JPH03212109A - エナメル電線の絶縁膜剥離方法 - Google Patents
エナメル電線の絶縁膜剥離方法Info
- Publication number
- JPH03212109A JPH03212109A JP2004442A JP444290A JPH03212109A JP H03212109 A JPH03212109 A JP H03212109A JP 2004442 A JP2004442 A JP 2004442A JP 444290 A JP444290 A JP 444290A JP H03212109 A JPH03212109 A JP H03212109A
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- JP
- Japan
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- electric wire
- laser beam
- insulating film
- wire
- enameled
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- Pending
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Removal Of Insulation Or Armoring From Wires Or Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明はエナメル電線の絶縁膜の剥離方法の改良に関す
るものである。
るものである。
［従来の技術］
各種機器特に精密部品のマグネットコイルに多用される
エナメル電線は、近年その径が細くなり極細線では十数
ミクロンのものが提供されている。
エナメル電線は、近年その径が細くなり極細線では十数
ミクロンのものが提供されている。
こうしたエナメル電線はハンダ付けの際などその絶縁膜
を剥離する必要があり、径の太い線にあっては機械的方
法で剥離されている。しかし上述したような径の細い線
の場合は、線が伸長あるいは切断しやすくなるため機械
的方法では剥離が困難である。ツルコート溶剤などを利
用する化学的方法による剥離は可能であるが、溶液管理
や取扱管理それに安全管理などの管理面で煩わしいこと
となる。
を剥離する必要があり、径の太い線にあっては機械的方
法で剥離されている。しかし上述したような径の細い線
の場合は、線が伸長あるいは切断しやすくなるため機械
的方法では剥離が困難である。ツルコート溶剤などを利
用する化学的方法による剥離は可能であるが、溶液管理
や取扱管理それに安全管理などの管理面で煩わしいこと
となる。
こうした難点を避けるため最近レーザによる剥離方法が
提供されている。第５図はこのレーザによる剥離方法を
示す構成図で、図中１は短パルス高尖頭出力を備えたパ
ルスレーザで、通常ＴＥＡＣＯ２レーサが使用される。
提供されている。第５図はこのレーザによる剥離方法を
示す構成図で、図中１は短パルス高尖頭出力を備えたパ
ルスレーザで、通常ＴＥＡＣＯ２レーサが使用される。
２はレーザビーム、３はビーム２の方向を変えるための
ペンドミラー４はビーム２を集光する集光レンズ、５は
集光されるビーム、６は拡がるビーム、７はビームを反
射させる反射鏡、８は反射ビーム、９はエナメル電線、
１０は集光レンズ４の焦点である。
ペンドミラー４はビーム２を集光する集光レンズ、５は
集光されるビーム、６は拡がるビーム、７はビームを反
射させる反射鏡、８は反射ビーム、９はエナメル電線、
１０は集光レンズ４の焦点である。
レーザ１は通常パルス幅約１．８μＳｅｅ 、ピーク出
力約１０メガワツト以上のパルスレーザで、波長１０．
６μｍのＴＥＡＣ０２レーザである。発振したレーザビ
ーム２はベンドミラー３により直下方向に曲げられ、レ
ンズ４により集光される。集光したビーム５はレンズ焦
点１０を通過後拡がり、拡がりビーム６の一部はエナメ
ル電線９を照射し、残りのビームは反射鏡７により反射
され反対側からエナメル電線９を照射する。なおエナメ
ル電線９は反射鏡７の焦点位置にあり、その結果一方向
からの照射でエナメル電線９の全周の絶縁膜の剥離が可
能となる。
力約１０メガワツト以上のパルスレーザで、波長１０．
６μｍのＴＥＡＣ０２レーザである。発振したレーザビ
ーム２はベンドミラー３により直下方向に曲げられ、レ
ンズ４により集光される。集光したビーム５はレンズ焦
点１０を通過後拡がり、拡がりビーム６の一部はエナメ
ル電線９を照射し、残りのビームは反射鏡７により反射
され反対側からエナメル電線９を照射する。なおエナメ
ル電線９は反射鏡７の焦点位置にあり、その結果一方向
からの照射でエナメル電線９の全周の絶縁膜の剥離が可
能となる。
［発明が解決しようとする課題］
ト１．− ロで上記レーザビームによる絶縁膜剥離方法
においては、使用される短パルス高尖頭出力を備えたパ
ルスレーザは、集光点１０において気中破壊によるプラ
ズマを発生し、レーザビームのエネルギはプラズマ生成
