JPH0320902B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0320902B2 JPH0320902B2 JP58018799A JP1879983A JPH0320902B2 JP H0320902 B2 JPH0320902 B2 JP H0320902B2 JP 58018799 A JP58018799 A JP 58018799A JP 1879983 A JP1879983 A JP 1879983A JP H0320902 B2 JPH0320902 B2 JP H0320902B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- press
- spring
- spring guide
- hole
- laminate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体整流装置に用いる平型半導体素
子の積層スタツクの構造に関するものである。
子の積層スタツクの構造に関するものである。
〔従来技術〕
第１図および第２図は、従来から半導体整流装
置に用いられている平型半導体素子の積層スタツ
クの構造を示す正面図および側面図である。
置に用いられている平型半導体素子の積層スタツ
クの構造を示す正面図および側面図である。
これらの図において、複数の平型半導体素子１
はその両端に配置された冷却フイン２を介して積
層されると共に、積層端部の一方の冷却フイン２
は絶縁スペーサ３Ａおよびバネガイド４を介して
下押え板９との間に配置されたバネ５により押圧
され、他方の冷却フイン２は絶縁スペーサ３Ｂお
よびスチールボール６を介して上押え板８の中心
部分に配置された加圧ボルト７によつて押圧さ
れ、上押え板８および下押え板９は絶縁ボルト１
０によつて適正な間隔を保ち連結固定されてい
る。また、下押え板９にはＬ字形の金具１２が固
定されると共に、バネガイド４には下押え板９の
中心部分を貫通するロツド１１が固定されてお
り、加圧ボルト７を回転させてスチールボール６
を介して絶縁スペーサ３Ｂを押圧すると平型半導
体素子１および冷却フイン２はバネ５の反力によ
つて圧接され、この時の圧接力はロツド１１の先
端と金具１２との間隙１３を測ることによつて検
知できるように構成されている。
はその両端に配置された冷却フイン２を介して積
層されると共に、積層端部の一方の冷却フイン２
は絶縁スペーサ３Ａおよびバネガイド４を介して
下押え板９との間に配置されたバネ５により押圧
され、他方の冷却フイン２は絶縁スペーサ３Ｂお
よびスチールボール６を介して上押え板８の中心
部分に配置された加圧ボルト７によつて押圧さ
れ、上押え板８および下押え板９は絶縁ボルト１
０によつて適正な間隔を保ち連結固定されてい
る。また、下押え板９にはＬ字形の金具１２が固
定されると共に、バネガイド４には下押え板９の
中心部分を貫通するロツド１１が固定されてお
り、加圧ボルト７を回転させてスチールボール６
を介して絶縁スペーサ３Ｂを押圧すると平型半導
体素子１および冷却フイン２はバネ５の反力によ
つて圧接され、この時の圧接力はロツド１１の先
端と金具１２との間隙１３を測ることによつて検
知できるように構成されている。
従つて、このような構成の積層スタツクにおい
ては、ロツド１１の先端と金具１２との間隙１３
を管理することにより、平型半導体素子１の適正
な圧接力を管理することができる。例えば、素子
１の劣化等によりこれを交換する場合は、バネ５
の反力がなくなるまで加圧ボルトを弛めることに
より素子１の交換ができる状態となり、交換後は
間隙１３が規定値に達するまで加圧ボルト７を締
付けることにより、特別な圧力計等を用いずに素
子交換前の圧接状態と同じにすることができる。
ては、ロツド１１の先端と金具１２との間隙１３
を管理することにより、平型半導体素子１の適正
な圧接力を管理することができる。例えば、素子
１の劣化等によりこれを交換する場合は、バネ５
の反力がなくなるまで加圧ボルトを弛めることに
より素子１の交換ができる状態となり、交換後は
間隙１３が規定値に達するまで加圧ボルト７を締
付けることにより、特別な圧力計等を用いずに素
子交換前の圧接状態と同じにすることができる。
しかしながら、このような構造においては加圧
ボルト７および金具１２、ロツド１１が押え板
８，９より外側に突出しているため、このような
積層スタツクを多数使用する大容量半導体整流装
置では装置全体の寸法が大きくなり不経済になつ
てしまうという欠点があつた。
ボルト７および金具１２、ロツド１１が押え板
８，９より外側に突出しているため、このような
