JPH03212927A - Ｘ線リソグラフィ用露光装置 - Google Patents
Ｘ線リソグラフィ用露光装置Info
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- JPH03212927A JPH03212927A JP2008763A JP876390A JPH03212927A JP H03212927 A JPH03212927 A JP H03212927A JP 2008763 A JP2008763 A JP 2008763A JP 876390 A JP876390 A JP 876390A JP H03212927 A JPH03212927 A JP H03212927A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、Ｘ線リソグラフィ用露光装置に係り、特に
高密度半導体集積回路のパターンなど精密微細なパター
ンの形成に有効なＸ線リソグラフィ用露光装置に関する
。
高密度半導体集積回路のパターンなど精密微細なパター
ンの形成に有効なＸ線リソグラフィ用露光装置に関する
。
（従来の技術）
一般に半導体集積回路は、半導体ウェハに複数個のパタ
ーンを形成したのち、この半導体ウェハを複数個のチッ
プに分割して製作される。現在は、主としてそのパター
ン形成に光縮小投影露光方式が採用されている。この光
の縮小投影露光方式でも、レンズの高性能化や光源の短
波長化などによって解像度の向上が図られ、微細パター
ンの形成が可能になっている。しかし、この光縮小投影
露光方式では、高密度半導体集積回路に望まれる線幅０
，５μ麿以下のパターンの形成は困難であリ、他の露光
方式が必要であると考えられている。
ーンを形成したのち、この半導体ウェハを複数個のチッ
プに分割して製作される。現在は、主としてそのパター
ン形成に光縮小投影露光方式が採用されている。この光
の縮小投影露光方式でも、レンズの高性能化や光源の短
波長化などによって解像度の向上が図られ、微細パター
ンの形成が可能になっている。しかし、この光縮小投影
露光方式では、高密度半導体集積回路に望まれる線幅０
，５μ麿以下のパターンの形成は困難であリ、他の露光
方式が必要であると考えられている。
その１方式にＸ線露光方式があり、なかでも５ＯＲ（Ｓ
ｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ ０ｒｂｌｔａｌ Ｒａｄｌａｔ
ｌｏｎ）リングをＸ線源とするＸ線露光方式が有望視さ
れている。
ｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ ０ｒｂｌｔａｌ Ｒａｄｌａｔ
ｌｏｎ）リングをＸ線源とするＸ線露光方式が有望視さ
れている。
このＳＯＲリングをＸ線源とするＸ線リソグラフィ用露
光装置は、半導体ウェハに焼付けるパターンの形成され
たマスクと半導体ウェハとを所定の位置関係に支持する
露光部を有し、この露光部にＳＯＲリングから放射され
たＸ線を導く高真空のビームライン、ＳＯＲリングから
放射されたＸ線の短波長部分をカットするＸ線ミラー、
露光部とビームラインとの間に配置されたＢｅ膜を支持
するＢｅ窓などから構成されている。通常このＢｅ窓は
、大気圧または一部低真空の雰囲気に設置される露光部
に対して、ビームラインの超高真空との隔壁をなす。
光装置は、半導体ウェハに焼付けるパターンの形成され
たマスクと半導体ウェハとを所定の位置関係に支持する
露光部を有し、この露光部にＳＯＲリングから放射され
たＸ線を導く高真空のビームライン、ＳＯＲリングから
放射されたＸ線の短波長部分をカットするＸ線ミラー、
露光部とビームラインとの間に配置されたＢｅ膜を支持
