JPH03211740A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03211740A JPH03211740A JP2006921A JP692190A JPH03211740A JP H03211740 A JPH03211740 A JP H03211740A JP 2006921 A JP2006921 A JP 2006921A JP 692190 A JP692190 A JP 692190A JP H03211740 A JPH03211740 A JP H03211740A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- adhesive layer
- terminal member
- polyimide
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5473—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
多数の端子を有するため半導体素子とインナーリードと
の間に中継部材となるターミナル部材を設けてなる半導
体装置に関し、 多端子を有する半導体素子に対しても十分な強痕を持っ
てワイヤーボンディングを行いつるターミナル部材を有
した半導体ｉｓを提供することを目的とし、 一端が半導体素子に形成されたパッドにワイヤーボンデ
ィングされると共に、他端がインナーリードにワイヤー
ボンディングされる導体パターンが形成されてなり、リ
ードフレームステージ上に配設されたターミナル部ｌを
具備してなる゛Ｖ導体装置において、該ターミナル部材
を第１の接着剤層、ポリイミド系基板、第２の接着剤層
、ポリイミド系接着剤層を順次積層し、該第１の接着剤
層及び第２の接着剤層を少なくともゴム添加１ボキシ系
接着剤またはゴム添加ノ■ノール系接肴剤により構成し
た構成とする。
の間に中継部材となるターミナル部材を設けてなる半導
体装置に関し、 多端子を有する半導体素子に対しても十分な強痕を持っ
てワイヤーボンディングを行いつるターミナル部材を有
した半導体ｉｓを提供することを目的とし、 一端が半導体素子に形成されたパッドにワイヤーボンデ
ィングされると共に、他端がインナーリードにワイヤー
ボンディングされる導体パターンが形成されてなり、リ
ードフレームステージ上に配設されたターミナル部ｌを
具備してなる゛Ｖ導体装置において、該ターミナル部材
を第１の接着剤層、ポリイミド系基板、第２の接着剤層
、ポリイミド系接着剤層を順次積層し、該第１の接着剤
層及び第２の接着剤層を少なくともゴム添加１ボキシ系
接着剤またはゴム添加ノ■ノール系接肴剤により構成し
た構成とする。
また、該ターミナル部材はポリイミド系接着剤層のみか
ら構成してもよい。
ら構成してもよい。
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に係り、特に多数の端子をｈするた
め半導体装ｆとインナーリードとの間に中継材となるタ
ーミナル部材を設けてなる事導体ＳＩｔ訂に関する。
め半導体装ｆとインナーリードとの間に中継材となるタ
ーミナル部材を設けてなる事導体ＳＩｔ訂に関する。
近年、半導体素子の高集積化、半導体装置の多ビン化等
に藍求に伴い、小型半導体集子を多ピン半導体装置に搭
載した構成のものが提供されている。
に藍求に伴い、小型半導体集子を多ピン半導体装置に搭
載した構成のものが提供されている。
この場合、インナーリードの先端をワイヤーボンディン
グ可能な位置まで半導体素子のパッドに近づける必要が
ある。しかるに、端子数が多くなるとインナーリードの
先端の間隔が狭くなり現在のリードフレーム加工技術（
エツチング、プレス等）ではワイヤーボンディングに耐
え得る強度をＮ￥ｉしつつインナーリードの先端を半導
体素子に近づけることが不可能となってきている。
グ可能な位置まで半導体素子のパッドに近づける必要が
ある。しかるに、端子数が多くなるとインナーリードの
先端の間隔が狭くなり現在のリードフレーム加工技術（
エツチング、プレス等）ではワイヤーボンディングに耐
え得る強度をＮ￥ｉしつつインナーリードの先端を半導
体素子に近づけることが不可能となってきている。
そこで、このような半導体装置を現在のワイヤーボンデ
ィング技術で製造するため、半導体装ｆとインナーリー
ドとの間に導体パターンを右するターミナル部材（中継
部材）を設け、このターミナル部材を介してインナーリ
ードと半導体素子を接続することが行なわれている。具
体的には、インナーリードの先端とターミナル部材の導
体パターンの一端をワイヤーボンディングすると共に、
導体パターンの他端と半導体素子のパッドとをワイヤー
ボンディングすることが行われている。
ィング技術で製造するため、半導体装ｆとインナーリー