積層スタツクを多数使用する大容量半導体整流装
置では装置全体の寸法が大きくなり不経済になつ
てしまうという欠点があつた。
本発明の目的は、半導体整流装置全体の形状を
小形化し得る積層スタツクを提供することにあ
る。
小形化し得る積層スタツクを提供することにあ
る。
本発明は加圧ボルトおよび隙間測定部を押え板
の内側に配置するようにしたものである。
の内側に配置するようにしたものである。
第３図〜第５図は本発明の一実施例を示す図で
あつて、第３図は積層スタツクの正面図、第４図
はその側面図、第５図はバネガイドの平面図をそ
れぞれ示している。
あつて、第３図は積層スタツクの正面図、第４図
はその側面図、第５図はバネガイドの平面図をそ
れぞれ示している。
第３図および第４図において、平型半導体素子
１、冷却フイン２、絶縁スペーサ３Ａ，３Ｂは、
従来と同様に上押え板８と下押え板９との間に絶
縁ボルト１０によつて一直線上に積層され、絶縁
スペーサ３Ａ，３Ｂはバネガイド４およびスチー
ルボール６を介して加圧ボルト７とバネ５とによ
つて押圧されている。
１、冷却フイン２、絶縁スペーサ３Ａ，３Ｂは、
従来と同様に上押え板８と下押え板９との間に絶
縁ボルト１０によつて一直線上に積層され、絶縁
スペーサ３Ａ，３Ｂはバネガイド４およびスチー
ルボール６を介して加圧ボルト７とバネ５とによ
つて押圧されている。
しかし、ここでの加圧ボルト７はその頭部が上
押え板８の内側になるように該押え板８に螺合さ
れ、かつその頭部には円錘状の切込みが設けられ
てスチールボール６を絶縁スペーサ３Ｂとの間で
確実に挾持するように構成されている。
押え板８の内側になるように該押え板８に螺合さ
れ、かつその頭部には円錘状の切込みが設けられ
てスチールボール６を絶縁スペーサ３Ｂとの間で
確実に挾持するように構成されている。
一方、バネガイド４には第３図および第５図で
示すようにその中心部分を軸方向に貫通する貫通
孔１４が設けられ、下押え板９に固定されかつ該
板９の内側に突出したロツド１１をこの貫通孔１
４に貫通させ、バネガイド４の中心部分に形成さ
れた凹部１５においてロツド１１の先端と絶縁ス
ペーサ３Ａとの間隙１３を測定できるように構成
されている。
示すようにその中心部分を軸方向に貫通する貫通
孔１４が設けられ、下押え板９に固定されかつ該
板９の内側に突出したロツド１１をこの貫通孔１
４に貫通させ、バネガイド４の中心部分に形成さ
れた凹部１５においてロツド１１の先端と絶縁ス
ペーサ３Ａとの間隙１３を測定できるように構成
されている。
従つて、このような構造においては加圧ボルト
７を回転させることによつて素子１および冷却フ
イン２をバネ５の反力によつて適切な圧接力で圧
接させることができる。そして、その圧接力は下
押え板９の内側に突出したロツド１１の先端と絶
縁スペーサ３Ａとの間隙１３を測定することによ
つて検知でき、また圧接力は上押え板８の内側に
ある加圧ボルト７の頭部を回転させることによつ
て調整できる。すなわち、従来と同様の機能を得
ることができる。しかし、ここでは加圧ボルト７
およびバネ５のたわみ量測定部に相当する間隙測
定部を上押え板８と下押え板９の内側に配置した
ため、長軸方向の最大寸法を小さくすることがで
きる。
７を回転させることによつて素子１および冷却フ
イン２をバネ５の反力によつて適切な圧接力で圧
接させることができる。そして、その圧接力は下
押え板９の内側に突出したロツド１１の先端と絶
縁スペーサ３Ａとの間隙１３を測定することによ
つて検知でき、また圧接力は上押え板８の内側に
ある加圧ボルト７の頭部を回転させることによつ
て調整できる。すなわち、従来と同様の機能を得
ることができる。しかし、ここでは加圧ボルト７
およびバネ５のたわみ量測定部に相当する間隙測
定部を上押え板８と下押え板９の内側に配置した
ため、長軸方向の最大寸法を小さくすることがで
きる。
以上の説明から明らかなように本発明によれ
ば、積層スタツクの長軸方向の最大寸法を小さく
することができ、半導体整流装置における取付け
占有空間は小さくて済み、装置全体の形状を小形
化することができる。また、長軸方向の最大寸法
はバネの圧接力にばらつきがあつても上押え板と
下押え板との距離によつて定まるため、取付け位
置の設計に際してバネの圧接力のばらつきを考慮
しなくて済み、設計時の取扱いが便利になるなど
の効果がある。
ば、積層スタツクの長軸方向の最大寸法を小さく
することができ、半導体整流装置における取付け
占有空間は小さくて済み、装置全体の形状を小形
化することができる。また、長軸方向の最大寸法
はバネの圧接力にばらつきがあつても上押え板と
下押え板との距離によつて定まるため、取付け位
置の設計に際してバネの圧接力のばらつきを考慮
