JPH03214745A - Ｔａｂインナーリードのバンプ形成装置 - Google Patents
Ｔａｂインナーリードのバンプ形成装置Info
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- JPH03214745A JPH03214745A JP1025290A JP1025290A JPH03214745A JP H03214745 A JPH03214745 A JP H03214745A JP 1025290 A JP1025290 A JP 1025290A JP 1025290 A JP1025290 A JP 1025290A JP H03214745 A JPH03214745 A JP H03214745A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業」−の利用分野〕
本発明は半導体素子の実装に用いられるＴＡＢ（Ｔａｐ
ｅ Ａｕｌ．ｏｍａｔｃｄ １３ｏｎｄｉｎｇ）用テー
ブキャリアのインナーリード先端部へバンプを形成する
装置に関する。
ｅ Ａｕｌ．ｏｍａｔｃｄ １３ｏｎｄｉｎｇ）用テー
ブキャリアのインナーリード先端部へバンプを形成する
装置に関する。
［従来の技術］
一般に、半導体素子をＴＡＢ用テープキャリアに実装す
るには、半導体素子の電極部又はテープキャリアのイン
ナーリード先端部のいずれか一方に、バンプとなる突起
を形成する必要がある。半導体素子の電極部にバンプ形
成する方法には、例えば、「アイビーエムジャーナル（
ＩＢＭ Ｊｏｕｒｎａｌ） 」第８巻（１９６４年）
＋０２頁に記載のように電極部に直接バンプとなる突起
をメッキ法により形成する方法、［昭和６０年度電子通
信学会半導体・材料部門全国大会論文集、講演番号２Ｊ
（１９８５年１１月）に記載のようにガラス基板にバン
プを形成した後、電極部にバンプを移替える方式の転写
バンプ法や、［エレクトロニック・パッケージング・ア
ンド・プロダクション（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｐａｃ
ｋａｇｉｎｇ ＆ Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ），１、１９
８４年１２月号，３３〜３９頁に記載のようにエッチン
グ技術を用いたべデスタル法、すなわちバンプを形成す
る部分をマスキングしておき、他のインナーリード部分
をハーフエッチングすることにより、３０〜４０ＩＩｍ
の高さの突起を形成する方法かある。しかしこれらのノ
ｊ法でバンプを形成するには、高価な露光装置やメッキ
装置などの設備が必要となるばかりでなく、パターンニ
ングのためのりソグラフイ工程やエッチング工程が必要
になるためバンプ形成工程も長くなるという課題がある
。
るには、半導体素子の電極部又はテープキャリアのイン
ナーリード先端部のいずれか一方に、バンプとなる突起
を形成する必要がある。半導体素子の電極部にバンプ形
成する方法には、例えば、「アイビーエムジャーナル（
ＩＢＭ Ｊｏｕｒｎａｌ） 」第８巻（１９６４年）
＋０２頁に記載のように電極部に直接バンプとなる突起
をメッキ法により形成する方法、［昭和６０年度電子通
信学会半導体・材料部門全国大会論文集、講演番号２Ｊ
（１９８５年１１月）に記載のようにガラス基板にバン
プを形成した後、電極部にバンプを移替える方式の転写
バンプ法や、［エレクトロニック・パッケージング・ア
ンド・プロダクション（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｐａｃ
ｋａｇｉｎｇ ＆ Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ），１、１９
８４年１２月号，３３〜３９頁に記載のようにエッチン
グ技術を用いたべデスタル法、すなわちバンプを形成す
る部分をマスキングしておき、他のインナーリード部分
をハーフエッチングすることにより、３０〜４０ＩＩｍ
の高さの突起を形成する方法かある。しかしこれらのノ
ｊ法でバンプを形成するには、高価な露光装置やメッキ
