JPH03211852A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査方法Info
- Publication number
- JPH03211852A JPH03211852A JP745290A JP745290A JPH03211852A JP H03211852 A JPH03211852 A JP H03211852A JP 745290 A JP745290 A JP 745290A JP 745290 A JP745290 A JP 745290A JP H03211852 A JPH03211852 A JP H03211852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor substrate
- beams
- foreign matter
- beam splitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、コヒーレントな光を用いて、半導体基板上の
異物を検出する半導体装置の検査方法に関するものであ
る。
異物を検出する半導体装置の検査方法に関するものであ
る。
従来の技術
従来の半導体装置の検査方法は、半導体基板に対して、
斜め方向から単色光を照射し、その散乱光を検出するこ
とによって異物の検査を行う方法が用いられてきた。
斜め方向から単色光を照射し、その散乱光を検出するこ
とによって異物の検査を行う方法が用いられてきた。
発明が解決しようとする課題
前記のような方法では、半導体基板上の異物の形状が平
坦で、エツジ部の傾斜がゆるやかであった場合、単色光
を照射しても、異物からの散乱が少ないために検出が困
難であるという問題点を有していた。
坦で、エツジ部の傾斜がゆるやかであった場合、単色光
を照射しても、異物からの散乱が少ないために検出が困
難であるという問題点を有していた。
本発明は、上記問題に対して異物の形状にかかわらず、
半導体基板上の異物を検出することのできる半導体装置
の検査方法を提供することを目的とする。
半導体基板上の異物を検出することのできる半導体装置
の検査方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この問題を解決するために、本発明の半導体装置の検査
方法は、コヒーレントな光を半導体基板表面と参照面に
２分割して照射し、半導体基板からの反射光と参照面か
らの参照光の干渉波形の違いにより、半導体基板上の異
物を検出する半導体装置の検査方法である。
方法は、コヒーレントな光を半導体基板表面と参照面に
２分割して照射し、半導体基板からの反射光と参照面か
らの参照光の干渉波形の違いにより、半導体基板上の異
物を検出する半導体装置の検査方法である。
作用
この方法によって、半導体基板上に異物がない場合には
、反射光と参照光が干渉をおこし、異物がある場合は、
干渉が（ずれるために、異物の形状にかかわらず、半導
体基板上の異物を検出することが可能である。
、反射光と参照光が干渉をおこし、異物がある場合は、
干渉が（ずれるために、異物の形状にかかわらず、半導
体基板上の異物を検出することが可能である。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照Ｌ２ながら
説明する。
説明する。
図は、本発明の一実施例における半導体装置の検査方法
を示したものである。図において、１はコヒーレントな
光、２はビームスプリッタ、３は半導体基板、４は参照
面、５は検出器、６ａはビームスプリッタ２から半導体
基板３までの距離、６ｂはビームスプリッタ２から参照
面４までの距離である。ここで、ビームスプリッタ２か
ら半導体基板３までの距離６ａと、ビームスプリッタ２
から参照面４までの距離６ｂは等しい。
を示したものである。図において、１はコヒーレントな
光、２はビームスプリッタ、３は半導体基板、４は参照
面、５は検出器、６ａはビームスプリッタ２から半導体
基板３までの距離、６ｂはビームスプリッタ２から参照
面４までの距離である。ここで、ビームスプリッタ２か
ら半導体基板３までの距離６ａと、ビームスプリッタ２
から参照面４までの距離６ｂは等しい。
以上のような半導体装置の検査方法について、以下その
動作を説明する。
動作を説明する。
まず、コヒーレントな光１は、ビームスプリッタ２にお
いて２分割され、一方は半導体基板３に、他方は参照面
４に照射される。そこで、半導体基板３からの反射光と
、参照面４からの参照光が、ビームスプリッタ２で重ね
合わさり、検出器５によって検出される。この場合、ビ
ームスプリッタ２から半導体基板３までの距離６ａと、
ビームスプリッタ２から参照面４までの距離６ｂが等し
いため、半導体基板３上に異物がない場合は、ビームス
プリッタ２で重ね合わさった反射光は干渉をおこす。一
方、半導体基板３上に異物がある場合は、ビームスプリ
ッタ２で重ね合わさった反射光は干渉をおこさない。
いて２分割され、一方は半導体基板３に、他方は参照面
４に照射される。そこで、半導体基板３からの反射光と
、参照面４からの参照光が、ビームスプリッタ２で重ね
合わさり、検出器５によって検出される。この場合、ビ
ームスプリッタ２から半導体基板３までの距離６ａと、
ビームスプリッタ２から参照面４までの距離６ｂが等し
いため、半導体基板３上に異物がない場合は、ビームス
プリッタ２で重ね合わさった反射光は干渉をおこす。一
方、半導体基板３上に異物がある場合は、ビームスプリ
ッタ２で重ね合わさった反射光は干渉をおこさない。
以上のように本実施例によれば、ビームスプリッタ２で
重ね合わさった反射光の干渉波形の違いによって、異物
の形状にかかわらず、半導体基板３上の異物を検出する
ことができる。
重ね合わさった反射光の干渉波形の違いによって、異物
の形状にかかわらず、半導体基板３上の異物を検出する
ことができる。
発明の効果
以上のように本発明は、コヒーレントな光を用いて、半
導体基板からの反射光と参照光との干渉波形の違いを検
出することにより、異物の形状にかかわらず、半導体基
板上の異物を検出することのできる優れた半導体装置の
検査方法を実現できるものである。
導体基板からの反射光と参照光との干渉波形の違いを検
出することにより、異物の形状にかかわらず、半導体基
板上の異物を検出することのできる優れた半導体装置の
検査方法を実現できるものである。