ドとの間に導体パターンを右するターミナル部材（中継
部材）を設け、このターミナル部材を介してインナーリ
ードと半導体素子を接続することが行なわれている。具
体的には、インナーリードの先端とターミナル部材の導
体パターンの一端をワイヤーボンディングすると共に、
導体パターンの他端と半導体素子のパッドとをワイヤー
ボンディングすることが行われている。
このように、ターミナル部材は二度のワイヤーボンディ
ングが行われる為、これに耐え得る十分な強度を有する
必要がある。
ングが行われる為、これに耐え得る十分な強度を有する
必要がある。
上記のようにターミノ−ル部材はワイヤーボンディング
の安定性を確保するため、絶縁部材としである程度の硬
度を為し、また熱変質（熱変形、熱軟化）の少ない材質
を使用する必要がある。
の安定性を確保するため、絶縁部材としである程度の硬
度を為し、また熱変質（熱変形、熱軟化）の少ない材質
を使用する必要がある。
従来では、このターミナル部材としてガラスエポキシ材
を用いていた。
を用いていた。
しかるに、ガラスエポキシ材よりなるターミナル部材で
は、ガラス１ポー１シ材の耐熱情が低いため、次のよう
な問題点があった。即ち端子数が多くなることによりイ
ンナーリードの先端部が少幅。
は、ガラス１ポー１シ材の耐熱情が低いため、次のよう
な問題点があった。即ち端子数が多くなることによりイ
ンナーリードの先端部が少幅。
肉薄となった場合、このインナーリード先端部に十分な
強度をもってワイヤーボンディングしようとした場合、
２００℃以上の温度でワイへ７−ボンディングする必要
があるが、この湿度ではガラス１ボギシ材は熱変質して
しまい、４分な強度をもってワイヤーボンディングを行
うことが出来ないという課題があった。
強度をもってワイヤーボンディングしようとした場合、
２００℃以上の温度でワイへ７−ボンディングする必要
があるが、この湿度ではガラス１ボギシ材は熱変質して
しまい、４分な強度をもってワイヤーボンディングを行
うことが出来ないという課題があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、多端ｆ
を有する半導体装ｆに対しても十分な強度を持ってワイ
ヤーボンディングを行いうるターミナル部材を有した半
導体装置を提供することを目的とする。
を有する半導体装ｆに対しても十分な強度を持ってワイ
ヤーボンディングを行いうるターミナル部材を有した半
導体装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明では、一端が半導体
装Ｉ（１）に形成されたパッド（２）にワイヤーボンデ
ィングされると共に、他端がインナーリード（３）にワ
イヤーボンディングされる導体パターン（４）が形成さ
れてなり、リードフレームステージ（１２）上に配設さ
れるターミナル部材（５，１０）を具備してなる半導体
装置において、 上記ターミナル部材（５）を第１の接着剤層（６）、ポ
リイミド系基板（７）、ゴム添加エポキシ系接着剤層（
８）、第２の接着剤層〈９）を順次積層し、 上記第１の接着剤層（６）及び第２の接着剤層（８）を
少なくともゴム添加１−ボｔ−シ系接着剤またはゴム添
加フェノール系接着剤により構成したことを特徴とする
ものである１゜ また、十記ターミブル部材（１０）はポリイミド系接着
剤腑のみから構成してもよい。
装Ｉ（１）に形成されたパッド（２）にワイヤーボンデ
ィングされると共に、他端がインナーリード（３）にワ
イヤーボンディングされる導体パターン（４）が形成さ
れてなり、リードフレームステージ（１２）上に配設さ
れるターミナル部材（５，１０）を具備してなる半導体
装置において、 上記ターミナル部材（５）を第１の接着剤層（６）、ポ
リイミド系基板（７）、ゴム添加エポキシ系接着剤層（
８）、第２の接着剤層〈９）を順次積層し、 上記第１の接着剤層（６）及び第２の接着剤層（８）を
少なくともゴム添加１−ボｔ−シ系接着剤またはゴム添
加フェノール系接着剤により構成したことを特徴とする
ものである１゜ また、十記ターミブル部材（１０）はポリイミド系接着
剤腑のみから構成してもよい。
〔信用）
上記の構成において、ゴム添加１ボ１シ系接看剤または
ゴム添加フェノール系接着剤よりなる第１の接着剤層（
６）はリードル−ムステージ（１２）とポリイミド系す
板（７）とを接着させる。また、ゴム添加■−ボ１シ系
接石剤また（、ｔゴム添加）１ノール系接盾剤よりなる
第２の接着剤層（８）は、密名竹の悪いポリイミド系基
板（７）とポリイミド系１８肴剤〈９）とを密着さける
機能を央する。更に、ポリイミド系接着剤（９〉は、導
体パターン（４）の接＠竹を向上させるために配設され
ている。
ゴム添加フェノール系接着剤よりなる第１の接着剤層（
６）はリードル−ムステージ（１２）とポリイミド系す
