JPH03208352A - 半導体トランスファモールド金型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体トランスファモールド金型に関し、特に
ＣＣＤ等の光学素子を透明樹脂で一体成型する成型技術
において利用される半導体トランスファモールド金型に
関する。

［従来の技術］ 光学素子を透明樹脂で一体成型する成型技術において利
用される半導体トランスファモールド金型としては、樹
脂タブレットを置くためのカル部、樹脂パッケージが形
成されるキャビティ部、及びカル部からの樹脂がキャビ
ティ部に流れる通路としてのランナ部が形成された一対
の下金型及び上金型を有してなるものが一般的である。

第５図から第８図を用いて、このような従来の半導体ト
ランスファモールド金型の構成及び作動を以下に説明す
る。

第５図は従来の半導体トランスファモールド金型の下金
型２１の平面図である。

第５図において、２２は下金型２１に形成された底面２
２ａを有するカル部である。２３は下金型２１に形成さ
れた底面２３ａを有するランナ部である。カル部２２の
底面２２ａとランナ部２３の底面２３！とは同一の深さ
を持つように下金型は構成されている。２４は下金型２
１に形成されたキャビティ部である。

２５はランナ部２３においてカル部２２と反対側の端部
に形成されたボイド用のダミーランナである。

トランスファモールド成型の際に樹脂中に気泡が混入す
るが、このボイド用のダミーランナ２５に流入される樹
脂中に該気泡の大部分が集まるので、該気泡がキャビテ
ィ部２４内の樹脂に取り込まれるのを防ぐことができる
。

第６図及び第７図は、このように構成された下金型２１
及びこれと対をなす上金型２６を示した断面図である。

第６図は、上金型２６に形成されたカル部２２のポット
１２７を介して、斜線で示した樹脂タブレット１００が
カル部２２に置かれた状態を示している。

第７図は、ポット部２７内をプランジャ２８が下降し、
ランナ部２３を介してキャビティ部２４への樹脂注入が
完了した状態を示している。尚、第７図において、樹脂
を斜線で示した。

第８図は、第７図の樹脂注入が完了した状態における下
金型２１の平面図である。尚、予め樹脂タブレット１０
０は所定の量をもっているので、この状態ではボイド用
のダミーランナ２５及びキャビティ部２４の隅々まで樹
脂が行き渡っている。

第６図には、樹脂タブレット１００の底面に付着してい
たり、カル部２２の底部に残っているゴミ、パリ等の多
数の粒子１０１が白点によって示されている。また、同
図には、樹脂タブレット１００の周側面及び上面に付着
していたり、カル部２２のポット部２７の側壁に付着し
ているゴミ、パリ等の多数の粒子１０２が黒点によって
示されている。

第７図及び第８図には、第６図に示した粒子Ｉ０１及び
粒子１Ｇ２が樹脂注入完了後に樹脂内に分布した状態で
示されている。

このように白点で示された粒子１０１は、注入される樹
脂の最前面に近い部分により取り込まれることになるの
でカル部２２から遠く離れたキャビティ部２４及びボイ
ド用のダミーランナ２５の隅々にまで到達する。

他方、黒点で示された粒子１０２は、注入される樹脂の
プランジャ２８に接する最後部に近い部分に取り込まれ
ることになるのでカル部２２、並びにカル部２２に近い
側にあるキャビティ部２４及びランナ部２３の樹脂によ
り多く取り込まれる。

［発明が解決しようとする課題］ 光学素子を透明樹脂で一体成型する成型技術において利
用される半導体トランスファモールド金型においては、
パッケージ樹脂内に取り込まれ光学素子の撮像不良を引
き起こすゴミ、パリ等の不純物粒子を低減することが望
まれている。

しかしながら、前述のごと〈従来の半導体トランスファ
モールド金型では、樹脂タブレットの底面、上面及び周
側面に付着していたり、カル部の底部及び側壁に付着し
ているゴミ、パリ等の粒子がキャビティ内の樹脂に取り
込まれてしまうという問題点がある。