にのみ消費され、エナメル電線の絶縁膜剥離効果を生じ
ない。プラズマ発生の生しないレベルまでレーザ出力を
下げると、細い線の場合は剥離可能であるが、線径が大
きくなると剥離が不可能となる。それに剥離ができても
剥離が完全でなく品質に問題が残る。このように従来の
レーザビームによるエナメル電線の絶縁膜剥離方法はい
くつかの問題点を擁している。
においては、使用される短パルス高尖頭出力を備えたパ
ルスレーザは、集光点１０において気中破壊によるプラ
ズマを発生し、レーザビームのエネルギはプラズマ生成
にのみ消費され、エナメル電線の絶縁膜剥離効果を生じ
ない。プラズマ発生の生しないレベルまでレーザ出力を
下げると、細い線の場合は剥離可能であるが、線径が大
きくなると剥離が不可能となる。それに剥離ができても
剥離が完全でなく品質に問題が残る。このように従来の
レーザビームによるエナメル電線の絶縁膜剥離方法はい
くつかの問題点を擁している。
本発明は従来装置の上記問題点を解消するためになされ
たもので、細線から径の大きい線まで剥離可能であると
ともに、細線でも安定して剥離の可能なエナメル電線の
絶縁膜剥離方法を提供しようとするものである。
たもので、細線から径の大きい線まで剥離可能であると
ともに、細線でも安定して剥離の可能なエナメル電線の
絶縁膜剥離方法を提供しようとするものである。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため、本発明に係るレーザビームに
よる剥離方法においては、レーザビーム照射を受けるエ
ナメル電線の位置を、レーザビームの集光レンズの焦点
近傍のプラズマ発生位置を避けた集光レンズ寄りの位置
とするとともに、レーザビーム照射に当たってエナメル
電線に対しレーザ吸熱効果を備えた次の前処理を行なう
。
よる剥離方法においては、レーザビーム照射を受けるエ
ナメル電線の位置を、レーザビームの集光レンズの焦点
近傍のプラズマ発生位置を避けた集光レンズ寄りの位置
とするとともに、レーザビーム照射に当たってエナメル
電線に対しレーザ吸熱効果を備えた次の前処理を行なう
。
■エナメル電線の剥離部分を加熱する。
■エナメル電線の剥離部分を水に浸漬する。
■エナメル電線の剥離部分に傷をつける。
［作用］
エナメル電線のレーザビーム照射位置を集光レンズの焦
点近傍のプラズマ発生位置を避けた集光レンズ寄りの位
置としたので、レーザビームがプラズマ発生のためにエ
ネルギを消費することがなく剥離部分を加熱するので、
剥離の効果が上がる。
点近傍のプラズマ発生位置を避けた集光レンズ寄りの位
置としたので、レーザビームがプラズマ発生のためにエ
ネルギを消費することがなく剥離部分を加熱するので、
剥離の効果が上がる。
また前処理を行うことにより剥離部分にレーザ吸熱効果
を生じ剥離効果が上がる。
を生じ剥離効果が上がる。
［発明の実施例コ
第１図はエナメル電線の加工位置を決めるための実験方
法を示す構成図で、図中４〜１０は上記装置における同
一または相当部品である。焦点距離Ｒ１−９５，３ｔｓ
の集光レンズ４を使用するレーザ装置において、エナメ
ル電線を集光レンズ４より１ −８５＋＋ｖの位置Ａ１
８と、同ＩＩ ａ −９３ｍｍの位置Ｂ１９とに配置し
た場合の実験結果を第１表に示す。
法を示す構成図で、図中４〜１０は上記装置における同
一または相当部品である。焦点距離Ｒ１−９５，３ｔｓ
の集光レンズ４を使用するレーザ装置において、エナメ
ル電線を集光レンズ４より１ −８５＋＋ｖの位置Ａ１
８と、同ＩＩ ａ −９３ｍｍの位置Ｂ１９とに配置し
た場合の実験結果を第１表に示す。
第１表が示すように、電線の加工位置はプラズマの影響
の少ない位置Ａ１８の方が極めて安定した剥離が可能で
ある。
の少ない位置Ａ１８の方が極めて安定した剥離が可能で
ある。
また第１表の実験Ｎｏ、７はエステルリミドヮイヤの例
であるが、加工位置Ｂであっても前処理を行わない場合
は、外観的には剥離ができていても芯線の表面に絶縁被
服材料が残り、ハンダがのらないことをしめしている。
であるが、加工位置Ｂであっても前処理を行わない場合
は、外観的には剥離ができていても芯線の表面に絶縁被
服材料が残り、ハンダがのらないことをしめしている。
すなわちレーザビームの照射前に電線に何等かの処理が
必要であることが判る。
必要であることが判る。
こうした実験結果を踏まえて構成した一実施例が第２図
に示すエナメル電線の絶縁膜剥離方法で、図中１〜１０
は従来方法における装置と同一または相当部品、１１は
吹付はノズル、１２は加熱器、１３は循環ファン、１４
はガスダクト、１５はガス供給装置、１６はパワーダン
パ、１７は加工室である。
に示すエナメル電線の絶縁膜剥離方法で、図中１〜１０
は従来方法における装置と同一または相当部品、１１は
吹付はノズル、１２は加熱器、１３は循環ファン、１４
はガスダクト、１５はガス供給装置、１６はパワーダン
パ、１７は加工室である。
図にみるように、本発明に係るレーザ装置は、加熱器１
２、ファン１３などよりなる加熱装置を備え、加熱した