板（７）とを接着させる。また、ゴム添加■−ボ１シ系
接石剤また（、ｔゴム添加）１ノール系接盾剤よりなる
第２の接着剤層（８）は、密名竹の悪いポリイミド系基
板（７）とポリイミド系１８肴剤〈９）とを密着さける
機能を央する。更に、ポリイミド系接着剤（９〉は、導
体パターン（４）の接＠竹を向上させるために配設され
ている。
また、ポリイミド系基板（７）は熱膨張係数が小さく、
高い硬度を有し、かつ耐熱性に優れている。４Ｊ１せて
、他の接着剤層等も耐熱性、密着性に優れた材質が選定
されている。よって、高い温度でワイヤーボンディング
を行っても熱変質は発生せず、多端ｆ含有する半導体素
子のワイヤーボンディング処理に十分対応することがで
きる。
高い硬度を有し、かつ耐熱性に優れている。４Ｊ１せて
、他の接着剤層等も耐熱性、密着性に優れた材質が選定
されている。よって、高い温度でワイヤーボンディング
を行っても熱変質は発生せず、多端ｆ含有する半導体素
子のワイヤーボンディング処理に十分対応することがで
きる。
更に、厚みが薄くなりターミナル部材（１０）の製造工
程上で取り扱いが困難になるが、ポリイミド系接着剤の
みによりターミナル部材（１０）を構成してらよい。こ
の場合、ポリイミド系接着剤は絶縁基板としての機能を
も兼ねることになる。
程上で取り扱いが困難になるが、ポリイミド系接着剤の
みによりターミナル部材（１０）を構成してらよい。こ
の場合、ポリイミド系接着剤は絶縁基板としての機能を
も兼ねることになる。
次に本発明の実施例について図面、と共に説明する。第
２図は本発明の一実施例である半導体装置１３を示して
いる。
２図は本発明の一実施例である半導体装置１３を示して
いる。
図中、１は半導体素子でありリードフレームステージ１
２上に搭載されている。この半導体装ｆ１は例えば１９
６〜２５６の端子を有し、この端子に対応する数のパッ
ド２が半導体装ｆ１の外周部分を囲繞するよう配設され
ている。また、リードフレームステージ１２はＦｅ−Ｎ
ｉ合金又はＣｕ合金よりなり、半導体装置１３の基板と
して！！！能するものである。
２上に搭載されている。この半導体装ｆ１は例えば１９
６〜２５６の端子を有し、この端子に対応する数のパッ
ド２が半導体装ｆ１の外周部分を囲繞するよう配設され
ている。また、リードフレームステージ１２はＦｅ−Ｎ
ｉ合金又はＣｕ合金よりなり、半導体装置１３の基板と
して！！！能するものである。
このリードフレームステージ１２上には上記の半導体素
子１と共に、ターミナル部材５が配設されている。ター
ミナル部材５は、後述するように耐熱性及び機械的強度
を有する構造とされているため、高温のワイヤーボンデ
ィングにも１分に耐えることが出来る。また、このター
ミプル部４１５は、半導体素子１を取り囲むように配設
されると共に、その上面には上記バッド２に対応する数
の導体パターン４が配設されている。
子１と共に、ターミナル部材５が配設されている。ター
ミナル部材５は、後述するように耐熱性及び機械的強度
を有する構造とされているため、高温のワイヤーボンデ
ィングにも１分に耐えることが出来る。また、このター
ミプル部４１５は、半導体素子１を取り囲むように配設
されると共に、その上面には上記バッド２に対応する数
の導体パターン４が配設されている。
インナーリード３は半導体索子１の電極たるパッド２を
パッケージの外部へ引き出すために設けられるものであ
り、半導体素子１及びターミナル部材５が配設されたリ
ードフレームステージ１２を囲繞するように設けられて
いる。また、ワイヤボンディングが行われるインナーリ
ード先端３ａはワイヤーボンディングに耐え得る範囲で
小幅、肉薄となるよう構成されている。
パッケージの外部へ引き出すために設けられるものであ
り、半導体素子１及びターミナル部材５が配設されたリ
ードフレームステージ１２を囲繞するように設けられて
いる。また、ワイヤボンディングが行われるインナーリ
ード先端３ａはワイヤーボンディングに耐え得る範囲で
小幅、肉薄となるよう構成されている。
インブーリード３は、これと￥棚体索子１のバッド２と
を直接ワイヤーボンディングしようとした場合、インナ
ーリード先＄３ａをかなり小幅。
を直接ワイヤーボンディングしようとした場合、インナ
ーリード先＄３ａをかなり小幅。
肉薄とする必要があるが、あまりにインナーリード先端
３ａを小幅、肉薄にするとワイヤーボンディングを行う
ことが出来なくなってしまう。
３ａを小幅、肉薄にするとワイヤーボンディングを行う
ことが出来なくなってしまう。
即ち、ワイヤーボンディングの手段として一般に超音波
ボンディングが行われているが、インナーリード先端３
ａが小幅、肉薄となり機械的強度が低下すると、超名波
の振動に伴いインナーリード先端３ａも振動してしまい
ワイヤーボンディングが出来なくなってしまう。よって
、インナーリード先端３ａの小幅化、ＷＩ型化には限界