装置などの設備が必要となるばかりでなく、パターンニ
ングのためのりソグラフイ工程やエッチング工程が必要
になるためバンプ形成工程も長くなるという課題がある
。
このため、特公昭６４−１００９４号公報に記載のよう
に、金型を用いた機械的なプレス成形加工技術を用いて
インナーリード先端部にバンプを製作する方法が提案さ
れている。この方法は、第２図（ａ），（ロ），（Ｃ）
に示すように、下型２４ヘフィルム１２とインナーリー
ドが一体となったテープキャリア１１を装着し、」二方
からインナーリード１１の幅よりも大きな凸部２５を有
する上型２３を降下させてインナーリードｌ１の先端部
に凸部（バンプ）２８をプレス加工によって形成するノ
ｊ法である。なお、上型２３の凸部２８により押圧され
たインナーリード１ｌの凹部１５における材料の逃げの
ため、幅方向に切欠き２７が設けられている。
に、金型を用いた機械的なプレス成形加工技術を用いて
インナーリード先端部にバンプを製作する方法が提案さ
れている。この方法は、第２図（ａ），（ロ），（Ｃ）
に示すように、下型２４ヘフィルム１２とインナーリー
ドが一体となったテープキャリア１１を装着し、」二方
からインナーリード１１の幅よりも大きな凸部２５を有
する上型２３を降下させてインナーリードｌ１の先端部
に凸部（バンプ）２８をプレス加工によって形成するノ
ｊ法である。なお、上型２３の凸部２８により押圧され
たインナーリード１ｌの凹部１５における材料の逃げの
ため、幅方向に切欠き２７が設けられている。
上述したようなプレス加工方法によりインナーリード先
端部に成形されたバンプ２８は、インナーリードの外形
部分を金型を用いて成形した断面形状が中実構造のバン
プのため、半導体素子とバンプを熱圧着で接合する工程
において作用させる圧縮荷重に対して、ほぼ剛体として
作用する。このため個々のバンプの高さにバラツキがあ
ると、半導体素子とバンプを接合するとき、すべてのバ
ンプを均一に接合することができず、電気的に接続不良
が発生する課題がある。接続不良を発生させないために
は、バンプの高さのバラツキを少な《とも０．５１１ｍ
以下とすることが必要であり、極めて高精度にバンプを
形成することが要求される。また、インナーリード１１
には、事前に切欠きを設ける加工を行う必要がある等の
課題がある。
端部に成形されたバンプ２８は、インナーリードの外形
部分を金型を用いて成形した断面形状が中実構造のバン
プのため、半導体素子とバンプを熱圧着で接合する工程
において作用させる圧縮荷重に対して、ほぼ剛体として
作用する。このため個々のバンプの高さにバラツキがあ
ると、半導体素子とバンプを接合するとき、すべてのバ
ンプを均一に接合することができず、電気的に接続不良
が発生する課題がある。接続不良を発生させないために
は、バンプの高さのバラツキを少な《とも０．５１１ｍ
以下とすることが必要であり、極めて高精度にバンプを
形成することが要求される。また、インナーリード１１
には、事前に切欠きを設ける加工を行う必要がある等の
課題がある。
本発明の目的はこのような従来の課題を解決し、形成工
程がｆｆｆｉ単なＴＡＢインナーリードのバンプ形成装
置を提供することにある。
程がｆｆｆｉ単なＴＡＢインナーリードのバンプ形成装
置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため、本発明に係るＴＡＢインナー
リードのバンプ形成装置においては、ＴＡＢ用テープキ
ャリアのインナーリード先端部近傍に−３ プレス加工により中空４１ｌ，ｒ造のバンプを形成する
装置であって、 貫通孔を備えたダイスと、 インナーリービの一部をダイス（；’？ ｆａｔ通孔内
に圧下して中空構造のバンプを形成するポンチと、ダイ
スの１゛Ｙ通孔とポンチとの相対位置ＩｙＩ係を光学的
に観察する光学手段とを有するものである。
リードのバンプ形成装置においては、ＴＡＢ用テープキ
ャリアのインナーリード先端部近傍に−３ プレス加工により中空４１ｌ，ｒ造のバンプを形成する
装置であって、 貫通孔を備えたダイスと、 インナーリービの一部をダイス（；’？ ｆａｔ通孔内
に圧下して中空構造のバンプを形成するポンチと、ダイ
スの１゛Ｙ通孔とポンチとの相対位置ＩｙＩ係を光学的
に観察する光学手段とを有するものである。
［作用］
本発明によれば、ポンチとダイスを用いた機械的プレス
法により、インナーリード先端ｆｆｌｌ近傍にドーム状
中空構造のバンプを形成するため、従来のプレス加ユ一
で必要であったバンプ形成のための前加］．が不用とな
りバンプ形成ゴー程を大幅に簡略化できるという利点が
ある。しかも中実横這に比べ圧縮力に対して変形し易い
バンプ構造となるため、バンプの高さにバラツキが存在
しても熱圧着時の圧縮荷重によりバンプが塑性変形し均
一な高さに矯正することができる。このため、バンプ高
さにバラツキが存在しても、中空バンプな半導体素子の
全ての７１極部と均一に密２′『させ、良好な接一４ 合を達成できることが期待できる。またダイスの貫通孔
の下側に配置したレンスによって拡大結像系を構成し、
さらに結像位置に位置したＩＴＶによってダイスの貫通
孔とポンチの拡大像をＴＶモニタ」，で観測することが
できる。従って、ポンチとダイスの貫通孔の相対位置を
正確に設定することができ、インナーリードへのバンプ
形成を歩留り良く実現できる。
法により、インナーリード先端ｆｆｌｌ近傍にドーム状
中空構造のバンプを形成するため、従来のプレス加ユ一
で必要であったバンプ形成のための前加］．が不用とな
りバンプ形成ゴー程を大幅に簡略化できるという利点が
ある。しかも中実横這に比べ圧縮力に対して変形し易い
バンプ構造となるため、バンプの高さにバラツキが存在
しても熱圧着時の圧縮荷重によりバンプが塑性変形し均
一な高さに矯正することができる。このため、バンプ高
さにバラツキが存在しても、中空バンプな半導体素子の
全ての７１極部と均一に密２′『させ、良好な接一４ 合を達成できることが期待できる。またダイスの貫通孔
の下側に配置したレンスによって拡大結像系を構成し、
さらに結像位置に位置したＩＴＶによってダイスの貫通
孔とポンチの拡大像をＴＶモニタ」，で観測することが
できる。従って、ポンチとダイスの貫通孔の相対位置を
正確に設定することができ、インナーリードへのバンプ
形成を歩留り良く実現できる。
以下、本発明について図面を用いて詳細に説明する。
第１図（ａ）は本発明のバンプ形成装置を示す概略図で
ある。便宜」二、ここでは構成部品のスケールは無視し
ている。第１図（ｂ），（○）は本発明によるインナー
リードのバンプ構造の−・実施例を示す平面図及び部分
断面した側面図である。
ある。便宜」二、ここでは構成部品のスケールは無視し
ている。第１図（ｂ），（○）は本発明によるインナー
リードのバンプ構造の−・実施例を示す平面図及び部分
断面した側面図である。
図において、１１はインナーリード、１７はインナーリ
ード先端部のバンプ形成位置に合致する場所に貫通孔１
８か形成されたダイスで、インナーリードＩＩとプラス
チックフィルム１２が一休となったテ一プキャリアがダ
イス１７」二に装若される。また、ダイス１７の下方に
は拡大レンズ２０を貫通孔１８に対向させて配置し、拡
大レンズ２０の結像位置にはテレビカメラ（ＩＴＶ）
２１を配置し、テレビカメラ２１の出ノノ側にはＴ〜・
′モニタ２２を接続してある。ここに、拡大レンズ２０
，テレビカメラ２＋， ＴＶモニタ２２等によりダイス
の貫通孔とポンチとの相対位置関係を光学的に観察する
光学手段が構成される。ダイス１７にテープキャリアを
装着する前に、貫通孔１８とインナーリードｌ１の位置
合わせを行う。この際、拡大レンズ２０によって拡大結
像系を構成し、貫通孔１８とポンチ１９は、結像位置に
置かれたテレビカメラ（ＩＴＶ） ２１で撮像され、Ｔ
Ｖモニタ２２上で同時に観測される。従って、図のごと
＜，ＴＶモニタ２２で、ポンチｌ９の拡大像１９′が貫
通孔１８の拡大像１８′に重なるようにボンチ１９ある
いはダイスｌ７を移動させて位置合わせを行うことがで
き、バンプ形成の歩留りを向上させるとともに、位置合
わせ工数を大幅に低減できる。上述した位置合わせを行
った後に、インナーリードｌ１をダイス１７上に装着し
、ポンチｌ９を」二方から降下させてインナーリード先
端部を機械的なプレス加工することにより中空バンプ１
３の形成が行われる。例えば外径３０１１ｍのポンチ１
９に約８０ｇの荷重をかけ、幅７（ｌｐｍ，厚さ３５ｐ
ｍの銅製インナーリード１１（表面に０．５μｍのＡｕ
メッキ処理、表面あらさはＲＭＡＸ ＝ Ｏ．ｈｍ）に
バンプｌ３を形成する。
ード先端部のバンプ形成位置に合致する場所に貫通孔１
８か形成されたダイスで、インナーリードＩＩとプラス
チックフィルム１２が一休となったテ一プキャリアがダ
イス１７」二に装若される。また、ダイス１７の下方に
は拡大レンズ２０を貫通孔１８に対向させて配置し、拡
大レンズ２０の結像位置にはテレビカメラ（ＩＴＶ）
２１を配置し、テレビカメラ２１の出ノノ側にはＴ〜・
′モニタ２２を接続してある。ここに、拡大レンズ２０
，テレビカメラ２＋， ＴＶモニタ２２等によりダイス
の貫通孔とポンチとの相対位置関係を光学的に観察する
光学手段が構成される。ダイス１７にテープキャリアを
装着する前に、貫通孔１８とインナーリードｌ１の位置
合わせを行う。この際、拡大レンズ２０によって拡大結
像系を構成し、貫通孔１８とポンチ１９は、結像位置に
置かれたテレビカメラ（ＩＴＶ） ２１で撮像され、Ｔ
Ｖモニタ２２上で同時に観測される。従って、図のごと
＜，ＴＶモニタ２２で、ポンチｌ９の拡大像１９′が貫
通孔１８の拡大像１８′に重なるようにボンチ１９ある
いはダイスｌ７を移動させて位置合わせを行うことがで
き、バンプ形成の歩留りを向上させるとともに、位置合
わせ工数を大幅に低減できる。上述した位置合わせを行
った後に、インナーリードｌ１をダイス１７上に装着し
、ポンチｌ９を」二方から降下させてインナーリード先
端部を機械的なプレス加工することにより中空バンプ１
３の形成が行われる。例えば外径３０１１ｍのポンチ１
９に約８０ｇの荷重をかけ、幅７（ｌｐｍ，厚さ３５ｐ
ｍの銅製インナーリード１１（表面に０．５μｍのＡｕ
メッキ処理、表面あらさはＲＭＡＸ ＝ Ｏ．ｈｍ）に
バンプｌ３を形成する。
リード先端部の幅方向の中央部に形成された中空バンプ
１３は、空間が形成された中空構造であるため、中空バ
ンプ１３は上方からの圧縮に対して変形しやすい性質が
あり、バンプ高さのバラッキが存在しても矯正されて同
一平面上で接合できる特長がある。
１３は、空間が形成された中空構造であるため、中空バ
ンプ１３は上方からの圧縮に対して変形しやすい性質が
あり、バンプ高さのバラッキが存在しても矯正されて同
一平面上で接合できる特長がある。
本実施例では、ダイス貫通孔の一方には拡大結像系を配
置したが、上下双方向でも同様なことが言える。また、
拡大結像系を一枚のレンズで構成したが、複数のレンズ
を用いても同一の効果が得られる。
置したが、上下双方向でも同様なことが言える。また、
拡大結像系を一枚のレンズで構成したが、複数のレンズ
を用いても同一の効果が得られる。
［発明の効果］
以」二説明したように本発明によれば、形成工程が簡単
で製造コストが安く、生産性が高いＴＡＢインナーリー
ドのバンプの形成を実現できる。さらにダイスとポンチ
との位置合せ工数を大幅に低減できるとともに、位置合
わせを正確に行うことができ、歩留りを向上できる効果
を有する。
で製造コストが安く、生産性が高いＴＡＢインナーリー
ドのバンプの形成を実現できる。さらにダイスとポンチ
との位置合せ工数を大幅に低減できるとともに、位置合
わせを正確に行うことができ、歩留りを向上できる効果
を有する。
第ｌ図（ａ）は本発明のバンプ形成装置を示す概略図、
（ハ）は本発明によるインナーリードのバンプ構造の一
実施例を示す平面図、Ｇｃ）は部分断面した側面図、第
２図（ａ），（ロ），（Ｃ）は従来の金型を用いた機械
的なプレス成形加工技術を用いたバンプ形威力法を示す
図である。 ｌ・・・インナーリード ３・・・中空バンプ ６・・・荷重 ８・・・貫通孔 ９・・・ポンチ ２０・・・レンズ ２２・・・ＴＶモニタ ２４・・・下型 ２７・・・リード切欠き ２・・・フイルム ５・・・リード凹部 ７・・・ダイス ８′・・・貫通孔の拡大像 ９′・・・ポンチの拡大像 ２１・・・テレビカメラ ２３・・・上型 ２５・・・凸部 ２８・・・バンプ ○ 堅） （ｂ） （Ｃ） 第２図
（ハ）は本発明によるインナーリードのバンプ構造の一
実施例を示す平面図、Ｇｃ）は部分断面した側面図、第
２図（ａ），（ロ），（Ｃ）は従来の金型を用いた機械
的なプレス成形加工技術を用いたバンプ形威力法を示す
図である。 ｌ・・・インナーリード ３・・・中空バンプ ６・・・荷重 ８・・・貫通孔 ９・・・ポンチ ２０・・・レンズ ２２・・・ＴＶモニタ ２４・・・下型 ２７・・・リード切欠き ２・・・フイルム ５・・・リード凹部 ７・・・ダイス ８′・・・貫通孔の拡大像 ９′・・・ポンチの拡大像 ２１・・・テレビカメラ ２３・・・上型 ２５・・・凸部 ２８・・・バンプ ○ 堅） （ｂ） （Ｃ） 第２図
Claims (1)
- （１）ＴＡＢ用テープキャリアのインナーリード先端部
近傍にプレス加工により中空構造のバンプを形成する装
置であって、 貫通孔を備えたダイスと、 インナーリードの一部をダイスの貫通孔内に圧下して中
空構造のバンプを形成するポンチと、ダイスの貫通孔と
ポンチとの相対位置関係を光学的に観察する光学手段と
を有することを特徴とするＴＡＢインナーリードのバン
プ形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025290A JPH03214745A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Ｔａｂインナーリードのバンプ形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025290A JPH03214745A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Ｔａｂインナーリードのバンプ形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03214745A true JPH03214745A (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=11745125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1025290A Pending JPH03214745A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Ｔａｂインナーリードのバンプ形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03214745A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19504543A1 (de) * | 1995-02-11 | 1996-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Formung von Anschlußhöckern auf elektrisch leitenden mikroelektronischen Verbindungselementen zum lothöcker-freien Tab-Bonden |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP1025290A patent/JPH03214745A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19504543A1 (de) * | 1995-02-11 | 1996-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Formung von Anschlußhöckern auf elektrisch leitenden mikroelektronischen Verbindungselementen zum lothöcker-freien Tab-Bonden |
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