しなくて済み、設計時の取扱いが便利になるなど
の効果がある。
第１図および第２図は従来における積層スタツ
クの構造を示す正面図および側面図、第３図およ
び第４図は本発明による積層スタツクの一実施例
を示す正面図および側面図、第５図はバネガイド
の構造を示す平面図である。 １……平型半導体素子、２……冷却フイン、３
Ａ，３Ｂ……絶縁スペーサ、４……バネガイド、
５……バネ、６……スチールボール、７……加圧
ボルト、８……上押え板、９……下押え板、１０
……絶縁ボルト、１１……ロツド。
クの構造を示す正面図および側面図、第３図およ
び第４図は本発明による積層スタツクの一実施例
を示す正面図および側面図、第５図はバネガイド
の構造を示す平面図である。 １……平型半導体素子、２……冷却フイン、３
Ａ，３Ｂ……絶縁スペーサ、４……バネガイド、
５……バネ、６……スチールボール、７……加圧
ボルト、８……上押え板、９……下押え板、１０
……絶縁ボルト、１１……ロツド。
Claims (1)
- １ 複数の平型半導体素子を冷却フアンを介して
積層し、この積層体を所定間隔で対向配置させた
一対の押え板の間に一方の前記押え板に形成され
た加圧ボルトおよび他方の前記押え板に形成され
た圧接バネによつて圧接し、その圧接力を前記圧
接バネのたわみ量によつて測定する測定部を備え
た半導体整流装置用積層スタツクにおいて、前記
加圧ボルトはその頭部を前記積層体と当接する側
に配置させて前記押え板に螺合させているととも
に、前記測定部は前記圧接バネと前記積層体との
間に配置されかつ中心軸上に形成された孔および
側面に前記孔の一部内を比較的広い視野で目視し
得る窓とが形成されたバネガイドと、前記他方の
押え板の前記積層体側に植設されかつ前記バネガ
イドの孔を挿通してその先端が前記孔の一部内に
位置づけられているロツドとからなつていること
を特徴とした半導体整流装置用積層スタツク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58018799A JPS59145558A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 半導体整流装置用積層スタツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58018799A JPS59145558A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 半導体整流装置用積層スタツク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59145558A JPS59145558A (ja) | 1984-08-21 |
| JPH0320902B2 true JPH0320902B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=11981632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58018799A Granted JPS59145558A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 半導体整流装置用積層スタツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59145558A (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512931A (ja) * | 1974-06-28 | 1976-01-12 | Hitachi Ltd | Seiryusochi |
| JPS56108265U (ja) * | 1980-01-21 | 1981-08-22 | ||
| JPS5712748U (ja) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | ||
| JPS596851U (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-17 | 日本電気株式会社 | 平形半導体装置 |
-
1983
- 1983-02-09 JP JP58018799A patent/JPS59145558A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59145558A (ja) | 1984-08-21 |
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