が生じてしまう。また、バッド２とインナーリード先端
３ａとの距離を大きくとることもワイヤーボンディング
装置の性能上、限界がある（実用上３．０ｔｎｍが限界
である）。
ボンディングが行われているが、インナーリード先端３
ａが小幅、肉薄となり機械的強度が低下すると、超名波
の振動に伴いインナーリード先端３ａも振動してしまい
ワイヤーボンディングが出来なくなってしまう。よって
、インナーリード先端３ａの小幅化、ＷＩ型化には限界
が生じてしまう。また、バッド２とインナーリード先端
３ａとの距離を大きくとることもワイヤーボンディング
装置の性能上、限界がある（実用上３．０ｔｎｍが限界
である）。
従って、半導体装〒１のパッド数が多くなりインナーリ
ード先端３ａとパッド２とを直接ワイヤーボンディング
できなくなった場合には、中継部材として導体パターン
４が配設されたターミナル部材５をパッド２とインナー
リード先Ｑ５ａとの間に設（）る必要がある３、ｓ体パ
ターン４は硬度の高いターミナル部材５上に形成されて
いるため、小幅、肉薄としてもワイヤーボンディング時
に振動してしまうようなことはない。
ード先端３ａとパッド２とを直接ワイヤーボンディング
できなくなった場合には、中継部材として導体パターン
４が配設されたターミナル部材５をパッド２とインナー
リード先Ｑ５ａとの間に設（）る必要がある３、ｓ体パ
ターン４は硬度の高いターミナル部材５上に形成されて
いるため、小幅、肉薄としてもワイヤーボンディング時
に振動してしまうようなことはない。
パッド２と導体パターン４との間にはインリイドワイＡ
７１４がライ１フーボンデイングされ、また導体パター
ン４とインブーリード先端３ａとの間にはアウトリイド
ワイ１７１５がワイヤーボンディングされる。この時、
ターミナル部材５は半導体素子１を取り囲むように配設
されているため、半導体素子１はリードフレームステー
ジ１２土に自接搭叔され、パッド２と導体パターン４の
高さ位置は路間−の高さとなりワイヤーボンディングの
作業性が向上する。
７１４がライ１フーボンデイングされ、また導体パター
ン４とインブーリード先端３ａとの間にはアウトリイド
ワイ１７１５がワイヤーボンディングされる。この時、
ターミナル部材５は半導体素子１を取り囲むように配設
されているため、半導体素子１はリードフレームステー
ジ１２土に自接搭叔され、パッド２と導体パターン４の
高さ位置は路間−の高さとなりワイヤーボンディングの
作業性が向上する。
続いて、本発明の要部となるターミナル部材５の構造に
ついて第１図４用いて説明する。同図（、良ターミナル
部材５の断面を示す図である、。
ついて第１図４用いて説明する。同図（、良ターミナル
部材５の断面を示す図である、。
同図に示されるように、ターミナル部材５はリードフレ
ームステージ１２上に設けられており、その上部に導体
パターン４が設けられている、２タ一ミブル部材５は、
１・部よりゴム添加エボ４シ系接肴剤層６（厚さ１５−
）１０ｎ）、ユービレックス（商標）等のポリイミド系
基板７（厚さ５０±８μ重）、ゴム添加エポキシ系接着
剤層８（厚さ９±３μＩ）、ポリイミド系接着剤層９（
厚さ２７±４μ−）を順次１層した構造とされている。
ームステージ１２上に設けられており、その上部に導体
パターン４が設けられている、２タ一ミブル部材５は、
１・部よりゴム添加エボ４シ系接肴剤層６（厚さ１５−
）１０ｎ）、ユービレックス（商標）等のポリイミド系
基板７（厚さ５０±８μ重）、ゴム添加エポキシ系接着
剤層８（厚さ９±３μＩ）、ポリイミド系接着剤層９（
厚さ２７±４μ−）を順次１層した構造とされている。
１また、このターミナル部材５土に形成される導体パタ
ーン４はＣｕ箔１６（厚さ１８辷５μ１１＞上にＮｉメ
ツキ１７（１層腸以上）、Ａｕメツキ１８（厚さ２，５
層論以上）を順次形成した構造となっている。
ーン４はＣｕ箔１６（厚さ１８辷５μ１１＞上にＮｉメ
ツキ１７（１層腸以上）、Ａｕメツキ１８（厚さ２，５
層論以上）を順次形成した構造となっている。
上記のターミナル部材５を構成するゴム添加１ボキシ系
接暑剤層６は接＠竹の良くないリードフレームステージ
１２とポリイミド系基板７とを接着させる。また、ゴム
添加エポキシ系接着剤層８１．１、密着性の悪いポリイ
ミド系基板７とポリイミド系接着剤９とを密着させる機
能を秦する。更に、ポリイミド系接着剤９は、その上部
に配設されるＣＵ箔１６との接着性を向上させるために
配設されている。
接暑剤層６は接＠竹の良くないリードフレームステージ
１２とポリイミド系基板７とを接着させる。また、ゴム
添加エポキシ系接着剤層８１．１、密着性の悪いポリイ
ミド系基板７とポリイミド系接着剤９とを密着させる機
能を秦する。更に、ポリイミド系接着剤９は、その上部
に配設されるＣＵ箔１６との接着性を向上させるために
配設されている。
