JPH03212817A - 薄膜磁気ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、情報処理システムの外部記憶装置として用
いられる固定磁気ディスク装置に搭載される薄膜磁気デ
ィスクに関する。

〔従来の技術〕

従来、薄膜磁気ディスク（以下単にディスクとも称する
）の非磁性基板としては表面にアルマイト処理を施した
Ａｌ板またはＡｌ合金板（以下単にＡｌ板とも称する）
１表面にＮｉ−Ｐ合金無電解めっきを施したＡｌ板、ガ
ラス板、セラミック板などが用いられているが、大部分
はＮｉ−Ｐ合金無電解めっきを施したＡｌ板（以下、単
にＮｉ−Ｐ基板とも称する）が用いられている。

ディスクは、通常、このようなＮｉ−Ｐ基板上に、スパ
ッタ法により、磁性を高めるための非磁性金属（例えば
Ｃｒ）からなる下地層１強磁性金属（例えばＣｏ　−Ｎ
ｉ−Ｃｒ合金）からなる磁性層、磁性層を外部環境から
保護しかつディスク表面の潤滑性能を高めるための材料
（例えばａ−Ｃ）からなる保護潤滑層を順次成膜して作
製される。−船釣には潤滑性能をさらに高めるために保
護潤滑層の上に液体潤滑層が設けられている。

近年、固定磁気ディスク装置の小型化、薄型化に伴い、
それに搭載されるディスクも５，２５インチディスクか
ら３．２５インチディスク、２．５インチディスクへと
小型化が進められ、使用されるディスク状非磁性基板は
小径となり、また、板厚も薄くなってきている。第１表
に冬型のディスクに用いられる非磁性基板のＡｌ板の寸
法の一例を示す。

第　　１　　表 また、固定磁気ディスク装置の小型化と同時に記憶容量
の大容量化も進められ、ディスクの高記録密度化が要求
され、これに対処するために、上述のディスク製造工程
におけるスパッタ成膜時の非磁性基板の加熱温度を高め
て磁気特性を向上させることが行われてきた。基板加熱
温度は以前の１００℃〜１５０℃から２００℃〜２５０
℃にまで高められてきている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、スパッタ成膜時の基板加熱温度の高温化に伴
い、Ｎｉ−Ｐ基板の変形の度合が太きくなり、平坦度を
所要の許容範囲内に保つことができなくなり、得られる
ディスクの平坦度が悪化して磁気ヘッドの浮上走行が乱
され、安定した低浮上走行が得られなくなるという問題
が生じてきた。

しかも、Ｎｉ−Ｐ基板の板厚はますます薄くなる傾向に
あり、板厚が薄くなるほど変形は著しくなるので大きな
問題となる。

この発明は、上述の問題点を解消して、Ｎｉ−Ｐ基板の
変形を抑制し、磁気ヘッドの安定した低浮上走行が得ら
れる平坦度の良い薄膜磁気ディスクを提供することを課
題とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記の課題は、この発明によれば、ディスク状Ａｌ板ま
たは＾１合金板の対向する両主面にＮＩＰ合金層が形成
されてなる非磁性基板の両主面にそれぞれ少なくとも磁
性層、保護層がこの順に成膜積層されてなる薄膜磁気デ
ィスクにおいて、前記非磁性基板の一主面に形成されて
いるＮｉ　−Ｐ合金層の膜厚とこれに対向する他の主面
に形成されているＮｉ−Ｐ合金層の膜厚との差が前記Ａ
ｆ板または＾１合金板の板厚の０．０３５％以下である
薄膜磁気ディスクとすることによって解決される。

〔作用〕

ディスクの平坦度の変化は、研究の結果、Ａｌ板の一面
（Ａ面とする）とこれの対向面（Ｂ面とする）とにそれ
ぞれ形成されているＮｉ−Ｐ合金層の膜厚差に起因する
ことが判った。このような膜厚差はＡｌ板の両面に形成
されたＮｉ−Ｐ合金層表面を鏡面研磨するときに両面間
で生じる研磨のばらつきにより生じるものである。この
ような膜厚差があると、スバツタ工程で加熱され熱履歴
を受けたときに、Ａｆ板のそれぞれの面が受けるストレ
スに差が生じ、その結果、Ａｌ板、従ってＮｉ　−Ｐ基
板の平坦度が変化し、これを支持体とするディスクの平
坦度が損なわれることになる。