不活性ガスをエナメル電線に吹付けられるように構成さ
れている。エナメル電線の絶縁膜剥離に当たっては、エ
ナメル電線９の剥離部分を集光レンズ４の焦点近傍のプ
ラズマ発生位置を避けた集光レンズ４寄りの位置に配置
し、レーザビーム照射前に上記加熱装置により不活性ガ
スを電線に吹付け、エナメル電線９を２３０〜２５０℃
の範囲で加熱し、その後レーザビームを照射する。この
結果電線の絶縁膜を極めてうまく剥離することができ、
ハンダもうまく載るようになった。
２、ファン１３などよりなる加熱装置を備え、加熱した
不活性ガスをエナメル電線に吹付けられるように構成さ
れている。エナメル電線の絶縁膜剥離に当たっては、エ
ナメル電線９の剥離部分を集光レンズ４の焦点近傍のプ
ラズマ発生位置を避けた集光レンズ４寄りの位置に配置
し、レーザビーム照射前に上記加熱装置により不活性ガ
スを電線に吹付け、エナメル電線９を２３０〜２５０℃
の範囲で加熱し、その後レーザビームを照射する。この
結果電線の絶縁膜を極めてうまく剥離することができ、
ハンダもうまく載るようになった。
第３図は他の実施例を示すもので、（ａ）は前処理方法
の説明図、（ｂ）はレーザビーム照射の構成図である。
の説明図、（ｂ）はレーザビーム照射の構成図である。
図にみるように、エナメル電線の絶縁膜剥離に当たって
、前処理として電線の剥離部分２０をビーカ２１内の水
２２内に７日間浸漬し、ソノ後レーザビームで剥離部分
を照射する。この結果は第１表ＮＯ１９に示すもので、
好結果を得ている。
、前処理として電線の剥離部分２０をビーカ２１内の水
２２内に７日間浸漬し、ソノ後レーザビームで剥離部分
を照射する。この結果は第１表ＮＯ１９に示すもので、
好結果を得ている。
第４図はさらに他の実施例を示す（ａ）は前処理方法の
説明図、（ｂ）はレーザビームの照射の構成図である。
説明図、（ｂ）はレーザビームの照射の構成図である。
（ａ）図にみるようにカッタナイフ２３により電線の絶
縁膜部分に傷を付け、その後（ｂ）図にみるようにレー
ザビームの照射を行う。この場合も第１表Ｎｏ、 ８に
みるように好結果を得ている。
縁膜部分に傷を付け、その後（ｂ）図にみるようにレー
ザビームの照射を行う。この場合も第１表Ｎｏ、 ８に
みるように好結果を得ている。
なお上記第３図、第４図に示すレーザビーム照射におい
ては、電線の加工位置は前記実施例と同様に集光レンズ
４の焦点近傍のプラズマ発生位置を避けた集光レンズ４
寄りの位置である。
ては、電線の加工位置は前記実施例と同様に集光レンズ
４の焦点近傍のプラズマ発生位置を避けた集光レンズ４
寄りの位置である。
なお上記３種類の前処理方法はそれぞれ個別に行っても
よく、またいずれか２種類を併用してもよい。
よく、またいずれか２種類を併用してもよい。
また集光レンズの代わりにシリンドリカルレンズを用い
ても同様な効果を上げることとなる。
ても同様な効果を上げることとなる。
［発明の効果コ
本発明は、エナメル電線の絶縁膜剥離方法において、エ
ナメル電線の剥離部分にレーザ吸熱に有効な前処理を行
った後レーザビームによる照射を行い、そのレーザビー
ムによる加工位置を集光レンズ４の焦点近傍のプラズマ
発生位置を避けた集光レンズ４寄りの位置としたので、
径の小さい電線から径の大きい電線までその絶縁膜をう
まく剥離できるようになった。
ナメル電線の剥離部分にレーザ吸熱に有効な前処理を行
った後レーザビームによる照射を行い、そのレーザビー
ムによる加工位置を集光レンズ４の焦点近傍のプラズマ
発生位置を避けた集光レンズ４寄りの位置としたので、
径の小さい電線から径の大きい電線までその絶縁膜をう
まく剥離できるようになった。
第１図はエナメル電線の絶縁膜剥離の実験方法を示す説
明図、第２図は本発明の一実施例である電線を加温した
後レーザビーム照射を行う剥離方法の説明図、第３図は
電線を水に浸漬後レーザビーム照射を行う他の実施例の
説明図、第４図は電線の絶縁膜に傷をつけた後レーザビ
ーム照射を行う他の実施例の説明図、第５図は従来のレ
ーザビーム照射による剥離方法の説明図である。 図中２はレーザビーム、４は集光レンズ、１０はその焦
点、１１は吹付はノズル、１２は加熱器、１３は循環フ
ァン、１４はガスダクト、１５はガス供給装置、１６は
パワーダンパ、１７は加工室、１８は加工位置Ａ１１９
は加工位置Ｂ、２０は電線の剥離部分、２２は水、２３
はカッタナイフである。 なお図中の同一符号は同一または相当部品を示すものと
する。
明図、第２図は本発明の一実施例である電線を加温した
後レーザビーム照射を行う剥離方法の説明図、第３図は
電線を水に浸漬後レーザビーム照射を行う他の実施例の
説明図、第４図は電線の絶縁膜に傷をつけた後レーザビ
ーム照射を行う他の実施例の説明図、第５図は従来のレ
ーザビーム照射による剥離方法の説明図である。 図中２はレーザビーム、４は集光レンズ、１０はその焦
点、１１は吹付はノズル、１２は加熱器、１３は循環フ
ァン、１４はガスダクト、１５はガス供給装置、１６は
パワーダンパ、１７は加工室、１８は加工位置Ａ１１９
は加工位置Ｂ、２０は電線の剥離部分、２２は水、２３