本発明の目的は、半導体トランスファモールド成型にお
いてパッケージ樹脂内に取り込まれるゴミ、パリ等の不
純物粒子を低減することができる半導体トランスファモ
ールド金型を提供することである。

［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成すべく構成された本発明の第１の半導体
トランスファモールド金型は、カル部、ランナ部及びキ
ャビティ部が形成された一対の下金型及び上金型を有し
ており光学素子を透明樹脂で封止するための半導体トラ
ンスファモールド金型であって、前記カル部の底面が前
記ランナ部の底面よりも低い位置にあるように構成され
たことを特徴とする。

前記目的を達成すべく構成された本発明の第２の半導体
トランスファモールド金型は、カル部、ランナ部及びキ
ャビティ部が形成された一対の下金型及び上金型を有し
ており光学素子を透明樹脂で封止するための半導体トラ
ンスファモールド金型であって、前記カル部から前記カ
ル部の最も近くに位置したキャビティ部までの間にある
前記ランナ部の部分に少なくとも１つのダミーランナを
設けたことを特徴とする。

［作用コ 本発明の第１の半導体トランスファモールド金型によれ
ば、カル部の底面がランナ部の底面よりも低い位置にあ
るように構成されているので、カル部に置かれる樹脂タ
ブレットにおいてカル部の底面に接する付近の樹脂部分
は注入の際に殆ど移動しない。ここで、樹脂タブレット
の底面に付着していたり、カル部の底部に残っているゴ
ミ、パリ等の粒子は、該樹脂タブレットのカル部の底面
に接する部分及びその周辺部分に付着している。

従って、これらのゴミ、パリ等の粒子が、カル部の底面
よりも高い位置にある底面をもつランナ部へ、樹脂注入
の際に樹脂と共に上昇して移動することは殆どない。そ
して、樹脂注入完了の際には、これらのゴミ、パリ等の
粒子は、カル部に残った樹脂の中にその大部分が取り込
まれることになる。

従って、これらのゴミ、パリ等の粒子がキャビティ部の
中に注入されたパッケージ樹脂内に取り込まれる割合を
低減させ得る。

本発明の第２の半導体トランスファモールド金型におい
ては、カル部からカル部の最も近くに位置したキャビテ
ィ部までの間にあるランナ部の部分に少なくとも１つの
ダミーランナを設けている。

ここで、前述したように樹脂タブレットの周側面及び上
面に付着していたり、カル部の側壁に残っているゴミ、
パリ等の粒子は、注入される樹脂の最後部に近い部分に
取り込まれることになる。このため、本発明の第２の半
導体トランスファモールド金型によれば、このようにキ
ャビティ部よりもカル部に近い位置に設けられたダミー
ランナに流れ込む樹脂の中にこれらのゴミ、パリ等の粒
子の大部分が取り込まれる。従って、これらのゴミ、パ
リ等の粒子がキャビティ部の中に注入されたパッケージ
樹脂内に取り込まれる割合を低減させ得る。

次に示す本発明の実施例から、本発明のこのような作用
がより明らかにされ、更に本発明の他の作用が明らかに
されよう。

［実施例］ 本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は、本発明の第１実施例である半導体トランスフ
ァモールド金型の下金型１の平面図である。

第１図において、２は下金型１に形成された底面２ａを
有するカル部である。３は下金型１に形成された底面３
ａを有するランナ部である。４は下金型１に形成された
キャビティ部である。５はランナ部３においてカル部２
と反対側の端部に形成されたボイド用のダミーランナで
ある。

第２図及び第３図は、下金型１及びこれと対をなす上金
型６を示した断面図である。

第２図は、上金型６に形成されたカル部２のポット部７
を介して、斜線で示した樹脂タブレット１００がカル部
２に置かれた状態を示している。

第３図は、ポット部７内をプランジャ８が下降し、ラン
ナ部３を介してキャビティ部４への樹脂注入が完了した
状態を示している。尚、第３図において、樹脂を斜線で
示した。予め樹脂タブレット１００は所定の量をもって
いるので、この状態ではボイド用のダミーランナ５及び
キャビティ部４の隅々まで樹脂が行き渡っている。

