範囲が前
記素子の外周から１００〜１５０μｍ内部であることを
特徴とする半導体素子の分離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001901A JPH03206643A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体素子の分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001901A JPH03206643A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体素子の分離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03206643A true JPH03206643A (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=11514483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001901A Pending JPH03206643A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体素子の分離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03206643A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19822512A1 (de) * | 1998-05-19 | 1999-10-21 | Siemens Ag | Verfahren zum Vereinzeln und Positionieren von Halbleiter-Bauteilen |
| JP2007142327A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェハの加工装置 |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP2001901A patent/JPH03206643A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19822512A1 (de) * | 1998-05-19 | 1999-10-21 | Siemens Ag | Verfahren zum Vereinzeln und Positionieren von Halbleiter-Bauteilen |
| JP2007142327A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェハの加工装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103107136B (zh) | 晶片加工方法 | |
| JP5253996B2 (ja) | ワーク分割方法およびテープ拡張装置 | |
| JP4741332B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| CN1101458A (zh) | 锯切数字微型镜器件以后的圆片工艺 | |
| JP2002373870A (ja) | 半導体ウエーハの加工方法 | |
| CN101840855B (zh) | 紫外线照射装置 | |
| JP4324788B2 (ja) | ウェーハマウンタ | |
| JP5912805B2 (ja) | 板状物の転写方法 | |
| JP2002141392A (ja) | 半導体チップのピックアップ方法及び装置、並びに該装置を有するダイボンド装置 | |
| US6869830B2 (en) | Method of processing a semiconductor wafer | |
| JPH03206643A (ja) | 半導体素子の分離方法 | |
| JP2003077869A (ja) | 半導体ウエーハの加工方法及びこれに使用される支持基板 | |
| CN106328588A (zh) | 薄芯片加工及贴片组装方法 | |
| JPH05291397A (ja) | コレットおよび半導体装置の製造方法 | |
| JP2005243700A (ja) | 粘着シート貼付け方法およびこれを用いた装置 | |
| JPH03239346A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2638155B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JPH04249343A (ja) | 基板分断方法 | |
| JP2007096010A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JPH0697211A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0314258A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2738091B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08139166A (ja) | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH02210844A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2702330B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 |