また、ポリイミド系基板７はターミナル部材５の基部と
なるものである。このポリイミド系基板７は熱膨張係数
が小ざく、高い硬度を為し、かつ耐熱性に帰れている（
３００℃以十に耐え得る）。
なるものである。このポリイミド系基板７は熱膨張係数
が小ざく、高い硬度を為し、かつ耐熱性に帰れている（
３００℃以十に耐え得る）。
併せて、他の接名剤層等６，８．９も耐熱性、密着性に
優れた材質が選定されている。よって、高い温度のワイ
ヤーボンディングを行ってもターミナル部材５に熱変質
−ま発す−せず、多端子を有する半導体素子１のワイヤ
ーボンディング処理に十分対応することができ、これに
より半導体装置１３の信頼性を向上することがでさる２
、この゛ｒ導体装置１３は、例えばトランスフン・−モ
ールド成形により樹脂封止成形される。
優れた材質が選定されている。よって、高い温度のワイ
ヤーボンディングを行ってもターミナル部材５に熱変質
−ま発す−せず、多端子を有する半導体素子１のワイヤ
ーボンディング処理に十分対応することができ、これに
より半導体装置１３の信頼性を向上することがでさる２
、この゛ｒ導体装置１３は、例えばトランスフン・−モ
ールド成形により樹脂封止成形される。
尚、上記の実施例ではターミナル部材５を半導体素子１
を取り囲むよう構成したが、第３図に示されるように、
上記構造と同一＃ｉ造を有するターミナル部材１９上に
半導体素子１を搭載した構成としてもよい。この場合、
ワイヤーボンディングのｎ業が若上面倒とはなるが、４
分に本願の効果を奏することができる。また、第４図に
示されるように、ターミナル部材５の外周にパテ等の接
着〜１２（ｌ塗布し、ターミナル部材５とリードフレー
ムステージ１２の密着性を向上させた構成としてもよい
。この半導体１！訂も例えば、トランスノ？−モールド
成形により封止樹脂３０のように封止成形される。また
、ゴム添加Ｔボ１シ系接着剤１１６．８は、いずれ心ゴ
ム添加フェノール系接着剤層に代えても、あるいはゴム
添加１ボ１シ系接着剤層とゴム添加）［ノール系接着剤
層とを重ねて用いても同様の効果が得られる。
を取り囲むよう構成したが、第３図に示されるように、
上記構造と同一＃ｉ造を有するターミナル部材１９上に
半導体素子１を搭載した構成としてもよい。この場合、
ワイヤーボンディングのｎ業が若上面倒とはなるが、４
分に本願の効果を奏することができる。また、第４図に
示されるように、ターミナル部材５の外周にパテ等の接
着〜１２（ｌ塗布し、ターミナル部材５とリードフレー
ムステージ１２の密着性を向上させた構成としてもよい
。この半導体１！訂も例えば、トランスノ？−モールド
成形により封止樹脂３０のように封止成形される。また
、ゴム添加Ｔボ１シ系接着剤１１６．８は、いずれ心ゴ
ム添加フェノール系接着剤層に代えても、あるいはゴム
添加１ボ１シ系接着剤層とゴム添加）［ノール系接着剤
層とを重ねて用いても同様の効果が得られる。
第５図１ｊ本発明の第２実施例を示している。尚、第１
実施例と同一構成については同一符号を４＝Ｊ Ｌ。
実施例と同一構成については同一符号を４＝Ｊ Ｌ。
てその説明を省略する。
本実施例では、ターミナル部材１０として第１実施例に
おけるターミプル部０５よりゴム添加エポキシ系接着剤
層６．ポリイミド系基板７．ゴム添加エポキシ系接着剤
層８を取り除き、ポリイミド系接着剤層のみにより構成
したことを特徴とするものである。ポリイミド系接着剤
層はリードフレームステージ１２及びＣｕ箔１６との密
ＷＭは良好であり、かつワイヤーボンディングに１分に
耐えることができる耐熱性、硬度を有している。
おけるターミプル部０５よりゴム添加エポキシ系接着剤
層６．ポリイミド系基板７．ゴム添加エポキシ系接着剤
層８を取り除き、ポリイミド系接着剤層のみにより構成
したことを特徴とするものである。ポリイミド系接着剤
層はリードフレームステージ１２及びＣｕ箔１６との密
ＷＭは良好であり、かつワイヤーボンディングに１分に
耐えることができる耐熱性、硬度を有している。
この構成の場合、ターミナル部材１０の厚みが薄くなり
ターミナル部材の製造■捏上で取り扱いが面倒となるが
、才導体装首の薄型化を行い冑る１゜尚、上記したポリ
イミド系基板７の材質としてコービレックスに代えてカ
プトン（商標）を用いることら考えられるが、カプトン
は熱膨張係数が大きいためワイヤーボンディング時にＳ
体パターンが剥がれる虞れがある。また、ポリイミド系
基板に代えてセラミックを用いることは可能であると思
われる。
ターミナル部材の製造■捏上で取り扱いが面倒となるが
、才導体装首の薄型化を行い冑る１゜尚、上記したポリ
イミド系基板７の材質としてコービレックスに代えてカ
プトン（商標）を用いることら考えられるが、カプトン
は熱膨張係数が大きいためワイヤーボンディング時にＳ
体パターンが剥がれる虞れがある。また、ポリイミド系
