JPH03214748A - Ｔａｂインナーリードのバンプ形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業］二の利用分野］ 本発明は半導体素子の実装に用いられるＴ　Ａ　Ｂ　（
　Ｔ　ａＪ）０Δ旧．ｏｍａｔｃｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）
用テープキャリアのインナーリード先端部に、機械的な
プレス加工により成形されるバンプの形成方法に関する
。

〔従來の技術］ 一般に、″−１′導体素子を゛Ｉ’ＡＢ用テープキャリ
アに実装するには、半導体素子の′屯極ｒｆｌ｛または
テープキャリアのインナーリード先端部のいずれか一方
に、バンプとなる突起を形成する必要がある。半導体素
子の電極部にバンプ形成する方法には、例えば、「アイ
ビーエムジャーナル（ＩＢＭ　Ｊｏｕｒｎａｌ）　Ｊ第
８巻（１９６４年）１０２頁に記１｛（のように電極ｆ
ｊｌ｛に直接バンプとなる突起をメッキ法により形成す
る方法や、［エレグ１・ロニック・パッケージング・ア
ンド・プロダクション（Ｅｌｃｃｌｒｏｎｉｃ　Ｐａｃ
ｋａｇｉｎｇ　＆Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ）　Ｊ、１９８
４年１２月号，３３〜３９頁に記載のようにエッチング
技術を用いたべデスタル法、すなわちバンプを形成する
部分をマスキングしておき、他のインナーリード部分を
ハーフエッチングすることにより、３０〜７ｌＯμｍの
高さの突起を形成する方法、あるいは「昭和６０年度電
子通信学会半導体・＋１′一ト部四全国大会論文集、講
演番号２Ｊ（１９８５年＋Ｂ］）に記小又のようにガラ
ス基板にバンプを形成した後、電極部にバンプを移し換
える方式の転写バンプ法などが行われている。

しかし、これらの方法でバンプを形成するには、高価な
露光装置やメッキ装置なとの設Ｏｉｉｆが必要となるば
かりでなく、パターンニングのためのりソグラフィ工程
やエッチング工程が必要になるためバンプ形成工程が長
くなるという課題がある。

このため第４図に示すように（特公昭６４−１００９／
１号公報）、金型を用いた機械的なプレス成形加工技術
を用いてインナーリード先端部にペデスタル１８を製作
する力法が提案されている。この方法は、下型ヘフィル
ムとインナーリードが一体となったテープキャリアを装
着し、上方からインナーリードの幅よりも大きな凸部を
有する上型を降下させてインナーリードの先端部に凹部
１７をプレス加工によって形成し、バンプとなるペデス
タル１８をインナーリード先端部に形成する方法である
。なお、上型の凸部により押圧されたインナーリードの
四部ｌ７の材料の逃げのため、幅方向に切欠きが設けら
れている。

〔発明が解決しようとする課題］ ところが、このようなプレス加工方法によりインナーリ
ード先端部に成形されたバンプは、インナーリードの外
形部分を金型を用いて成形した断面形状が中実構造のバ
ンプのため、半尋体素子とバンプを熱圧着で接合する工
程において作用させる圧縮荷重に対して、ほぼ剛体とし
て作用する。

このため個々のバンプの高さにバラッキが゛あると、半
導体素子とバンプを接合するとき、すべてのバンプを均
一に接合することができず、電気的に接続不良が発生す
るという課題がある。接続不良を発生させないためには
、バンプの高さのバラッキを少なくとも０．５ｐｍ以下
とすることが必要であり、極めて高精度にバンプを形成
することが要求される。また、インナーリードの四部に
は、事前に切欠きを設ける加工を行う必要がある等の課
題がある。

本発明の目的はこのような従来の課題を解決し、バンプ
形成二１一程が油ｌｉｔて、バンプ高さのバラッキが存
在しても十分な接合強度で、しがも｛ｎ頼性高く半導体
素子との接合が達成できるＴＡＩ’｛インナーリードの
バンプ形成方法を提供することにある。

［韻↓題を踊′決するための丁段］ 前記［−１的を達成するため、本発明に係るｌ’　．’
ｌ　Ｆ３イ＝３− ンナーリードのバンプ形成方法においては、’ｌ’　Ａ
　ｌｌ用テープキャリアのインナーリード先端部近傍に
、ポンチとダイスを用いてプレス加］二を行いバンプを
形成する方法であって、前記バンプをプレス形成後、前
記ポンチを該ポンチ軸の回りに回転させながら、前記イ
ンナーリードから離脱するものである。