第２図には、樹脂タブレット１００の底面に付着してい
たり、カル部２の底部に残っているゴミ、パリ等の多数
の粒子１０１が白点によって示されている。

第３図には、第２図に示した粒子１０１が樹脂注入完了
後に樹脂内に分布した状態で示されている。

尚、第２図及び第３図には、第６図及び第７図に黒点で
示したような樹脂タブレット１００の周側面及び上面、
並びにポット部７の側壁に付着したゴミ、パリ等の粒子
は省略されている。

ここで、樹脂タブレット１００において、カル部２の底
面に接する樹脂部分は、プランジャ８による樹脂の注入
中にランナ部３の方へ移動することは殆どない。これは
、カル部２の底面２ａがランナ部３の底面３ａよりも低
い位置にあるからである。従って、粒子１０１は、この
カル部２の底面付近に残る樹脂と共にランナ部５へ移動
することは殆どない。そして、これらの粒子１０１は、
最終的に樹脂注入完了の際には、カル部２に残った樹脂
内にその大部分が取り込まれることになる。

このように第１実施例によれば、これらのゴミ、パリ等
の粒子１０１がキャビティ部４の中に注入されたパッケ
ージ樹脂内に取り込まれる割合を飛躍的に低減させ得る
。

尚、樹脂の注入完了後には、これらのゴミ、パリ等の粒
子１０１　は、カル部２に残った樹脂に含まれたまま廃
棄することができるので、特にこれらのカル部２に溜ま
ったゴミ、パリ等の粒子１０１の除去作業を行う必要は
なく大量生産、バッチ処理等において工程上有利である
。

第４図は、本発明の第２実施例である半導体トランスフ
ァモールド金型の下金型１１の平面図である。尚、同図
は樹脂注入が完了した状態を示している。

第４図において、１２は下金型１１に形成されたカル部
である。１３は下金型１１に形成されたランナ部である
。１４は下金型１１に形成されたキャビティ部である。

１５はランナ部１３においてカル部１２と反対側の端部
に形成されたボイド用のダミーランナである。

第２実施例では特に、カル部１２からカル部１２の最も
近くに位置したキャビティ部１４までの間にあるランナ
部１３の部分に２つのダミーランナ１９ｇ、　１９ｂが
設けられている。尚、このようなダミーランナを１つ又
は３つ以上設けても良い。

尚、第２実施例における上金型は第１実施例における上
金型６と同一のものであるのでこの説明は省略する。

第４図には、第８図で黒点で示したような樹脂タブレッ
ト１００の周側面及び上面に付着していたり、カル部１
２のポット部の側壁に残っていたゴミ、パリ等の多数の
粒子１０２が黒点によって、樹脂注入完了後に樹脂内に
分布した状態で示されている。

尚、第４図には、第８図に白点て示したような樹脂タブ
レット１００の底面に付着していたり、カル部２２の底
部に残っていたゴミ、パリ等の多数の粒子は省略されて
いる。

これらの粒子１０２は、注入される樹脂のプランジャに
接する最後部に近い樹脂部分に取り込まれることになる
のでダミーランナ１９ａ、　１９ｂに流れ込む樹脂内に
これらの粒子１０２の大部分が取り込まれる。そして、
これらの粒子１０２は、最終的に樹脂注入完了の際には
、そのままダミーランナ１９ａ１９ｂに残った樹脂内に
含まれることになる。

このように第２実施例によれば、これらのゴミ、パリ等
の粒子１０２がキャビティ部１４の中に注入されたパッ
ケージ樹脂内に取り込まれる割合を飛躍的に低減させ得
る。

尚、樹脂の注入完了後には、これらのゴミ、パリ等の粒
子１０２は、ダミーランナ１９ａ、　１９ｂに残った樹
脂に含まれたまま廃棄することができるので、特にこれ
らのダミーランナ１９ａ、　１９ｂに溜まったゴミ、パ
リ等の粒子１０２の除去作業を行う必要はなく大量生産
、バッチ処理等において工程上有利である。