するＢｅ窓などから構成されている。通常このＢｅ窓は
、大気圧または一部低真空の雰囲気に設置される露光部
に対して、ビームラインの超高真空との隔壁をなす。
ところで、上記ＳＯＲリングから放射されるＸ線は、水
平方向には均一な分布の照射幅をもつが、垂直方向には
、ガウス分布状の強度分布をなし、その照射幅は狭い。
平方向には均一な分布の照射幅をもつが、垂直方向には
、ガウス分布状の強度分布をなし、その照射幅は狭い。
したがって、このＳＯＲリングは、Ｘ線源として、水平
方向には比較的広い露光領域を確保できるが、垂直方向
には狭い露光領域しか得られない。
方向には比較的広い露光領域を確保できるが、垂直方向
には狭い露光領域しか得られない。
一方、半導体集積回路の製造においては、２０〜３０ｍ
ｍ角程度の露光領域が必要であるため、上記ＳＯＲリン
グをＸ線源とする場合は、放射されるＸ線の照射面積を
拡大する手段が必要がある。その拡大手段としては、 （イ） ＳＯＲリング内の電子ビームの軌道を揺動
させる （口） ＳＯＲリングから放射されるＸ線の短波長
部分をカットするＸ線ミラーを揺動させる（ハ） Ｘ線
を固定しておき、マスク・半導体ウェハを一体で走査す
る などの手段がある。
ｍ角程度の露光領域が必要であるため、上記ＳＯＲリン
グをＸ線源とする場合は、放射されるＸ線の照射面積を
拡大する手段が必要がある。その拡大手段としては、 （イ） ＳＯＲリング内の電子ビームの軌道を揺動
させる （口） ＳＯＲリングから放射されるＸ線の短波長
部分をカットするＸ線ミラーを揺動させる（ハ） Ｘ線
を固定しておき、マスク・半導体ウェハを一体で走査す
る などの手段がある。
一方、Ｂｅ膜については、特に圧延によって製作された
ものは、膜厚のむらによりＸ線の透過量が変化し、露光
むらが発生する。そのため、その対策として、Ｂｅ膜を
機械的に揺動させることにより露光むらを低減できると
いう報告がある。
ものは、膜厚のむらによりＸ線の透過量が変化し、露光
むらが発生する。そのため、その対策として、Ｂｅ膜を
機械的に揺動させることにより露光むらを低減できると
いう報告がある。
（第３６回応用物理学関係連合講演会予稿集ｐ 、６１
０）しかし、上記のようにＸ線の照射面積を拡大するた
めに、電子ビームの軌道を揺動させると、同一 ＳＯＲ
リングから他のビームラインに放射されるＸ線への影響
や蓄積電流寿命の変化などを考慮しなければならず、こ
の手段は実用的でない。
０）しかし、上記のようにＸ線の照射面積を拡大するた
めに、電子ビームの軌道を揺動させると、同一 ＳＯＲ
リングから他のビームラインに放射されるＸ線への影響
や蓄積電流寿命の変化などを考慮しなければならず、こ
の手段は実用的でない。
また、ミラーを揺動させることによりＸ線を走査させる
と、ミラーへのＸ線の入射角が変化し、それにともなっ
て反射率が変化し、マスクおよび半導体ウェハに対する
走査方向のＸ線強度が変動して露光の均一性が損なわれ
る。これを防止するためには、たとえばＪ、Ｖａｃ、Ｓ
ｃｉ、Ｔｅｃｎｏｌ、Ｂ６（６）ＮＯＶ／ＤＥＣ，１９
８８，ｐ２１２８． ： Ｐｒｅｃｉｓｅｌｙ Ｃｏｎ
ｔｒｏｌｌｅｄＯｓｃｉｌｌａｔｉｎｇ Ｍｉｒｒｏｒ
５ｙｓｔｅＩｌｆ’ｏｒ Ｈｌｇｈｌｙ Ｕｎｉｆ’
ｏ−Ｗｍ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｉｎ ５ｙｎｃｒｏｔｒ
ｏｎ Ｒａｄｌａｔｌｏｎに記載されているように、ミ
ラーの揺動角度に応じてその揺動速度を制御する必要が
ある。
と、ミラーへのＸ線の入射角が変化し、それにともなっ
て反射率が変化し、マスクおよび半導体ウェハに対する
走査方向のＸ線強度が変動して露光の均一性が損なわれ
る。これを防止するためには、たとえばＪ、Ｖａｃ、Ｓ
ｃｉ、Ｔｅｃｎｏｌ、Ｂ６（６）ＮＯＶ／ＤＥＣ，１９
８８，ｐ２１２８． ： Ｐｒｅｃｉｓｅｌｙ Ｃｏｎ
ｔｒｏｌｌｅｄＯｓｃｉｌｌａｔｉｎｇ Ｍｉｒｒｏｒ
５ｙｓｔｅＩｌｆ’ｏｒ Ｈｌｇｈｌｙ Ｕｎｉｆ’
ｏ−Ｗｍ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｉｎ ５ｙｎｃｒｏｔｒ
ｏｎ Ｒａｄｌａｔｌｏｎに記載されているように、ミ
ラーの揺動角度に応じてその揺動速度を制御する必要が
ある。
また、マスク・半導体ウェハを一体に走査する手段は、
その走査方向についてはある程度膜厚のむらの影響を平
均化できることが期待できる。しかし、Ｂｅ膜にその加
工により結晶の異方性が生じた場合は、このＸ線ミラー
を揺動させる手段では十分に露光むらを低減することが
できない。
その走査方向についてはある程度膜厚のむらの影響を平
均化できることが期待できる。しかし、Ｂｅ膜にその加
工により結晶の異方性が生じた場合は、このＸ線ミラー
を揺動させる手段では十分に露光むらを低減することが
できない。
（発明が解決しようとする課題）
上記のように、高密度半導体集積回路に望まれる線幅０
．５μ■以下のパターンの形成にＳＯＲリングをＸ線源
とするＸ線リソグラフィ用露光装置が有望視されている
。しかし、このＸ線リソグラフィ用露光装置では、ＳＯ
Ｒリングから放射されるＸ線が、水平方向には均一な分
布の照射幅をもつが、垂直方向にはガウス分布状の強度
分布をなし、その照射幅は狭い。そのため、水平方向に
は広い露光領域を確保できるが、垂直方向には狭い露光
領域しか得られない。一方、半導体集積回路の製造にお
いては、２０〜３０關角程度の露光領域が必要であるた
め、ＳＯＲリングをＸ線源とする場合は、放射されるＸ
線の照射面積を拡大する手段が必要である。その拡大手
段として、 （イ） ＳＯＲリング内の電子ビームの軌道を揺動
させる （ロ） ＳＯＲリングから放射されるＸ線の短波長
部分をカットするＸ線ミラーを揺動させる（ハ） Ｘ線
を固定しておき、マスク・半導体ウェハを一体に走査す
る などの手段があるが、（イ）の電子ビームの軌道を揺動
させる手段では、同−ＳＯＲリングから他のビームライ
ンに放射されるＸ線への影響や蓄積電流寿命の変化など
を考慮しなければならず、実用的でない。また、（ロ）
のミラーを揺動させることによりＸ線を走査させる手段
では、ミラーへのＸ線の入射角の変化にともなって反射
率が変化し、マスクおよび半導体ウェハに対する走査方
向のＸ線強度が変動して露光の均一性が損なわれる。こ
れを防止するためには、ミラーの揺動角度に応じてその
揺動速度を制御する必要がある。また、（ハ）のマスク
・半導体ウェハを一体に移動する手段では、その移動方
向についてはある程度膜厚のむらの影響を平均化できる
ことが期待できるが、Ｂｅ膜にその加工により結晶の異
方性が生じた場合は、この手段では十分に露光むらを低
減することができない、などの問題がある。
．５μ■以下のパターンの形成にＳＯＲリングをＸ線源
とするＸ線リソグラフィ用露光装置が有望視されている
。しかし、このＸ線リソグラフィ用露光装置では、ＳＯ
Ｒリングから放射されるＸ線が、水平方向には均一な分
布の照射幅をもつが、垂直方向にはガウス分布状の強度
分布をなし、その照射幅は狭い。そのため、水平方向に
は広い露光領域を確保できるが、垂直方向には狭い露光
領域しか得られない。一方、半導体集積回路の製造にお
いては、２０〜３０關角程度の露光領域が必要であるた
め、ＳＯＲリングをＸ線源とする場合は、放射されるＸ
線の照射面積を拡大する手段が必要である。その拡大手
段として、 （イ） ＳＯＲリング内の電子ビームの軌道を揺動
させる （ロ） ＳＯＲリングから放射されるＸ線の短波長
部分をカットするＸ線ミラーを揺動させる（ハ） Ｘ線
を固定しておき、マスク・半導体ウェハを一体に走査す
る などの手段があるが、（イ）の電子ビームの軌道を揺動
させる手段では、同−ＳＯＲリングから他のビームライ
ンに放射されるＸ線への影響や蓄積電流寿命の変化など
を考慮しなければならず、実用的でない。また、（ロ）
のミラーを揺動させることによりＸ線を走査させる手段
では、ミラーへのＸ線の入射角の変化にともなって反射
率が変化し、マスクおよび半導体ウェハに対する走査方
向のＸ線強度が変動して露光の均一性が損なわれる。こ
れを防止するためには、ミラーの揺動角度に応じてその
揺動速度を制御する必要がある。また、（ハ）のマスク
・半導体ウェハを一体に移動する手段では、その移動方
向についてはある程度膜厚のむらの影響を平均化できる
ことが期待できるが、Ｂｅ膜にその加工により結晶の異
方性が生じた場合は、この手段では十分に露光むらを低
減することができない、などの問題がある。
この発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、
ＳＯＲリングのように指向性のあるＸ線を放・出する装
置をＸ線源とするＸ線リソグラフィ用露光装置において
、十分な露光領域を確保でき、かつＢｅ膜の膜厚のむら
に起因する露光むらを十分に低減できるようにすること
を目的とする。
ＳＯＲリングのように指向性のあるＸ線を放・出する装
置をＸ線源とするＸ線リソグラフィ用露光装置において
、十分な露光領域を確保でき、かつＢｅ膜の膜厚のむら
に起因する露光むらを十分に低減できるようにすること
を目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
Ｘ線リソグラフィ用露光装置において、その露光装置を
、第１方向の照射幅に対してこの第１方向と直交する第
２方向の照射幅が広いＸ線を放射するＸ線源と、感光膜
の形成された被露光体と上記感光膜に焼付けるパターン
の形成されたマスクとを所定の位置関係に支持する露光
部と、この露光部に支持された被露光体とマスクとを上
記第１方向に移動させる駆動装置と、上記Ｘ線源から放
射されるＸ線を上記露光部に導く高真空ビームラインと
、上記Ｘ線源から放射されるＸ線の経路に沿って上記露
光部と上記ビームラインとの間に配置されるＢｅ膜を支
持し、上記露光部と上記ビームラインとに可動的に取付
けられたＢｅ窓と、このＢｅ窓を上記被露光体およびマ
スクの移動速度よりも速い速度で上記第２方向に揺動さ
せる揺動装置とから構成した。
、第１方向の照射幅に対してこの第１方向と直交する第
２方向の照射幅が広いＸ線を放射するＸ線源と、感光膜
の形成された被露光体と上記感光膜に焼付けるパターン
の形成されたマスクとを所定の位置関係に支持する露光
部と、この露光部に支持された被露光体とマスクとを上
記第１方向に移動させる駆動装置と、上記Ｘ線源から放
射されるＸ線を上記露光部に導く高真空ビームラインと
、上記Ｘ線源から放射されるＸ線の経路に沿って上記露
光部と上記ビームラインとの間に配置されるＢｅ膜を支
持し、上記露光部と上記ビームラインとに可動的に取付
けられたＢｅ窓と、このＢｅ窓を上記被露光体およびマ
スクの移動速度よりも速い速度で上記第２方向に揺動さ
せる揺動装置とから構成した。
（作 用）
上記のように、Ｂｅ窓を第２方向に揺動させると、この
Ｂｅ窓に支持されたＢｅ膜の第２方向の膜厚のむらを平
均化でき、上記第２方向の露光むらを低減できる。また
、被露光体とマスクとを上記第２方向と直交する第１方
向に移動させると、この移動方向がＸ線の照射幅の広い
方向と直交する方向であることから、見掛は上置光領域
を拡大することができると同時に、被露光体に対してＢ
ｅ膜の各点を通過するＸ線が均等に寄与するようになり
、Ｂｅ膜の第１方向の膜厚のむらに起因する露光むらを
低減できる。したがって、２次元的に均一な露光が可能
となり、たとえばＢｅ膜に加工により結晶の異方性が生
じても、十分に露光むらを低減することができる。
Ｂｅ窓に支持されたＢｅ膜の第２方向の膜厚のむらを平
均化でき、上記第２方向の露光むらを低減できる。また
、被露光体とマスクとを上記第２方向と直交する第１方
向に移動させると、この移動方向がＸ線の照射幅の広い
方向と直交する方向であることから、見掛は上置光領域
を拡大することができると同時に、被露光体に対してＢ
ｅ膜の各点を通過するＸ線が均等に寄与するようになり
、Ｂｅ膜の第１方向の膜厚のむらに起因する露光むらを
低減できる。したがって、２次元的に均一な露光が可能
となり、たとえばＢｅ膜に加工により結晶の異方性が生
じても、十分に露光むらを低減することができる。
（実施例）
以下、図面を参照してこの発明を実施例に基づいて説明
する。
する。
第１図にその一実施例である半導体ウェハにパターンを
焼付けるためのＸ線リソグラフィ用露光装置の要部構成
を示す。この露光装置は、垂直方向（第１方向）の照射
幅に対して、直交する水平方向（第２方向）の照射幅が
広いＸ線（１）を放射するＳＯＲリング（２）をＸ線源
とし、このＳＯＲリング（２）から放射するＸ線（１）
の経路上に超高真空に保持される筒状のビームライン（
３）が配置されている。このビームライン（３）の内側
には、上記ＳＯＲリング（２）から放射されるＸ線（１
）の短波長部分をカットし、他の部分を反射するＸ線ミ
ラー（４）が配置されている。
焼付けるためのＸ線リソグラフィ用露光装置の要部構成
を示す。この露光装置は、垂直方向（第１方向）の照射
幅に対して、直交する水平方向（第２方向）の照射幅が
広いＸ線（１）を放射するＳＯＲリング（２）をＸ線源
とし、このＳＯＲリング（２）から放射するＸ線（１）
の経路上に超高真空に保持される筒状のビームライン（
３）が配置されている。このビームライン（３）の内側
には、上記ＳＯＲリング（２）から放射されるＸ線（１
）の短波長部分をカットし、他の部分を反射するＸ線ミ
ラー（４）が配置されている。
このＸ線ミラー（４）により反射される反射Ｘ線（ｌａ
）の放射方向に、半導体ウェハ（Ｗ）とこの半導体ウェ
ハ（Ｗ）に形成されている感光膜に焼付ける所定のパタ
ーンが形成されたマスク（Ｍ）とを一定の微小間隔離間
して支持する露光部（５）が配置されている。上記半導
体ウェハ（Ｗ）およびマスク（Ｍ）は、一定の微小間隔
離間しかつ上記反射Ｘ線（２ａ）の照射が垂直になるよ
うに露光部（５）に支持される。この露光部（５）は、
上記超高真空に保持されるビームライン（３）に対して
、大気圧または一部低真空の減圧状態に保持される。そ
して、この露光部（５）には、第２図に矢印（６）で示
すように、上記半導体ウェハ（ν）とマスク（Ｍ）とを
一体にして水平方向（Ｘ線（１）の広い照射幅方向）と
直交する垂直方向に一定速度で動かすモータ、カムなど
からなる駆動装置（７）が配置されている。
）の放射方向に、半導体ウェハ（Ｗ）とこの半導体ウェ
ハ（Ｗ）に形成されている感光膜に焼付ける所定のパタ
ーンが形成されたマスク（Ｍ）とを一定の微小間隔離間
して支持する露光部（５）が配置されている。上記半導
体ウェハ（Ｗ）およびマスク（Ｍ）は、一定の微小間隔
離間しかつ上記反射Ｘ線（２ａ）の照射が垂直になるよ
うに露光部（５）に支持される。この露光部（５）は、
上記超高真空に保持されるビームライン（３）に対して
、大気圧または一部低真空の減圧状態に保持される。そ
して、この露光部（５）には、第２図に矢印（６）で示
すように、上記半導体ウェハ（ν）とマスク（Ｍ）とを
一体にして水平方向（Ｘ線（１）の広い照射幅方向）と
直交する垂直方向に一定速度で動かすモータ、カムなど
からなる駆動装置（７）が配置されている。
また、上記ビームライン（３）と露光部（５）との間に
は、Ｂｅ膜（９）を支持するＢｅ窓（ｌＯ）が配置され
ている。このＢｅ窓（１０）は、大気圧または一部低真
空の減圧状態に保持される露光部（５）に対して、ビー
ムライン（３）を超高真空に保持する隔壁をなし、その
両側にはベローズ（ｌｌａ） 、 （ｌｌｂ）が取付け
られ、このベローズ（ｌｌａ） 、 （ｆｌｂ）を介し
て、ビームライン（３）およびと露光部（５）のそれぞ
れに可動的に取付けられている。そして、揺動装置（１
２）により上記半導体ウェハ（ν）およびマスク（Ｍ）
の移動速度よりも速い速度で、しかも第２図に矢印（１
３）で示すように、この半導体ウェハ（Ｗ）およびマス
ク（Ｍ）の移動方向と直交する水平方向に揺動する構成
となっている。
は、Ｂｅ膜（９）を支持するＢｅ窓（ｌＯ）が配置され
ている。このＢｅ窓（１０）は、大気圧または一部低真
空の減圧状態に保持される露光部（５）に対して、ビー
ムライン（３）を超高真空に保持する隔壁をなし、その
両側にはベローズ（ｌｌａ） 、 （ｌｌｂ）が取付け
られ、このベローズ（ｌｌａ） 、 （ｆｌｂ）を介し
て、ビームライン（３）およびと露光部（５）のそれぞ
れに可動的に取付けられている。そして、揺動装置（１
２）により上記半導体ウェハ（ν）およびマスク（Ｍ）
の移動速度よりも速い速度で、しかも第２図に矢印（１
３）で示すように、この半導体ウェハ（Ｗ）およびマス
ク（Ｍ）の移動方向と直交する水平方向に揺動する構成
となっている。
ところで、上記のように露光装置を構成すると、Ｂｅ膜
（９）に水平方向の膜厚のむらがあっても、Ｂｅ窓（１
０）の水平方向の揺動により、その水平方向の膜厚のむ
らを平均化することができ、半導体ウェハ（Ｗ）に対す
る水平方向の露光むらを低減することができる。また、
半導体ウェハ（Ｗ）とマスク（Ｍ）とを一体として垂直
方向に動かす、と、ＳＯＲリング（２）から放射するＸ
線（１）の照射幅の狭い方向の露光領域を見掛は上拡大
したことになる。
（９）に水平方向の膜厚のむらがあっても、Ｂｅ窓（１
０）の水平方向の揺動により、その水平方向の膜厚のむ
らを平均化することができ、半導体ウェハ（Ｗ）に対す
る水平方向の露光むらを低減することができる。また、
半導体ウェハ（Ｗ）とマスク（Ｍ）とを一体として垂直
方向に動かす、と、ＳＯＲリング（２）から放射するＸ
線（１）の照射幅の狭い方向の露光領域を見掛は上拡大
したことになる。
同時に第３図に示すように、半導体ウエノ（ｉｆ）に対
して、Ｂｅ膜（９）上の各点（Ａ）〜（Ｅ）を通過する
Ｘ線（ｌａ）が均等に寄与するようになり、Ｂｅ膜（９
）に垂直方向の膜厚のむらがあっても、その膜厚のむら
に起因する露光むらを低減することができる。
して、Ｂｅ膜（９）上の各点（Ａ）〜（Ｅ）を通過する
Ｘ線（ｌａ）が均等に寄与するようになり、Ｂｅ膜（９
）に垂直方向の膜厚のむらがあっても、その膜厚のむら
に起因する露光むらを低減することができる。
したがって、上記のように構成された露光装置によれば
、半導体ウェハ（ν）に対して２次元的に均一なＸ線露
光をおこなうことが可能となり、たとえばＢｅ膜（９）
に加工法に依存する結晶の異方性が生じても、このＢｅ
膜（９）による露光むらを十分に低減することができ、
半導体ウニ／１（ｗ）に所要のパターンを焼付けること
ができる。
、半導体ウェハ（ν）に対して２次元的に均一なＸ線露
光をおこなうことが可能となり、たとえばＢｅ膜（９）
に加工法に依存する結晶の異方性が生じても、このＢｅ
膜（９）による露光むらを十分に低減することができ、
半導体ウニ／１（ｗ）に所要のパターンを焼付けること
ができる。
なお、上記実施例では、半導体ウエノ＼とマスクとを垂
直方向に１回動かす場合について述べたが、コノ半導体
ウェハとマスクとの垂直方向移動は、第３図に実線に続
いて破線（■５）で示したように往復動させてよく、ま
た、その往復動を繰返すようにしてもよい。
直方向に１回動かす場合について述べたが、コノ半導体
ウェハとマスクとの垂直方向移動は、第３図に実線に続
いて破線（■５）で示したように往復動させてよく、ま
た、その往復動を繰返すようにしてもよい。
［発明の効果］
Ｘ線リソグラフィ用露光装置を、第１方向の照射幅に対
してこの第１方向と直交する第２方向の照射幅が広いＸ
線を放射するＸ線源と、感光膜の形成された被露光体と
その感光膜に焼付けるパターンの形成されたマスクとを
所定の位置関係に支持する露光部と、この露光部に支持
された披露光体とマスクとを一体に上記第１方向に移動
させる駆動装置と、上記Ｘ線源から放射されるＸ線を上
記露光部に導く高真空のビームラインと、上記Ｘ線源か
ら放射されるＸ線の経路に沿って上記露光部とビームラ
インとの間に配置されるＢｅ膜を支持し、上記露光部と
ビームラインとに可動的に取付けられたＢｅ窓と、この
Ｂｅ窓を上記被露光体およびマスクの移動速度よりも速
い速度で上記第２方向に揺動させる揺動装置とから構成
して、Ｂｅ窓を第２方向に揺動させるとともに、被露光
体とマスクとを上記第２方向と直交する第１方向に移動
させると、上記Ｂｅ窓の揺動により、このＢｅ窓に支持
されたＢｅ膜の第２方向の膜厚のむらを平均化でき、こ
の第２方向の露光むらを低減できる。また、被露光体と
マスクとの移動により、この移動方向がＸ線の照射幅の
広い方向と直交する方向であることから、露光領域の拡
大と同時に、被露光体に対してＢｅ膜の各点を通過する
Ｘ線を均等に寄与させることができ、Ｂｅ膜膜の第１方
向の膜厚のむらに起因する露光むらを低減できる。
してこの第１方向と直交する第２方向の照射幅が広いＸ
線を放射するＸ線源と、感光膜の形成された被露光体と
その感光膜に焼付けるパターンの形成されたマスクとを
所定の位置関係に支持する露光部と、この露光部に支持
された披露光体とマスクとを一体に上記第１方向に移動
させる駆動装置と、上記Ｘ線源から放射されるＸ線を上
記露光部に導く高真空のビームラインと、上記Ｘ線源か
ら放射されるＸ線の経路に沿って上記露光部とビームラ
インとの間に配置されるＢｅ膜を支持し、上記露光部と
ビームラインとに可動的に取付けられたＢｅ窓と、この
Ｂｅ窓を上記被露光体およびマスクの移動速度よりも速
い速度で上記第２方向に揺動させる揺動装置とから構成
して、Ｂｅ窓を第２方向に揺動させるとともに、被露光
体とマスクとを上記第２方向と直交する第１方向に移動
させると、上記Ｂｅ窓の揺動により、このＢｅ窓に支持
されたＢｅ膜の第２方向の膜厚のむらを平均化でき、こ
の第２方向の露光むらを低減できる。また、被露光体と
マスクとの移動により、この移動方向がＸ線の照射幅の
広い方向と直交する方向であることから、露光領域の拡
大と同時に、被露光体に対してＢｅ膜の各点を通過する
Ｘ線を均等に寄与させることができ、Ｂｅ膜膜の第１方
向の膜厚のむらに起因する露光むらを低減できる。
したがって、被露光体に対して２次元的な均一な露光が
可能となり、たとえばＢｅ膜に加工により結晶の異方性
が生じても、それに基づく露光むらを十分に低減するこ
とができ、被露光体の感光膜に所要のパターンを焼付け
ることができる。
可能となり、たとえばＢｅ膜に加工により結晶の異方性
が生じても、それに基づく露光むらを十分に低減するこ
とができ、被露光体の感光膜に所要のパターンを焼付け
ることができる。
第１図はこの発明の一実施例であるＸ線リソグラフィ用