［　（’Ｉ；　ＪｆＪ　） 十．述の課題を解決するＴＡＢインナーリードのバンプ
構造としては、第２図に示すようなポンチとダイスを用
い、インナーリードｌ４の幅よりも小さなドーム状に形
成された中空構造バンプ１６が考えられる。中空構造バ
ンプｌ６ではバンプ形成のための前加］一が不用となり
バンプ形成工程を大幅に簡略化できるという利点があり
、しかも中実構造に比べ圧縮力に対して変形し易いバン
プ構造となるため、バンプの高さにバラツキが存在して
も熱圧若時の圧縮荷重によりバンプが塑性変形し均一・
な高さに矯正することができる。このため、バンプ高さ
にバラツキが存在しても、中空バンプを゛レ０−／１ 体素子の全ての電極部と均一に密着させ、良１ｙ了な接
合を達成できる。

ところが、機械的なプレス加」：で中空構造のバンプを
形成する場合、第３図に示すようにポンチ１１の凸部１
５がインナーリードｌ４に押し込まれると、ボンチ１１
の凸部ｌ５の外周と中空バンプｌ６の内面は密ｉ゜゛１
するため、ポンチ１１の離脱の際にインナーリード１４
がダイス１２のダイス穴１３より」二方に持ち」一げら
れ、インナーリード１４が塑性変形するという課題があ
った。ここで、インナーリード１４に変形が生じると、
半導体素子の電極部と良好な接合を行えなくなる。

そこで、本発明のように、ポンチをインナーリードから
離脱する際に、ポンチをポンチ軸回りに回転することに
より、ポンチと中空バンプ内面との密着状態を解除でき
、インナーリードに変形を−ｌｊえることなく、容易に
ポンチの離脱が可能となる。

［実施例］ 以下、本発明について図面を用いて訂細に説明する。

第１図（ａ）〜←）は本発明のインナーリードのバンプ
形成ノｊ法の概略をＴＬＩＪｌ順に示す゛部分断面した
側面図、第２図は本発明の一実施例により形成された中
空バンプを示す断面図である。

まず第１図（ａ）に示すように、ボンチ１１の凸部Ｉ５
とダイスＩ２上のダイス穴１３の中心軸が一致するよう
に、ポンチｌ１の位置を調整後、インナーリード４をダ
イス１２１−に固定する。ここに、用いたインナーリー
　ド１４は幅８０Ｉｌｍ，　　ピッチ１６０ｐｍ，厚さ
３　５　！　Ｉｌ１の銅製のリード（表面にＡｕのメッ
キをｌｐｍ形成）とした。ポンチ１１の先端凸部１５の
直径は３０ｔｔｍ、ダイス穴１３の直径は５０Ｂｎ＋と
した。

次いで、第１図（ｂ）に示すように、ポンチ１１をイン
ナーリード１４に押し込み、中空バンプ１６をプレス成
形する。最後に第１図（ｅ）に示すように、ポンチ１ｌ
をポンチ軸回りに回転させながら」一方に引き上げイン
ナーリード１４から離脱したところ、インナーリード１
４に塑性変形を生じさせることなくポンチ１１を容易に
インナーリード１４から離脱することかできた。このと
き、第２図に示すような高さ３０±３μｍ、底面におけ
る直径５０ｌＩｍの中空バンプｌ６を形成できた５ 上記方法により形成した中空バンプと、半導体メ・；子
のＡＱ電極部とを低温ボンディング法（素子加熱温度：
ｌ５０’Ｃ，加圧用ツール温度：４５０℃，圧力５０ｇ
Ｉ■リード，１秒）により接合した結果、強度的にも電
気的にも良好な接続が達成され、形成された中空バンプ
は、インナーリードのバンプとして十分に使用できるこ
とをｍｕ認した。ここでバンプ高さに±３μｍのバラツ
キがあるにもかかわらず、良好な接続を達成できたのは
、バンプが中空構造であり熱圧着時の押し込み荷重によ
りバンプの高さのバラツキを矯正できたためである。

［発明の効果］ 以」二説明したように、本発明のＴＡＢインナーリード
のバンプ形成ノｊ？Ｊ、は、バンプ形成工程力＜　ｌｉ
ｉ’ｉ　Ｊｉｔで、バンプ高さのバラツキが存在しても
十分な接合強度で、しかも信頼性高く半導体素子との接
合か達成できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜０）は本発明のＴＡＢインナーリードの
バンプ形成方法を工程順に示す概略図、第２図は本発明
の−・実施例により形成した中空構造のバンプを示す断
面図、第３図はボンチ削脱時にノ１じるインナーリード
の変形の様子を示す概略図、第４図は従来の゛ＩＡ１｛
インナーリードのバンプ形成方法を示す概略図である。 ＋１・・ポンチ １３・・・ダイス穴 ｌ５・・・凸部 １７・・・凹部 ｌ２・・・ダイス ｌ４・・・インナーリード １６・・・中空バンプ １８・・・ペデスタル

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＴＡＢ用テープキャリアのインナーリード先端部
   近傍に、ポンチとダイスを用いてプレス加工を行いバン
   プを形成する方法であって、前記バンプをプレス形成後
   、前記ポンチを該ポンチ軸の回りに回転させながら、前
   記インナーリードから離脱することを特徴とするＴＡＢ
   インナーリードのバンプ形成方法。