基板に代えてセラミックを用いることは可能であると思
われる。
（発明の効果）
上述したように、本発明によれば、ターミナル部材はｆ
ツイヤ−ボンディング時に熱変質してしまうことはなく
、高い温度でワイヤーボンディングを実施できるため、
高集積化され多くのパッドを右した゛ｒ導体素ｆに対し
てし確実にワイヤーボンディングを行いうるため、半導
体装置の性能向上及び仁頼竹の向十庖図ることかでさ゛
る等の特長をｉする。
ツイヤ−ボンディング時に熱変質してしまうことはなく
、高い温度でワイヤーボンディングを実施できるため、
高集積化され多くのパッドを右した゛ｒ導体素ｆに対し
てし確実にワイヤーボンディングを行いうるため、半導
体装置の性能向上及び仁頼竹の向十庖図ることかでさ゛
る等の特長をｉする。
））１図は本発明の第１実施例である゛Ｌ導体装置に設
けられたターミナル部材の構造を説明するための図、 第２図は本発明の第１実施例である゛ｒ導体装ｄの斜視
図、 第３図及び第４図は第１実施例の変形例を説明するため
の図、 第５〕図は本発明の第２実施例である゛Ｖ導体装置に設
けられたターミナル部材の構造を説明づるｔ、：めの図
である。 図において、 １は゛Ｖ導体素子、 ２（、ｉパッド、 ３はインナーリード、 ４は導体パターン、 ５．１０はターミナル部材、 ６はゴム添加■ポｔシ系接着剤層、 ７はポリイミド系基板、 ８はゴム添加圧ボＶシ系接石剤層、 ９はポリイミド系接着剤層、 １２はリードフレームステージ を小す。
けられたターミナル部材の構造を説明するための図、 第２図は本発明の第１実施例である゛ｒ導体装ｄの斜視
図、 第３図及び第４図は第１実施例の変形例を説明するため
の図、 第５〕図は本発明の第２実施例である゛Ｖ導体装置に設
けられたターミナル部材の構造を説明づるｔ、：めの図
である。 図において、 １は゛Ｖ導体素子、 ２（、ｉパッド、 ３はインナーリード、 ４は導体パターン、 ５．１０はターミナル部材、 ６はゴム添加■ポｔシ系接着剤層、 ７はポリイミド系基板、 ８はゴム添加圧ボＶシ系接石剤層、 ９はポリイミド系接着剤層、 １２はリードフレームステージ を小す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）一端が半導体素子（１）に形成されたバット（２
）にワイヤーボンディングされると共に、他端がインナ
ーリード（３）にワイヤーボンディングされる導体パタ
ーン（４）が形成されてなり、リードフレームステージ
（１２）上に配設されたターミナル部材（５、１０）を
具備してなる半導体装置において、 該ターミナル部材（５）を第１の接着剤層 （６）、ポリイミド系基板（７）、第２の接着剤層（８
）、ポリイミド系接着剤層（９）を順次積層した構成と
し、 該第１の接着剤層（６）及び第２の接着剤層（８）を少
なくともゴム添加エポキシ系接着剤またはゴム添加フェ
ノール系接着剤により構成してなることを特徴とする半
導体装置。 （２）該ターミナル部材（１０）はポリイミド系接着剤
層のみから構成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006921A JPH03211740A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006921A JPH03211740A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211740A true JPH03211740A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11651709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006921A Pending JPH03211740A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03211740A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677272A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-18 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| JP2011187841A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Renesas Electronics Corp | 電子装置、中継部材、実装基板、及び電子装置の製造方法 |
| WO2016180671A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Rogers Germany Gmbh | Multilayer adhesive bond |