露光装置の要部構成を示す図、第２図はそのＢｅ膜の揺
動と被露光体である半導体ウェハおよびマスクの走査と
の関係を示す図、第３図は半導体ウェハおよびマスクの
移動による効果を説明するための図である。
露光装置の要部構成を示す図、第２図はそのＢｅ膜の揺
動と被露光体である半導体ウェハおよびマスクの走査と
の関係を示す図、第３図は半導体ウェハおよびマスクの
移動による効果を説明するための図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１方向の照射幅に対してこの第１方向と直交する第２
方向の照射幅が広いＸ線を放射するＸ線源と、 感光膜の形成された被露光体と上記感光膜に焼付けるパ
ターンの形成されたマスクとを所定の位置関係に支持す
る露光部と、 上記露光部に支持された被露光体とマスクとを一体に上
記第１方向に移動させる駆動装置と、上記Ｘ線源から放
射されるＸ線を上記露光部に導く高真空ビームラインと
、 上記Ｘ線源から放射されるＸ線の経路に沿って上記露光
部と上記ビームラインとの間に配置されるＢｅ膜を支持
し、上記露光部と上記ビームラインとに可動的に取付け
られたＢｅ窓と、 このＢｅ窓を上記被露光体およびマスクの移動速度より
も速い速度で上記第２方向に揺動させる揺動装置とを具
備することを特徴とするＸ線リソグラフィ用露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008763A JPH03212927A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | Ｘ線リソグラフィ用露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008763A JPH03212927A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | Ｘ線リソグラフィ用露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212927A true JPH03212927A (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=11701956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008763A Pending JPH03212927A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | Ｘ線リソグラフィ用露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03212927A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8640766B2 (en) | 2003-05-06 | 2014-02-04 | Mitsubishi Aluminum Co., Ltd. | Heat exchanger tube |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP2008763A patent/JPH03212927A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8640766B2 (en) | 2003-05-06 | 2014-02-04 | Mitsubishi Aluminum Co., Ltd. | Heat exchanger tube |
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