図は本発明の一実施例における半導体装置の検査方法を
示す図である。 １・・・・・・コヒーレントな光、２・・・・・・ビー
ムスプリッタ、３・・・・・・半導体基板、４・・・・
・・参照面、５・・・・・・［［ｉ、６ａ・・・・・・
ビームスプリッタから半導体基板までの距離、６ｂ・・
・・・・ビームスプリッタから参照面までの距離。
示す図である。 １・・・・・・コヒーレントな光、２・・・・・・ビー
ムスプリッタ、３・・・・・・半導体基板、４・・・・
・・参照面、５・・・・・・［［ｉ、６ａ・・・・・・
ビームスプリッタから半導体基板までの距離、６ｂ・・
・・・・ビームスプリッタから参照面までの距離。
Claims (1)
- コヒーレントな光を用いて、半導体基板からの反射光と
参照光の干渉波形の違いによって、半導体基板上の異物
を検出することを特徴とする半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP745290A JPH03211852A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP745290A JPH03211852A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体装置の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211852A true JPH03211852A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11666218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP745290A Pending JPH03211852A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03211852A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100871097B1 (ko) * | 2007-01-08 | 2008-11-28 | 김태근 | 결맞음 주파수영역 반사파 계측법에 기초한 광영상 시스템 |
| KR100896970B1 (ko) * | 2008-10-01 | 2009-05-14 | 김태근 | 결맞음 주파수영역 반사파 계측법에 기초한 광영상 시스템 |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP745290A patent/JPH03211852A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100871097B1 (ko) * | 2007-01-08 | 2008-11-28 | 김태근 | 결맞음 주파수영역 반사파 계측법에 기초한 광영상 시스템 |
| KR100896970B1 (ko) * | 2008-10-01 | 2009-05-14 | 김태근 | 결맞음 주파수영역 반사파 계측법에 기초한 광영상 시스템 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7719669B2 (en) | Surface inspection method and surface inspection apparatus | |
| KR870007561A (ko) | 피검사물의 표면 검사 장치 | |
| WO2002042754A3 (en) | Measurement of surface defects | |
| ATE162306T1 (de) | Verfahren und gerät zur inspektion | |
| JPH03211852A (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| TWI534425B (zh) | A method of inspecting a surface state of a flat substrate, and a surface state checking device using a flat substrate | |
| JPH085569A (ja) | パーティクル測定装置およびパーティクル検査方法 | |
| JPS61260632A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPS5365777A (en) | Surface defect detector | |
| JPH0254494B2 (ja) | ||
| JPS643545A (en) | Method and apparatus for inspection | |
| JPS62223649A (ja) | 検査方法および装置 | |
| JPH0310144A (ja) | 徴細粒子測定装置 | |
| JPH03264851A (ja) | 板材端面の欠陥検査方法およびその装置 | |
| JPS6382348A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPS62223651A (ja) | 検査方法および装置 | |
| EP4202423B1 (en) | A method and system for discriminating defects present on a frontside from defects present on a backside of a transparent substrate | |
| JPH05281130A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPS6021792Y2 (ja) | 欠陥検出装置 | |
| JPS6319793Y2 (ja) | ||
| JP2001313321A (ja) | 基板の表面に発生する粒子の材料を識別する方法と装置 | |
| JPH0739993B2 (ja) | 検査方法および装置 | |
| JPH04157352A (ja) | 表面異物検査装置 | |
| JPS61169750A (ja) | ウエハパターン欠陥検査装置 | |
| JPH04318447A (ja) | 異物検出方法 |