経験上、ディスクの平坦度が１０μｍを超えると、磁気
ヘッドの安定した低浮上走行（浮上量０，１５μｍ以下
）が難しく、ヘッドクラッシュが発生するようになるが
、Ｎｉ−Ｐ基板のＡ、Ｂ面のＮｉ−Ｐ合金層の膜厚差を
Ａｆ板の板厚の０．０３５％以下に抑えることにより、
ディスクの平坦度を１０μｍ以下とすることが可能とな
る。

〔実施例〕

第１図は、この発明の一実施例のディスクの模式的部分
断面図で、Ａｌ板１１の一面にＮｉ−Ｐ合金層１２が形
成されてなるＮｉ−Ｐ基板１上に、Ｃｒ層２゜磁性層３
．保護層４．潤滑層５を順次積層した構成を示す。

実施例１ 外径９５ｎ＋ｍ、内径２５ｎ＋ｍ、板厚１．２７開のＡ
ｆ板の両面に無電解めっき法で膜厚１３μｌのＮｉ−Ｐ
合金層を形成し、このＮｉ−Ｐ合金層表面を膜厚が１１
μｍとなるように鏡面研磨してＮｉ−Ｐ基板とする。こ
のとき、Ａｌ板の一面（Ａ面）とその対向面（Ｂ面）と
のＮｉ−Ｐ合金層の研磨量を変えてＮｉ−Ｐ合金層のＡ
、８面膜厚差およびＡｆ板厚に対するＡ。

８面膜厚差の比率（Ａ、８面膜厚差／板厚）Ｘ１００（
％）とが第２表に示すようにそれぞれ異なるＮｉ第 ２ 表 これらの基板上に、スパッタ法で、基板加熱温度を２０
０℃として、Ｃｒ層（膜厚１５００人）　、　Ｃｏ合金
磁性層（膜厚４５０人）、Ｃ保護層（膜厚４００人）を
順次成膜積層し、さらにその上に液体潤滑剤を塗布して
潤滑層を形成して、ディスクを作製した。

実施例２ 実施例１におけるＡｌ板の板厚を０．８ｍｍに変え、か
つ、Ｎｉ−Ｐ合金層のＡ、８面膜厚差および（Ａ。

８面膜厚差／板厚）ｘｌｏｏ（％）を第３表に示すよう
に変えたこと以外は実施例１と同様にしてディスクを作
製した。

第 表 このようにして得られた各ディスクの平坦度を調べた。

その結果、Ｎｉ　−Ｐ合金層の（Ａ、８面膜厚差／板厚
）ｘｌｏｏ（％）とディスクの平坦度との間には第２図
の線図に示す関係が得られた。第２図において、実線は
＾ｌ板厚１．２７ｍｍのディスク（実施例１）に関する
ものであり、点線は＾ｌ板厚０．８ｍｍのディスク（実
施例２）に関するものである。第２図より、ディスク平
坦度を１０μ°ｍ以下に抑えるためには（Ａ、８面膜厚
差／板厚）　Ｘ１００（％）を０、０３５％以下とする
ことが必要であることが判る。

〔発明の効果〕

この発明によれば、非磁性基板を構成するＡｌ板または
Ａｌ合金板の両面に形成されたＮｉ−Ｐ合金層の膜厚差
と板厚との比率を０．０３５％以下とする。

このような非磁性基板を用いて得られる薄膜磁気ディス
クは平坦度が１０μｍ以下と良好であり、磁気ヘッドの
安定した低浮上走行（浮上量０．１５μｍ以下）を実現
することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の薄膜磁気ディスクの模式
的部分断面図、第２図はＮｉ−Ｐ合金層の（Ａ、８面膜
厚差／板厚）Ｘ１００（％）と薄膜磁気ディスクの平坦
度との関係を示す線図である。 １−Ｎｉ−Ｐ基板、２−　Ｃｒ層、３　磁性層、４保護
層、５　潤滑層、１１　　＾１合金板、１２−Ｎｉ−４
６８１０ ２ 第 ディスク平坦度（μｍ） ２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）ディスク状Ａｌ板またはＡｌ合金板の対向する両主
   面にＮｉ−Ｐ合金層が形成されてなる非磁性基板の両主
   面にそれぞれ少なくとも磁性層、保護層がこの順に成膜
   積層されてなる薄膜磁気ディスクにおいて、前記非磁性
   基板の一主面に形成されているＮｉ−Ｐ合金層の膜厚と
   これに対向する他の主面に形成されているＮｉ−Ｐ合金
   層の膜厚との差が前記Ａｌ板またはＡｌ合金板の板厚の
   ０．０３５％以下であることを特徴とする薄膜磁気ディ
   スク。