尚、以上に示した第１実施例に、更に第２実施例のダミ
ーランナ１９ａ、　１９ｂの如きダミーランナを設けれ
ば、より一層キャビティ部の中の樹脂内に取り込まれる
ゴミ、パリ等の不純物粒子を低減することができる。

［発明の効果コ 本発明の第１の半導体トランスファモールド金型によれ
ば、カル部の底面がランナ部の底面よりも低い位置にあ
るように構成されているので、樹脂タブレットの底面に
付着していたり、・カル部の底部に残っているゴミ、パ
リ等の粒子が、キャビティ部の中に注入されたパッケー
ジ樹脂内に取り込まれる割合を低減させ得る。

本発明の第２の半導体トランスファモールド金型によれ
ば、カル部からカル部の最も近くに位置したキャビティ
部までの間にあるランナ部の部分に少なくとも１つのダ
ミーランナを設けているので、樹脂タブレットの周側面
及び上面に付着していたり、カル部の側壁に付着してい
るゴミ、パリ等の粒子が、キャビティ部の中に注入され
たパッケージ樹脂内に取り込まれる割合を低減させ得る
。

この結果、本発明によれば、半導体トランスファモール
ド成型においてパッケージ樹脂内に取り込まれるゴミ、
パリ等の不純物粒子を低減することができ、良好な撮像
が可能なＣＣＤ等の光学素子をパッケージした半導体装
置を製造することを可能とし得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例の半導体トランスファモー
ルド金型に係る下金型の平面図、第２図は樹脂タブレッ
トを置いた状態の本発明の第１実施例の半導体トランス
ファモールド金型の断面図、第３図は樹脂注入完了時の
状態の本発明の第１実施例の半導体トランスファモール
ド金型の断面図、第４図は樹脂注入完了時の状態の本発
明の第２実施例の半導体トランスファモールド金型に係
る下金型の平面図、第５図は従来の半導体トランスファ
モールド金型に係る下金型の平面図、第６図は樹脂タブ
レットを置いた状態の従来の半導体トランスファモール
ド金型の断面図、第７図は樹脂注入完了時の状態の従来
の半導体トランスファモールド金型の断面図、第８図は
樹脂注入完了時の状態の従来の半導体トランスファモー
ルド金型に係る下金型の平面図である。 １．１１．２］・・・・・・下金型、　　２，１２．２
２・・・・・・カル部、２ａ、２２ａ・・・・・・カル
部の底面、３．１３．２３・・・・・・ランナ部、　３
ａ、２３ａ・・・・・・ランナ部の底面、　４゜１４、
２４−−−−−−キャビティ部、　　５　、１５．２５
．１９ａ、　１９ｂ・・・・・・ダミーランナ、６．２
６・・・・・・上金型、７．２７・・・・・・ポット部
、８．２８・・・・・・プランジャ。 とヤベ （ｓＯ４）シャープ株式会社

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）カル部、ランナ部及びキャビティ部が形成された
   一対の下金型及び上金型を有しており光学素子を透明樹
   脂で封止するための半導体トランスファモールド金型で
   あって、前記カル部の底面が前記ランナ部の底面よりも
   低い位置にあるように構成されたことを特徴とする半導
   体トランスファモールド金型。
2. （２）カル部、ランナ部及びキャビティ部が形成された
   一対の下金型及び上金型を有しており光学素子を透明樹
   脂で封止するための半導体トランスファモールド金型で
   あって、前記カル部から前記カル部の最も近くに位置し
   たキャビティ部までの間にある前記ランナ部の部分に少
   なくとも１つのダミーランナを設けたことを特徴とする
   半導体トランスファモールド金型。