-
1990
- 1990-01-16 JP JP2006921A patent/JPH03211740A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677272A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-18 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| JP2011187841A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Renesas Electronics Corp | 電子装置、中継部材、実装基板、及び電子装置の製造方法 |
| WO2016180671A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Rogers Germany Gmbh | Multilayer adhesive bond |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100555608C (zh) | 半导体装置与半导体装置制造用基板及它们的制造方法 | |
| JPH10178145A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置用絶縁基板 | |
| US5710457A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| US20080009096A1 (en) | Package-on-package and method of fabricating the same | |
| CN100466237C (zh) | 半导体装置与半导体装置制造用基板及该基板的制造方法 | |
| US6984877B2 (en) | Bumped chip carrier package using lead frame and method for manufacturing the same | |
| JPH03211740A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3748967B2 (ja) | 電子部品の封止構造 | |
| JPS62232948A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| US6913951B2 (en) | Method of making a lead-on-chip device | |
| JP2754534B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS611042A (ja) | 半導体装置 | |
| WO2000008685A1 (en) | Wiring substrate, method of manufacture thereof, and semiconductor device | |
| JP3339397B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2569217B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2788011B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2944586B2 (ja) | Ｂｇａ型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001177007A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3482837B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63152160A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPS5998544A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS63310149A (ja) | 高集積化ｉｃ用パッケ−ジおよびその製造方法 | |
| JPH04302209A (ja) | 中空素子構造 | |
| JPH079378Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04278548A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |