JPH03214787A

JPH03214787A - 高周波回路基板

Info

Publication number: JPH03214787A
Application number: JP2010393A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Maeda; 前田　善夫
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1990-01-19
Filing date: 1990-01-19
Publication date: 1991-09-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）この発明は、マイクロ波帯の信号増幅等に使用される高
周波回路基板に関する。

（従来の技術）一般に、高周波回路は、回路構成の小形化をはかるため
、高誘電率のセラミックス基板上に形成され、これを金
属製のケース内に収納する等して構成されている。

高周波回路は、セラミックス基板の一方の表面１側に載置されたＩＣ等の部品をマイクロストリップ導体
で回路配線するとともに、他方の裏面には金属膜による
接地導体が形成されて構成される。

しかし、セラミックス基板自体は、機械的にもろい性質
を有するので、例えば金属ケース内にねじ止め等により
固定した場合、締付け固定時の機械的応力が直接基板に
加わり、割れや剥離を生ずることがある。

そこで従来は、第３図に示すように、セラミックス基板
１は、はんだ付け等によりキャリアプレートと称し機械
的強度が大で接地板を兼ねた金属板２に接合固定され、
その上で金属板２を金属ケース３にねじ４によりねじ止
め固定していた。

しかし、接地板を兼ねた金属板２は良好な導電性が要求
されるので、材料も限定され重量も大となる欠点があっ
た。また、金属板２自体の持つ剛性から、ねじ止め固定
時に生ずる歪み力が直ぢにセラミックス基板１に影響し
、割れや剥離をもたらすので、取付けられる基板１自体
の大きさも制限された。

２また、第４図に示すように、金属板を使用することなく
、セラミックス基板１を直接金属ケース３内の底部には
んだ付けや接着剤で固定する方法もある。しかし、セラ
ミックス基板１単体を金属ケース３内に固定しても、セ
ラミックスと金属との材質の相違により、基板ｌ側に割
れや剥離が生じやすい。また壊れやすいセラミックス基
板１そのものを箱状の金属ケース３の底部に直接接合す
ることになるので、組込み作業が面倒となる欠点がある
。

また、第５図に示すように、セラミックス基板１を金属
ケース３の底部にねじ４を介して止め金具４ａにより取
付け固定する方法がある。しかし、この方法では、基板
１とケース３との接合面において、接合に十分な平面精
度を得ることは容易ではなく、また経年変化や機械的振
動等が加わってケース３とセラミック基板１との間に隙
間が生じやすいので改善が要望されていた。基板１とケ
ース３との間に間隙があると、電気的な共振現象を引起
こしたり、インピーダンス特性を変えることとなり、高
周波回路上の電気的性能に悪影響を与えることになる。

（発明が解決しようとする課８）従来の高周波回路基板は、金属ケース内に収納固定しよ
うとする場合、セラミックス基板特有の性質から、ケー
ス内への実装に際し、基板の割れや剥離が生じたり、ケ
ースとの間に良好な密着性が得られないという欠点があ
った。

この発明は、上記従来の欠点を解消し、セラミックス基
板に割れや剥離を生ずることなく、また金属ケースとも
良好な密着性が確保できる高周波回路基板を提供するこ
とを目的とする。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）この発明による高周波回路基板は、一方の基板面にマイ
クロ波集積回路が形成されたセラミックス基板と、この
セラミックス基板の他方の面に接合されセラミックス基
板の接合部外に金属ケースへの取付部を設けた合成樹脂
製基板とを具備することを特徴とする。

３（作　用）この発明は、セラミックス基板の他方の面に金属ケース
への取付部を有する合成樹脂製基板を接合したので、セ
ラミックス基板は合成樹脂固有の柔らさを持つ基板に接
合されているので、接合部位における歪み等の機械的な
応力を受けることが少ないという特徴を有する。また、
金属ケースへの取付けも合成樹脂製基板を固定すること
によって行われるので、直接セラミックス基板に触れる
ことなく実装できるので、取付け作業は容易となりまた
セラミックス基板にねじれ等の力が波及することも少な
く、軽量化された高周波回路基板を得ることができる。