はカッタナイフである。 なお図中の同一符号は同一または相当部品を示すものと
する。
Claims (4)
- （１）レーザビームによるエナメル電線の絶縁膜剥離方
法において、 レーザビームによる照射の前に、レーザビームの吸熱性
を高めるための前処理を行ない、かつ上記レーザビーム
照射による電線の加工位置が、レーザビーム集光レンズ
の焦点近傍のプラズマ発生位置を避けた集光レンズ寄り
の位置である ことを特徴とするエナメル電線の絶縁膜剥離方法。 - （２）上記前処理がエナメル電線を加温する方法である ことを特徴とする請求項１に記載のエナメル電線の絶縁
膜剥離方法。 - （３）上記前処理がエナメル電線を水中に浸漬する方法
である ことを特徴とする請求項１に記載のエナメル電線の絶縁
膜剥離方法。 - （４）上記前処理がエナメル電線の絶縁膜に傷をつける
方法である ことを特徴とする請求項１に記載のエナメル電線の絶縁
膜剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004442A JPH03212109A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | エナメル電線の絶縁膜剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004442A JPH03212109A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | エナメル電線の絶縁膜剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212109A true JPH03212109A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11584322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004442A Pending JPH03212109A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | エナメル電線の絶縁膜剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03212109A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0494833A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 絶縁層剥離方法およびその装置 |
| US5337941A (en) * | 1993-03-31 | 1994-08-16 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Magnet wire having a high heat resistance and a method of removing insulating film covering magnet wire |
| NL9400983A (nl) * | 1993-07-26 | 1995-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | Geisoleerde draad. |
| JP2008234917A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 銅線の製造方法および銅線被膜剥離装置 |
-
1990
- 1990-01-16 JP JP2004442A patent/JPH03212109A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0494833A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 絶縁層剥離方法およびその装置 |
| US5337941A (en) * | 1993-03-31 | 1994-08-16 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Magnet wire having a high heat resistance and a method of removing insulating film covering magnet wire |
| NL9400983A (nl) * | 1993-07-26 | 1995-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | Geisoleerde draad. |
| JP2008234917A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 銅線の製造方法および銅線被膜剥離装置 |
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