（実施例）以下、この発明による高周波回路基板の一実施例を第１
図及び第２図を参照し詳細に説明する。

なお、第３図ないし第５図に示した従来構成と同一構成
には同一符号を付して説明する。

即ち、第１図はこの発明による高周波回路基板の一実施
例を示す断面図で、表側にＩＣ等の部品５４が取付けられるとともにマイクロストリップ導体が配線
されたセラミックス基板１の裏面には、テフロン（商品
名）等のフッ素樹脂とガラス繊維からなるガラス繊維フ
ッ素樹脂やガラス繊維エボキシ樹脂等からなる合成樹脂
製基板５が接合されている。

合成樹脂製基板５は、セラミックス基板１より面積が大
きく、そのセラミックス基板１からはみ出た部分には取
付部が形成され、金属ケース３へのねじ止め用のねじ孔
５ａが構成されている。

合成樹脂製基板５は外周面が導電製の良好な金属被膜で
覆われ、従来のキャリアプレートの役割をもはたし、表
面側でセラミックス基板１と接着剤等で接合され、裏面
側ではねじ止めにより金属ケース３に密着するように固
定される。合成樹脂製基板５は、材料固有の性質から軽
量で柔軟性があり、接合部位に生じる歪み等を吸収しセ
ラミ・ソクス基板１との間では良好な接合が行われる。

また、合成樹脂製基板５を金属ケース３にねじ止めする
際に、仮にねじれ応力が発生したとじて６も、柔軟性のある合成樹脂製基板５自体で吸収され、セ
ラミック基板１そのものに応力が及ぶのを防止でき、割
れや剥離等の発生を避けることができる。

なお、セラミックス基板１自体の接地電位を高周波的に
より確実にするためにスルーホール５ｂを形成している
。

また、この発明による高周波回路基板は、単に高周波回
路だけを形成するだけでなく、例えば直流バイアス供給
回路をも同時に組込むのに好都合である。

即ち、第２図はこの発明による高周波回路基板の他の実
施例を示す断面図である。

第１図に示す実施例と相違する点は、合成樹脂製基板５
の内、セラミックス基板１が接合されない部分の面積を
若干大きくして、その部分に抵抗やコンデンサ等のバイ
アス供給回路用部品６を組込むようにしたものである。

この結果、従来はこのような直流バイアス供給回路や低
周波回路等は別途設けたプリント基板に７形成していたが、この実施例のように、同一ケース内の
合成樹脂製基板５の上に取付けることによって高密度実
装ができるので、装置全体の小形化のため有効である。

なお、３ａはバイアス供給回路用部品を合成樹脂製基板
５に取付けたとき、端子の先端が突抜け先端が金属ケー
ス３に接触して短絡状態となるのを防ぐための空間を設
けた四部である。

また、同一金属ケース内の合成樹脂製基板５の上には直
流バイアス回路等の他に、他の基板、例えば同じく合成
樹脂製基板を多階層に組込んだり、あるいは複数のセラ
ミックス基板を組立て載置してもよい。

また、合成樹脂製基板５は一方の面にのみセラミックス
基板１を接合したが、両面に接合し、金属ケース底面と
は間隙を設けて平行に合成樹脂製基板を取付け固定し高
密度実装をはかることができる。

［発明の効果］以上のように、この発明による高周波回路基板は、セラ
ミックス基板に合成樹脂製基板を接合させて構成したの
で軽量化が図られ、金属ケースへの実装に際しても機械
的応力を受けることも少ないので、各種通信機器に採用
して顕著な効果か得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明による高周波回路基板の一実施例を示
す断面図、第２図は同じくこの発明による高周波回路基
板の他の実施例を示す断面図、第３図ないし第５図は夫
々従来の高周波回路基板を示す断面図である。１・・・セラミックス基板、　２・・・金属板、３・・
・金属ケース、　　　　　４・・・ねじ、４ａ・・・止
め金具、　　　　　５・・・合成樹脂製基板、５ａ・・
・ねじ孔、　　　　　　５ｂ・・・スルーホール、６・
・・バイアス供給回路用部品。

Claims

【特許請求の範囲】

　一方の基板面にマイクロ波集積回路が形成されたセラ
ミックス基板と、このセラミックス基板の他方の面に接
合されセラミックス基板の接合部外にケース等への取付
部を設けた合成樹脂製基板とを具備する高周波回路基板
。